【目的】 電子を単一電子帯電効果によって独立した電極に蓄えることを利用するものである。従来素子に比べ、集積度・動作速度の向上を可能ならしめる記憶回路を構成する。
【構成】 情報は、グランド線１２に接続された２つの直列接続のトンネル接合２１、２２、書き込み線１３に接続されたコンデンサー３１、そして、読み出し回路０３に接続されたコンデンサー３２が、それぞれ並列に接続された電気的に独立した電極０１に、電子を蓄えることによって保持される。直列に接続されたトンネル接合により、書き込み電圧Ｖ_w に対し、電子数がＮまた（Ｎ＋１）個が安定に蓄えられる双安定領域が存在することを用いて、書き込み電圧のわずかな変化に対して記憶が失われないような記憶回路を構成する。電子が安定に独立した電極に保たれている。読み出しには単一電子トンネルトランジスターを用いる。 （もっと読む）

【目的】炭化珪素を用いた半導体デバイスにおいて、炭化珪素と結晶整合性のよい材料をデバイスの構成要素に使用することで、炭化珪素が有する物理的性能を効果的に引き出し、大電力変換容量を有し、かつ高速動作する高性能な半導体素子を実現すること。
【構成】高不純物濃度の炭化珪素あるいは電気的導電性に優れた炭化チタンを基板とし、ドレイン領域になるｎ形の炭化珪素層と，ウェル層になるｐ形の炭化珪素層と，ソース領域になるｎ形の炭化珪素層が順次重ねられた構造の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、素子の表面からドレイン領域へ達するように掘り込まれた凹部にゲート電極を設け、さらにソース電極とｐ形のウェル層の電気的接続に炭化珪素と結晶整合性のよい炭化チタンを使用する。 （もっと読む）