【課題】 移相器および方法を提供する。
【解決手段】 移相器および方法は、接地シールドされているハイブリッド結合器を含む。このハイブリッド結合器は、ハイブリッド結合器に接続された反射成端とともに、印加された信号を移相するように構成され、反射成端は並列ＬＣ回路を含む。 （もっと読む）

【課題】移相時の移相器間のインピーダンス不整合に伴う通過損失の変動の抑制が十分な移相器を提供する。
【解決手段】順バイアス電圧を印加すると等価的に純抵抗とみなすことができるＰＩＮダイオードの順バイアス電流を変化させることで抵抗値を変化させることにより、移相器に入力した信号を減衰させることができ、移相時の移相器間のインピーダンス不整合に伴う通過損失の変動を十分抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】導波路を伝搬する電波の位相速度を電圧の印加によって制御する。
【解決手段】ポスト壁導波路１の導体壁を形成する第２の導体棒列１０１が備える導体棒１２に、逆直列に接続された一対のバラクタダイオードを装荷し、上記一対のバラクタダイオードに対して電圧を印加して該バラクタダイオードのリアクタンスの大きさを制御することによって、上記導体棒１２の電気的特性を変化させて、電気的に等価なポスト壁導波路１の寸法を変更し、該ポスト壁導波路１を伝搬する電波の位相速度を制御する。 （もっと読む）

本発明は、制御電流が印加されるとスイッチとして動作するダイオードと、制御電流の印加によりダイオードが短絡される場合に端子１から端子２に伝送される一つの信号伝送経路を提供するΦ度位相の第１ＣＲＬＨ伝送線と、第１ＣＲＬＨ伝送線と１８０度の位相差を有し、端子１から端子２に伝送される他の信号伝送経路を提供する（Φ−１８０）度位相の第２ＣＲＬＨ伝送線と、を備えるＲＦスイッチを提供する。本発明は、ＣＲＬＨ伝送線を用いて広帯域特性を有するＲＦスイッチを提供する。さらに詳しくは、広帯域において１８０度の位相差を有するＣＲＬＨ伝送線を用いて、広帯域特性だけではなく、低い周波数帯域において小型化可能なリング状のＲＦスイッチを提供する。
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【課題】高周波での周波数特性に優れ、かつ、安価な移相器を提供することである。
【解決手段】第一の信号経路と、第二の信号経路と、並びに、前記第一の信号経路と、前記第二の信号経路とを切り替えるスイッチ１０，１２とを具備する。前記第一の信号経路にフィルタ２０を設け、前記第二の信号経路に伝送線路３０を設ける。前記フィルタ２０は、ＨＰＦ（High Path Filter）とすることができる。前記伝送線路３０は、マイクロストリップ線路とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 容易かつ高精度にインピーダンスの調整を図ることができる整合回路、この整合回路を備える送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置を提供することである。
【解決手段】 整合回路１は、ボンディングワイヤ３を介して電子部品２と電気的に接続される。整合回路１は、誘電体基板５に形成され、第１〜第３伝送線路６，７，８と、第１移相回路１１と、第２移相回路１２とを含んで構成される。第１および第２移相回路１１，１２は、それぞれ電圧を印加することによってインピーダンスが変化し、それぞれ電圧を印加することによって通過する電磁波の位相を調整可能である。 （もっと読む）

【課題】 従来の移相器では、耐電力性を確保するためにはＦＥＴの占有面積を大きくしなければならない。すなわち、ＦＥＴ ＯＮ時の動作に対しては大電流動作が可能なようにＦＥＴのゲート幅を大きく、ＦＥＴ ＯＦＦ時の動作に対してはＦＥＴに印加される電圧を分散させるためにＦＥＴを多段接続する必要がある。いずれの場合も回路中のＦＥＴの占有面積が増大するため回路が大きくなり、またＭＭＩＣ化した場合にはチップサイズが増大する。
【解決手段】 反射性終端回路１４,１５の構成要素であるＦＥＴ６,９の制御電圧を変化させ、ＦＥＴがＯＦＦ状態で端子３及び端子４を短絡もしくは開放の状態に制御する。この時ＦＥＴ素子として、ＯＦＦ状態での耐圧が高いＷＢＧ（Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ Ｇａｐ）素子を用いることにより、ＦＥＴの占有面積を増大せずに移相器の高耐電力化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】信号減衰量を変化させることなく入力信号の位相をシフトする。
【解決手段】増幅器１０１からセクション１１１に“０”が供給されると、伝送線路１１、１４は“Ｌｏ”レベルにバイアスされて入力信号Ｐinは伝送線路１２を経由する。セクション１１１に“１”が供給されると、伝送線路１１、１４は“Ｈｉ”レベルにバイアスされて、入力信号Ｐinは伝送線路１３を経由する。伝送線路１２、１３の形状が凹状となって対応している。このため、入力信号Ｐinが伝送線路１３を経由しても伝送線路１２を経由した場合と比較して、信号減衰量は変化せず、位相シフトしても入力信号Ｐinの振幅を一定とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価抵抗の変化を抑制し、移相変化時の通過損失を変動を抑え得る反射型移相器を得る。
【解決手段】 入出力端子１，２間をアイソレートするためのハイブリッド６と、バラクタダイオード７と、このバラクタダイオードの端子間容量を変化させる直流電圧を印加する直流電圧印加端子３と、バラクタダイオードの端子間容量変化により移相された高周波信号を同相合成し高周波信号入出力端子における端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの反射減衰量変化を抑圧するための抵抗９と、この抵抗に直流電圧が印加されるのを防止するためのコンデンサ８を有する反射型移相器において、バラクタダイオードと直列にＰＩＮダイオード１０を接続し、バラクタダイオードの端子間容量変化に伴う、バラクタダイオードの等価直列抵抗の変化を抑圧して、移相器の通過損失変動を抑止する。 （もっと読む）

各々が通過信号の一定量の位相遅れを挿入する制御された移相ビット（３ａ〜３ｋ）の直列接続を備えるデジタル移相器であって、相変化は、位相セル３ｋを切換えてセル３の各々のスイッチング・エレメント（１１，２１，２２，３１，３２）のためのそのステアリング端子４ｋへ印加される制御信号に応答して発生し、スイッチング・エレメント（１１，２１，２２，３１，３２）として正または負のピンチオフ電圧を有する離散ｐ−ＨＥＭＴ（擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ）を適用することを特徴とする。
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