【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、発光層と光電変換基板との密着性を向上させることができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成されたメッシュ状の帯電防止層３２と、平坦化層３４及び帯電防止層３２上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、画像がぼけやすくなるのを防ぐことができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成され、一部に帯電防止性を有する遮光部材３２が形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外部環境に関わらずに安定して動作させることができるテラヘルツ波発生器を提供する。
【解決手段】受光素子チップ１２は、金属フレーム７、サブマウント９および半球レンズ１１により構成される密閉空間内に配設される。これにより、受光素子チップ１２が外部環境の影響を受けて劣化するのを防ぐことができるので、結果として、外部環境によらずに安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】針状結晶の蒸着初期は多結晶膜の様相を呈していたため、光は横方向にも広がり、理想形から推定される光検出部の受光量、及び空間分解能は低くなっていた。数百μm以上成膜した蒸着終盤では理想的な針状結晶が得られているので、受光量や空間分解能等を改善するために、成長初期の理想形からの逸脱領域を理想的な状態にすることを課題とする。
【解決手段】本発明の放射線検出素子は、針状結晶シンチレータ及び多数の凸部を有する凸パターンからなっており、針状結晶シンチレータの一端が凸部上面に接して配置しており、各針状結晶シンチレータの凸部上面に接した部分にも各凸部間の間隙に対応した間隙が設けられており、及び凸部上面に接する針状結晶シンチレータの粒子数は5個以下の構成を有している。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーγ線等の高エネルギー放射線に対しても、高感度かつ高いエネルギー識別能力を有するとともに、高い画像分解能を備えた半導体放射線画像検出器を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１上にｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２をＭＯＶＰＥ法によりエピタキシャル成長させて形成する。次にｐ型Ｓｉ単結晶基板１４に導電性樹脂をコートし、前記ＣｄＴｅ単結晶ウェーハ上のｐ型ＣｄＴｅ単結晶層１２と貼り合わせて硬化する。さらにＣｄＴｅ単結晶ウェーハ１１の非接合面およびＳｉ単結晶基板１４の非接合面にＡｕを蒸着して電極１５および１６を形成する。その後、溝１７をＣｄＴe単結晶ウェーハ側の電極１６側よりＳｉ単結晶基板１４の内部に到達する深さで、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】 高性能な平面型の検出装置をマスク枚数の増加に伴うコストアップや歩留まりの低下をすることなく提供する。
【解決手段】 基板１００上に成膜された第１導電膜から第１電極１２１及び制御電極１３１を形成する第１の工程と、第１の工程の後に絶縁膜と半導体膜とを順次に成膜する第２の工程と、前記第２の工程の後に不純物半導体膜と第２導電膜とを順次に成膜し第２導電膜から共通電極配線１４と第１導電部材１３７とを形成する第３の工程と、第３の工程の後に成膜された透明導電性酸化物から第２電極１２５及び第２導電部材１３８とを、不純物半導体膜から不純物半導体層１２４及び不純物半導体層１３３とを、を同一のマスクを用いて形成する第４の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。 （もっと読む）

【課題】放射線を短時間で精度よく検出することができる放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出素子１０は、予め定めた放射線検出領域に均一に配置され、被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じた画像用電気信号をスイッチング素子を介して信号配線に出力する複数のフォトダイオード１２Ａと、前記画像用放射線検出素子の一部を分割した放射線検出素子であると共に予め定めた繰り返しパターンで配置され、前記被写体に照射された放射線を検出し、検出した放射線に応じたモニタ用電気信号を配線に直接出力する複数のフォトダイオード１２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出装置の感度低下を抑えつつ、耐衝撃性を向上させる。
【解決手段】少なくとも全放射線撮影領域を含む底部を有する凹部が形成された基板（１４）と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光物質を含有し、前記基板の凹部に設けられる蛍光体（１８Ａ、１８Ｂ）と、前記蛍光体が設けられた凹部とは反対側に設けられ、前記蛍光体から発せられた蛍光を光電変換する光電変換素子の群（２６）と、前記蛍光体を支持する支持体（１２Ａ，１２Ｂ）と、前記支持体と前記基板とを固定する固定部（１３Ａ）と、を備え、放射線入射側から、光電変換素子、基板、蛍光体、支持体の順に並んでいる放射線画像検出装置（１，２）。 （もっと読む）

【課題】画素部の周辺回路におけるトランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、基板１１上に、フォトダイオードを有する画素部１０Ａと、基板１１上の画素部１０Ａの周辺領域に配設され、画素部１０Ａを駆動する回路部１０Ｂと、画素部１０Ａ上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層２２とを備える。回路部１０Ｂは、シンチレータ層２２の端部２２ａに非対向の領域に設けられている。シンチレータ層２２の端部２２ａから水分が侵入してイオン化が生じた場合であっても、回路部１０Ｂにおけるトランジスタ（特にＤＣ駆動される領域のトランジスタ）において、上記イオン化による固定電荷の蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 基板に接する面は平坦で反射率が高く、基板に接する面の反対面は面が粗く、上層に積層した膜との密着性に優れた銀反射膜、およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 有機銀化合物を溶媒に溶解した有機銀化合物溶液を、基板上に塗布し、焼成することによって得られる銀反射膜において、
前記銀反射膜は基板に接触する面が多結晶であり且つ結晶粒界の段差が１ｎｍ以下であることを特徴とする。基板に接する面は平坦な多結晶構造とし、基板に接する面の反対側の面は粗い面とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線に対して従来より高感度の放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】照射された放射線に応じて光電変換層１８で電荷（キャリア）が発生し、発生した正孔がアバランシェ層２２でアバランシェ増幅作用により増幅されて、電荷収集電極４０で収集され、読み出される。光電変換層１８とアバランシェ層２２との間、アバランシェ層２２上には、電荷収集電極４０が形成されているピッチ（画素ピッチ）Ｌに応じて格子状に中間電極２０が形成されている。中間電極２０は、光電変換層１８に接する側から、正孔阻止層３０、導電層３２、及び電子吸収層３４の順番で形成されている。 （もっと読む）

【課題】放射線による閾値電圧の変化を増幅することができ、また、温度補償を行うことができる二種類の金属酸化物半導体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を有する放射線量計およびその操作方法を提供する。
【解決手段】放射線量計は、同じ基板に集積された二つの放射線電界効果型トランジスタ（ＲＡＤＦＥＴ）および二つのＭＯＳＦＥＴを含む放射線集積回路（ＲＡＤＩＣ）、または、同じ基板に集積された二つのＲＡＤＦＥＴ、および二つの抵抗器を含むものである。閾値電圧の変化の増幅は、ＭＯＳＦＥＴインバータの増幅原理を用い、いずれも、第一のＲＡＤＦＥＴのゲートには順方向のバイアスがかけられ、第二のＲＡＤＦＥＴのゲートはバイアスが外される。増幅された差分閾値電圧の変化は、示度モードで測定される。放射線感度が高められたため、ミリラッドの線量測定が可能となり、温度効果およびドリフトは、ほぼ除去される。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線を検出する検出領域に、放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを含む複数の画素２０をマトリクス状に設け、画素２０Ｂに備えられたスイッチング素子に接続する信号配線３によって画素２０Ｂに発生した電荷を検出することで、放射線検出が可能となり、放射線の照射開始を検知することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各領域Ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子１４とが一面３ａ側に設けられた基板３と、基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられ各走査線１０および各信号線１１の端部にそれぞれ設けられた入出力端子１７と、各入出力端子１７に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板２３とを備え、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触が遮断されている。 （もっと読む）

【課題】 放射線量に関するリアルタイムの情報を得ることができる放射線モニタリングの方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスが、半導体基板と、半導体基板上に配置された埋め込み絶縁体層であって、半導体デバイスによる放射線曝露に応じて、ある電荷量を複数の電荷トラップ内に保持するように構成された埋め込み絶縁体層と、埋め込み絶縁体層上に配置された半導体層と、半導体層上に配置された第２の絶縁体層と、第２の絶縁体層上に配置されたゲート導体層と、半導体層に電気的に接続された１つ又は複数の側面コンタクトとを含む。放射線モニタリングのための方法が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む放射線モニタにバックゲート電圧を印加すること、放射線モニタを放射線に曝露することと、放射線モニタの閾値電圧の変化を求めることと、閾値電圧の変化に基づいて放射線曝露量を求めることとを含む。 （もっと読む）