【課題】ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。
【解決手段】読取光に対して透過性を有する支持体８上に、読取光に対して透過性を有する電極層５、ａ−Ｓｅを主成分とする、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、記録用光導電層２で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２３を形成するための電荷輸送層３、ａ−Ｓｅを主成分とする、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、および記録光に対し透過性を有する電極層１とがこの順に積層された静電記録体１０において、読取用光導電層４と電極層５の電極との界面に、界面結晶化を抑制する物質として、Ａｓを０．５〜４０ａｔｏｍ％ドープして、読取光の最も入射側に、界面結晶化を抑制する薄層を設けたのと実質的に等価な状態にする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による放射線検出器本体430の反りをより効果的に抑制する。
【解決手段】放射線検出器本体430のアクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442よりも線膨張係数が小さい支持体460及び固定部材462で、アクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442を挟んで固定する。これにより、支持体460がアクティブマトリックス基板450下に接合されるのみ構成に比して、放射線検出器本体430の反りをより効果的に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームが走査され、入射した光の像を内部光電効果に基づいて電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２の光入射側に、直径５０ｎｍ以下のナノ微粒子２１を含む基板１３を配設することにより、そのナノ微粒子２１に光を吸収させ、この吸収させた光に基づいて近接場光を少なくとも光導電膜１２へ滲出させ、この滲出させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて光導電膜１２における内部光電効果の効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を繰り返して使用する場合においても、バイアス電極の端部での放電破壊を抑制する。
【解決手段】上部電荷選択透過層402の外周端は、配線440が配置された領域において、バイアス電極401の外周端の内側に位置するのでバイアス電極401の外周端が上部電荷選択透過層402を介することなく、直接、光導電層404に接触する。これにより、バイアス電極401の外周端部での電荷蓄積とこれによる電場強度の増加が抑制され、バイアス電極401の端部での放電破壊を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電荷読出時の出力信号のＳ／Ｎ比を向上させる。
【解決手段】電荷を蓄積する蓄積容量44及び蓄積容量44の一端に接続されたＴＦＴ46を備えた複数の画素部48がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板42の全面に、照射された放射線を電荷へ変換する電荷変換層が設けられた構成の放射線検出パネルにおいて、ゲート線52と交差する矢印Ｂ方向に沿って並ぶ画素部から各々構成される個々の画素部列に対応して、ＴＦＴ46がオンした画素部48の蓄積容量44の一端を、オペアンプ98,コンデンサ100,102から成る複数のチャージアンプのうちの互いに異なるチャージアンプの入力端と導通させるデータ線54を矢印Ｂ方向に沿って複数設けると共に、電気的に互いに分離され、蓄積容量44の他端を個々の画素部列毎に異なるチャージアンプの入力端に接続する蓄積容量配線56を矢印Ｂ方向に沿って複数設ける。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器へのバックライトの照射による暗電流の発生を十分に抑制するとともに、放射線画像検出器のラグ（残像特性）を向上させる。
【解決手段】バイアス電圧が印加されるバイアス電極１と、放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層４と、光導電層４において発生した電荷を輸送する基板側電荷輸送層５と、光導電層４において発生した電荷を収集する電荷収集電極が多数配列されたアクティブマトリクス基板６とがこの順に積層された放射線画像検出器と、放射線画像検出器への記録用の電磁波の照射中に放射線画像検出器に光を照射する光照射手段２０とを備えた放射線画像検出装置において、基板側電荷輸送層５を、Ｓｂ_ｘＳ_{（１００−ｘ）}を含むものとし、ｘが４１≦ｘ≦６０を満たす層を一部に有するとともに、ｘが膜厚方向について変化する組成分布を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】有機層の形成範囲を規定して放射線検出器の耐久性を向上させる。
【解決手段】正孔注入阻止層402の外縁部が、取出電極470から１ｍｍ画像情報取得領域Ｇ側に位置しており、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間に位置する。これにより、光導電層404の画像情報取得領域Ｇを正孔注入阻止層402が覆うことになり、光導電層404の画像情報取得領域Ｇにおける結晶化等の劣化を抑制でき、放射線検出器400としての耐久性が向上する。また、正孔注入阻止層402は、取出電極470を覆わないので、取出電極470の導通不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】優れた光電変換効率と安定性とを両立し、さらに耐久性に優れ、安価な光電変換材料用半導体ならびに光電変換素子と、この光電変換材料用半導体及び光電変換素子を用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】酸化チタン等の金属酸化物もしくは金属硫化物半導体の表面に有機色素化合物を吸着させ、半導体を分光増感させた光電変換材料用半導体を含有する感光層２と電荷移動層３を導電性支持体１と対向電極４の間に設けた太陽電池。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量を増やさずに画素間隔を狭める。
【解決手段】光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域１０２と、第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域１０５とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域１０３と、第一導電型の第四不純物領域１０４とが配置され、第四不純物領域は隣接する画素間にあり、第四不純物領域の不純物濃度は第三不純物領域の不純物濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】外乱光の光量変化に応じて受光感度を調整する光学式入力装置を提供する。
【解決手段】発光時増幅信号と比較して入力操作状態と判定するために用いる消灯時増幅信号を外乱光判別手段へも入力し、外乱光の照度の目安となる消灯時増幅信号のレベルに応じて受光手段の受光感度となる光電変換信号の増幅率を可変するので、外乱光の光量に応じて受光手段の受光感度をきめ細かく調整できる。また、消灯時増幅信号のレベル変化から、別に入力操作を検出するための検出装置を設けることなく、入力操作を検出する。 （もっと読む）