国際特許分類[H01L29/47]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 電極 (8,931) | 構成材料に特徴のあるもの (3,446) | ショットキー障壁電極 (987)
国際特許分類[H01L29/47]に分類される特許
981 - 987 / 987
等方性エッチングプロセスを使ったショットキーバリアMOSFET製造方法
【課題】電流の流れを調整するトランジスタデバイスの組立て方法において、更なる駆動電流を可能にし、デバイスの動作を最適化するプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態における方法は、チャンネル領域に対するショットキーバリア接合位置のより良い制御を与えるために、メタルソースドレイン接触の形成に先行して等方性エッチングプロセスを利用する。このショットキーバリア10接合の配置の制御性からの改善により、更なる駆動電流を可能にし、デバイスの動作を最適化する。
(もっと読む)
三次元集積回路構造及びこれを作る方法
垂直方向の半導体装置は、電気装置そして/または相互接続を含む分離して作られた基板に付加される。多くの垂直方向の半導体装置は物理的に互いに分離され、そして同一半導体本体又は半導体基板内には配置されない。多くの垂直方向の半導体装置は取り付けられた後に個別のドープされたスタック構造を生成するため、エッチングされた数個のドーピングされた半導体領域を含む薄い層として分離して作られた基板へ付加される。あるいは多くの垂直方向の半導体装置が分離して作られた基板に取り付けるのに先立ち製作される。ドープされたスタック構造は、ダイオードキャパシタ、n‐MOSFET、p‐MOSFET、バイポーラトランジスタ、及び浮遊ゲートトランジスタのベースを形成する。強誘電体メモリー装置、強磁性体メモリー装置、カルコゲニド位相変更装置が分離して作られた基板と連結して使用するために、堆積可能なアッド‐オン層に形成される。堆積可能なアッド‐オン層は相互接続ラインを含む。
(もっと読む)
パンチスルー・ダイオードおよびそれを処理する方法
ショットキーのような動作を有するモノリシック集積パンチスルー・ダイオード。これは、ショットキー金属領域(16)が第1のpドープ・ウェル(9)の表面の少なくとも一部に堆積されるときに実現される。ショットキー金属領域(16)およびpドープ・ウェル(9)は、ショットキー・ダイオードの金属−半導体−遷移を形成する。順方向特性が0.5V未満の電圧降下を有するので、発明のPTダイオードの過電圧保護は改善される。
(もっと読む)
半導体装置及びその製造方法
【課題】ゲート長の短いゲート電極を有し、しかも低抵抗で高周波特性が優れている半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともノンドープInGaP層又はノンドープInAlGaP層からなる上層半導体層12と、この上層半導体層直下にGaAs層またはAlGaAs層からなる下層半導体層11を含む半導体基板に、上層半導体層表面から上層半導体層への浸入が、下層半導体層で略停止するショットキーゲート電極15と、このショットキーゲート電極部に接続して第1の電極の抵抗を低減する第2の電極部16からなるT字型ゲート電極を形成する。
(もっと読む)
半導体装置およびその製造方法
【課題】SiC基板を用い、オン抵抗のさらなる低減が図られた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、研磨等により厚さが200μm以下にされ、( 0 0 0−1)C面を上面とするSiC基板11aと、SiC基板11aの上面上に順に設けられた半導体からなるエピタキシャル成長層12,ショットキー電極14及び上部電極16と、Si面であるSiC基板11aの裏面上に順に設けられたオーミック電極15及び下部電極17とを備えている。SiC基板11aが従来の基板よりも薄いため、動作時のオン抵抗が大きく低減されている。
(もっと読む)
窒化物系III−V族化合物半導体装置
炭化けい素ダイオード
981 - 987 / 987
[ Back to top ]