【課題】製造プロセス中に磁性体膜の材料の拡散を防止し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、基板２０と、基板２０の主面上に形成され、かつ配線層を含む半導体素子１２と、半導体素子１２を被覆する磁性体からなる磁気シールド膜１５と、半導体素子１２と磁気シールド膜１５との間に介在し、かつ磁気シールド膜１５の磁性体材料の拡散を防止するバッファ膜１４と、を有する。バッファ膜１４は、磁性体材料の拡散防止効果をもたらすとともに、磁気シールド膜の結晶化を促進する効果も有する。 （もっと読む）

【課題】動作特性の良いＭＴＪ素子を有する半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＭＴＪ素子ＭＤ１は、下部磁性膜６、トンネル絶縁膜７及び上部磁性膜８の順に積層される積層構造により形成される。下部磁性膜６及び上部磁性膜８は構成材料として非晶質あるいは微結晶状態のコバルト鉄ボロン（ＣｏＦｅＢ）を含んでいる。トンネル絶縁膜７は構成材料として酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x）を含んでいる。ＭＴＪ素子ＭＤ１の上部磁性膜８上にＣＡＰ層ＣＰ１が形成され、ＣＡＰ層ＣＰ１上にハードマスクＨＭ１が形成される。ＣＡＰ層ＣＰ１は結晶質のルテニウム（Ｒｕ）単体構造を構成材料としており、ハードマスクＨＭ１は結晶質のタンタル（Ｔａ）単体構造を構成材料としている。ハードマスクＨＭ１の膜厚はＣＡＰ層ＣＰ１の膜厚より厚く形成される。 （もっと読む）

【課題】金属細線への形状加工に伴う、情報の記録／再生の信頼性低下を回避する磁壁移動型メモリ素子を提供する。
【解決手段】強磁性材料で形成されて線状に延び、結晶磁気異方性が相対的に大きな特異点が所定間隔で形成されることにより、互いに異なる２つの磁化方向のうちのいずれの磁化方向にも磁化し得る区画が該特異点を挟んで配列されてなるメモリラインと、上記区画のうちの１つの記録区画に磁場を印加し、該記録区画を上記２つの磁化方向のうちの任意の一方の磁化方向に磁化する記録素子と、上記区画のうちの１つの読取区画の磁化方向を検出する読取素子と、上記メモリラインに電流を流して、互いに異なる方向に磁化された隣接する２つの区画の間に形成された磁壁を一区画分移動させる電流路とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多層配線に挟まれたある層の層間絶縁膜が厚薄各部分を有し、容易に製造することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１領域と第２領域を有する半導体基板と、第１領域の半導体基板上方に配置されたＭＴＪと、ＭＴＪを覆うように配置され、第２領域上方よりも第１領域上方の膜厚が薄い絶縁膜と、絶縁膜中に配置され、ＭＴＪと電気的に接続された導電膜と、第１領域上方の絶縁膜上方に形成され、導電膜と電気的に接続されたビット線と、第２領域上方の絶縁膜上方に形成された配線と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気検出素子を回路基板に実装に要するコストが削減され、しかも同磁気検出素子による検出精度が向上する複合スイッチレバー装置を提供すること。
【解決手段】互いに交差する２つの傾動方向Ｘ，Ｙ及び軸線ａｘ周りの回転方向Ｒａに操作されるとともに、２つの傾動方向Ｘ，Ｙに各々沿う操作位置を検出させる第１磁石２１と、回転方向Ｒａに沿う操作位置を検出させる第２磁石２２とを複合スイッチレバー装置の操作レバー１に設けた。複合スイッチレバー装置は、２つの傾動方向Ｘ，Ｙ及び回転方向に沿う操作位置を、それぞれ第１磁石２１及び第２磁石２２から発生する磁界に基づいて検出する４つのＧＭＲセンサｇ１〜ｇ４及びＭＲＥセンサｍが配設された回路基板１７を有する磁気検出部１ａを具備する。４つのＧＭＲセンサｇ１〜ｇ４とＭＲＥセンサｍとは、回路基板１７にスタック型半導体パッケージ１０の形態で実装されている。 （もっと読む）

【課題】磁場センサまたはハードディスク内の読取ヘッドとして使用する磁気抵抗素子を得る。
【解決手段】異常磁気抵抗（ＥＭＲ）効果を示すことができる素子はシリコンにより形成された細長チャネル（２）を含んでいる。高濃度ドープ・シリコンにより構成される導体（６）が分流器を提供するようにチャネルの一方側（５）に沿ってチャネルに接続されている。ゲート電極（１３）を含むゲート構成（１２）がチャネル上に設けられる。適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 （もっと読む）

【課題】１つのセンサエレメントの故障に対する冗長性及び入力操作位置の検出信頼性を確保しつつ小型化が可能な操作位置検出装置を提供する。
【解決手段】操作位置検出装置は、それらから出力される二値化信号の組み合わせが、ハミング符号に準拠したものとなるように設けられた複数の磁気抵抗素子３１〜３７を備えている。操作位置検出装置は、複数の磁気抵抗素子３１〜３７の検知面に作用する磁界の方向に応じて出力される二値化信号の組み合わせに基づいて、該二値化信号の組み合わせの誤り信号位置を特定し、この特定された信号位置の二値化信号を訂正する。 （もっと読む）

【課題】フリー層の磁化方向を反転させるのに必要な反転電流を低減しつつ、磁化方向を反転させた場合の抵抗の変化率を大きくした磁気記憶素子および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】スピン偏極した電子により磁化方向を反転させる磁気記憶素子であって、第１ピン層と、第１トンネル絶縁層と、第１フリー層との積層構造を含む第１単位磁気記憶素子と、第２ピン層と、第２トンネル絶縁層と、第２フリー層との積層構造を含む第２単位磁気記憶素子と、第１ピン層と第２ピン層を電気的に接続して、第１単位磁気記憶素子と第２単位磁気記憶素子とを直列に接続する接続電極とを含み、電子の移動方向に垂直な方向の第２単位磁気記憶素子の断面積が、第１単位磁気記憶素子の断面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子間のばらつきを低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、少なくとも２つの方向に沿ってそれぞれ延びる延在部１Ａ，１Ｂを有し、その延在部の延在方向に沿ったそれぞれ異なる複数の磁化容易軸を有する磁化固定層１と、磁化固定層１上に設けられるトンネルバリア層２と、トンネルバリア層２上に設けられ、磁化方向が可変となる磁化自由層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供す
る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記
第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからな
る薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層
と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変
化する。 （もっと読む）