国際特許分類［H01L29/868］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００，５１／０５が優先；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００ (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの (2,569) | ダイオード (2,495) | ＰＩＮダイオード (194)
国際特許分類［H01L29/868］に分類される特許
191 - 194 / 194
光起電力デバイス用途の半導体ナノワイヤアレイ及びその製造方法
【課題】光起電力（ＰＶ）電力のワット当たりの費用を下げる。
【解決手段】本発明は、電気・電子的用途のためのナノワイヤの作製に関する。アルミナを形成するアルミニウムが、ＶＬＳ（ＣＶＤ）プロセスにおいてシリコンナノワイヤを成長させるための触媒としても、半導体ドーパントとしても用いられるような、アルミナテンプレートを用いてシリコンナノワイヤを成長させる方法が開示されている。さらに、デバイス層間の電気的遮蔽を維持するためにアルミニウム及びアルミナの一部のマスキングを除去する様々な技術が開示されている。
（もっと読む）
横型ダイオードおよびその製造方法
ゲートをもたず、ダイオードのドープ領域間にシャロートレンチアイソレーション領域をもたない、速いターンオン時間、低い静電容量、および低いターンオン抵抗をもつアクティブダイオードを製造することができる。アクティブダイオード内の伝導経路が短いことで、ターンオン時間を速くすることができ、ゲート酸化物がないことで、アクティブダイオードが極端な電圧の影響を受けにくくする。アクティブダイオードは、静電放電（ＥＳＤ）事象からの損傷を防止および低減させるように、集積回路内で実施することができる。アクティブダイオードの製造は、サリサイド化前にダイオードのドープ領域間にサリサイドブロックを堆積させることによって実現される。ドープ領域上にサリサイド層が形成された後、サリサイドブロックは除去される。 
（もっと読む）
ゲート・ダイオード構造及びゲート・ダイオード構造の製造方法
【課題】改善された特性と強化された機能とを備えたダイオード構造とその製造方法が望まれている。
【解決手段】ゲート・ダイオード構造及びＳＯＩ基板（ＳＯＩ）等の上にゲート・ダイオード構造を製造する方法であって、緩和下地層（３４‘）を用いる。緩和下地層は歪下地層（３４）から形成される。歪下地層（３４）は典型的にはゲート・ダイオード構造と同時に形成される電界効果型トランジスタに用いられる。緩和下地層は歪下地層（３４）のイオン注入処理のような処理により形成される。反応性イオンエッチング方法を用いてゲート・ダイオード構造から歪下地層を除去するときのゲート・ダイオードの損傷がないので、歪下地層に比較して、緩和下地層はゲート・ダイオード構造の理想値を改善する。
（もっと読む）
モノリシック半導体マイクロ波スイッチアレイ
マイクロ波スイッチアレイは、複数のマイクロ波スロットラインを含む。各スロットラインは、前記スロットラインで分離された一次P型電極及び一次N型電極で形成された第１PIN接合を含む半導体スイッチで制御される。前記スイッチは、前記第１PIN接合に適用される電位に応じてプラズマを前記スロットラインへ注入する。各スイッチは、前記一次P型電極及び二次N型電極間の第２PIN接合、及び、前記一次N型電極及び二次P型電極間の第３PIN接合を含む。金属コンタクトは前記一次P型電極及び前記二次N型電極を第２PIN接合間で接続し、前記一次N型電極及び前記二次P型電極を第３PIN接合間で接続する。前記二次電極は、前記第１PIN接合から拡散するプラズマを取り出し、これによりプラズマ拡散の性能劣化効果を最小化する。 
（もっと読む）
191 - 194 / 194
[ Back to top ]