本発明によると、ナノ構造デバイスは、基板から突き出した第１ナノワイヤ群を有し、第１ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれは少なくとも一つのＰＮ又はＰＩＮ接合を有する。第１接触は、前記第１ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれが有する前記ＰＮ又はＰＩＮ接合の第１側面を少なくとも部分的に取り囲んで、前記第１側面へと電気的に接続されている。第２接触手段は、前記基板から突き出した第２ナノワイヤ群を含み、前記ＰＮ又はＰＩＮ接合の第２側面との電気的な接続を提供するように設けられている。
（もっと読む）

ナノ構造の材料と、該ナノ構造の材料と混合されたホスト材料とを備えている、ナノ構造の光電子デバイスが提供される。該ホスト材料は、該ナノ構造の材料よりも高い屈折率を有し得る。該ホスト材料の屈折率は、該デバイスの有効な活性エリアを最大化するように選定され得る。代替の実施形態において、該ホスト材料は、散乱中心、または、光を吸収して異なるエネルギーで該光を再放射する吸収／発光中心、あるいは、それら両方を備えている。
（もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体ナノワイヤ（２）を含むオプトエレクトロニクス半導体デバイスを提供する。ナノワイヤ（２）は、ナノワイヤコア（３）と、ナノワイヤコア（３）の少なくとも一部の周囲に配置された少なくとも１つのシェル層（４）を含む。ナノワイヤコア（３）とシェル層（４）とは、作動中にキャリヤを生成するまたはキャリヤーを再結合するのための活性領域（７）を提供するｐｎ接合またはｐｉｎ接合を形成する。キャリヤを再結合する中心またはキャリヤを生成する中心として機能するように構成される量子ドット（１０）は活性領域（７）に配置される。量子ドット（１０）とシェル層の（４）の生成のためのテンプレートとしてナノワイヤコア（３）を使用することによって、均一の大きさと均一な分布の量子ドットを得ることができる。基本的に、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、光放出または光の吸収に使用することができる。前者の場合、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、発光ダイオードまたはレーザダイオードであり、後者の場合、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、フォトダイオード、光検知器または太陽電池などの光電デバイスである。
（もっと読む）