【目的】 シリコン基板等の貼り合わせ基板の熱処理中における金属汚染を低減する。
【構成】 シリコン基板１，２を貼り合わせ、貼り合わせ後の熱処理の雰囲気を塩化水素（ＨＣｌ）を含むガスとする。この塩化水素を含む雰囲気中で熱処理することで、シリコン基板１，２中の金属不純物４は塩素と結合してハロゲン化して蒸発し易くなる。従って、シリコン基板１，２中の金属不純物４による汚染が低減される。 （もっと読む）

【目的】液晶画素部に開口率を低下させることなく付加容量を有する液晶表示装置を提供する。
【構成】薄膜トランジスタが配置された側の液晶表示装置の絶縁基板２１に形成された溝部２２に、上記薄膜トランジスタの半導体層の形成と同一工程で一体に形成された第１電極２３と、上記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜（２４ｂ，２５ｂ）と同一材料で形成された絶縁膜（２４ａ，２５ａ）と、上記薄膜トランジスタのゲート電極２６ｂと同一材料で形成された第２電極２６ａとからなり、上記第１電極２３と第２電極２６ａとの間に上記絶縁膜（２４ａ，２５ａ）が挟持されて容量成分が形成されている。 （もっと読む）

【目的】 ガラス基板における配線形成方法を改良する。
【構成】 ガラス基板にマスク材をコーティングし、パターンニングによって選択的にガラス基板を露出させる第１の工程と、エッチングにより露出したガラス基板に凹溝を形成する第２の工程と、配線材料を堆積し、マスク材を除去することにより、第１層配線を形成する第３の工程と、全面に絶縁膜を形成する第４の工程と、所定パターンの第２層配線を絶縁膜上に形成する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

【目的】 薄膜トランジスタに於いて、ゲート電極とソース及びドレイン領域との重なりである寄生容量を小さくして、高速化及び高性能化及び特性の均一化を実現し、ゲート電極として低抵抗の金属を用い、配線層を同時に形成する事に依って、簡単なプロセスで配線の低抵抗化を図り、高集積化を可能にする。
【構成】 基板上に半導体層を形成しゲート絶縁膜層を形成し、レジストを塗布、パターニングし、それをマスクとしてソース及びドレイン領域を形成した後、異方性の絶縁膜を形成し、レジストを除去しリフトオフを行った後、ソース及びドレイン領域の活性化を行い、その後ゲート電極及び配線層を同時に形成する。 （もっと読む）

【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。
【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。 （もっと読む）