【課題】 単純な回路構成を有し、調整が容易なドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 第１の入力信号を増幅するキャリアアンプ１２と、飽和出力電力がキャリアアンプと異なり、第２の入力信号を増幅するピークアンプ２２とを有し、キャリアアンプは、第１のトランジスタと、第１のトランジスタと同一のパッケージ内に設けられた第１の内部変換回路とを含み、ピークアンプは、第２のトランジスタと、第２のトランジスタと同一のパッケージ内に設けられた第２の内部変換回路とを含み、第１及び第２の内部変換回路は、第１及び第２のトランジスタの出力インピーダンスを互いに異なる値に変換する。 （もっと読む）

【課題】回路面積を縮小しつつ、電力効率の向上を図ることが可能な電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、シリコン基板上に集積された電力増幅回路である。電力増幅回路は、入力が第１の信号入力端子に接続された第１のアンプを備える。電力増幅回路は、入力が第２の信号入力端子に接続された第２のアンプを備える。電力増幅回路は、入力が前記第１のアンプの出力に接続され、出力が前記第２のアンプの出力に接続されたアンプ出力移相器を備える。電力増幅回路は、一端が電源に接続され、他端が前記アンプ出力移相器の出力に接続された一次側巻線と、一端が第１の信号出力端子に接続され、他端が第２の信号出力端子に接続された二次側巻線と、を有するトランスフォーマと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の汎用性を確保しつつ、低コスト化及び小型化が可能な半導体パッケージ（Ｐ）を提供すること。
【解決手段】接地導体（１３１）と、前記接地導体（１３１）の上部に設けられた２層の高周波基板（１３０）と、上層の前記高周波基板（１３０）を挟むように設けられた一対の導体（１３４）と、を含む、半導体パッケージ（Ｐ）が提供される。また、この半導体パッケージ（Ｐ）を含む高周波電力増幅器（１００）が提供される。 （もっと読む）

【課題】３つ以上の増幅素子を使ったドハティ増幅器の電力効率を向上させる。
【解決手段】３Ｗａｙドハティ増幅器は、入力電力の増加にともなって順次動作し、並列接続されたＦＥＴ２０２，２０４，２０６を備える。また、３Ｗａｙドハティ増幅器は、ＦＥＴ２０２，２０４，２０６のうち、中間で動作するＦＥＴ２０４の直前で動作するＦＥＴ２０２の出力が飽和したことを検出する制御回路２２４を備える。また、制御回路２２４は、中間で動作するＦＥＴ２０４の直前で動作するＦＥＴ２０２の出力が飽和したことを検出したら、電圧制御回路２２６に制御信号を出力し、ＦＥＴ２０４に供給する電源電圧を増加させる。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置の効率低下を防止する。
【解決手段】ドハティ増幅装置は、メインアンプを構成するメインアンプデバイス１と、ピークアンプを構成するピークアンプデバイス２と、メインアンプデバイス１及びピークアンプ２が実装された基板１５とを有している。メインアンプデバイス１は、第１デバイス本体１ｃ、第１入力端子１ａ、及び、第１出力端子１ｂを備え、第１入力端子１ａ及び第１出力端子１ｂが第１デバイス本体１ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、第２デバイス本体２ｃ、第２入力端子２ａ、及び、第２出力端子２ｂを備え、第２入力端子２ａ及び第２出力端子２ｂが第２デバイス本体２ｃを挟んで対向して配置されている。ピークアンプデバイス２は、メインアンプデバイス１の位置に対して、メインアンプデバイス１の第１入力端子から第１出力端子に向かう入出力方向Ｄｓにずれた位置に、実装されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域化と小型化を図ることのできるドハティ増幅器を得る。
【解決手段】単位ドハティ増幅器１００ａ，１００ｂにおけるピーク増幅器２ａ，２ｂの入力側に、これらピーク増幅器２ａ，２ｂが共用する１／４波長線路３を設ける。単位ドハティ増幅器１００ａ，１００ｂのキャリア増幅器１ａ，１ｂの出力側にはそれぞれ１／４波長線路６ａ，６ｂが設けられ、キャリア増幅器１ａ，１ｂの出力とピーク増幅器２ａ，２ｂの出力とは信号合成器７で合成される。これにより広帯域化を図ることができると共に、ピーク増幅器２ａ，２ｂ入力側の１／４波長線路を削減することができるため、小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 より高効率で動作することができる増幅装置を得る。
【解決手段】 本発明による増幅装置は、入力信号を２分岐した一方の信号をＡ，ＢまたはＡＢ級増幅するキャリア増幅器１と、２分岐した他方の信号に対して並列に設けられＣ級増幅する複数のピーク増幅器２及び３とを含み、複数のピーク増幅器２及び３の出力の合成に９０°ハイブリッドカプラ５を用い、９０°ハイブリッドカプラ５による複数のピーク増幅器２及び３の合成出力とキャリア増幅器１の出力とを負荷１４に供給する。 （もっと読む）

【課題】２つのピーク増幅器のデバイス特性差による出力電流の違いから生ずる負荷変動の影響を低減して、相互変調歪み特性を改善すること。
【解決手段】分配回路により分配された第１の信号を増幅するキャリア増幅器と、キャリア増幅器の出力電力が飽和状態に近づいた場合に、上記分配された第２の信号を増幅する第１のピーク増幅器と、同分配された第３の信号を増幅する第２のピーク増幅器と、第１のピーク増幅器と第２のピーク増幅器との各出力信号を合成する第１の合成回路と、キャリア増幅器と第１の合成回路との各出力側のそれぞれから合成点に向かって整合を取ってキャリア増幅器と第１の合成回路との各出力信号を合成して出力する第２の合成回路とを具備し、第１の合成回路は、キャリア増幅器の出力の飽和時から所定の値だけバックオフしたバックオフ時に、合成点から第１及び第２のピーク増幅器側を見たインピーダンスを無限大に調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅器において、デバイスにばらつきがある場合にも、バイアス電圧を最適に設定できると共に、調整工数を削減できるようにする。
【解決手段】キャリア増幅器１２とピーク増幅器１３とで、ウェハロットや製造時期等のデバイスに関する共通要素を持つものを用い、ピーク増幅器１３に対するバイアス電圧Ｖｇ２を、キャリア増幅器１２に対するバイアス電圧Ｖｇ１と、所定のオフセット電圧Ｖｏｆｆｓｅｔとから生成する。デバイスのばらつきに係わらず、ピーク増幅器１３に対するバイアス電圧とピンチオフ電圧との差は同じになり、ピーク増幅器１３のバイアス電圧が最適に設定される。また、キャリア増幅器１２を構成するＦＥＴのゲートに印加するバイアス電圧を調整することで、同時に、ピーク増幅器１３を構成するＦＥＴのゲートに供給するバイアス電圧も調整できる。 （もっと読む）