【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 成長膜中のＴｅ濃度を制御可能にする。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上に、少なくとも窒素（Ｎ）元素と、酸素（Ｏ）元素以外のＶＩ族元素が含まれるＺｎＯ系化合物半導体層を結晶成長する工程とを有し、前記ＺｎＯ系化合物半導体層を結晶成長する工程において、電子線を成長表面へ照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＮのドープされたＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、酸素を含まないガス雰囲気中で昇温する工程と、（ｃ）酸素を含まないガス雰囲気中での昇温の後に、酸素を含むガスを供給し、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜の全体を酸化して、ＮドープＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体単結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体層の製造方法は、（ａ）Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦０．６）単結晶表面を有する下地上に、（Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙ）_３Ｎ_２（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）（Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙ）_３Ｎ_２（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を酸化して、ＮドープＭｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ≦０．６）単結晶膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
光の三原色を再現できる発光ダイオードが単色なので三原色以外の色は複数の発光ダイオードを組み合わせて彩色させている。
【解決手段】
光の三原色併設型発光ダイオードを作成して課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 強い発光強度を得る。
【解決手段】 第１導電型のＺｎＯ系半導体層と、第１導電型のＺｎＯ系半導体層上に形成されたＺｎＯ系発光層と、ＺｎＯ系発光層上に形成された、第２導電型のＺｎＯ系半導体層とを備える積層構造と、第１導電型のＺｎＯ系半導体層に電気的に接続された第１の電極と、第２導電型のＺｎＯ系半導体層に電気的に接続された第２の電極とを有し、第２導電型のＺｎＯ系半導体層は、ＺｎＯ系発光層上に形成された第１ＺｎＯ系半導体層と、第１ＺｎＯ系半導体層上に形成された第２ＺｎＯ系半導体層とを含み、第２ＺｎＯ系半導体層は、底面を有する凹部を複数備え、複数の凹部の底面積の和は、積層構造の積層方向から見たときの第２ＺｎＯ系半導体層の面積の２０％〜５０％であるＺｎＯ系半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＺｎＯ系半導体層を得るための新規な技術を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板上方に、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、４００℃以下で成長する工程と、第１のアンドープＺｎＯ系半導体層を、８００℃以上でアニールして、ｎ型キャリア濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３以上の第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層とする工程と、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層上方に、ＺｎＯ系半導体活性層を成長する工程と、ＺｎＯ系半導体活性層上方に、ｐ型ＺｎＯ系半導体層を成長する工程とを有し、第１のｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体活性層、及びｐ型ＺｎＯ系半導体層の積層が、ｐｎ接合構造を形成する。 （もっと読む）

【目的】
平坦性と配向性に優れ、低欠陥・低転位密度で、基板残留不純物の拡散・蓄積が極めて抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、アンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給しつつ基板上に６００℃ないし８５０℃の範囲の成長温度でＺｎＯ系単結晶層を成長する単結晶成長工程と、上記ＺｎＯ系単結晶層上に、ｎ型及びｐ型ＺｎＯ系半導体層のうち少なくとも１つを含むデバイス層を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

ＩＩ〜ＶＩ型又はＩＩＩ〜Ｖ型半導体のような半導体をエッチングするためのプロセスが提供される。この方法は、エッチングマスクを介して非反応性ガスで半導体をスパッタエッチングする工程と、半導体を取り出す工程と、反応性ガスでチャンバーを洗浄する工程と、を含む。エッチングマスクはフォトレジストを含む。この方法を使用し、半導体材料にエッチングされた光抽出素子又はナノ／微小構造物を有する発光ダイオードを製作することができる。 （もっと読む）