【課題】 出力電圧が変化した場合でも利得が変化しない差動増幅回路を提供する。
【解決手段】 差動増幅回路５１は、エミッタ抵抗５４に逆バイアス電圧を印加する抵抗バイアス電圧制御回路６２を設けて、出力端子６１からの出力電圧Ｖｏによって変動する負荷抵抗５８の抵抗の変化の割合と、エミッタ抵抗５４の抵抗の変化の割合とが同一となるので、出力電圧Ｖｏの値によって差動増幅回路５１における利得が変化しない構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波差動出力回路の出力端子と伝送路配線および負荷との間のインピーダンス整合性を確保して、上記出力信号の波形歪みを防止する。
【解決手段】 差動対および定電流回路をそれぞれＭＥＳ電界効果トランジスタで形成した高周波差動出力回路において、電界効果トランジスタの寄生容量が出力端子のインピーダンス特性に悪影響することを誘導性回路によって防止させる。 （もっと読む）

【目的】 環境温度などの変化に対して電圧増幅率の変動を大幅に抑制することができ、且つ高速動作が可能な半導体増幅器を提供する。
【構成】 差動対を構成する電界効果トランジスタ（ｑ₁ ，ｑ₂ ）にカスケード接続された電界効果トランジスタ（ｑ₃ ，ｑ₄ ）を介して出力負荷（５，６）を接続し、更に、入力信号（Ｖ_in，ＶＢ_in）を所定のレベルシフト回路（３，４）を介して、上記電界効果トランジスタ（ｑ₁ ，ｑ₂ ）のゲートに入力させると共に、前記電界効果トランジスタ（ｑ₃ ，ｑ₄ ）のゲートに直流バイアス電圧（Ｖ_ref ）を印加する直流バイス回路（７，８）を接続する構成を有し、この直流バアイアス回路（７，８）を、前記レベルシフト回路（３，４）及び負荷（５，６）の温度係数を相殺する温度係数を有する素子又は回路で構成した。 （もっと読む）

【目的】 オペアンプやコンパレータなどの入力段に用いられる差動入力回路の同相入力電圧範囲に対する汎用性を向上し、低コスト化を図る。
【構成】 ＮＰＮ形トランジスタＴＲ１〜ＴＲ４で構成された差動対３３と、ＰＮＰ形トランジスタＴＲ１１〜ＴＲ１４で構成された差動対３４とを共通の集積回路３２内に組込み、比較器３９は、入力端子Ｐ２の電圧レベルが基準電圧Ｖｒｅｆ２以上であるときには、スイッチＳ１を導通して差動対３３を電力付勢して入力信号のレベル弁別を行い、Ｖｒｅｆ２未満であるときには、切換スイッチＳ２を導通して、差動対３４を電力付勢して入力信号のレベル弁別を行う。こうして各差動対３３，３４を同相入力電圧範囲Ｖｃｍに対応して選択的に使用することによって、電圧Ｖｃｃから電圧Ｖｅｅまでの幅広い入力範囲に、該差動入力回路３１を用いることができ、汎用性を向上して低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）