【課題】貼り合わせウェーハの製造ライン中でベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を正確且つ簡単に測定できる貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法を提供する。
【解決手段】結晶方位を示すノッチ１Ｎ、２Ｎが外縁部に形成されたベースウェーハ１とボンドウェーハ２をノッチを利用して所望の回転角度で貼り合わせ、ボンドウェーハ２を薄膜化して製造された貼り合わせウェーハ１０に対して、薄膜化されたボンドウェーハの輪郭２Ｒを観測し、該輪郭２Ｒを利用して貼り合わせウェーハの中心Ｃからみたボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向を算出し、該算出したボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向とベースウェーハのノッチの位置方向１Ｎとのなす角度を算出し、ベースウェーハ１とボンドウェーハ２との回転角度を測定することを特徴とする貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温で効率よく接合可能であるとともに、２つの基材間に導電性を有する層を形成可能な接合方法、２つの基材同士を高い寸法精度で強固に接合してなり、導電性を有する層を備える接合体、および、かかる接合体を備えた信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材２１上に、導電性成分を含むプラズマ重合膜３を形成し、第１の被着体４１を得るとともに、別途、第２の基材２２（第２の被着体４２）を用意する工程と、プラズマ重合膜３と第２の基材２２とが密着するように、第１の被着体４１と第２の被着体４２とを重ね合わせて、仮接合体５を得る工程と、仮接合体５中のプラズマ重合膜３に対して紫外線を照射することにより、プラズマ重合膜３と第２の基材２２とを接合するとともに、プラズマ重合膜３に導電性を発現させて、接合体１を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板が大型化した場合においても、ガラス基板の概略全面に移動度の高い単結晶半導体層を形成することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板に第１の単結晶半導体基板を接合して、絶縁表面を有する基板上に第１の単結晶半導体層を残存させたまま、第１の単結晶半導体基板を分離し、絶縁表面を有する基板上に設けられた第１の単結晶半導体層の少なくとも一部と重なるように、第２の単結晶半導体基板を接合して、絶縁表面を有する基板上に第２の単結晶半導体層を残存させたまま、第２の単結晶半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層をエッチングにより素子分離する。素子分離された半導体層に、Ａｒなどの第１８族元素と、ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素とを添加し、ｎ型またはｐ型のゲッタリングサイト領域を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト領域にゲッタリングさせる。水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。したがって、水素イオンの照射をイオンドーピング法で積極的に行うことができる。 （もっと読む）

半導体‐オン‐ガラス（ＳｉＯＧ）構造を製造する方法及び装置は、ドナー単結晶半導体ウエハの注入表面にたいしてイオン注入処理を実行して、前記ドナー半導体ウエハの剥離層を形成するステップと、電気分解を使用して前記剥離層の前記注入表面をガラス基板に結合せしめるステップと、前記剥離層を前記ドナー半導体ウエハから離間することによって、前記剥離層の劈開表面を露出せしめるステップと、前記剥離層の前記劈開表面に対してドライエッチング処理を実行して、約５ｎｍ−２０ｎｍの膜厚の単結晶半導体層を製造するステップと、前記薄膜半導体層において薄膜トランジスタを形成するステップと、を含む。
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【課題】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にシリコンエピタキシャル層を簡単に成長させることができ、製造されるＳＯＩウェーハの反りを抑制することができ、また、デバイス製造等といった後の工程においてもパーティクルの発生を低減することができ、さらにそのようなＳＯＩウェーハ製造のコスト削減を図ることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】テラス部に酸化膜を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の全面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程（ｆ）において、反応ガスにＨＣｌガスを混合することを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ活性層の厚さを局所的に変化させ、高精度とすることができるＳＯＩ基板（半導体基板）の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、半導体材料からなる第１基板１０の第１面１０ａ側に、複数種の異なる深さの凹部２０ａ、３０ａを形成するとともに、少なくとも内壁を覆う部分が絶縁性となるように、凹部２０ａ、３０ａの内部に絶縁部２０、３０を形成する絶縁部形成工程と、絶縁部２０、３０が形成された第１基板１０の第１面１０ａ側に第２基板を貼り合わせる工程と、第１基板１０における第１面１０ａの反対面となる第２面１０ｂの側を薄厚化し、凹部２０ａ、３０ａのうち最も深い凹部２０ａの内部に形成された絶縁部２０を第２面１０ｂ側に露出させる工程と、を有している。絶縁部形成工程は、凹部２０ａ、３０ａの深さごとに凹部を形成し絶縁部を形成する単位処理を独立させて複数回行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハと絶縁基板とを結合させ、絶縁基板に半導体薄膜層を形成する半導体集積回路の製造方法において、高温熱処理を必要としない製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハに半導体薄膜層を形成する第１の工程と、前記半導体ウエハと絶縁基板とを、前記半導体薄膜層を間に挟むように貼り合わせる第２の工程と、前記第２の工程後、熱処理を行う第３の工程と、前記第３の工程後、前記絶縁基板上に前記半導体薄膜層を剥離させる第４の工程と、前記第４の工程後、前記半導体薄膜層に対してレーザ光を照射する第５の工程とを備える。 （もっと読む）