【課題】、放射線画像の品質を維持したまま放射線の照射に関する検出を行うこができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】照射された放射線が変換された光に応じて電荷を発生するセンサ部１０３、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力するＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と非接続の放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた画素２０Ａと、センサ部１０３、ＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と接続され、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力する放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた放射線検知用画素２０Ｂと、を備える。放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４の制御端子は、放射線検知用走査配線１０９に接続されており、放射線検知用制御回路１０８から出力されたスキャン信号により、オン、オフが制御される。 （もっと読む）

【課題】小型化もしくは受光部の拡大が可能で、信頼性を確保でき、さらに、解像度特性を改善できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子13が配列された受光部14、および光電変換素子13と電気的に接続された素子用電極パッド15を有する固体撮像素子12を備える。外部接続用電極パッド18およびこの外部接続用電極パッド18と電気的に接続されている電極端子19を有する基台17に、固体撮像素子12を固定する。素子用電極パッド15と外部接続用電極パッド18とを配線20で電気的に接続する。素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20を一体に被覆する保護層21を気相成長法によって形成する。固体撮像素子12の受光部14上とともに、保護層21で被覆された素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20上にシンチレータ層22を形成する。配線20をシンチレータ層22内に埋没固定する。 （もっと読む）

【課題】産業用Ｘ線ＣＴ装置のＣＴ画像の空間分解能を高めること、及びそれに寄与するＸ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線を被検体に照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線検出器２がアレイ化配置されて構成されたリニアアレイセンサと、そのＸ線源とそのＸ線検出器２の間に配置された被検体を水平回転させるターンテーブルと、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるＸ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器２は、Ｘ線を検出するための半導体部材１２と、これを埋設したベース板１８と、その半導体部材１２の面であって、アレイ化配置方向側の片側面に限定して装着されて漏れ電子を遮蔽する遮蔽板１４を有する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）