【課題】産業用Ｘ線ＣＴ装置のＣＴ画像の空間分解能を高めること、及びそれに寄与するＸ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線を被検体に照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線検出器２がアレイ化配置されて構成されたリニアアレイセンサと、そのＸ線源とそのＸ線検出器２の間に配置された被検体を水平回転させるターンテーブルと、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるＸ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器２は、Ｘ線を検出するための半導体部材１２と、これを埋設したベース板１８と、その半導体部材１２の面であって、アレイ化配置方向側の片側面に限定して装着されて漏れ電子を遮蔽する遮蔽板１４を有する。 （もっと読む）

【課題】電気的雑音の影響による無信号状態での誤検知の発生を十分抑圧することができる光検出半導体装置を提供する。
【解決手段】遮光されていないフォトダイオード１０３が有する第１の半導体接合面の重心位置と駆動回路１０１の重心位置の間の距離を、D1₁とし、遮光されたフォトダイオード１０２が有する第２の半導体接合面の重心位置と駆動回路１０１の重心位置の間の距離を、D2₁とし、第１の半導体接合面の面積をS1₁とし、第２の半導体接合面の面積をS2₁とすると、（S1₁／D1₁）＞（S2₁／D2₁）が満たされるように、第１の半導体接合面と第２の半導体接合面は、配置されている。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】太陽光の影響を受けることなく可視光通信を行うことが可能な可視光通信受信装置を提供することにある。
【解決手段】可視光通信受信装置は、可視光を受光する可視光受光部と、可視光受光部によって受光された可視光から、フラウンホーファー線を抽出するフィルタと、当該フィルタによって抽出されたフラウンホーファー線に基づいて復調処理を行う受信回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には変換部３と回路部４とが配される。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。回路部４の上部に遮蔽部７が配される。遮蔽部７が、回路部４に向かって入射する軟Ｘ線を遮蔽する。好適には、遮蔽部７を構成する材料の軟Ｘ線に対する遮蔽係数は、アルミニウム及び銅の軟Ｘ線に対する遮蔽係数よりも高い。または、遮蔽部７を構成する材料は原子番号が７０以上の元素によって構成される。 （もっと読む）

【課題】個々の針状結晶は光学的に分離した理想形でないため、針状結晶の成長方向と平行でない方向へ漏れ光となる。その一部や伝搬光の一部が散乱され、FOPに結合して受光される。そのため、解像度の向上は限界が見られる。X線励起で生じた全発光量に占める漏れ光成分の割合は多く、その光の大部分はFOP中の光吸収ガラスで吸収され、最終的に光センサに入射する発光量は低下し、S/N比の向上も限界が生じる。
【解決手段】同一面上にない２つの主面を結ぶ方向に光導波性を有する相分離構造からなるシンチレータ結晶体と、同一面上にない２つの主面を結ぶ方向に光導波性を有する光学部材と、光検出器とからなり、かつ、該光学部材の一方の主面が該シンチレータ結晶体のいずれかの主面と、該光学部材の他方の主面が該光検出器の受光面と、それぞれ接続し、該光学部材において導波モードに結合しない光が少ない、あるいは一部を吸収する放射線検出素子。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で外部への電磁ノイズ放射を効果的に低減できる光コネクタ、および、電磁ノイズ反射体を提供する。
【解決手段】光コネクタ１０は、ハウジング２または３に、光コネクタ１０の光軸に沿って所定のピッチで第１層目の金属片を複数配置した電磁ノイズ反射体７を備えている。第１層目の金属片の外側には、さらに第１層目の金属片に電気接続された第２層目の金属片を有していてもよい。この第２層目の金属片はトランシーバと電気接続されていてもよい。第１の金属片のピッチは、放射抑制の対象とする電磁ノイズの波長の１／４未満に構成される。これにより、光コネクタを通して外部に漏えいするトランシーバ〜の電磁ノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】より良好な色再現性を有する固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板２２の内部における１画素ごとに、それぞれ異なる深さに、それぞれ異なる波長域の光を光電変換する複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒが積層され、複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのうち、半導体基板の深さ方向に隣接する光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間に、その光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間の領域における光電変換で発生した電荷を排出する排出領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】透過光量が大きく、赤、緑、及び青の着色画素を含むカラーフィルタを固体撮像素子に用いたときに、ノイズが低く、色再現性が良好な固体撮像素子を実現するカラーフィルタを提供する。
【解決手段】赤色画素、緑色画素、および青色画素を含むカラーフィルタにおいて、前記赤色画素における４００ｎｍの透過率が１５％以下、６５０ｎｍの透過率が９０％以上であり、前記緑色画素の４５０ｎｍの透過率が５％以下、５００〜６００ｎｍの波長範囲のいずれかの透過率が９０％以上であり、且つ、前記青色画素の４５０ｎｍの透過率が８５％以上、５００ｎｍの透過率が１０％以上５０％以下、７００ｎｍの透過率が１０％以下であるカラーフィルタ。 （もっと読む）

【課題】低フラックスを用いている間のノイズレベルを減少することを可能にするような検出回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワ検出器型の検出回路は、結合ノードＮに接続されたフォトダイオード１を備える。バイアス回路３は、逆バイアスである第１の状態とフローティングである第２の状態との間にフォトダイオード１をバイアスすることを可能にする。読み出し回路４は、結合ノードＮに接続され、フォトダイオード１により測定された現状を示す信号を生成する。金属シールド５は結合ノードＮの周りに配置される。金属シールド５は、読み出し回路４の出力に接続され、結合ノードＮの電位と同じ方向に変動する電位を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】複数の受光素子部を備えるアレイ型受光装置に配置される複数の配線を介して生じるクロストークが軽減されるアレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバの提供。
【解決手段】本発明に係るアレイ型受光装置は、第１導電型電極と第２導電型電極とを備える受光素子部が複数備えられる受光素子アレイと、キャリアと、を備えるアレイ型受光装置であって、前記キャリアは、前記各受光素子部の前記第１導電型電極に接続される第１導電型配線と、該受光素子部の前記第２導電型電極に接続される第２導電型配線と、からそれぞれなる複数の配線対と、前記複数の配線対の一の配線対と該配線対の隣に位置する配線対との間を延伸する第１の接地電極と、前記背面の少なくとも一部に形成されるとともに前記第１の接地電極と電気的に接続される第２の接地電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出素子のイメージセンサーには複数の画素があるが、シンチレータの発光が画素間に渡って拡散すると、撮像されたイメージの解像度が低下する。また基板からシンチレータが剥がれることを課題とする。
【解決手段】 複数の光検出部と、それぞれが複数の凸部を有する複数の凸領域とを備え、複数の凸領域のそれぞれが複数の光検出部のそれぞれと重なるように配列されている基板の上に、複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、シンチレータ層が形成された基板を降温し、シンチレータ層の隣り合う凸領域間の部分の積層方向に対応するシンチレータ層に亀裂を形成する工程とを有し、複数の凸領域は、特定の関係を満たす放射線検出素子およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層１４を有し、半導体低温成長層１４と半導体基板１０との間に位置し且つ半導体低温成長層１４よりも薄い半導体層１１、１２、１３を有する。半導体低温成長層１４は、半導体層１１、１２、１３と格子整合し半導体基板１０と格子整合しない半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、基板の表側に配置される回路素子及び導電線と、基板の裏側に配置される電子回路との間に生じる寄生容量を低減するための技術を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に配置された画素アレイと、基板の上に配置され、画素アレイの回路素子に電気的に接続された第１導電パッドと、電子回路を接続するために基板の下に配置された第２導電パッドと、基板と第１導電パッドとの間に配置された絶縁層と、基板と絶縁層との間に配置された第３導電パッドと、絶縁層を貫通する第１コンタクトホールを通り、第１導電パッドと第３導電パッドとを接続する第１導電部材と、基板を貫通する第２コンタクトホールを通り、第２導電パッドと第３導電パッドとを接続する第２導電部材とを備える半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】入射光と反射光との干渉を抑制し、安定した強度の出力光を得ることのできる光電変換モジュール用部品を提供する。
【解決手段】素子搭載面と光接続面とを備え、素子搭載面と光接続面とに開口する挿通孔が形成されたフェルールと、素子搭載面に搭載された光電変換素子と、挿通孔に挿通された光ファイバと、を有し、光接続面から露出する光ファイバの端面及び光接続面は光ファイバの光軸と垂直な面に対して斜めに形成されていることを特徴とする光電変換モジュール用部品により上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード１２Ａと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード１２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波発生層２と、テラヘルツ波発生層２に接して配置された電極３を備え、励起光４の照射と電極３への電圧印加によりテラヘルツ波５を発生する。テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。 （もっと読む）

【課題】信号の広帯域化を満足する広帯域特性を得ること。
【解決手段】基板１１０には、光伝送路１７１〜１７４が配列された光伝送路アレイ１７０が接続される。ＰＤアレイ１２０は基板１１０に搭載される。ＰＤアレイ１２０には複数のＰＤ１２１〜１２４が配列される。ＰＤ１２１〜１２４は光伝送路１７１〜１７４からの光をそれぞれ受光する。ＴＩＡ１３１〜１３４は、ＰＤ１２１〜１２４のカソードにバイアス電圧を印加する。ＴＩＡ１３１〜１３４は、ＰＤ１２１〜１２４のアノードに流れる電流信号を電圧信号に変換して出力する。キャパシタ１４１〜１４４は、一端がＰＤ１２１〜１２４のカソードに接続され他端が接地されている。 （もっと読む）