電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセス。本製造プロセスのは、誘電性材料の堆積／成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。さらに、デバイス表面に堆積された誘電性材料は、デバイスの真性領域から除去される必要はない。このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。マルチゲートフィールドプレートを使うと、マルチ接続を使用するので、ゲート抵抗を減らすこともでき、こうして、大周辺デバイスおよび／またはサブミクロンゲートデバイスの性能を向上することができる。
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ＨＥＭＴは、シリコン基板（１）、窒化物半導体から成るバッファ領域（２）、窒化物半導体領域（３）、ソース電極（４）、ドレイン電極（５）、ゲート電極（６）、絶縁膜（７）、導体膜（８）及びコンタクト電極（９）を有している。バッファ領域（２）はシリコン基板（１）の上に複数回繰返して成長されたＡＩＮから成る第１の層（１３）とＧａＮから成る第２の層（１４）とから成る。半導体領域（３）は電子走行層（１５）と電子供給層（１６）とを有している。バッファ領域（２）及び半導体領域（３）の側面（１７）は傾斜している。この傾斜側面（１７）に絶縁膜（７）を介して導体膜（８）が対向している。導体膜（８）はコンタクト電極（９）を介してシリコン基板（１）に接続され、側面（１７）における漏れ電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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トランジスタ構造体であって、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体基板と、インジウムアルミニウムガリウムヒ素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）格子整合層と、格子整合層の上に配設されるインジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）バリア層と、バリア層上に配設されるＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層であって、ｙは下部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率である、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層と、下部チャネル層上に配設されるＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層であって、ｘは上部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率であり、ｘはｙと異なる、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層上のＩｎＡｌＡｓショットキー層とを有するトランジスタ構造体。下部チャネル層は、上部チャネル層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、下部チャネル層は、上部チャネル層のバルク電子移動度より低いバルク電子移動度を有する。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。
【解決手段】ドライエッチングにより、第１化合物半導体層２２のゲート電極形成予定領域３６の表面を露出するとともに、コンタクト層３２を形成する。次いで、この第１化合物半導体層２２の露出した表面に対するアニール処理を行う。前述のドライエッチングの際に第１化合物半導体層２２の表面に生じたダメージを、窒素プラズマを用いた表面処理を行うことにより、良好な電気特性をもつ第１化合物半導体層２２の表面を形成する。この窒素プラズマを用いた表面処理を行った第１化合物半導体層２２の表面上にゲート電極３８を形成し、良好なショットキ特性を有するゲート電極を具えたリセス型ＨＥＭＴ１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性、特性安定性に優れ、ゲートリーク電流が低減されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上にバッファ層と、チャネル層と、スペーサ層と、キャリア供給層と、ショットキーバリア層と、高濃度不純物ドープキャップ層とが順次堆積され、ソース電極及びドレイン電極がキャップ層表面に形成され、ソース電極とドレイン電極の間のキャップ層にショットキーバリア層に達する開口部が形成され、開口部に露出したショットキーバリア層表面にゲート電極が形成されているヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、キャップ層が複数の細線で構成され、細線間はショットキーバリア層が露出し、ソース電極及びドレイン電極が、細線と細線間に露出したショットキーバリア層との両方に接触していることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート耐圧を十分に高く維持しながら、ソース抵抗の大幅な低減により高性能化が可能なヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 Ｃ面サファイア基板１上に、バッファ層を介して、アンドープＧａＮ層２、アンドープＡｌ_0.3 Ｇａ_0.7 Ｎ層３、アンドープＧａＮチャネル層４、アンドープＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎスペーサ層５、ｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ電子供給層６、傾斜組成アンドープＡｌ_z Ｇａ_1-z Ｎ障壁層７およびｎ型Ａｌ_0.06Ｇａ_0.94Ｎコンタクト層８を順次積層し、ｎ型Ａｌ_0.06Ｇａ_0.94Ｎコンタクト層８上にゲート電極９、ソース電極１０およびドレイン電極１１を設け、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴを構成する。傾斜組成アンドープＡｌ_z Ｇａ_1-z Ｎ障壁層７のＡｌ組成ｚはｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ電子供給層６からｎ型Ａｌ_0.06Ｇａ_0.94Ｎコンタクト層８に向かって０．１５から０．０６まで連続的に減少させる。 （もっと読む）