【課題】 微細穴の位置に広範囲に渡って均一性良く量子ドットを形成する。
【解決手段】 予め半導体層１１表面に電子ビーム、ＳＴＭなどのナノプローブを用いて微細穴１２を形成しておき、しかる後に、半導体層１１表面を終端し得るような物資を照射して終端膜１３を表面に形成し、その後に結晶成長法により微細穴１２上にのみ量子ドット１４を形成する。この場合、微細穴を形成する際に、一般に表面が活性化（ダングリングボンドが表面に露呈）され、しかも活性化の度合いは場所的な不均一性を伴うので、そのまま結晶成長を行うと、成長原子の不均一な表面拡散により、形成されるべき微細穴に、必ずしも量子ドットが形成されないという欠点がある。本発明では、前記結晶成長に先立って、終端膜１３で表面を終端することにより、微細穴１２の位置に、広範囲に渡って均一良く量子ドット１４が形成されるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】 現在の半導体微細加工技術の延長では作製が困難な、単一電子素子などの微少電荷制御素子の動作部等に使用される微小電極接合部を高精度に作製すること。
【解決手段】 有機化合物で表面を被覆した金属微粒子の水溶液８で満たされた容器７の中に絶縁膜１、ソース電極２、ドレイン電極３、ゲート電極４からなる素子５を入れ、上部に白金の対電極６を配置する。 （もっと読む）

【課題】構造および特性を制御した単一電子トンネル素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】微粒子間距離が５ｎｍ以下で近接した金属あるいは半導体からなる微粒子５を、電気絶縁性薄膜４中に分散することで形成される多重トンネル接合６を有する単一電子トンネル素子。この多重トンネル接合６はスパッタリング法などで、電気絶縁性物質と金属あるいは半導体微粒子とを交互に、あるいは同時に堆積させることにより製造される。 （もっと読む）

【目的】 入力変動に対する安定出力を得ること。
【構成】 それぞれ単電子トンネル接合を有するインピーダンス素子１，２を直列接続したチャネル形成回路を有する。各インピーダンス素子１，２のトンネル抵抗をＲ₁ ，Ｒ₂ 、接合キャパシタをＣ₁ ，Ｃ₂ としたとき、Ｒ₁ ＞Ｒ₂ ，Ｃ₁≧Ｃ₂ 、又はＲ₁ ＜Ｒ₂ ，Ｃ₁ ≦Ｃ₂ を満たすようにする。これにより、アイランド部４への蓄積電荷が入力電圧に対し、ｅのほぼ整数倍に量子化され、電流電圧特性がクーロン・ステアケイスを示し、方形波状のクーロン振動特性が得られ、一定の入力電圧幅に対し一定の出力電流値が得られるようになり、各入力論理レベルに対応する電圧値のマージンを広げることが可能となる。
【効果】 入力変動に対して安定した出力が得られる。 （もっと読む）

【目的】従来技術の有していた課題を解決して、動作温度が高く、室温でも動作する集積化単一電子素子を歩留まり良く提供する。
【構成】予め金属配線100，110を施し、その後、原子間力顕微鏡（AFM）の探針の先端に個々の金微粒子125を着脱する方法を用いて、上記電極間に金微粒子を配置した。従って、これらの金微粒子は約１nmの間隔で十分近接して並べることができ、これによって、電子の金属微粒子間のトンネルが可能となる。基板250には導電性のシリコン、絶縁体薄膜としては100Å厚のシリコン酸化膜211を用いた。また、金微粒子を固定するために、電気伝導率の低いアモルファスシリコン膜220でこれらの金微粒子を埋め込んである。 （もっと読む）

【目的】 再現性よく均一な形状の電子銃を製造することができる電子銃の製造方法を提供する。
【構成】 面方位（１００）の単結晶シリコン基板１表面に、異方性エッチングによりウエッジ形状１０の二つの面の（１１１）面を別々に形成し、このウエッジ形状の先端直上部分に成膜された金属膜１１を、レジスト８を塗布し、レジストエッチバックを行い突出させ、この突出した部分の金属膜を除去して、ゲート電極１１を形成する電子銃の製造方法。 （もっと読む）

【目的】 閾値電流が低く、安定な単一横モード発振が得られる、信頼性に優れた半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【構成】 電流狭窄構造を有する埋め込みストライプ型の半導体レーザ装置は、電流ブロック層を成長させる工程と、活性層５を含むダブルヘテロ構造の半導体層を成長させる工程との２回の成長工程からなる。１回目の成長工程で電流ブロック層２と再成長界面制御層３を成長させることにより、逆バイアス界面が再成長界面になることを防ぐことができる。従って、電流狭窄構造が強固に形成できるので、無効電流が低減できる。また、２回目の成長工程で、活性層５を含むダブルヘテロ構造の側面とその底面とのなす角度は、（１１１）Ｂ面と（１００）面とがなす角度である約54.7°となるので、再現性よく約1.5〜２μｍに形成することができる。 （もっと読む）

【目的】 共鳴トンネル三端子構造において、大きさの揃った複数のピーク電流値を実現し、これらの共鳴トンネル電流のピーク値を多値論理状態に対応させ、少ない素子数で複雑な機能を有する機能回路を実現する。
【構成】 ｎ型ＧａＡｓ結晶基板２１上にｎ型ＧａＡｓ層（コレクタ層）２２，ＡｌＧａＡｓ第１障壁層２３，ｐ型ＧａＡｓ量子井戸層（ベース層）２４，ＡｌＧａＡｓ第２障壁層２５，ｎ型ＧａＡｓ層（コレクタ層）２６が順次積層形成され、ベース領域１４がＡｌＧａＡｓ第１障壁層２３とＡｌＧａＡｓ第２障壁層２５と２つの中間障壁層１８，１９とにより３つの量子井戸に分割され、ＡｌＧａＡｓ第１障壁層２３，ＡｌＧａＡｓ第２障壁層２５と隣接する２つの量子井戸の井戸幅が他方の量子井戸の井戸幅より広い。 （もっと読む）

【目的】 簡易で、再現性の良い細線形成方法を得る。
【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板を、第１の溶液でエッチングし、その後、第２の溶液で処理し、基板／エピ界面の不純物の偏析現象が変わることを利用して、１回のエピタキシャル成長を施すことにより、細線を形成する。
【効果】 細線形成を簡易に再現性良く実施できる。 （もっと読む）