【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。
【解決手段】読取光に対して透過性を有する支持体８上に、読取光に対して透過性を有する電極層５、ａ−Ｓｅを主成分とする、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、記録用光導電層２で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２３を形成するための電荷輸送層３、ａ−Ｓｅを主成分とする、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、および記録光に対し透過性を有する電極層１とがこの順に積層された静電記録体１０において、読取用光導電層４と電極層５の電極との界面に、界面結晶化を抑制する物質として、Ａｓを０．５〜４０ａｔｏｍ％ドープして、読取光の最も入射側に、界面結晶化を抑制する薄層を設けたのと実質的に等価な状態にする。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】微小フィルターと対応する受光素子との間で発生するクロストークを低減して、画質を向上させる偏光イメージセンサーを提供する。
【解決手段】この偏光イメージセンサー５０は、複数の受光素子６が１次元的、または２次元的に配列されたイメージセンサー７と、各受光素子６に対向配置されたマイクロレンズ（光学素子）３と、イメージセンサー７の受光素子６と対応する複数の領域に、少なくとも２種類以上の異なる偏光特性を有する微小フィルター２１、２２によって構成される偏光フィルター１と、を備え、各微小フィルター２１、２２と各マイクロレンズ３との間を透明な樹脂部材２により接続した。 （もっと読む）

【課題】ノイズの混入に起因する精度の低下を抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（センサ装置）は、ｎ型シリコン基板１１の上方に配置され、熱（赤外線）を測定することにより電子を供給する電荷供給部４８と、ｎ型シリコン基板１１の表面に形成され、電子が電荷供給部４８から供給されるｎ型ウェル領域１５と、ｎ型ウェル領域１５の電子が供給される領域の周辺近傍の表面に形成されるｐ^＋拡散層１７とを備え、ｐ^＋拡散層１７の下方に電子を転送するための埋込みチャネル領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 安定的に高速動作させることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】 光モジュールに、送受信用光素子と、前記送受信用光素子を格納したパッケージと、信号用導体パターンとグランド用導体パターンを備え、前記パッケージ内外の電気的な接続を行う多層セラミック基板と、前記パッケージ外に配置され、前記多層セラミック基板の前記信号導体パターンと電気的な接続を行う第２の基板と、前記信号用導体パターンを含む他の導体パターンよりも前記多層セラミック基板のグランド用導体パターンの方が近い位置に、前記セラミック基板の伝搬経路に沿って配置され、前記パッケージを構成する部材の一部に固定される電波吸収体または電波遮蔽体とを備えさせる。 （もっと読む）

【課題】青色及び紫外線領域において高感度で暗電流が極小である新規な光検出器を得る。
【解決手段】光検知デバイスは以下の構成要素を有している。（ａ）絶縁層に覆われたＳｉ基板、（ｂ）前記絶縁層上に置かれた単結晶ＺｎＳｅナノベルト、及び（ｃ）前記ＺｎＳｅナノベルトの上に形成された２つの分離された金属電極。前記絶縁層は、ＳｉＯ_２又はＡｌ_２Ｏ_３で、厚さは、２００ｎｍから６００ｎｍの範囲である。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

（もっと読む）

【課題】入射電離放射線の二つの特性の監視、記録、解析を一つの装置で行う電離放射線監視用アセンブリを提供する。
【解決手段】電離放射線監視用のアセンブリは、入射放射線に応じて電荷を生成する検出基板であって、電離放射線検出ボリュームのアレイを形成するように構成される検出基板と、前記検出ボリュームに対応する読出し回路のアレイを支持する回路基板とを備え、前記第一の読出し回路は、第一のエネルギー範囲における電離放射線の、対応する第一の放射線検出ボリューム内での検出に対応する電流パルスに応答して第一の計数値を増分する光子計数回路構成を含み、前記第二の読出し回路は、第二のエネルギー範囲における電離放射線の、対応する二の放射線検出ボリューム内での検出に対応する電流パルスに応答して第二の計数値を増分する光子計数回路構成を含む。 （もっと読む）

本発明の例示の実施形態によれば、電磁放射線を検出する検出器ユニット３０１が提供されることができる。検出器ユニット３０１は、衝突する電磁放射線を電荷キャリアに変換するように適応される変換材料３３２を有しうる。更に、検出器ユニット３０１は、変換された電荷キャリアを収集するように適応される電荷収集電極３３１と、収集された電荷キャリアに基づいて電磁放射線を評価するように適応される評価回路３１２、３１３、３１４と、を有する。更に、検出器ユニット３０１は、電荷収集電極３３１と評価回路３１２、３１３、３１４との間に電気的に結合されることができる半導体３７１を有しうる。
（もっと読む）

【課題】透光性基板下のバックライトからの迷光が光電変換素子へ入射するのを防止しながら、光電変換素子へ入射する光の光量を増加させる。
【解決手段】透光性基板上の光電変換素子上を覆うカラーフィルターと、隣接する画素の光電変換素子上を覆うカラーフィルターが、側面で光の進行方向に対して重なることにより遮光膜を形成する。また、カラーフィルター上にマイクロレンズを設けることで、本来、感知されない光を光電変換素子上に集光させることにより、光変換素子へ入射する光量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】バックライトからのフォトダイオードへの光の入射を防止し、検出物からの斜光が所望のフォトダイオードではなく、別のフォトダイオードに入射されるのを防止する。
【解決手段】透光性基板上の第１の遮光層と、第２の遮光層と、第１の遮光層上の第１のフォトダイオードと、第２の遮光層上の第２のフォトダイオードと、第１のフォトダイオードを覆う第１のカラーフィルターと、第２のフォトダイオードを覆う第２のカラーフィルターと、を有し、第１のフォトダイオードと第２のフォトダイオードとの間には、第１のカラーフィルター及び第２のカラーフィルターからなる第３の遮光層を有する。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子に設けられる光素子に、不所望に光が入射することを防止すること。
【解決手段】 光導波路部材２を含む光配線基板２０と、この光配線基板２０に対してフリップチップ実装される第１及び第２の光半導体素子３とを有する光配線モジュール１であって、光導波路部材２は、クラッド層６，８と、クラッド層６，８上に積層され、光路変換手段４０を有する複数のコア層７と、を含んで構成され、光配線基板２０上には、第１の光半導体素子３に設けられる光素子４と、第２の光半導体素子３の光素子４との間に設けられ、非光透過性の樹脂から成る遮光部材６２が配置されていることを特徴とする光配線モジュール１。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で受光素子で反射した光が光ファイバーに戻らないようにすることのできる光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光を送受信する光ファイバー２の取付部１４と、取付部１４に取付けられる光ファイバー２の光軸と交わる光軸を有する受光素子３と、光ファイバー２からの光を受光素子３に入射させる光フィルター６と、取付部を有し受光素子３及び光フィルター６を取付ける本体部１を有し、本体部１は受光素子３の光軸に対して所定の位置関係を有し受光素子３を固定する取付基準面２６を備え、光フィルター６は光ファイバー２からの光を受光素子３に入射させるように、受光素子３の光軸及び光ファイバー２の光軸に対して傾斜状に配置されると共に、取付基準面２６に対し光ファイバー２の光軸を回転中心とした傾斜状に配置される。 （もっと読む）

【課題】発散光を受光素子に入射させる場合において、光を所定の波長帯域毎に確実に分離することのできる光通信モジュールを提供する。
【解決手段】受光素子３は光軸が光ファイバー２の光軸と交わるように配置され、光ファイバー２に対向するように光フィルター６が配置され、光フィルター６は光ファイバー２からの光を反射させて受光素子３に対して入射させ、光フィルター６と受光素子３の間には所定波長帯域の光を透過させる波長分離素子１１が配置され、光ファイバー２と受光素子３の間の光路上に、光ファイバー２からの発散光のうち中心領域の光のみを透過させる開口制限部１５を有する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、静電気に対する高い耐性と電磁波の優れた遮蔽性とを備える。
【解決手段】 回路基板２５を覆っているシールド板２６は、ケーブル４０の端部で、グラウンド線Ａ３及びドレン線と接続されている。この場合には、シールド板２６に落ちた静電気は、回路基板２５を経由することなく、ドレン線を介して電源装置のアースに流すことができる。すなわち、高電圧発生による不具合を回避することができる。また、回路基板２５がグラウンド電位のシールド板２６で覆われているため、良好な電磁波対策の効果を得ることができる。また、ケーブル４０の端部近傍にモールド加工によってブロック４１が取り付けられ、該ブロック４１がＯリングを介してカメラ筐体のリアケース２２Ｂに固定されているため、小型で車載カメラの防水性を確保することができる。また、ケーブル４０を車載カメラに取り付ける際の作業性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、発光素子からの光量を高いＳＮ比で検出するとともに、発光素子毎の光量検出において光センサに入射する光量を等しくする。
【解決手段】発光装置１０は、２ｎ個の発光素子Ｅと、入射する光を電気エネルギーに変換するｎ個のフォトダイオードＰＤと、ｎ個のフォトダイオードＰＤから出力される電気信号に基づいて、２ｎ個の発光素子Ｅの光量を調整するコントローラ４０とを備える。フォトダイオードＰＤは、２個の発光素子Ｅに対して１個の割合で設けられ、２個の発光素子Ｅと１個のフォトダイオードＰＤとの位置関係は等しい。 （もっと読む）

【課題】 測定環境における電磁波の影響を排除して微弱な光を検出する光検出装置および生体情報測定装置を提供すること。
【解決手段】 受光器２２（光検出装置）は、電気的に接地されたシールドケース２２ａおよび入射窓２２ｃを備えて、ケース内２２ａ内に受光素子２２ｂおよび増幅器２３を収容している。これにより、外部に存在する雑音電界（ノイズ）の受光素子２２ｂおよび増幅器２３への伝播を防止することができる。また、増幅器２３は、その出力インピーダンスが受光素子２２ｂの出力インピーダンスに比して小さく、受光素子２２ｂから出力された電気的な信号を増幅して低インピーダンスによって出力する。これにより、出力信号に対して雑音電界（ノイズ）の影響を極めて小さくして、出力信号のＳ／Ｎ比の悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電子雑音を低減するために、各々のフォトダイオード素子の応答時間を損なわずに、より低キャパシタンスのフォトダイオード素子及びより低キャパシタンスのフォトダイオード・アレイを開発する。
【解決手段】フォトダイオード素子（２０）が、第一の拡散形式を有する第一の層と、第二の層とを含んでいる。第二の層は電荷収集域（２９）を画定している。電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。作用領域（３２）は非作用領域（３３）を包囲している。フォトダイオード素子（２０）はまた、第一の層と第二の層との間に真性半導体層を含んでいる。 （もっと読む）