国際特許分類[H01L29/786]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの (37,192) | ユニポーラ装置 (34,588) | 電界効果トランジスタ (34,488) | 絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの (29,475) | 薄膜トランジスタ (12,139)
国際特許分類[H01L29/786]に分類される特許
12,131 - 12,139 / 12,139
液晶表示装置の製造方法
半導体装置
アクティブマトリクス表示装置
液晶表示パネル
多層配線構造
薄膜トランジスタの製造方法
薄膜トランジスタの製造方法
薄膜電界効果素子
配線構造とこれを利用する薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ag層、及び保護層の3重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ag層は銀や銀合金からなり、保護層はIZO、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。
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