【課題】 電流モード回路の入力インピーダンスを維持するシステム及び方法が提供される。
【解決手段】 本開示の幾つかの実施形態によると、回路は、電流モード入力信号を受信する入力ノード、及び前記入力ノードに通信可能に結合された入力装置を含む入力段、を有する。入力装置は、入力ノードにおいて入力信号を受信する。さらに、回路は、入力段に通信可能に結合され、入力装置にバイアス電流を供給するよう構成されたバイアス回路を有する。バイアス回路は、入力ノードと関連するフィードバックループを通じてバイアス電流の少なくとも一部を入力信号から除去して、入力信号がバイアス電流の少なくとも一部を除去されて入力装置に受信されるように構成される。回路は、入力段に通信可能に結合され、入力信号に基づき電流モード出力信号を出力するよう構成された出力段を更に有する。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器の後段に設けられた可変減衰器と、検波器と、検波電圧に応じてディジタル／アナログ変換器を介して可変減衰器の減衰量調整用の制御電圧を出力する制御部と、を備えた周波数シンセサイザにおいて、ディジタル／アナログ変換器の出力変化に基づくスプリアスを抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】ディジタル／アナログ変換器の出力側と可変減衰器との間にローパスフィルタを設けて、ディジタル／アナログ変換器の出力の変化時に発生するオーバーシュートに対応する周波数成分をカットする。そして制御部が制御電圧を出力してから検波器で検出された信号レベルを読み込むまでの時間は、ローパスフィルタのカットオフ周波数で決まる当該ローパスフィルタの時定数よりも長い時間に設定し、信号レベルの自動制御動作に影響がないようにする。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮダイオードをπ接続構成とした可変減衰器において、ＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio）が良好であり、電力損失が抑えられる技術を提供すること。
【解決手段】第１のＰＩＮダイオードＤ１の端子間容量をキャンセルするためのインダクタＬ１を高周波伝送路にて当該第１のＰＩＮダイオードＤ１に直列に接続する。また第２のＰＩＮダイオードＤ２、第３のＰＩＮダイオードＤ３が設けられる、バイアス電流が流れる経路においてこれらＰＩＮダイオードＤ２、Ｄ３の端子間容量をキャンセルするためのインダクタＬ２、Ｌ３を設ける。これら端子間容量をキャンセルする、対象となる高周波信号の周波数は例えば１ＧＨｚ以上である。 （もっと読む）

【課題】外部のスイッチを用いずに遮断状態を実現可能なステップ減衰装置を提供する。
【解決手段】制御信号に応じて減衰率が切りかえ可能なステップ減衰装置１００が提供される。複数の可変減衰器ＶＡは直列に接続される。各可変減衰器ＶＡは、第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２、減衰率が異なる複数の経路ＰＴ、第１端子Ｐ１を複数の経路ＰＴのうちの任意の経路ＰＴの一端と接続可能な第１スイッチＳＷ１、および第２端子Ｐ２を複数の経路ＰＴのうち任意の経路ＰＴの他端と接続可能な第２スイッチＳＷ２を含む。制御部１０は、制御信号ＣＮＴがステップ減衰装置１００の遮断を指示するとき、初段の可変減衰器ＶＡ_１において、その第１スイッチＳＷ１_１を複数の経路ＰＴのひとつと接続し、その第２スイッチＳＷ２_１を複数の経路ＰＴの別のひとつと接続する。 （もっと読む）

【課題】ミリメートル波周波数において有効な切替え可能減衰器を提供する。
【解決手段】入力減衰器２２は、直列結合されているＲＦ＿ＩＮ＋端子、第１のノード、伝送線路ＴＬ３、直流遮断キャパシタＣｂｌ３、第２のノード、第３のノード、及び出力端子を有する第１の入力回路２１５を有する。第１のノードは、直列結合されているキャパシタＣｍ３及び第１のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ９を介して選択的に接地へ結合される。第２のノードは、キャパシタＣｍ１を介して接地へ結合されている。第３のノードは、直列結合されている直流遮断キャパシタＣｂｌ１、抵抗Ｒａｔｔ１及び第２のシリコンゲルマニウムヘテロ接合バイポーラトランジスタＱ７を介して選択的に接地へ結合される。入力減衰器２２は、更に、第１の入力回路２１５と並列に、第１の入力回路２１５と同じ構造を有する第２の入力回路２１６を有する。 （もっと読む）

【課題】可変減衰器及び高周波スイッチの機能を単独回路で構成した高周波回路を得る。
【解決手段】一対の入出力端子１ａ，１ｂ間に２つ以上の伝送線路２ａ，２ｂが直列に接続され、前記入出力端子１ａ，１ｂと前記伝送線路２ａ，２ｂの接続点にそれぞれ設けられた、一端が該接続点に接続され他端が抵抗４ａ，４ｂを介して接地された少なくとも１つのスイッチング素子を含む第１のスイッチング素子部３ａ，３ｃと、前記伝送線路２ａ，２ｂ間の接続点にそれぞれ設けられた、一端が該接続点に接続され他端が接地または高周波信号接地部が設けられた少なくとも１つのスイッチング素子を含む第２のスイッチング素子部３ｂと、各前記第１のスイッチング素子部３ａ，３ｃの電流、電圧制御を行う第１の制御回路８ａ，７ａ，７ｃ，５ｅと、各前記第２のスイッチング素子部３ｂの電流、電圧制御を行う第２の制御回路８ｂ，７ｂ，５ｆと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗装置において、順伝達アドミタンスの個体毎のばらつき、周囲温度の影響を少なくし、抵抗値制御を容易にする。
【解決手段】ゲートに印加される電圧によりドレイン−ソース間の抵抗値が制御されるＭＯＳ−ＦＥＴ１０を備えた可変抵抗装置であって、ドレインまたはソースに接続された基準抵抗器２０と、ドレイン−ソース間と基準抵抗器２０に電流が流れた場合のドレイン−ソース間の電位差を検出する第１電位差検出部４０と、基準抵抗器の両端の電位差を検出する第２電位差検出部３０と、第１電位差検出部の検出結果と第２電位差検出部の検出結果の除算を行なう除算部５０と、Ｄ／Ａ変換器６１を含み、当該可変抵抗装置において設定する抵抗値に対応した電圧を生成する目標信号生成部６４と、除算部５０の出力と、目標信号生成部６４の出力との差分を誤差信号として、その積分値をＭＯＳ−ＦＥＴ１０のゲートに帰還する帰還部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 小型、低コストにおいて、減衰量を高精度に制御することができる減衰器を提供する。
【解決手段】 制御電圧によって利得を制御する減衰器において、制御電圧の大きさに応じて、該制御電圧の可変単位幅を変更するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化を実現しつつ、減衰回路による高周波信号の減衰量の増減幅を略一定にすることができる、減衰制御装置の提供を目的とする。
【解決手段】高周波信号の受信装置に使用される、高周波信号を減衰させる減衰制御装置であって、高周波信号の減衰量を制御するデジタルデータを出力する演算器１０と、前記デジタルデータを、高周波信号を減衰させるためのＰＩＮダイオードに流す電流を制御する制御電流にＤＡ変換するＤＡコンバータ１１とを備え、ＤＡコンバータ１１が、高周波信号の減衰量の対数値が前記デジタルデータに対して略リニアに変化するように補正されたアナログ電流を前記制御電流として出力する、ことを特徴とする、減衰制御装置。 （もっと読む）

【課題】通過スイッチ数の増加による信号の歪みを抑制でき、多段階の減衰が可能な可変アッテネータ回路を提供すること。
【解決手段】入力端子１０及び出力端子１１との間の伝送路１２上に６つの抵抗素子１３〜１８を直列に接続し、中央の抵抗素子１３、１４の互いの接続点１９とグラウンドとの間に第１の接地抵抗素子２０及び第１のスイッチ２１を接続する。第１の接続点１９に対し、入力端子側１０の接続点２２とグラウンドとの間に第２の接地抵抗素子２３及び第２のスイッチ２４を接続し、接続点２５とグラウンドとの間に第３の接地抵抗素子２７及び第３のスイッチ２７を接続する。接続点２２と接続点２８との間を第４のスイッチ３３を設けたバイパス路３２で接続し、接続点２５と接続点２９の間を第４のスイッチ３１を設けたバイパス路３０で接続する。各スイッチ２１、２４、２７、３１、３３のオン／オフにより、多段階に減衰可能に構成した。 （もっと読む）