ＩＩ〜ＶＩ型又はＩＩＩ〜Ｖ型半導体のような半導体をエッチングするためのプロセスが提供される。この方法は、エッチングマスクを介して非反応性ガスで半導体をスパッタエッチングする工程と、半導体を取り出す工程と、反応性ガスでチャンバーを洗浄する工程と、を含む。エッチングマスクはフォトレジストを含む。この方法を使用し、半導体材料にエッチングされた光抽出素子又はナノ／微小構造物を有する発光ダイオードを製作することができる。 （もっと読む）

本発明は、（Ｌｎ_{１−ａ−ｂ}Ｇｄ_ａＳｍ_ｂ）_ｗＭｇ_ｘＳｒ_ｙ（Ａｌ_１−ｃＢ_ｃ）ｚＯ_{（３／２ｗ＋ｘ＋ｙ＋３／２ｚ）} （Ｉ） 式中、Ｌｎ＝Ｙ、Ｌａおよび／またはＬｕ、ａ、ｃ＝０．０〜１．０、０＜ｂ＜０．２およびａ＋ｂ≦１．０、ｗ＝１．０〜３．０、ｘ、ｙ＝１．０〜２．０およびｚ＞０．０〜１２．０、で表される蛍光物質、ならびにこれらの蛍光物質の製造およびＬＥＤからの近紫外線発光の変換のための変換蛍光物質としてのその使用に関する。 （もっと読む）

低抵抗率および高移動度を持つ安定したｐ型ＺｎＯ薄膜を成長させるための方法が、提供される。本方法は、ｎ型Ｌｉ−Ｎｉ共ドープＺｎＯターゲットをチャンバー中に提供することと、基板をチャンバー中に提供することと、ターゲットをアブレーションして薄膜を基板に形成することとを含む。
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半導体層のスタックが再発光半導体構造（ＲＳＣ）を形成する。スタック（３１０）は、第１の波長の光を第２の波長の光に変換する活性領域（３１６）を有し、活性領域（３１６）は少なくとも１つのポテンシャル井戸を有する。スタック（３１０）はまた、スタックの外側表面から活性領域へと延在する不活性領域（３１８）を有する。外側表面から不活性領域の中へと延びる凹部（３２６）がスタック（３１０）内に形成されている。平均凹部深さは、不活性領域の厚さの少なくとも５０％である。あるいは、平均凹部深さは、最短ポテンシャル井戸距離の少なくとも５０％である。凹部（３２６）の更に他の特性付けについても開示される。凹部（３２６）は、平面視において少なくとも４０％の実装密度を有し得る。凹部（３２６）はまた、それらの投影面積の相当な部分が、斜めに傾いた表面に関連付けられる。
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ある半導体基板上で成長したＩＩ−ＶＩ半導体素子の異常動作を認め、その異常動作は、インジウム原子が、成長中に、基板からＩＩ−ＶＩ層に移動した結果である可能性が高いと判断した。インジウムは、このようにして、基板上で成長したＩＩ−ＶＩ層、特に、成長基板に近接する層の１つ以上において、意図せぬドーパントとなり得、素子の性能に悪影響を及ぼし得る。良好な素子性能を維持するように、成長層において、短距離内で移動するインジウムを空乏させるか、又はインジウムが基板の外に移動することを実質的に防ぐか、又はそうでなければ、機能的ＩＩ−ＶＩ層を移動するインジウムから実質的に分離するために有効である、多様な半導体構造及び技術について説明する。
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本発明は、式（Ｉ） Ma_2-y(Ca,Sr,Ba)_1-x-ySi_5-zMe_zN₈:Eu_xCe_y （Ｉ）、式中Ｍａ＝Ｌｉ、Ｎａおよび／またはＫ、Ｍｅ＝Ｈｆ^４＋および／またはＺｒ^４＋、ｘ＝０．００１５〜０．２０およびｙ＝０〜０．１５、ｚ＜４である、で表される化合物、これらの化合物の製造方法ならびに、蛍光体およびＬＥＤからの青色または近紫外線発光を変換するための変換蛍光物質としての使用に関する。
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発光デバイス（２００）は、発光ダイオード（ＬＥＤ２０２）に取り付けられた波長変換器（２０４）を含む。波長変換器は第１の側及び第２の側の両方にエッチングされたパターンを有してもよい。一部の実施形態では、変換器の第１の側及び第２の側はそれぞれ、その頂部において、その基部と異なる幅を有する、対応の構造体を含む。波長変換器は、ＬＥＤの第２領域（２２４）と重なることなく、ＬＥＤの第１領域（２１８）に実質的に重なる第１フォトルミネセント要素（２０８）を含んでもよく、一方で第２フォトルミネセント要素（２１０）は、第１領域と重なることなく、第２領域と実質的に重なる。一部の実施形態では、不動態化層は、第１の側のエッチングされてたパターンの上に配置される。非エピタキシャル材料が、窓層の１つの領域の第１の側及び第２の側に配置されている状態で、窓層は、第１フォトルミネセント要素と第２フォトルミネセント要素との間に配置されてもよい。
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【課題】電磁と電気エネルギーとの間の変換を行うエネルギー変換装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】エネルギー変換装置は、熱エネルギービームで形成した第１のドープド領域と第２のドープド領域とをもつ広バンドギャップ半導体材料を備える。第１の例において、エネルギー変換装置は、発光装置として動作し、電力を受けて電磁放射を生じる。第２の例において、エネルギー変換装置は、光起電力装置として動作し、電磁放射を受けて電力を生じる。第３の例において、エネルギー変換装置は、絶縁材料を変換して形成する。光起電力装置を太陽熱液体加熱装置と組み合わせることにより、電磁放射を受けて電力および加熱液体を得ることができる。 （もっと読む）

発光システムが開示される。発光システムは、第１の波長でエレクトロルミネッセンスデバイスの上面から発光する、エレクトロルミネッセンスデバイスを含む。この発光システムは、遮断しなければ側面から出射する第１の波長の光を遮断するための、エレクトロルミネッセンスデバイスの側面に隣接する構造体を更に含む。この発光システムは、ＩＩ〜ＶＩ族ポテンシャル井戸を備える再発光半導体構造体を更に含む。この再発光半導体構造体は、エレクトロルミネッセンスデバイスを出射する第１の波長の光を受容し、受容した光の少なくとも一部を第２の波長の光に変換する。発光システムを出射する第２の波長のすべての光の総合発光強度は、発光システムを出射する第１の波長のすべての光の総合光強度の少なくとも４倍である。
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平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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