【課題】、放射線画像の品質を維持したまま放射線の照射に関する検出を行うこができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】照射された放射線が変換された光に応じて電荷を発生するセンサ部１０３、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力するＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と非接続の放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた画素２０Ａと、センサ部１０３、ＴＦＴスイッチ４、及び信号配線３と接続され、センサ部１０３から読み出した電荷を信号配線３に出力する放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４を備えた放射線検知用画素２０Ｂと、を備える。放射線検知用ＴＦＴスイッチ３４の制御端子は、放射線検知用走査配線１０９に接続されており、放射線検知用制御回路１０８から出力されたスキャン信号により、オン、オフが制御される。 （もっと読む）

【課題】小型化もしくは受光部の拡大が可能で、信頼性を確保でき、さらに、解像度特性を改善できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子13が配列された受光部14、および光電変換素子13と電気的に接続された素子用電極パッド15を有する固体撮像素子12を備える。外部接続用電極パッド18およびこの外部接続用電極パッド18と電気的に接続されている電極端子19を有する基台17に、固体撮像素子12を固定する。素子用電極パッド15と外部接続用電極パッド18とを配線20で電気的に接続する。素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20を一体に被覆する保護層21を気相成長法によって形成する。固体撮像素子12の受光部14上とともに、保護層21で被覆された素子用電極パッド15、外部接続用電極パッド18および配線20上にシンチレータ層22を形成する。配線20をシンチレータ層22内に埋没固定する。 （もっと読む）

【課題】産業用Ｘ線ＣＴ装置のＣＴ画像の空間分解能を高めること、及びそれに寄与するＸ線検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線を被検体に照射するＸ線源と、被検体を透過したＸ線を検出する複数のＸ線検出器２がアレイ化配置されて構成されたリニアアレイセンサと、そのＸ線源とそのＸ線検出器２の間に配置された被検体を水平回転させるターンテーブルと、Ｘ線検出器２で計測されたＸ線透過量を数値化する信号処理回路とこれらの信号を元に画像を再構成する演算装置からなるＸ線ＣＴ装置において、そのＸ線検出器２は、Ｘ線を検出するための半導体部材１２と、これを埋設したベース板１８と、その半導体部材１２の面であって、アレイ化配置方向側の片側面に限定して装着されて漏れ電子を遮蔽する遮蔽板１４を有する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には変換部３と回路部４とが配される。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。回路部４の上部に遮蔽部７が配される。遮蔽部７が、回路部４に向かって入射する軟Ｘ線を遮蔽する。好適には、遮蔽部７を構成する材料の軟Ｘ線に対する遮蔽係数は、アルミニウム及び銅の軟Ｘ線に対する遮蔽係数よりも高い。または、遮蔽部７を構成する材料は原子番号が７０以上の元素によって構成される。 （もっと読む）

【課題】個々の針状結晶は光学的に分離した理想形でないため、針状結晶の成長方向と平行でない方向へ漏れ光となる。その一部や伝搬光の一部が散乱され、FOPに結合して受光される。そのため、解像度の向上は限界が見られる。X線励起で生じた全発光量に占める漏れ光成分の割合は多く、その光の大部分はFOP中の光吸収ガラスで吸収され、最終的に光センサに入射する発光量は低下し、S/N比の向上も限界が生じる。
【解決手段】同一面上にない２つの主面を結ぶ方向に光導波性を有する相分離構造からなるシンチレータ結晶体と、同一面上にない２つの主面を結ぶ方向に光導波性を有する光学部材と、光検出器とからなり、かつ、該光学部材の一方の主面が該シンチレータ結晶体のいずれかの主面と、該光学部材の他方の主面が該光検出器の受光面と、それぞれ接続し、該光学部材において導波モードに結合しない光が少ない、あるいは一部を吸収する放射線検出素子。 （もっと読む）

【課題】 補正に用いる白画像の撮影の際に、検出器に照射する複数の線量を検出器の入出力特性に合わせて決定する。
【解決手段】 Ｘ線検出器１２および放射線発生部１３により放射線撮影が実行される。入出力特性取得部１０６は、所定の部分領域の単位、例えば画素毎や画像の部分領域毎に入出力特性の情報を得ることができる。補正線量決定部１０７は、検出器の入出力特性に応じて、Ｘ線発生部１３からＸ線検出器１２に照射するＸ線の複数の線量値を決定する。補正情報取得部１０８は決定された複数の線量の放射線を順次照射してＸ線検出器１２から得られる複数の補正画像に基づきゲイン補正情報を取得する画像補正部１０９は、補正情報取得部１０８で取得されたゲイン補正情報に基づいてＸ線検出器１２により得られたＸ線画像を補正する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素１１を基板１００の上に有し、画素１１が、スイッチ素子１３と、スイッチ素子１３の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子１３と接合された透明導電性酸化物からなる電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２と、を有し、複数のスイッチ素子１３を覆うように複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層１２０を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層１２０に接する複数の電極１２２の間において層間絶縁層１２０を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆うように不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素１１がスイッチ素子１３と電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２とを有し、複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた無機材料からなる保護層１３７と有機材料からなる層間絶縁層１２０とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子１３と電極１２２とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極１２２の間に層間絶縁層１２０を覆うように無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆う不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、絶縁部材１２１を形成する際に層間絶縁層１２０のコンタクトホール内に位置する電極１２２の段差の部分の正射影が位置する保護層１３７の領域が被覆されるように、被覆層１６０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、白キズの出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記Ｘ線透過性基板の上面には凹部３２を有し、前記Ｘ線透過性基板１７の凹部３２の上方に対応する薄膜状電極１８部分は、前記凹部３２によって左右または前後に分離された構成とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出素子のイメージセンサーには複数の画素があるが、シンチレータの発光が画素間に渡って拡散すると、撮像されたイメージの解像度が低下する。また基板からシンチレータが剥がれることを課題とする。
【解決手段】 複数の光検出部と、それぞれが複数の凸部を有する複数の凸領域とを備え、複数の凸領域のそれぞれが複数の光検出部のそれぞれと重なるように配列されている基板の上に、複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、シンチレータ層が形成された基板を降温し、シンチレータ層の隣り合う凸領域間の部分の積層方向に対応するシンチレータ層に亀裂を形成する工程とを有し、複数の凸領域は、特定の関係を満たす放射線検出素子およびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】気相Ｃｌを安定に均一に供給することができる放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】主ソース用サセプタ３５ａに収納されたソースＳは、Ｃｄの単体、Ｔｅの単体、Ｚｎの単体、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＴｅの少なくとも一つを含む材料からなり、検出層の形成過程では、主ソース用サセプタ３５ａに収納されたソースＳを支持基板に供給することにより、多結晶膜または多結晶の積層膜（検出層）を形成する。一方、ソースＳおよびそれを収納する主ソース用サセプタ３５ａの底面を貫通する複数個の開孔３５Ａを設け、主ソース用サセプタ３５ａの底面よりも下部に配置されたＣｌ化合物からなる付加ソースＳ’ によるＣｌ蒸気を、開孔３５Ａを通して支持基板に供給することにより、複数個の開孔３５Ａが設けられた箇所において、気相Ｃｌを安定に均一に供給することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、基板の表側に配置される回路素子及び導電線と、基板の裏側に配置される電子回路との間に生じる寄生容量を低減するための技術を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に配置された画素アレイと、基板の上に配置され、画素アレイの回路素子に電気的に接続された第１導電パッドと、電子回路を接続するために基板の下に配置された第２導電パッドと、基板と第１導電パッドとの間に配置された絶縁層と、基板と絶縁層との間に配置された第３導電パッドと、絶縁層を貫通する第１コンタクトホールを通り、第１導電パッドと第３導電パッドとを接続する第１導電部材と、基板を貫通する第２コンタクトホールを通り、第２導電パッドと第３導電パッドとを接続する第２導電部材とを備える半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】大面積Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】印刷回路基板に配置された複数のチップと、各チップに対応するように、その上に配置された複数のピクセル電極と、複数のピクセル電極と複数のピクセルパッドとを電気的に連結する再分配層と、を備え、再分配層上で、チップのピンパッドが形成された裏面上に形成された複数の第１電極パッドと、第１電極パッド及び第２電極ピンパッドを電気的に連結するワイヤーと、を備え、ワイヤーは、チップ間のギャップに配置される、大面積Ｘ線検出器である。 （もっと読む）