【課題】発光効率を向上し、駆動電圧を低減した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む井戸層４２及び窒化物半導体を含む障壁層４１を有する発光部４０と、発光部４０とｎ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎの組成比が異なる第１層３１及び第２層３２を含む積層体３０と、を備え、障壁層４１の層厚が１０ｎｍ以下であり、積層体３０の平均Ｉｎ組成比をｐ、発光部４０の平均Ｉｎ組成比をｑとした場合、０．４＜ｐ／ｑ≦０．７であり、障壁層の厚さは、１０ナノメートル以下であり、積層体において第１層と第２層とが交互に３０ペア以上設けられる。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第１のクラッド層と第２のクラッド層とを有する発光部と、前記発光部上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層に接合された機能性基板とを備え、前記第１及び第２のクラッド層を組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、前記井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスにおいて、多重量子井戸での発熱を抑制する。
【解決手段】発光デバイスは、ｎ型層と、ｐ型層と、活性領域と、基板とを含む。ｎ型層は、活性領域に横方向で電子を注入するために、活性領域に実質的に垂直な第１の接触領域で活性領域と接している。基板は、GaN、サファイア、シリコン、シリコンカーバイド、石英、酸化亜鉛、ガラスおよびガリウムヒ素を含むグループから選択される材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイは、基板及び複数のナノ構造体を含む。前記ナノ構造体は、前記基板の少なくとも一つの表面に形成された梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する
【解決手段】
AlGaInPからなる活性層と、活性層を挟むように設けられ活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、を含む半導体膜を有する。ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 （もっと読む）

信頼性のある発光ダイオード及びその製造方法が開示される。本発明の一態様による発光ダイオードは、シリコンがドープされたｎ型コンタクト層と、ｐ型コンタクト層と、ｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層との間に介在する活性領域と、ｎ型コンタクト層と活性領域との間に介在する超格子層と、超格子層とｎ型コンタクト層との間に介在する非ドープ中間層と、非ドープ層と超格子層との間に介在する電子補強層と、を備える。超格子層は、活性領域に最も近い最終層にのみ意図的にシリコンがドープされ、最終層のシリコンドーピング濃度は、ｎ型コンタクト層のシリコンドーピング濃度よりも高い。活性領域に近く位置する超格子層の殆ど全ての層にシリコンを意図的にドープしていないので、漏れ電流を減少させることができ、活性領域に最も近い最終層に高濃度のシリコンをドープすることにより、接合特性が悪くなることを防ぎ、静電放電特性を改善できる。
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本発明は、半導体積層体を有する半導体ボディ（２）を備えた半導体チップ（１）に関する。放射を生成するために使用される活性領域（２０）が、ｎ型導電多層構造（２１）とｐ型導電半導体層（２２）との間に配置されている。ｎ型導電多層構造（２１）には、少なくとも１つのドーピングピーク（４）を有するドーピングプロファイルが形成されている。
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活性領域、ｐ型窒化III族元素層、ｎ型窒化III族元素層、ｐ側金属コンタクト層、ｎ側金属コンタクト層及びアンドープトンネリング強化層を有する光電子発光半導体デバイスが提供される。ｐ側金属コンタクト層の特徴は関係式：Ｗ≦ｅ⁻_AFF ±０.０２５ｅＶを満たす仕事関数Ｗであり、ここでｅ⁻_AFF はアンドープトンネリング強化層の電子親和力である。アンドープトンネリング強化層及びｐ型窒化III族元素層は伝導エネルギー帯及び価電子エネルギー帯を有する。アンドープトンネリング強化層の価電子帯の上端Ｖ１はバンドオフセット界面において、バンドオフセット界面におけるアンドープトンネリング強化層内の比較的高い正孔濃度に対する容量を生じさせるため、ｐ型窒化III族元素層の価電子帯の上端Ｖ２より上にある。実施形態がさらに開示され、特許請求される。
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半導体層のスタックが再発光半導体構造（ＲＳＣ）を形成する。スタック（３１０）は、第１の波長の光を第２の波長の光に変換する活性領域（３１６）を有し、活性領域（３１６）は少なくとも１つのポテンシャル井戸を有する。スタック（３１０）はまた、スタックの外側表面から活性領域へと延在する不活性領域（３１８）を有する。外側表面から不活性領域の中へと延びる凹部（３２６）がスタック（３１０）内に形成されている。平均凹部深さは、不活性領域の厚さの少なくとも５０％である。あるいは、平均凹部深さは、最短ポテンシャル井戸距離の少なくとも５０％である。凹部（３２６）の更に他の特性付けについても開示される。凹部（３２６）は、平面視において少なくとも４０％の実装密度を有し得る。凹部（３２６）はまた、それらの投影面積の相当な部分が、斜めに傾いた表面に関連付けられる。
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