【目的】 超電導材を用いた電極の臨界電流密度を実効的に上昇させて超電導多層電極や超電導多層電極を用いた電子部品の耐電力を増大する。
【構成】 超電導多層電極において、超電導薄膜１，２，３，４，５と誘電体薄膜３０−１，３０−２，３０−３，３０−４とを所定の膜厚配列の下に交互に積層して、超電導多層電極や超電導多層線路を構成する。また、超電導薄膜と誘電体薄膜の最適膜厚配列を設計する。
【効果】 耐電力性を積層数に比例して増大できる。 （もっと読む）

【構成】 ２つのＴＭモード誘電体共振子３ａ，３ｂを十字形にしたＴＭ二重モード誘電体共振子２の交差部分の内隅部に結合係数調整用の溝状切欠部４を設け、一方のＴＭモード誘電体共振子３ｂに共振周波数調整用孔５を開口する。このＴＭ二重モード誘電体共振子２は二重モード誘電体共振器としてフィルタ装置のＱｅループとの結合段に配置される。Ｑｅループと磁気結合したＴＭモード誘電体共振子３ａの共振周波数はシフトするが、共振周波数調整用孔５によってＱｅループと結合したＴＭモード誘電体共振子３ａとＱｅループと結合していないＴＭモード誘電体共振子３ｂの共振周波数を等しくできる。
【効果】 ＴＭ二重モード誘電体共振器がフィルタ装置のＱｅループとの結合段に使用可能になる。 （もっと読む）

【目的】 ＲＦ処理のためのフィルタ接続部分におけるクロストークを大幅に低減する改善されたリエントラントオフチップＲＦ選択度構造を提供する。
【構成】 差動回路（４０２，４１５）、伝送ライン（４２３，４２４）およびオフチップフィルタ（４２２）が前記差動要素の全てと関連する寄生容量をバランスさせる構造で使用される。該構造は差動発生回路および受信回路を備えた基板（４０９）を含む。各々一定の特性インピーダンスを有し、かつ各々グランドに対しバランスした容量を有する、２つの差動伝送ラインが双方ともある距離の間接近した間隔にされ、前記回路を接近した間隔の終端パッド（４０３）に結合する。グランド面（４１２）が両方の伝送ラインの下で共有される。第１の基板（４０９）とリエントラントＲＦ経路（４０６）を有する第２の基板（４０８）はフィルタまたは遅延線のようなＲＦ機能を含む。 （もっと読む）

【目的】 各種電気機器に使用される高周波帯のフィルタなどに用いられるストリップ線路デュアル・モード・フィルタに関するもので、従来のストリップ線路デュアル・モード・フィルタでの結合度を自由に制御できず適用領域が限られている等の課題を解決し、広帯域、高性能化を目的とする。
【構成】 一波長ストリップ線路リング共振器１０１において、電気長で９０゜おきに結合容量１０６〜１０９で結合した４つの端子１０２〜１０５を設け、入力端子１０２から電気長で９０゜の位置にある端子１０３と電気長で１８０゜の位置にある端子１０４を移相回路１１０を介して接続し、入力端子１０２から電気長で９０゜の位置に出力端子１０５を設けることにより、一つのストリップ線路リング共振器において互いに結合しない直交モード共振を生じさせ適切な移相回路で接続しフィルタ特性を得ることができ、また移相回路１１０によって結合度を制御でき多様な回路を選択できるので広帯域で高性能なストリップ線路デュアル・モード・フィルタが実現できる。 （もっと読む）