【課題】 高周波領域でも発振周波数のばらつきのないガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】 表面接地電極と裏面接地電極とを接続するヴィアホールの形状を、信号電極側の側面が信号電極の信号伝搬方向と平行となるような柱状構造としている。これにより、表面接地電極からヴィアホールを経由して裏面接地電極に至るショートスタブとして機能する線路長が、従来の円柱状ヴィアホールを経由する線路長と比べて、ばらつかなくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガンダイオード用の積層構造に関する。この積層構造は、重なって配置された連続した層である多くドープされた第１ｎ_d ＧａＡｓ層（３）、この多くドープされた第１ｎ_d ＧａＡｓ層（３）上に配置された階級付けされたＡｌＧａＡｓ層（５）を有し、この場合、この層のアルミニウム濃度が、この多くドープされた第１ｎ_d ＧａＡｓ層（３）に対する境界面から出発してＡｌＧａＡｓ層（５）の対向する境界面の方向に減少し、及び多くドープされた第２ｎ⁺ 層を有する。これらの多くドープされた層（３，７）のうちの１つの層に対するＡｌＧａＡｓ層（５）の少なくとも１つの境界面に対して、ドープされなかった中間層（４，６）が、拡散阻止層又は分離阻止層として配置されている。この中間層（４，６）は、階級付けされた層の希望しないドーピングを阻止する。
（もっと読む）

個々の素子（２’）（例えば、導電性プリフォーム又はガンダイオード）をそのような素子のアレイから分離する方法は、ピックアップツール（８）を介してエネルギー（例えば、電流）を加えて、支持構造体（１）に対して素子（２’）を保持しているタブ（３）を溶融させる段階を含む。 （もっと読む）