【課題】光半導体装置及びその製造方法に関し、アクティブ素子部分の特性の向上とスポットサイズ変換器による結合効率の向上を両立させる。
【解決手段】少なくとも第２の積層構造からなるスポットサイズ変換器部６の両側に第２の積層構造と同じ積層構造の上に少なくとも第２上部クラッド層５を積層したテラス構造８を設け、スポットサイズ変換器とモノリシックに結合する導波路メサ部７の両側面のみを埋め込むとともに、スポットサイズ変換器部の両側面及び頂部を埋め込む埋込層９を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来構造における活性導波路層と非活性導波路層の屈折率差の制限を回避することが可能となり、設計の自由度が向上し、活性導波路層と非活性導波路層とをそれぞれに適した層構造とすることが可能な波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】第一のレーザ部Ａ₁と、第二のレーザ部Ａ₂とを備えた分布活性DFBレーザにおいて、活性導波路層１２及び非活性導波路層１３の全長にわたって回折格子１５が形成され、活性導波路層１２と非活性導波路層１３との接合面に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量Ω_BJの位相シフト２０を挿入し、第一のレーザ部Ａ₁と第二のレーザ部Ａ₂との接続部に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量Ω_Cの位相シフト２１を挿入した。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層とＡｌＧａＡｓ系活性層を有する分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）半導体レーザにおいて、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成し、発振波長が安定で高出力の半導体レーザを得る。
【解決手段】 この発明の半導体レーザは、ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層中にＡｌＧａＡｓ系の回折格子層を有し、分布ブラッグ反射領域における回折格子層は、厚み方向に回折格子層が残るように凹凸が形成されるとともに、凹凸部が薄いＡｌＧａＡｓ系の回折格子埋め込み層により埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法を提供する。
【解決手段】能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤを抑制しつつ回折格子のディスオーダーを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下クラッド層２、光ガイド層３，４、活性層５、及び上クラッド層６及びコンタクト層７が順に積層されている。光ガイド層３，４内に回折格子８が設けられている。レーザ共振端面の近傍かつ回折格子８の上方に窓構造９が設けられている。窓構造９は回折格子８には設けられていない。 （もっと読む）

【課題】より低い次数の水平横モードで発振する半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザは、発振波長８３０ｎｍ帯のブロードエリア半導体レーザであってＤＢＲ構造を有する。この半導体レーザが、結晶成長方向と垂直な面内で共振器長方向と垂直な方向に複数の水平横モードを許容し、出射端面近傍に回折格子を備えている。面内での共振器長方向と垂直な方向についての回折格子の幅が、共振器長方向に沿う軸上の一つの位置と、その軸上でその一つの位置と異なる他の位置とで、異なる。回折格子は、半導体レーザの前端面から後端面へ向かうに従って、「ＺＹ平面内における、共振器長方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（Ｙ方向）の幅」が広くなる。 （もっと読む）

【課題】導波路層に形成される屈折率分布のコントラストを従来よりも向上させた半導体光反射器及び半導体レーザ、並びにそれらの駆動方法及び装置を提供する。
【解決手段】ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１自体の一部またはｎ型基板１１の上方に形成されたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２の上方に形成されたｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３とｎ型クラッド層１２との間に形成された、光を導波するための導波路層１４と、ｎ型基板１１の底面及びｐ型クラッド層１３の上面にそれぞれ形成されたｎ型電極１５及びｐ型電極１６と、導波路層１４の近傍に光導波方向に沿って規則的に配置された複数の電圧制御部材１７と、を備え、複数の電圧制御部材１７は、ｎ型電極１５及びｐ型電極１６の間に逆バイアス電圧が印加された状態で、導波路層１４内に光導波方向に沿った規則的な屈折率の分布を生じせしめる。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の端面を含む部分におけるＣＯＤを抑制できるレーザ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２と、該基板１２の上に形成された下部クラッド層１４と、該下部クラッド層１４の上に形成され、端部に無秩序化された無秩序部１６ｂを有する活性層１６と、該活性層の上に形成された上部クラッド層１８と、該活性層１６の上方の層に形成された回折格子１８ａと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】回折格子が形成された領域と回折格子が形成されない領域の境界において光密度を低減できるレーザ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ素子は、基板１２と、該基板の上に形成された下部クラッド層１４と、該下部クラッド層の上に形成され、共振器端面に接しない部分に無秩序化された無秩序部１６ａを有する活性層１６と、該活性層の上に形成された上部クラッド層１８と、該活性層の上方の層又は下方の層の一部に形成された回折格子１８ａと、を備える。そして、該無秩序部は、該回折格子が形成された領域である回折格子部と該回折格子が形成されない領域であるバルク部との境界を横断するように形成される。 （もっと読む）

【課題】光送信サブアセンブリのコストを低減する。
【解決手段】光送信サブアセンブリは、温度制御器２６、第１のベース４２、第２のベース４４、第３のベース４６、レーザダイオード２０、及び、光学系３０を備える。第１のベースは、第１の基板２６ａによって支持されている。レーザダイオードは、マッハツェンダ型光変調器を集積化した波長可変レーザダイオードであり、第２のベース上に搭載されている。光学系は、レーザダイオードの波長を固定するための光学系であり、第３のベース上に搭載されている。第１の基板２６ａ上には、第１のベース４２の一部分のみが搭載されている。 （もっと読む）