ＲＦ−ＭＥＭＳデバイスは、操作又は刺激に応じて動くように構成された１つ又はそれ以上の自立性薄膜を有し、上記１つ又はそれ以上の薄膜はアルミニウムとマグネシウムとの合金及び自由選択の１つ又はそれ以上の他の物質を有する。得られる薄膜は、従来の薄膜と比較して改善された硬度及び低減されたクリープを有する。
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電気機械的トランスデューサ（１）は、共振器素子（２０）、および、電気的入力信号に依存して共振器素子の弾性変形を生じさせるアクチュエータ（３０）を有する。温度安定化のため、電気機械的トランスデューサ（１）は、共振器素子（２０）の温度の関数である電気的検出信号を供給する検出素子（４０）、および、動作温度で共振周波数を公称周波数に等しく維持するように温度依存性周波数偏差を減少させるため共振器素子を加熱する加熱素子（５０）を有する。加熱素子（５０）は電気的検出信号に基づく電気的加熱信号によって制御される。共振器素子は加熱素子または検出素子を有し、それはホイートストーンブリッジの一部でもよく、それは、逆方向に延在し、変形しない部分（２０３）の支持領域（２０４）に取り付けられた２個の長手方向に伸縮可能な部分（２０１，２０２）で構成されることもある。
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【課題】ＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ共振器は、内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、内側半径内に配置され、共振器体から間隔を置かれた第１電極、および環状共振器体の周りに配置され、外側半径から間隔を置かれた第２電極を含む。第１電極および前記第２電極は、共振器体の駆動および検出を提供する。ピエゾ抵抗検出およびピエゾ電気駆動／検出技術も利用されえる。全体の面積は１ｃｍ²よりも小さく、複数のアンカーによって支持基板上に配置される。基板は、駆動電極および検出電極を集積回路に接続するアンカーを持つＲＦトランシーバ集積回路を備えうる。共振器は、従来の半導体集積回路製造技術を用いて容易に製造される。 （もっと読む）

【課題】犠牲層エッチングを行ってマイクロマシンの振動子の部分を封止するとともに、その場合であっても特殊なパッケージング技術を必要とすることなく犠牲層の除去および封止を行うこと可能とする。
【解決手段】振動子４を備えたマイクロマシン１の製造方法において、振動子４の可動部周囲に犠牲層を形成する工程と、犠牲層上をオーバーコート膜８で覆うとともにそのオーバーコート膜８に犠牲層へ通じる貫通口１０を形成する工程と、可動部周囲に空間を形成するために貫通口１０を用いて犠牲層を取り除く犠牲層エッチングを行う工程と、犠牲層エッチングの後に減圧下における成膜処理を行って貫通口１０を封止する工程とを含む。 （もっと読む）

【目的】 振動子を構成する振動片の共振周波数の調整を簡略化する。
【構成】 振動ジャイロ１０は、ジュラルミン等の軽合金の板材から形成されており、基部１２から対となる２本の振動片１４，振動片１６を突出して備える。これら両振動片の間には、振動片１４の振動片長さをｌ1 、Ｘ軸に沿った振動片幅をｗ1 、その厚みをｔ1 とし、振動片１６の振動片長さをｌ2 、Ｘ軸に沿った振動片幅をｗ2 、その厚みをｔ2 （＝ｔ1 ）と表わした場合、ｌ2 ／√（ｔ2 ）＝ｌ1 ／√（ｗ1 ）の関係式が成り立つ。そして、この関係式が成立するように各振動片並びに基部１２が形成されている。このようにすることで、振動片１４がＸ軸に沿って振動する際のＸ軸方向の共振周波数ｆｘ1 と、振動片１６がＹ軸に沿って振動する際のＹ軸方向の共振周波数ｆｙ2 とを一致させることができる。 （もっと読む）