【課題】 少なくとも信号配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る。
【解決手段】 本発明の撮像装置は、絶縁基板上に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタ上に配置された変換素子と、前記複数の薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された複数の絶縁膜と、を含み、前記複数の薄膜トランジスタは、前記変換素子にゲート電極が電気的に接続された読み出し用薄膜トランジスタと、前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された第１の選択用薄膜トランジスタと、を含み、入射した光又は放射線を変換素子が変換して得られる電荷に対応した信号が転送される信号配線及び第１の選択用薄膜トランジスタのゲート電極に駆動信号を供給するゲート配線の少なくとも一方が前記複数の絶縁膜の間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大、ノイズの増大、及び面積の増大を防ぐことが可能な放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過したＸ線を受光してそのＸ線量に応じた撮像信号を出力する放射線撮像素子であって、基板１上方に形成された下部電極２、下部電極２上方に形成された光電変換膜４、及び光電変換膜４上方に形成された上部電極６を含む光電変換部と、上部電極６上方に形成された蛍光体膜８と、前記光電変換部に対応して基板１に設けられ、光電変換膜４で発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部１０とを含む画素部を複数備え、平面視において前記画素部の信号出力部１０と前記画素部の光電変換部とが重なりを有しており、光電変換膜４が有機光電変換材料を含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】アモルファスセレンを用いた放射線電荷変換膜を有する放射線平面検出器における感度低下現象を改善する。
【解決手段】基体１１と、基体１１上に配置される電荷収集電極１２と、電荷収集電極１２上に配置されるセレンを主成分とする放射線電荷変換膜１３と、放射線電荷変換膜１３の上に配置される放射線を透過する上部電極１４とを少なくとも有する放射線平面検出器１０において、放射線電荷変換膜１３を、残存酸素濃度３５ｐｐｍ以下のアモルファスセレンあるいはアモルファスセレン合金からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】光センサーの熱電流を効果的に除去する。
【解決手段】液晶パネル９１１と、該パネル基板の面に光を照射するバックライトユニット９２６と、周囲の光の照度を検出する光センサー３５０と、前記光検出結果に応じて前記照明装置を制御する中央演算回路７８１とを備え、前記光検出部は、前記パネル基板に設けられ、光の照度に応じて２つの端子間に流れる電流の変化を検出する受光センサー３５０Ｐと、前記受光センサーと直列に接続され、光の照度に応じて２つの端子間に流れる電流の変化を検出する遮光センサー３５０Ｄと、前記第１と第２の光センサー間の接続端（配線ＳＥＮＳＥ）の電位を電位ＶＶＣＨＧに設定する電位設定部を備え、前記第１の光センサーの他方端（配線ＶＳＨ）の電位を電位ＶＶＳＨ、前記第２の光センサーの他方端（配線ＶＳＬ）の電位を電位ＶＶＳＬとすると、前記各電位は、ＶＶＳＨ＞ＶＶＣＨＧ＞ＶＶＳＬを満たす。 （もっと読む）

【課題】光電変換モジュールの上ケース部と下ケース部とを組み合わせる際、両者間に設ける封止材の取扱いを容易にして、組み立て工数を削減する。
【解決手段】上ケース部１０の側板１２には、底板２１側から天板１１側へ凹み、導電性ガスケット３０の幅広面３３が側板１２とほぼ平行な状態で、この導電性ガスケット３０の一部が入り込めるガスケット溝１５が形成されている。下ケース部２０の側板２２には、ガスケット溝１５内の導電性ガスケット３０を押す傾斜した押付け面２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】良好な光電変化特性を有する受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、信号処理回路部３を構成する複数の回路素子（ＭＯＳトランジスタ３０等）と、受光素子または各回路素子に接続された接続用導体３２とを備えると共に、所定の機能層として機能する第２金属層１５（第１導体層）が絶縁体１７を介して回路素子の上方に形成され、第２金属層１５は、回路素子における所定の機能部（ゲート３１）の上方に位置する遮光用導体部５１（第１導体部）と、接続用導体３２として機能する遮光用導体部５２（第２導体部）とを備えて構成され、遮光用導体部５１は、隣接する遮光用導体部５２に対して第２金属層１５の層形成面においてスリット５３（間隙）を有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は光通信での利用に適した光送受信モジュールに関し、発光素子と受光素子が同一パッケージに入った光送受信モジュールにおいてクロストークを低減するとともに、省スペース化により実装を容易とする事を目的とする。
【解決手段】発光素子１２と受光素子１６、さらに受光素子１６を覆い受光素子１６に入射する受信光の光路が確保されるようにピンホールを有するシールド部材２６を備える。発光素子１２からの放出光と受光素子１６に向かう受信光とのなす角が９０°未満となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】可視光及び赤外光に対応した画素を備える固体撮像装置の赤外光に関する感度及び飽和出力を向上し且つ混色を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板１０１に、第１導電型の第１不純物層（１０５又は１５５）及び第１不純物層の下方に位置する第２導電型の第２不純物層（１０９又は１５９）を有する光電変換部（１０３又は１５３）をそれぞれ備えた複数の画素が配列され、複数の画素は、可視光に対応する可視光用画素Ｂ及び赤外光に対応する赤外光用画素Ａを含む。赤外光用画素Ａにおける第２不純物層１０９は、可視光用画素Ｂにおける第２不純物層１５９よりも深い位置に設けられている。赤外光用画素Ａにおいて、第１不純物層１０５と第２不純物層１０９との間に、第１導電型の第３不純物層１０６を更に備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いず、通常の半導体基板に、受光感度の低下を抑制した固体撮像装置を作製することで、コストの低減を可能とする。
【解決手段】入射光量を電気信号に変換する光電変換部２２を有する複数の画素部２１と、前記画素部２１が形成された半導体基板１１の一面側に配線層２３を備え、前記配線層２３が形成されている面とは反対側より入射される光を前記光電変換部２２で受光する固体撮像装置１であって、前記画素部２１の周囲の一部に、前記半導体基板１１の１面側を除去する際にその除去加工が停止される除去加工停止層３１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルタを介してＬＤとＰＤを近接配置する一芯双方向光モジュールの送受信特性および光クロストーク特性を改善する。
【解決手段】一芯双方向光モジュールは、シングルモードファイバの光軸上にレンズと波長選択性を有する波長選択性フィルタとＰＤを順に設け、出射した半導体発光素子の光を波長選択性フィルタで反射させて前記ファイバへ入射させるように半導体発光素子を設けた一芯双方向光モジュールである。
波長選択性フィルタは、半導体発光素子に対向し波長選択層を有する主面、半導体受光素子に対向しこの主面と反対の面、および、これら主面、主面と反対の面以外の側面を有し、この側面は、半導体発光素子の出射光が半導体受光素子に入射しないように構成する。 （もっと読む）

【課題】高感度・低ノイズの光センサ素子と多結晶シリコンＴＦＴとを、絶縁膜基板上にプレナプロセスを用いて同時に形成した光センサ内蔵画像表示装置
【解決手段】光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。その際、多結晶シリコンＴＦＴを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換半導体薄膜上の両側に遮光性導電材料からなるソース電極およびドレイン電極が設けられたフォトセンサにおいて、光電変換半導体薄膜への光入射量を多くする。
【解決手段】 クロム等の遮光性導電材料からなるソース電極９およびドレイン電極１０の相対向する側には切欠部９ｃ、１０ｃが設けられている。これらの切欠部９ｃ、１０ｃは光透過部となるので、光電変換半導体薄膜５への真上からの光入射量のみならず斜め方向からの光入射量をも多くすることができる。 （もっと読む）

【課題】放射線を感度よく検出することができる。
【解決手段】放射線検出器１は、基板３及び基板３の前面３ａに配列された画素電極７を有する信号読出し基板２と、信号読出し基板２の前面２ａに形成された光導電層１７と、光導電層１７の前面１７ａに形成された第１コンタクト補助層３０と、第１コンタクト補助層３０の前面３０ａに形成された第２コンタクト補助層５１と、第２コンタクト補助層５１の前面５１ａに形成された共通電極１８と、を備えている。第２コンタクト補助層５１の結晶粒径が光導電層１７の結晶粒径よりも小さいため、前面５１ａにおける凹凸の度合いは、前面１７ａにおける凹凸の度合いに対して緩和される。さらに、第１コンタクト補助層３０の抵抗値が光導電層１７及び第２コンタクト補助層５１よりも低いため、光導電層１７で生じた信号電荷が第２コンタクト補助層５１にスムーズに移動する。 （もっと読む）

【課題】１０ＧＨｚ以上の帯域でのシールドを安価な構成で実現する光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１は、底壁、側壁及びＵ字状切れ込み１１ｊを有する前壁を有し、光サブアセンブリ（ＯＳＡ）１３と電子回路を実装した回路基板とを搭載する筐体フレーム１１と、上壁、Ｕ字状切れ込み１２ａを有する前壁及び当該前壁と連続する側壁を有するシールドキャップ１２と、を備える。筺体フレーム１１とシールドキャップ１２とは、それぞれのＵ字状切れ込み１１ｊ，１２ａが一の開口を形成するように組立てられており、シールドキャップ１２がＯＳＡ１３を覆うようにＯＳＡ１３は開口に装着されている。 （もっと読む）

【課題】光通信モジュールからの電磁波を抑制可能な光アダプタを提供する。
【解決手段】光アダプタ１００は、ハウジング１０２と、ハウジング１０２内に収容される光ファイバ１０６と、ハウジング１０２内に収容されるフェルール１０４とを備える。ハウジング１０２は、光通信モジュール２０のレセプタクル２２に挿入するための第１の端部１０２ａと、光コネクタプラグ３０を挿入するための第２の端部１０２ｂとを有する。光ファイバ１０６は、レセプタクル２２に光学的に結合する第１の端部１０６ａと、光コネクタプラグ３０に光学的に結合する第２の端部１０６ｂとを有する。フェルール１０４は、光ファイバ１０６を収容する。ハウジング１０２の少なくとも一部又はフェルール１０４の少なくとも一部は、電磁波吸収材からなる。 （もっと読む）

【課題】ノイズの増加を抑制することで、画素サイズの微細化に対する出力感度の低下を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１に形成され、光を信号電荷に変換する光電変換部１０２と、光電変換部１０２の上方に形成される第１の絶縁膜１１５と、第１の絶縁膜１１５上に形成され、第１の絶縁膜１１５を構成する材料と異なる屈折率の材料で構成され、下方向に凸型の第１の絶縁膜１１５に接するマイクロレンズ形状を有する第２の絶縁膜１１６とを備え、前記マイクロレンズ形状の頂部は平面形状であり、前記マイクロレンズ形状の頂部以外は曲面形状である。 （もっと読む）

【課題】周囲の照度を反映する光とは異なる光の影響を受ける場合に、出力信号が周囲の照度に応じた信号と大きく異なってしまうことを防止できる照度センサを提供すること。
【解決手段】照度センサ１０は、受光素子１１によって受光した光の照度に応じた信号を出力端子１３から出力する照度センサであって、出力端子１３から出力する信号を一定に保持するラッチ回路１４を有し、外部入力端子１５から入力される制御信号によって、ラッチ回路１４の信号保持動作がオンオフ制御されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シールドカバーを効率よく正確に装着することが可能である受光モジュールを提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に搭載された受光素子と、上記受光素子を覆う樹脂パッケージ４と、一方向に開いた開口５ａを有しており、この開口５ａから樹脂パッケージ４が挿入されているシールドカバー５と、を備えた受光モジュールＡであって、シールドカバー５は、互いに異なる方向であり、かついずれもが樹脂パッケージ４の挿入方向ｘに対して直角である方向に向けて樹脂パッケージ４を押圧する２つの押圧板５２，５３を有しており、２つの押圧板５２，５３は、挿入方向ｘ視において互いに隣接しており、かつ挿入方向ｘにおける位置が互いに異なる端部５２ａ，５３ａを有している。 （もっと読む）

【課題】室温での動作が可能であり、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響も受けにくい超小型の、赤外線センサＩＣを提供すること。
【解決手段】素子抵抗が小さく、電子移動度の大きな化合物半導体をセンサ部３２に用いて、該化合物半導体センサ部３２と、化合物半導体センサ部３２からの電気信号を処理して演算を行う集積回路部３３とをバンプ３７により電気的に接続し、樹脂パッケージにより、同一パッケージ３５内に配設することにより、これまでにない小型で、簡易なパッケージで室温動作可能な赤外線センサＩＣを実現できる。 （もっと読む）