【課題】 起動から周波数変化量が安定するまでの時間を短縮する。
【解決手段】 三次関数的に周波数特性が変化する水晶片に励振電極を設けた水晶振動素子と周囲の温度に対応した温度補償を行う温度補償回路を有する集積回路素子とを所定の容器体に備え、前記集積回路素子が温度補償に用いる温度補償データを格納する記憶手段を備え、水晶振動素子が容器体内に気密封止され、集積回路素子と水晶振動素子とを電気的に接続した温度補償型発振器の温度補償方法であって、記憶手段に格納されている温度補償データを温度補償回路に適用し、三次関数を反転し、反転した三次関数の一次成分を調整して、温度と周波数変化量との関係が、温度が高くなるにつれて周波数変化量が下がるように温度補償を行う。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤の不要な付着による不具合の発生が著しく少なく、圧電振動素子と素子接続用電極パッドの導通接続を確実に確保でき、各個の特性のバラツキが著しく小さい圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】凹部が形成された容器体と、この凹部内底面に形成された素子接続用電極パッドと、励振用電極と容器体接続用電極とが設けられた圧電振動素子と、蓋体とにより構成され、素子接続用電極パッドに容器体接続用電極を導電性接着材で機械的且つ電気的に接続固着することにより凹部内に圧電振動素子が搭載された圧電デバイスであって、前記素子接続用電極パッドの素子接続側主面の辺縁部全周に、素子接続用電極パッドの素子接続側主面の中央を環状に囲繞するリング体が形成されている圧電デバイス。 （もっと読む）

【課題】製造時の取り扱いが簡便で、生産性を向上させる圧電発振器の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板に設けられた複数の開口部の側面から延出して容器体の他方の主面に形成された端子部接続用電極端子に対応した位置に設けられる複数の端子部の基板の両主面と同一方向を向く面に金属膜層を形成する端子部形成工程と、容器体の他方の主面に形成された集積回路素子搭載パッドに集積回路素子を電気的且つ機械的に接続することで搭載する集積回路素子接続工程と、端子部の金属膜層と容器体の端子部接続用電極端子とを接続する端子部接続工程と、基板を容器体が接続されている面が下になるように反転させる基板反転工程と、基板の開口部と端子部との境目で切断して複数個の圧電発振器を同時に得る切断分離工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】発振装置の発振周波数の調整において、歩留りを向上させやすくする。
【解決手段】半導体基板７に形成された第１電極に、圧電体で構成される圧電体膜を重ねて形成し、前記圧電体膜に、前記圧電体膜を挟んで前記第１電極に対向する第２電極を形成して、前記第１電極、前記圧電体膜及び前記第２電極を構成の一部として有する第１キャパシタを形成する工程と、容器３の底となる第３基板４５に、容器３の内側及び外側の間を貫通する貫通孔６１が設けられた容器３内に、半導体基板７を、半導体基板７が貫通孔６１を塞ぐように、且つ平面視で、前記第１キャパシタが貫通孔６１に重なるように実装する工程と、前記発振回路の発振周波数を測定した結果に基づいて、半導体基板７によって塞がれた貫通孔６１内に容器３の外側から圧力Ｐ１を付与した状態で、貫通孔６１を容器３の外側から塞ぐ工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型化に対応し、生産性を向上させる。
【解決手段】 凹形状空間部が形成された凹形状容器と、該凹形状空間部の底面とは反対側の面であって該凹形状容器の四つの隅部に形成された外部接続用端子と、セラミックからなり該凹形状空間部を気密封止する蓋体と、前記凹形状空間部内であって前記蓋体に搭載される圧電振動素子と、前記蓋体を介して該圧電振動素子と電気的に接続されかつ前記蓋体と前記凹形状容器とを介して外部接続用端子と接続され前記該蓋体の該凹形状空間部とは反対側を向く主面に搭載される集積回路素子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化に対応する圧電発振器とその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックパッケージ１が備える上部凹陥部４の内底面に水晶振動素子２の
一方端部で片持ち支持すると共に電気的な接続をした上で上部凹陥部４を蓋体６により気
密封止すると共に、下部凹陥部５の内底面にＩＣチップ３をフリップチップボンディング
し該ＩＣチップ３を収容した下部凹陥部５を充填樹脂７により封止する構造となっている
。前記下部凹陥部５の内底面に配設する配線パターン１２、１３夫々と該配線パターン１
２、１３夫々に導通するボンディングパッド夫々の厚みを、その他の配線パターン１５及
び配線パターン１２、１３とは不通のボンディングパッドより厚く（高く）なっており、
配線パターン１２、１３は互いに同じ厚みとした。 （もっと読む）

【課題】発振装置において、発振安定化容量として用意されたキャパシタを有効活用する。
【解決手段】発振装置は、定電圧を生成する定電圧生成回路と、振動子発振回路と、第１のキャパシタを備える。振動子発振回路は、振動子を発振させるための回路であって、振動子の一端に接続される第１の接続ノードと、定電圧生成回路により生成された定電圧が供給される定電圧供給ノードと、を有する。第１のキャパシタは、第１の接続ノードと定電圧供給ノードのいずれかに選択的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 発振検出回路の誤検出を抑制する。
【解決手段】発振停止検出回路は、発振回路の停止を検出する。発振停止検出回路は、発振回路の発振に基づいて生成されたクロック信号を用いて、電荷を充電するためのチャージポンプと、チャージポンプの出力ノードと前記第２の電源供給ノードとの間に配置されたキャパシタと、出力ノードの電位に基づいて検出結果を出力するバッファ回路と、を備える。バッファ回路は、第２の電源供給ノードに入力電極が接続され、前記チャージポンプの出力ノードに制御電極が接続されたＮチャネルトランジスタと、第１の電源供給ノードとＮチャネルトランジスタの出力電極との間に配置された第１の定電流源とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能かつ信頼性が高い圧電振動子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧電振動子３００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１絶縁体層２０と、第１絶縁体層２０の上に形成された第２絶縁体層３０と、第２絶縁体層３０の上に形成された振動部形成層４０と、振動部形成層４０を貫通する第１開口部Ｈ１と、第１開口部Ｈ１内に振動部形成層４０を片持ち梁状に形成してなる振動部１００と、第２絶縁体層３０を貫通し、第１開口部Ｈ１と振動部１００の下に形成された第２開口部Ｈ２と、振動部１００の上に形成された圧電素子部２００と、を有し、振動部形成層４０は、酸化物、窒化物および酸化窒化物から選ばれる少なくとも１種からなる層を有する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの微細化と、しきい電圧の低下により、通常オフ状態となっているＭＯＳトランジスタにリーク電流が発生する。また、製造プロセスによっては、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルトランジスタとのリーク電流が等しいとは限らない場合があり、発振回路のような回路構成によっては、動作に問題を引き起こす可能性が高い。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、制御電圧により駆動力が変化する第１のトランジスタを有する保護回路と、前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、前記モニター回路が出力する電圧と、基準電圧との比較結果に基づいて前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路とを有する。 （もっと読む）