Ｘ線検出器及びそれを用いた産業用Ｘ線ＣＴ装置
【課題】産業用Ｘ線ＣＴ装置のＣＴ画像の空間分解能を高めること、及びそれに寄与するＸ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線を被検体に照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線検出器２がアレイ化配置されて構成されたリニアアレイセンサと、そのＸ線源とそのＸ線検出器２の間に配置された被検体を水平回転させるターンテーブルと、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるＸ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器２は、Ｘ線を検出するための半導体部材１２と、これを埋設したベース板１８と、その半導体部材１２の面であって、アレイ化配置方向側の片側面に限定して装着されて漏れ電子を遮蔽する遮蔽板１４を有する。
【解決手段】Ｘ線を被検体に照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線検出器２がアレイ化配置されて構成されたリニアアレイセンサと、そのＸ線源とそのＸ線検出器２の間に配置された被検体を水平回転させるターンテーブルと、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるＸ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器２は、Ｘ線を検出するための半導体部材１２と、これを埋設したベース板１８と、その半導体部材１２の面であって、アレイ化配置方向側の片側面に限定して装着されて漏れ電子を遮蔽する遮蔽板１４を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検体を透過するＸ線の透過量を計測することにより、非破壊でその被検体内部の状況を画像化する産業用Ｘ線ＣＴ装置とそれに用いるに好適なＸ線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線ＣＴ装置は、医療用の人体内部計測装置としての活用が広く普及しているが、工業用途においても被検体を切断することなく非破壊で内部状態が計測できるため、鋳造部品の内部欠陥計測、など非破壊検査として多くの用途に用いられている。
【０００３】
Ｘ線ＣＴ装置では、Ｘ線源と検出器の間に撮像被検体を設置し、Ｘ線源から照射されるＸ線が被検体を透過し減衰した後のＸ線透過量を検出器で計測し、このＸ線の透過量分布から被検体内部の画像を再構成する。そのため、Ｘ線検出器サイズが画像の空間分解能に強く影響する。
【０００４】
医療用と異なり工業用途の産業用Ｘ線ＣＴ装置では、被検体が金属物の工業製品の場合が多く人体に比較して透過能力の強いＸ線エネルギーが必要となる。Ｘ線を発生させるＸ線源としては、８００ｋｖまではＸ線管が使用可能であり、ＭＶ領域のエネルギーレベルでは線形加速器によるＸ線源が必要となる。
【０００５】
Ｘ線管では、エネルギーレベルの低い領域（〜２２５ｋＶ）では焦点サイズがミクロンオーダーのＸ線源が存在するが、透過能力が低いため厚い金属物の被検体は撮像不能となる。
【０００６】
また、エネルギーレベルが比較的高い領域（３２０ｋＶ〜８００ｋＶ）のＸ線管では、透過能力は増加するがＸ線発生源の焦点サイズはサブミリからミリオーダーに大きくなる。
【０００７】
ＭＶ領域のＸ線エネルギーレベルが得られる線形加速器では、透過能力がさらに増加し、エネルギーレベルが比較的高い領域（３２０ｋＶ〜８００ｋＶ）のＸ線管と同様、Ｘ線発生源の焦点サイズはサブミリからミリオーダーに大きくなる。
【０００８】
これらのＸ線管、線形加速器からは通常、コーン状に、またＸ線発生直後にコリメートされファン状にＸ線が照射される。
【０００９】
Ｘ線源から照射され撮像被検体内部で減衰したＸ線の減衰量を計測するＸ線検出器には、シンチレータや化合物半導体、等の放射線検出器が用いられる。これらの検出器は、撮像対象の被検体を挟んでＸ線源と相対する位置に設置される。
【００１０】
Ｘ線検出器は、一定間隔で離散的に配置されＸ線源から各Ｘ線検出器素子中心を結んだ直線上のＸ線透過量積算値を計測する。
【００１１】
被検体全体を撮像するには、Ｘ線源とＸ線検出器の間に設置された被検体をターンテーブルに乗せ回転させて、全体画像を再構成するために必要な投影データを取得する。または、撮像被検体はターンテーブル上に固定し、Ｘ線源とＸ線検出器を被検体周囲に回転させ必要な投影データを取得する。
【００１２】
このようにＸ線源とＸ線検出器に対して被検体を相対的に回転させて各回転角度ピッチ毎に全てのＸ線検出器で入射Ｘ線の放射線量を計測し、画像再構成のための投影データとする。これらの撮像時の各回転角毎の投影データを用いて代表的なＦＢＰ法などにより画像再構成を実施する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Miyai H, Satoh K, Kitaguchi H, Izumi S. A high energy X-ray computed tomography using silicon semiconductor detectors. In: 1996 Nuclear Science Symposium Conference Record, vol.2, 1997. p.81621.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した既存の産業用Ｘ線ＣＴ装置を用いた工業製品の非破壊検査における内部計測では、被検体である工業製品の構造強度や性能特性に影響を与えるサイズの欠陥を検出する必要がある。
【００１５】
工業製品の鋳造物を対象とした場合は、これらの致命的な鋳造欠陥は既存のＣＴ装置で検出可能であるが、さらに、これらの欠陥の周辺に存在するより小さい欠陥を検出するには、さらなる分解能の向上が必要となる。
【００１６】
従来の産業用Ｘ線ＣＴ装置では、Ｘ線検出器には、シンチレータや化合物半導体、等の放射線検出器が用いられてきたが、特に、非特許文献１に示されたように、半導体化合物材料を用いたＸ線検出器は、高エネルギーＸ線に対する感度が高く、シンチレータに比較して厚みを薄くすることが可能である。
【００１７】
そのため、半導体化合物材料を用いたＸ線検出器を用いて、検出器アレイを構築した場合には、検出器間隔を狭く設定することが可能である。検出器間隔の狭隘化により画像生成のための投影データのサンプリング間隔が小さくなり、高分解能画像が得られる。
【００１８】
その一方、非特許文献１に示された半導体化合物材料を用いたＸ線検出器では、透過したＸ線を検出するための半導体部材の他に、検出器間の漏れ電子（クロストーク）を抑制するための遮蔽板が設置されていた。そのため、検出器厚みを薄くし検出器アレイの稠密化に限界があり、Ｘ線ＣＴ装置としての分解能の向上にも限界があった。
【００１９】
現状以上に検出器アレイ内のＸ線検出器を稠密化するには、Ｘ線受感部を薄くするか、遮蔽板を取り除く必要がある。Ｘ線受感部を薄くした場合は、入射Ｘ線量が薄くする前より減少するため、ＳＮ比が低下し画像分解能が悪化する。
【００２０】
一方、遮蔽板を取り除いた場合は、着目検出器に入射したＸ線のコンプトン散乱、電子対生成により着目検出器に隣接するＸ線検出器に漏れ放射線が発生する。これらの漏れ放射線量は、隣接検出器に対しては、本来のＸ線計測値に対するノイズ信号として作用し、既存の画像再構成手法を用いて画像化した場合、撮像被検体の境界がボケ、画像分解能が低下する。
【００２１】
従って、本発明の第１の目的は、稠密配置と同時に隣接検出器に漏れる放射線量を低減させることが可能なＸ線検出器を提供することにある。第２の目的は、Ｘ線検出器の配置を稠密化し、さらに隣接検出器に漏れる放射線量を低減させノイズを抑制して空間分解能の向上した撮像が可能な産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記の第１の目的を達成するための手段は、Ｘ線を受ける半導体部材と、その半導体部材の電極が装着された基板と、その半導体部材からの漏れ電子を遮蔽する遮蔽部材とを備えたＸ線検出器において、その半導体部材が埋設されたベース板にその基板とその遮蔽部材とを装着して成るＸ線検出器である。
【００２３】
そして好ましくは、その基板が、その遮蔽部材の周囲に配置されてそのベース板に装着されていることが好ましい。
【００２４】
さらに好ましくは、そのベース板は、検出すべきＸ線を前記半導体部材へ入射させる部位に開口部が形成され、前記開口部に前記半導体部材が面していることが好ましい。
【００２５】
さらに一層好ましくは、その遮蔽部材は、Ｘ線検出器のアレイ化配列方向の片側の面に限定して覆うように配置されていることが好ましい。
【００２６】
その上好ましくは、その遮蔽部材は、その半導体部位表面に蒸着乃至は接合により設けた金属であることが好ましい。
【００２７】
上記第２の目的を達成するための手段は、Ｘ線を照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出するように並べて配列されてアレイ化された複数個のＸ線検出器と、そのＸ線源とそのＸ線検出器とに対してその被検体の相対的位置を変更する駆動機構と、そのＸ線検出器で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路と、その信号処理回路からの信号に基づいて画像を再構成する演算装置とからなる産業用Ｘ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器として前述の第１の目的を達成するための手段として記載のいずれかのＸ線検出器を備えている産業用Ｘ線ＣＴ装置である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のＸ線検出器によれば、ベース板に半導体部材を埋設して遮蔽部材を備えるにもかかわらず薄くＸ線検出器を構成することができるので、そのＸ線検出器を並べてアレイ化して用いる際にはそのＸ線検出器の稠密配置が可能となると共に隣接Ｘ線検出器に漏れる放射線量を遮蔽板で遮蔽して低減させることが可能となるので、分解能の高いＸ線撮像に貢献できるＸ線検出器を提供することができる。
【００２９】
また、本発明の産業用Ｘ線ＣＴ装置によれば、産業用Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検出器の配置を稠密化し、さらに隣接検出器に漏れる放射線量を低減させノイズを抑制することにより空間分解能の向上したＸ線撮像結果が得られる産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例による産業用Ｘ線ＣＴ装置を表した図である。
【図２】従来のＸ線ＣＴ装置に用いられているＸ線検出器の構造の一例を表した図にして、（ａ）図は、Ｘ線検出器の全体斜視図、（ｂ）図は、（ａ）図のＸ線検出器を並べてアレイ化したものをＸ線入射方向から見た図である。
【図３】図１のＸ線ＣＴ装置に用いられているＸ線検出器の構造の一例を表した図にして、（ａ）図は、Ｘ線検出器の一部分分解して表した図、（ｂ）図は、（ａ）図のＸ線検出器の組立て後の全体を表した斜視図であり、（ｃ）図は、（ｂ）図のＸ線検出器を並べてアレイ化したものをＸ線入射方向から見た図である。
【図４】図１のＸ線ＣＴ装置に用いられているＸ線検出器の構造の他の一例を表した図にして、（ａ）図は、Ｘ線検出器の一部分分解して表した図、（ｂ）図は、（ａ）図のＸ線検出器の組立て後の全体を表した斜視図であり、（ｃ）図は、（ｂ）図のＸ線検出器を並べてアレイ化したものをＸ線入射方向から見た図である。
【図５】図１のＸ線ＣＴ装置における画像再構成システムの一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施例では、Ｘ線７を照射するＸ線源１と、撮像対象の被検体８を透過したＸ線を検出するＸ線検出器２と、Ｘ線源１とＸ線検出器２の間に配置された撮像対象の被検体８を回転・並進させる駆動機構（ターンテーブル６）と、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路３とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置を有する画像再構成装置４を有し、Ｘ線検出器２に透過してきたＸ線を検出するための半導体部材１２とこれを内側に装備して支持するベース板１８と放射線の遮蔽板１４との一体構造からなる薄型のＸ線検出器２を複数個並べて断層画像を取得する水平面方向に一定間隔で並べてアレイ化した産業用Ｘ線ＣＴ装置と、それに用いられる薄型のＸ線検出器２の構造が示されている。
【００３２】
本発明の他の実施例では、Ｘ線７を照射するＸ線源１と、撮像対象の被検体８を透過したＸ線を検出するＸ線検出器２と、Ｘ線源１とＸ線検出器２の間に配置された撮像対象の被検体８を回転・並進させる駆動機構（ターンテーブル６）と、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路３とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置を有する画像再構成装置４を有し、Ｘ線検出器２に透過してきたＸ線を検出するための半導体部材１２とこれを内側に装備して支持するベース板１８と半導体部材１２の表面に蒸着又は接合された放射線の遮蔽機能を持つ金属部を設けてそれらを一体構造として薄型のＸ線検出器２を構成し、そのＸ線検出器２を複数個を断層画像を取得する水平面方向に一定間隔で並べてアレイ化して装備した産業用Ｘ線ＣＴ装置と、それに用いられる薄型のＸ線検出器２の構造が示されている。
【００３３】
本発明の各実施例では、既述の本発明の両実施例のいずれかの産業用Ｘ線ＣＴ装置における画像再構成処理においては、各撮像断面で各Ｘ線検出器で得られる投影データからクロストークによるノイズ成分を除去する処理を、各投影データを各検出器毎に補正する信号処理プロセスを経て実施するＸ線ＣＴ撮像方法を用いて、信号処理においてもノイズの低減による分解能の向上を図っている。
【００３４】
以下に、各実施例を各図を参照して説明する。
【実施例１】
【００３５】
本発明の一実施例である産業用Ｘ線ＣＴ装置を図１に示す。図１のように、産業用Ｘ線ＣＴ装置は、Ｘ線源１と複数のＸ線検出器２とがターンテーブル６の両側に対抗して設置される。
【００３６】
ターンテーブル６は、Ｘ線源１とＸ線検出器２とに対して被検体８の相対的位置を変更してＸ線の照射位置を変更する駆動機構として採用される。
【００３７】
Ｘ線検出器２には、化合物半導体検出器やシンチレータが用いられる。Ｘ線検出器２は、複数個採用され、各Ｘ線検出器２は水平方向に一定間隔で各検出器素子を並べて、図１のように、ラインアレイセンサとして、または図示していないが、水平方向と垂直方向の２次元に一定間隔で各検出器素子を並べて平面アレイセンサとしての配列を有する。
【００３８】
被検体８は、Ｘ線源１と複数のＸ線検出器２との両者の間に位置するように、ターンテーブル６上に、撮像対象として置かれる。被検体８は、金属製の工業製品である。
【００３９】
この産業用Ｘ線ＣＴ装置においては、Ｘ線源１から照射されたＸ線７が、被検体８を透過して減衰し、対抗する位置のＸ線検出器２に入射する。これらのＸ線検出器２に入射したＸ線は、Ｘ線検出器内で入射Ｘ線量（Ｘ線透過量）に相当する電気信号に変換されて、各検出器素子の電気信号として生成される。
【００４０】
このように得られた各検出器素子の電気信号は、検出器ピクセル積算処理機構５へ伝送されて、検出器ピクセル積算処理機構５により指定された各検出器素子数分を加算処理される。
【００４１】
加算処理された電気信号は検出器ピクセル積算処理機構５から信号処理回路３に伝送され増幅、ビット変換され、その後に信号処理回路３から画像再構成装置４に伝送される。
【００４２】
被検体８の全体の画像を再構成するには、ターンテーブル６を回転させて一定角度ピッチ毎に全Ｘ線検出器２で検出されたＸ線透過量に相当する電気信号（投影データと呼ぶ）を１回転分収集する。
【００４３】
一定角度ピッチ毎の投影データは順次、検出器ピクセル積算処理機構５と信号処理回路３とで順次処理されて画像再構成装置４に伝送、格納され、１回転分が得られた時点で、画像再構成装置４内で投影データに基づいて画像再構成演算を実行し、再構成画像のデータが得られる。
【００４４】
得られた再構成画像のデータは、ＣＴ画像表示装置１１に伝送されてＣＴ画像表示装置１１のディスプレイ上に表示される。
【００４５】
また、本実施例の産業用Ｘ線ＣＴ装置に用いたＸ線検出器２を図３に示す。比較のために、従来のＸ線検出器の構造を図２に示した。従来のＸ線検出器では、Ｘ線を検出する半導体部材１２がＦＰＣ基板１３に装着され、これらに遮蔽板１４が設けられている。図２（ａ）には、１個のＸ線検出器２を示し、図２（ｂ）には、これらのＸ線検出器を水平方向に一定間隔で並べたラインアレイセンサ１６のＸ線検出器配列を示した。
【００４６】
図３に示した本実施例に採用したＸ線検出器２では、Ｘ線を検出する検出器素子である半導体部材１２が、コの字型のベース板１８の凹部に差し込まれたように埋め込まれて設けられる。
【００４７】
さらに、コの字型ＦＰＣ基板１３の凹部に遮蔽板１４が差し込まれたように埋め込まれて設けられる。このため、図３（ｃ）に示すように、遮蔽板１４はＦＰＣ基板１３から、半導体部材１２はベース板１８から、それぞれＸ線検出器２の並び方向に突出しないように組み込まれる。
【００４８】
その突出については、完全に突出しないようにすることが好ましいが、完全である必要は無く、遮蔽板１４の一部分のみがＦＰＣ基板１３の凹部に、また、半導体部材１２の一部分がベース板１８の凹部に、埋め込まれる部分埋め込み状態であっても良い。
【００４９】
この遮蔽板１４が装着されたＦＰＣ基板１３は、半導体部材１２が装着されたベース板１８に接着される。このようにして、遮蔽板１４とＦＰＣ基板１３と半導体部材１２とベース板１８とが一体化されて一つのＸ線検出器２が構成され、遮蔽板１４とＦＰＣ基板１３と半導体部材１２とがベース板１８に支持されている。
【００５０】
ベース板１８にＦＰＣ基板１３を接着する際には、図３（ｃ）に示すように、遮蔽板１４が半導体部材１２の片面を覆うように位置決めする。このことにより、隣接するＸ線検出器との間での散乱放射線等の半導体部材１２内外への出入りを遮断できるようにする。
【００５１】
図３（ａ）、（ｂ）には、１個のＸ線検出器２を示し、図２（ｃ）には、これらのＸ線検出器２を水平方向に一定間隔で並べたラインアレイセンサ１６のＸ線検出器配列を示した。
【００５２】
図３（ｃ）のように、本実施例のＸ線検出器２の構造では遮蔽板１４がＦＰＣ基板１３に埋め込まれているため、Ｘ線検出器２の厚みを配列方向へ薄くすることが可能であり、Ｘ線検出器２をアレイ化すべく配列した場合にＸ線検出器２の配列方向の間隔を稠密化できる。
【実施例２】
【００５３】
本発明の第２の実施例では、前述の第１の実施例におけるＸ線検出器２を変更したものであり、他の内容については、前述の第１の実施例と同じである。そのため、以下では、変更を受けたＸ線検出器２を説明する。
【００５４】
第２の実施例のＸ線検出器２は、図４に示されている。本実施例では、図４（ａ）のように、Ｘ線検出器２のベース板１８とＦＰＣ基板１３をコの字型とする。ベース板１８をコの字型としたことによって生じた凹部内に半導体部材１２が埋め込まれるように装着される。
【００５５】
また、Ｘ線検出器２の半導体部材１２の片側の表面、即ち、図４（ｃ）のようにリニアアレイセンサ１６のＸ線検出器２の配列方向の片側の面に、第１実施例の遮蔽板１４に相等する金属部１７（金、銀、銅、など）を蒸着もしくは接合により装着して一体化させる。
【００５６】
ＦＰＣ基板１３は、その凹部に金属部１７がはまるようにしてベース板１８に装着して一体化する。このようにして、半導体部材１２とＦＰＣ基板１３と遮蔽板１７とベース板１８とが一体化される。
【００５７】
この様に構成したＸ線検出器２は、第１の実施例と同様に、図４（ｃ）のように、断層画像を取得する水平面内で水平方向へ一定間隔で並べ、アレイ化したＸ線検出器配列を有するラインアレイセンサ１６とした上で産業用Ｘ線ＣＴ装置に組み込まれて使用される。
【００５８】
本実施例のＸ線検出器２の構造では、半導体部材１２とＦＰＣ基板１３と遮蔽板１７とベース板１８とが一体化された組立て後の状態にあっては、第１実施例と同様に、放射線等の遮蔽材となる金属部１７がＦＰＣ基板１３に埋め込まれたと同じ状態のレイアウトになるので、Ｘ線検出器２の厚みを薄くすることが可能であり、Ｘ線検出器２を配列してアレイ化した場合に、Ｘ線検出器２の配列間隔を稠密化できる。
【００５９】
図４（ｃ）に示すように、金属部１７はＦＰＣ基板１３から、半導体部材１２はベース板１８から、それぞれＸ線検出器２の並び方向に突出しないようにされているが、その突出については、完全に突出しないようにすることが好ましいものの、完全である必要は無く、金属部１７の一部分のみがＦＰＣ基板１３の凹部に、また、半導体部材１２の一部分がベース板１８の凹部に、埋め込まれる部分埋め込み状態であっても良い。
【００６０】
上述のいずれの実施例においても、産業用Ｘ線ＣＴ装置のシステム内では、画像再構成処理において、各撮像断面で各Ｘ線検出器２による検出結果で得られる投影データからクロストークによるノイズ成分を除去する処理を実施し、遮蔽板１４や金属部１７によるＸ線検出器２間の放射線等のノイズの出入りを遮断することによるノイズの抑制とも合わせて、ノイズの少ない再構成画像が得られる。これらに関するデータの処理プロセスは図５に示されている。
【００６１】
第１、第２の各実施例では、図５に示した処理プロセスを採用することによって、Ｘ線検出器２を用いた産業用Ｘ線ＣＴ装置によるＣＴ画撮像を実現させる。
【００６２】
その処理プロセスにおいては、入力手段Ｃ１５より、それぞれの処理プロセスで必要となる条件を、全体撮像条件指定手段Ｃ９、ノイズ補正条件指定手段Ｃ１０、検出器ピクセルサイズ指定手段Ｃ１１、画像再構成計算条件指定手段Ｃ１２により各処理プロセスに入力する。
【００６３】
全体撮像条件は全体撮像条件記憶手段Ｃ２に格納され、ノイズ補正条件設定手段Ｃ３で設定されたノイズ補正条件およびＸ線源照射条件記憶手段Ｃ４と、実際の撮像による投影データ記憶手段Ｃ６を経て、画像再構成手段Ｃ７で画像が作成される。最終的に再構成画像Ｄ６が得られ再構成画像記憶手段Ｃ８に記録され、表示手段Ｃ１６で表示される。
【００６４】
本発明のいずれの実施例においても、産業用Ｘ線ＣＴ装置においてＸ線検出器厚みを薄くしてＸ線検出器のアレイ化に際して配列の稠密化が達成できると同時に隣接Ｘ線検出器に漏れる放射線量を低減するＸ線検出器構造を用いることにより、高い分解能を持つ産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供できる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明のＸ線検出器は、産業用や医療用のＸ線ＣＴ装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１ Ｘ線源
２ Ｘ線検出器
３ 信号処理回路
４ 画像再構成装置
５ 検出器ピクセル積算処理機構
６ ターンテーブル
７ Ｘ線
８ 被検体
９ Ｘ線源焦点サイズ調整機構
１０ 信号伝送回路
１１ 画像表示装置
１２ 半導体部材
１３ ＦＰＣ基板
１４ 遮蔽板
１５ 電極
１６ ラインアレイセンサ
１７ 金属部
１８ ベース板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検体を透過するＸ線の透過量を計測することにより、非破壊でその被検体内部の状況を画像化する産業用Ｘ線ＣＴ装置とそれに用いるに好適なＸ線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線ＣＴ装置は、医療用の人体内部計測装置としての活用が広く普及しているが、工業用途においても被検体を切断することなく非破壊で内部状態が計測できるため、鋳造部品の内部欠陥計測、など非破壊検査として多くの用途に用いられている。
【０００３】
Ｘ線ＣＴ装置では、Ｘ線源と検出器の間に撮像被検体を設置し、Ｘ線源から照射されるＸ線が被検体を透過し減衰した後のＸ線透過量を検出器で計測し、このＸ線の透過量分布から被検体内部の画像を再構成する。そのため、Ｘ線検出器サイズが画像の空間分解能に強く影響する。
【０００４】
医療用と異なり工業用途の産業用Ｘ線ＣＴ装置では、被検体が金属物の工業製品の場合が多く人体に比較して透過能力の強いＸ線エネルギーが必要となる。Ｘ線を発生させるＸ線源としては、８００ｋｖまではＸ線管が使用可能であり、ＭＶ領域のエネルギーレベルでは線形加速器によるＸ線源が必要となる。
【０００５】
Ｘ線管では、エネルギーレベルの低い領域（〜２２５ｋＶ）では焦点サイズがミクロンオーダーのＸ線源が存在するが、透過能力が低いため厚い金属物の被検体は撮像不能となる。
【０００６】
また、エネルギーレベルが比較的高い領域（３２０ｋＶ〜８００ｋＶ）のＸ線管では、透過能力は増加するがＸ線発生源の焦点サイズはサブミリからミリオーダーに大きくなる。
【０００７】
ＭＶ領域のＸ線エネルギーレベルが得られる線形加速器では、透過能力がさらに増加し、エネルギーレベルが比較的高い領域（３２０ｋＶ〜８００ｋＶ）のＸ線管と同様、Ｘ線発生源の焦点サイズはサブミリからミリオーダーに大きくなる。
【０００８】
これらのＸ線管、線形加速器からは通常、コーン状に、またＸ線発生直後にコリメートされファン状にＸ線が照射される。
【０００９】
Ｘ線源から照射され撮像被検体内部で減衰したＸ線の減衰量を計測するＸ線検出器には、シンチレータや化合物半導体、等の放射線検出器が用いられる。これらの検出器は、撮像対象の被検体を挟んでＸ線源と相対する位置に設置される。
【００１０】
Ｘ線検出器は、一定間隔で離散的に配置されＸ線源から各Ｘ線検出器素子中心を結んだ直線上のＸ線透過量積算値を計測する。
【００１１】
被検体全体を撮像するには、Ｘ線源とＸ線検出器の間に設置された被検体をターンテーブルに乗せ回転させて、全体画像を再構成するために必要な投影データを取得する。または、撮像被検体はターンテーブル上に固定し、Ｘ線源とＸ線検出器を被検体周囲に回転させ必要な投影データを取得する。
【００１２】
このようにＸ線源とＸ線検出器に対して被検体を相対的に回転させて各回転角度ピッチ毎に全てのＸ線検出器で入射Ｘ線の放射線量を計測し、画像再構成のための投影データとする。これらの撮像時の各回転角毎の投影データを用いて代表的なＦＢＰ法などにより画像再構成を実施する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】Miyai H, Satoh K, Kitaguchi H, Izumi S. A high energy X-ray computed tomography using silicon semiconductor detectors. In: 1996 Nuclear Science Symposium Conference Record, vol.2, 1997. p.81621.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上述した既存の産業用Ｘ線ＣＴ装置を用いた工業製品の非破壊検査における内部計測では、被検体である工業製品の構造強度や性能特性に影響を与えるサイズの欠陥を検出する必要がある。
【００１５】
工業製品の鋳造物を対象とした場合は、これらの致命的な鋳造欠陥は既存のＣＴ装置で検出可能であるが、さらに、これらの欠陥の周辺に存在するより小さい欠陥を検出するには、さらなる分解能の向上が必要となる。
【００１６】
従来の産業用Ｘ線ＣＴ装置では、Ｘ線検出器には、シンチレータや化合物半導体、等の放射線検出器が用いられてきたが、特に、非特許文献１に示されたように、半導体化合物材料を用いたＸ線検出器は、高エネルギーＸ線に対する感度が高く、シンチレータに比較して厚みを薄くすることが可能である。
【００１７】
そのため、半導体化合物材料を用いたＸ線検出器を用いて、検出器アレイを構築した場合には、検出器間隔を狭く設定することが可能である。検出器間隔の狭隘化により画像生成のための投影データのサンプリング間隔が小さくなり、高分解能画像が得られる。
【００１８】
その一方、非特許文献１に示された半導体化合物材料を用いたＸ線検出器では、透過したＸ線を検出するための半導体部材の他に、検出器間の漏れ電子（クロストーク）を抑制するための遮蔽板が設置されていた。そのため、検出器厚みを薄くし検出器アレイの稠密化に限界があり、Ｘ線ＣＴ装置としての分解能の向上にも限界があった。
【００１９】
現状以上に検出器アレイ内のＸ線検出器を稠密化するには、Ｘ線受感部を薄くするか、遮蔽板を取り除く必要がある。Ｘ線受感部を薄くした場合は、入射Ｘ線量が薄くする前より減少するため、ＳＮ比が低下し画像分解能が悪化する。
【００２０】
一方、遮蔽板を取り除いた場合は、着目検出器に入射したＸ線のコンプトン散乱、電子対生成により着目検出器に隣接するＸ線検出器に漏れ放射線が発生する。これらの漏れ放射線量は、隣接検出器に対しては、本来のＸ線計測値に対するノイズ信号として作用し、既存の画像再構成手法を用いて画像化した場合、撮像被検体の境界がボケ、画像分解能が低下する。
【００２１】
従って、本発明の第１の目的は、稠密配置と同時に隣接検出器に漏れる放射線量を低減させることが可能なＸ線検出器を提供することにある。第２の目的は、Ｘ線検出器の配置を稠密化し、さらに隣接検出器に漏れる放射線量を低減させノイズを抑制して空間分解能の向上した撮像が可能な産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記の第１の目的を達成するための手段は、Ｘ線を受ける半導体部材と、その半導体部材の電極が装着された基板と、その半導体部材からの漏れ電子を遮蔽する遮蔽部材とを備えたＸ線検出器において、その半導体部材が埋設されたベース板にその基板とその遮蔽部材とを装着して成るＸ線検出器である。
【００２３】
そして好ましくは、その基板が、その遮蔽部材の周囲に配置されてそのベース板に装着されていることが好ましい。
【００２４】
さらに好ましくは、そのベース板は、検出すべきＸ線を前記半導体部材へ入射させる部位に開口部が形成され、前記開口部に前記半導体部材が面していることが好ましい。
【００２５】
さらに一層好ましくは、その遮蔽部材は、Ｘ線検出器のアレイ化配列方向の片側の面に限定して覆うように配置されていることが好ましい。
【００２６】
その上好ましくは、その遮蔽部材は、その半導体部位表面に蒸着乃至は接合により設けた金属であることが好ましい。
【００２７】
上記第２の目的を達成するための手段は、Ｘ線を照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出するように並べて配列されてアレイ化された複数個のＸ線検出器と、そのＸ線源とそのＸ線検出器とに対してその被検体の相対的位置を変更する駆動機構と、そのＸ線検出器で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路と、その信号処理回路からの信号に基づいて画像を再構成する演算装置とからなる産業用Ｘ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器として前述の第１の目的を達成するための手段として記載のいずれかのＸ線検出器を備えている産業用Ｘ線ＣＴ装置である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明のＸ線検出器によれば、ベース板に半導体部材を埋設して遮蔽部材を備えるにもかかわらず薄くＸ線検出器を構成することができるので、そのＸ線検出器を並べてアレイ化して用いる際にはそのＸ線検出器の稠密配置が可能となると共に隣接Ｘ線検出器に漏れる放射線量を遮蔽板で遮蔽して低減させることが可能となるので、分解能の高いＸ線撮像に貢献できるＸ線検出器を提供することができる。
【００２９】
また、本発明の産業用Ｘ線ＣＴ装置によれば、産業用Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検出器の配置を稠密化し、さらに隣接検出器に漏れる放射線量を低減させノイズを抑制することにより空間分解能の向上したＸ線撮像結果が得られる産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例による産業用Ｘ線ＣＴ装置を表した図である。
【図２】従来のＸ線ＣＴ装置に用いられているＸ線検出器の構造の一例を表した図にして、（ａ）図は、Ｘ線検出器の全体斜視図、（ｂ）図は、（ａ）図のＸ線検出器を並べてアレイ化したものをＸ線入射方向から見た図である。
【図３】図１のＸ線ＣＴ装置に用いられているＸ線検出器の構造の一例を表した図にして、（ａ）図は、Ｘ線検出器の一部分分解して表した図、（ｂ）図は、（ａ）図のＸ線検出器の組立て後の全体を表した斜視図であり、（ｃ）図は、（ｂ）図のＸ線検出器を並べてアレイ化したものをＸ線入射方向から見た図である。
【図４】図１のＸ線ＣＴ装置に用いられているＸ線検出器の構造の他の一例を表した図にして、（ａ）図は、Ｘ線検出器の一部分分解して表した図、（ｂ）図は、（ａ）図のＸ線検出器の組立て後の全体を表した斜視図であり、（ｃ）図は、（ｂ）図のＸ線検出器を並べてアレイ化したものをＸ線入射方向から見た図である。
【図５】図１のＸ線ＣＴ装置における画像再構成システムの一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施例では、Ｘ線７を照射するＸ線源１と、撮像対象の被検体８を透過したＸ線を検出するＸ線検出器２と、Ｘ線源１とＸ線検出器２の間に配置された撮像対象の被検体８を回転・並進させる駆動機構（ターンテーブル６）と、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路３とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置を有する画像再構成装置４を有し、Ｘ線検出器２に透過してきたＸ線を検出するための半導体部材１２とこれを内側に装備して支持するベース板１８と放射線の遮蔽板１４との一体構造からなる薄型のＸ線検出器２を複数個並べて断層画像を取得する水平面方向に一定間隔で並べてアレイ化した産業用Ｘ線ＣＴ装置と、それに用いられる薄型のＸ線検出器２の構造が示されている。
【００３２】
本発明の他の実施例では、Ｘ線７を照射するＸ線源１と、撮像対象の被検体８を透過したＸ線を検出するＸ線検出器２と、Ｘ線源１とＸ線検出器２の間に配置された撮像対象の被検体８を回転・並進させる駆動機構（ターンテーブル６）と、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路３とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置を有する画像再構成装置４を有し、Ｘ線検出器２に透過してきたＸ線を検出するための半導体部材１２とこれを内側に装備して支持するベース板１８と半導体部材１２の表面に蒸着又は接合された放射線の遮蔽機能を持つ金属部を設けてそれらを一体構造として薄型のＸ線検出器２を構成し、そのＸ線検出器２を複数個を断層画像を取得する水平面方向に一定間隔で並べてアレイ化して装備した産業用Ｘ線ＣＴ装置と、それに用いられる薄型のＸ線検出器２の構造が示されている。
【００３３】
本発明の各実施例では、既述の本発明の両実施例のいずれかの産業用Ｘ線ＣＴ装置における画像再構成処理においては、各撮像断面で各Ｘ線検出器で得られる投影データからクロストークによるノイズ成分を除去する処理を、各投影データを各検出器毎に補正する信号処理プロセスを経て実施するＸ線ＣＴ撮像方法を用いて、信号処理においてもノイズの低減による分解能の向上を図っている。
【００３４】
以下に、各実施例を各図を参照して説明する。
【実施例１】
【００３５】
本発明の一実施例である産業用Ｘ線ＣＴ装置を図１に示す。図１のように、産業用Ｘ線ＣＴ装置は、Ｘ線源１と複数のＸ線検出器２とがターンテーブル６の両側に対抗して設置される。
【００３６】
ターンテーブル６は、Ｘ線源１とＸ線検出器２とに対して被検体８の相対的位置を変更してＸ線の照射位置を変更する駆動機構として採用される。
【００３７】
Ｘ線検出器２には、化合物半導体検出器やシンチレータが用いられる。Ｘ線検出器２は、複数個採用され、各Ｘ線検出器２は水平方向に一定間隔で各検出器素子を並べて、図１のように、ラインアレイセンサとして、または図示していないが、水平方向と垂直方向の２次元に一定間隔で各検出器素子を並べて平面アレイセンサとしての配列を有する。
【００３８】
被検体８は、Ｘ線源１と複数のＸ線検出器２との両者の間に位置するように、ターンテーブル６上に、撮像対象として置かれる。被検体８は、金属製の工業製品である。
【００３９】
この産業用Ｘ線ＣＴ装置においては、Ｘ線源１から照射されたＸ線７が、被検体８を透過して減衰し、対抗する位置のＸ線検出器２に入射する。これらのＸ線検出器２に入射したＸ線は、Ｘ線検出器内で入射Ｘ線量（Ｘ線透過量）に相当する電気信号に変換されて、各検出器素子の電気信号として生成される。
【００４０】
このように得られた各検出器素子の電気信号は、検出器ピクセル積算処理機構５へ伝送されて、検出器ピクセル積算処理機構５により指定された各検出器素子数分を加算処理される。
【００４１】
加算処理された電気信号は検出器ピクセル積算処理機構５から信号処理回路３に伝送され増幅、ビット変換され、その後に信号処理回路３から画像再構成装置４に伝送される。
【００４２】
被検体８の全体の画像を再構成するには、ターンテーブル６を回転させて一定角度ピッチ毎に全Ｘ線検出器２で検出されたＸ線透過量に相当する電気信号（投影データと呼ぶ）を１回転分収集する。
【００４３】
一定角度ピッチ毎の投影データは順次、検出器ピクセル積算処理機構５と信号処理回路３とで順次処理されて画像再構成装置４に伝送、格納され、１回転分が得られた時点で、画像再構成装置４内で投影データに基づいて画像再構成演算を実行し、再構成画像のデータが得られる。
【００４４】
得られた再構成画像のデータは、ＣＴ画像表示装置１１に伝送されてＣＴ画像表示装置１１のディスプレイ上に表示される。
【００４５】
また、本実施例の産業用Ｘ線ＣＴ装置に用いたＸ線検出器２を図３に示す。比較のために、従来のＸ線検出器の構造を図２に示した。従来のＸ線検出器では、Ｘ線を検出する半導体部材１２がＦＰＣ基板１３に装着され、これらに遮蔽板１４が設けられている。図２（ａ）には、１個のＸ線検出器２を示し、図２（ｂ）には、これらのＸ線検出器を水平方向に一定間隔で並べたラインアレイセンサ１６のＸ線検出器配列を示した。
【００４６】
図３に示した本実施例に採用したＸ線検出器２では、Ｘ線を検出する検出器素子である半導体部材１２が、コの字型のベース板１８の凹部に差し込まれたように埋め込まれて設けられる。
【００４７】
さらに、コの字型ＦＰＣ基板１３の凹部に遮蔽板１４が差し込まれたように埋め込まれて設けられる。このため、図３（ｃ）に示すように、遮蔽板１４はＦＰＣ基板１３から、半導体部材１２はベース板１８から、それぞれＸ線検出器２の並び方向に突出しないように組み込まれる。
【００４８】
その突出については、完全に突出しないようにすることが好ましいが、完全である必要は無く、遮蔽板１４の一部分のみがＦＰＣ基板１３の凹部に、また、半導体部材１２の一部分がベース板１８の凹部に、埋め込まれる部分埋め込み状態であっても良い。
【００４９】
この遮蔽板１４が装着されたＦＰＣ基板１３は、半導体部材１２が装着されたベース板１８に接着される。このようにして、遮蔽板１４とＦＰＣ基板１３と半導体部材１２とベース板１８とが一体化されて一つのＸ線検出器２が構成され、遮蔽板１４とＦＰＣ基板１３と半導体部材１２とがベース板１８に支持されている。
【００５０】
ベース板１８にＦＰＣ基板１３を接着する際には、図３（ｃ）に示すように、遮蔽板１４が半導体部材１２の片面を覆うように位置決めする。このことにより、隣接するＸ線検出器との間での散乱放射線等の半導体部材１２内外への出入りを遮断できるようにする。
【００５１】
図３（ａ）、（ｂ）には、１個のＸ線検出器２を示し、図２（ｃ）には、これらのＸ線検出器２を水平方向に一定間隔で並べたラインアレイセンサ１６のＸ線検出器配列を示した。
【００５２】
図３（ｃ）のように、本実施例のＸ線検出器２の構造では遮蔽板１４がＦＰＣ基板１３に埋め込まれているため、Ｘ線検出器２の厚みを配列方向へ薄くすることが可能であり、Ｘ線検出器２をアレイ化すべく配列した場合にＸ線検出器２の配列方向の間隔を稠密化できる。
【実施例２】
【００５３】
本発明の第２の実施例では、前述の第１の実施例におけるＸ線検出器２を変更したものであり、他の内容については、前述の第１の実施例と同じである。そのため、以下では、変更を受けたＸ線検出器２を説明する。
【００５４】
第２の実施例のＸ線検出器２は、図４に示されている。本実施例では、図４（ａ）のように、Ｘ線検出器２のベース板１８とＦＰＣ基板１３をコの字型とする。ベース板１８をコの字型としたことによって生じた凹部内に半導体部材１２が埋め込まれるように装着される。
【００５５】
また、Ｘ線検出器２の半導体部材１２の片側の表面、即ち、図４（ｃ）のようにリニアアレイセンサ１６のＸ線検出器２の配列方向の片側の面に、第１実施例の遮蔽板１４に相等する金属部１７（金、銀、銅、など）を蒸着もしくは接合により装着して一体化させる。
【００５６】
ＦＰＣ基板１３は、その凹部に金属部１７がはまるようにしてベース板１８に装着して一体化する。このようにして、半導体部材１２とＦＰＣ基板１３と遮蔽板１７とベース板１８とが一体化される。
【００５７】
この様に構成したＸ線検出器２は、第１の実施例と同様に、図４（ｃ）のように、断層画像を取得する水平面内で水平方向へ一定間隔で並べ、アレイ化したＸ線検出器配列を有するラインアレイセンサ１６とした上で産業用Ｘ線ＣＴ装置に組み込まれて使用される。
【００５８】
本実施例のＸ線検出器２の構造では、半導体部材１２とＦＰＣ基板１３と遮蔽板１７とベース板１８とが一体化された組立て後の状態にあっては、第１実施例と同様に、放射線等の遮蔽材となる金属部１７がＦＰＣ基板１３に埋め込まれたと同じ状態のレイアウトになるので、Ｘ線検出器２の厚みを薄くすることが可能であり、Ｘ線検出器２を配列してアレイ化した場合に、Ｘ線検出器２の配列間隔を稠密化できる。
【００５９】
図４（ｃ）に示すように、金属部１７はＦＰＣ基板１３から、半導体部材１２はベース板１８から、それぞれＸ線検出器２の並び方向に突出しないようにされているが、その突出については、完全に突出しないようにすることが好ましいものの、完全である必要は無く、金属部１７の一部分のみがＦＰＣ基板１３の凹部に、また、半導体部材１２の一部分がベース板１８の凹部に、埋め込まれる部分埋め込み状態であっても良い。
【００６０】
上述のいずれの実施例においても、産業用Ｘ線ＣＴ装置のシステム内では、画像再構成処理において、各撮像断面で各Ｘ線検出器２による検出結果で得られる投影データからクロストークによるノイズ成分を除去する処理を実施し、遮蔽板１４や金属部１７によるＸ線検出器２間の放射線等のノイズの出入りを遮断することによるノイズの抑制とも合わせて、ノイズの少ない再構成画像が得られる。これらに関するデータの処理プロセスは図５に示されている。
【００６１】
第１、第２の各実施例では、図５に示した処理プロセスを採用することによって、Ｘ線検出器２を用いた産業用Ｘ線ＣＴ装置によるＣＴ画撮像を実現させる。
【００６２】
その処理プロセスにおいては、入力手段Ｃ１５より、それぞれの処理プロセスで必要となる条件を、全体撮像条件指定手段Ｃ９、ノイズ補正条件指定手段Ｃ１０、検出器ピクセルサイズ指定手段Ｃ１１、画像再構成計算条件指定手段Ｃ１２により各処理プロセスに入力する。
【００６３】
全体撮像条件は全体撮像条件記憶手段Ｃ２に格納され、ノイズ補正条件設定手段Ｃ３で設定されたノイズ補正条件およびＸ線源照射条件記憶手段Ｃ４と、実際の撮像による投影データ記憶手段Ｃ６を経て、画像再構成手段Ｃ７で画像が作成される。最終的に再構成画像Ｄ６が得られ再構成画像記憶手段Ｃ８に記録され、表示手段Ｃ１６で表示される。
【００６４】
本発明のいずれの実施例においても、産業用Ｘ線ＣＴ装置においてＸ線検出器厚みを薄くしてＸ線検出器のアレイ化に際して配列の稠密化が達成できると同時に隣接Ｘ線検出器に漏れる放射線量を低減するＸ線検出器構造を用いることにより、高い分解能を持つ産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供できる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明のＸ線検出器は、産業用や医療用のＸ線ＣＴ装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１ Ｘ線源
２ Ｘ線検出器
３ 信号処理回路
４ 画像再構成装置
５ 検出器ピクセル積算処理機構
６ ターンテーブル
７ Ｘ線
８ 被検体
９ Ｘ線源焦点サイズ調整機構
１０ 信号伝送回路
１１ 画像表示装置
１２ 半導体部材
１３ ＦＰＣ基板
１４ 遮蔽板
１５ 電極
１６ ラインアレイセンサ
１７ 金属部
１８ ベース板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を受ける半導体部材と、前記半導体部材の電極が装着された基板と、前記半導体部材からの漏れ電子を遮蔽する遮蔽部材とを備えたＸ線検出器において、前記半導体部材が埋設されたベース板に前記基板と前記遮蔽部材とを装着して成るＸ線検出器。
【請求項２】
前記基板が、前記遮蔽部材の周囲に配置されて前記ベース板に装着されて成る請求項１に記載のＸ線検出器。
【請求項３】
前記ベース板は、検出すべきＸ線を前記半導体部材へ入射させる部位に開口部が形成され、前記開口部に前記半導体部材が面している請求項１又は請求項２に記載のＸ線検出器。
【請求項４】
前記遮蔽部材は、Ｘ線検出器のアレイ化配列方向の片側の面を覆うように配置されている請求項１又は請求項２又は請求項３に記載のＸ線検出器。
【請求項５】
前記遮蔽部材は、前記半導体部位表面に蒸着乃至は接合により設けた金属である請求項４に記載のＸ線検出器。
【請求項６】
Ｘ線を照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出するように並べてアレイ化された配置の複数個のＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器とに対して前記被検体の相対的位置を変更する駆動機構と、前記Ｘ線検出器で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路と、前記信号処理回路からの信号に基づいて画像を再構成する演算装置とからなる産業用Ｘ線ＣＴ装置において、前記Ｘ線検出器として請求項１から請求項５のいずれかに記載のＸ線検出器を備えていることを特徴とする産業用Ｘ線ＣＴ装置。
【請求項１】
Ｘ線を受ける半導体部材と、前記半導体部材の電極が装着された基板と、前記半導体部材からの漏れ電子を遮蔽する遮蔽部材とを備えたＸ線検出器において、前記半導体部材が埋設されたベース板に前記基板と前記遮蔽部材とを装着して成るＸ線検出器。
【請求項２】
前記基板が、前記遮蔽部材の周囲に配置されて前記ベース板に装着されて成る請求項１に記載のＸ線検出器。
【請求項３】
前記ベース板は、検出すべきＸ線を前記半導体部材へ入射させる部位に開口部が形成され、前記開口部に前記半導体部材が面している請求項１又は請求項２に記載のＸ線検出器。
【請求項４】
前記遮蔽部材は、Ｘ線検出器のアレイ化配列方向の片側の面を覆うように配置されている請求項１又は請求項２又は請求項３に記載のＸ線検出器。
【請求項５】
前記遮蔽部材は、前記半導体部位表面に蒸着乃至は接合により設けた金属である請求項４に記載のＸ線検出器。
【請求項６】
Ｘ線を照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出するように並べてアレイ化された配置の複数個のＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器とに対して前記被検体の相対的位置を変更する駆動機構と、前記Ｘ線検出器で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路と、前記信号処理回路からの信号に基づいて画像を再構成する演算装置とからなる産業用Ｘ線ＣＴ装置において、前記Ｘ線検出器として請求項１から請求項５のいずれかに記載のＸ線検出器を備えていることを特徴とする産業用Ｘ線ＣＴ装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−１０８７７６（Ｐ２０１３−１０８７７６Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５２１８４（Ｐ２０１１−２５２１８４）
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]