ＭＥＭＳ技術を用いた半径方向バルク環状共振器
【課題】ＭＥＭＳ共振器を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ共振器は、内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、内側半径内に配置され、共振器体から間隔を置かれた第１電極、および環状共振器体の周りに配置され、外側半径から間隔を置かれた第２電極を含む。第１電極および前記第２電極は、共振器体の駆動および検出を提供する。ピエゾ抵抗検出およびピエゾ電気駆動／検出技術も利用されえる。全体の面積は１ｃｍ2よりも小さく、複数のアンカーによって支持基板上に配置される。基板は、駆動電極および検出電極を集積回路に接続するアンカーを持つＲＦトランシーバ集積回路を備えうる。共振器は、従来の半導体集積回路製造技術を用いて容易に製造される。
【解決手段】ＭＥＭＳ共振器は、内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、内側半径内に配置され、共振器体から間隔を置かれた第１電極、および環状共振器体の周りに配置され、外側半径から間隔を置かれた第２電極を含む。第１電極および前記第２電極は、共振器体の駆動および検出を提供する。ピエゾ抵抗検出およびピエゾ電気駆動／検出技術も利用されえる。全体の面積は１ｃｍ2よりも小さく、複数のアンカーによって支持基板上に配置される。基板は、駆動電極および検出電極を集積回路に接続するアンカーを持つＲＦトランシーバ集積回路を備えうる。共振器は、従来の半導体集積回路製造技術を用いて容易に製造される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、「ＭＥＭＳ共振器およびそれを作る方法」という２００２年５月６日に出願された係属中の出願１０／１４０，１３７に関する。
【０００２】
本発明は、大きくはマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）に関し、より具体的には本発明はＭＥＭＳ技術を用いた機械的共振器に関する。
【背景技術】
【０００３】
機械的共振器は、ＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯（すなわち〜３０ＭＨｚから３０ＧＨｚ）におけるフィルタとしておよび周波数源として働きえると知られている。そのような共振器は、超低消費電力、通信回路とのオンチップ集積を提供するためにＭＥＭＳ技術を用いて作られえる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同時係属中の出願番号１０／１４０，１３７は、ＭＥＭＳ共振器を開示し、このＭＥＭＳ共振器ではバルク長手方向バー（bulk longitudinal bar）が、共振質量に容量結合された電極で電極一端における駆動電極および他端における検出電極の間で共振する。このデバイスは、半導体プロセス技術を用いて容易に製造される。しかし、共振質量の幅および容量ギャップは制限となるファクタである。
【０００５】
本発明は、設計および応用に融通性を提供する環状共振器（annular resonator）に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、環状共振器が提供される。ある実施形態において、この共振器は、容量的に内側半径および環状共振器の表面に結合された内部電極、および容量的に外側半径および環状共振器の表面に結合された外部電極を有する。内側および外側電極は、それぞれ電極および環状共振器の内側および外側半径方向表面間で均一なギャップを維持する限り任意の所望の形状を有しえる。好ましい実施形態によれば、内側および外側電極は、環状の形状である。いずれかの電極が駆動電極でありえ、他方の電極が検出電極でありえる。ピエゾ実施形態においては、電極は共振器の表面上に配置されえる。
【０００７】
電極および共振器は、元素、合金、または化合物半導体、金属、または圧電材料を含みえる材料を備える。共振器構造は、支持アンカーと共に基板上に位置する薄膜内で形成されえる。この基板およびサポートアンカーは、共振器の機械的支持として用いられる。エネルギー損失を減らすために、アンカーは、典型的には、中立軸、つまり環状共振器が高調波励起の下で変位を示さない軸半径に沿って配置された材料ポストである。有利な点として、基板は、共振器がフィルタまたは周波数源として機能する電子集積回路を備えうる。
【０００８】
任意の与えられた周波数について、環状共振器は、所望のように大きくも小さくも作られえる。したがって、駆動電極の表面面積および検出電極の表面面積は、任意の値に設計されえる。共振器の運動抵抗は、概ね任意に小さくされえる。さらに、体積は任意に大きくされえるので、フィルタのＱを増すことができる。環状共振器は、個別素子による商用フィルタに匹敵する挿入損失に作られえる。
【０００９】
本発明およびその目的および特徴は、以下の詳細な説明および添付の特許請求の範囲を図面と併せることで容易に明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
いくつかの図における同様の要素は同じ参照番号を有する。
【００１１】
ここで図面を参照して、図１Ａ、１Ｂは、本発明による半径方向バルク環状共振器（radial bulk annular resonator）（ＲＢＡＲ）のある実施形態を示す平面図および断面の側面図である。共振器１０は、内側表面内に配置されそこから間隔を置かれた電極１２、および共振器１０の周りに配置され共振器の外側半径から間隔を置かれた電極１４を持つ内側表面および外側表面を有する薄い環状体である。内側電極１２および外側電極１４は、それぞれ駆動および検出電極と表示されている。しかし、容量駆動および検出については、電極の機能は逆にされてもデバイスの動作に悪影響を及ぼさない。すなわち、外側電極１４が駆動のために用いられえ、内側電極１２が検出のために用いられえる。図１Ｂに示されるように、駆動電極１２および共振器１０の間のギャップは、ｇと表示され、共振器１０の内側および外側半径は、それぞれ、ｒiおよびｒoと表示される。２つの電極および共振器は、基板１６上において、電極および共振器から基板１６へと伸びるアンカー１８によって保持される。
【００１２】
共振器および駆動電極は、多結晶シリコン（ポリＳｉ）、多結晶シリコンカーバイド（ポリＳｉＣ）、多結晶シリコンゲルマニウム（ポリＳｉＧｅ）および微小製造プロセスに使用されえる他の材料のような、微小製造施設で堆積されえる等方性線形弾性材料を含みええる。この共振器は、図２に示されるように、環状ディスクの第２半径方向モードを励起することによって動作する。このモードにおいて、共振器体は、半径方向または接線方向の変位を示さない中立軸の周りに、半径方向に伸長および圧縮する。図１Ｂにおいて共振器１０を保持するアンカー１８は、中立軸に沿って配置される。図２における破線は、歪みのない環状共振器を示す。定常的な振動において、サイクルは不確定で続く。図２で示される変位は、図示のために大きく強調されていることに注意されたい。
【００１３】
環状共振器についての周波数計算はいくらか複雑だが、動作の周波数についての近似ｆは以下で与えられる。
【数１】
【００１４】
ここでＥ、ρ、およびνは、それぞれ構造材料のヤング率、密度、およびポアソン比であり、ｒiおよびｒoは、それぞれデバイスの内側および外側半径である。ｒo→∞、かつｒiが有限であるとき、この方程式はより正確になる。有限のｒoおよびｒiについては、この方程式は正確ではない。表１は、共振器のコンピュータモデルの結果を示す。この表は、任意の与えられたターゲット周波数について、無限の個数の異なる内側および外側半径を持ちえることを示す。よって理論上は、バルク半径方向共振器は、動作の周波数にかかわらず、所望のように大きくも、または小さくもされえる。また外側（ｒo）、内側（ｒi）、および中立半径（ｒn）の与えられたセットについて、周波数のスケーリングは、ｒo、ｒi、およびｒnに反比例する。したがって、もし１ＧＨｚにおいてｒo＝３μｍ、ｒi＝１μｍ、およびｒn＝２μｍであるなら、１／ｘＧＨｚにおいてｒo＝３ｘμｍ、ｒi＝１ｘμｍ、およびｒn＝２ｘμｍである。
【表１】
【００１５】
表１：さまざまな周波数における異なる材料のＲＢＡＲについての形状仕様である。ｒnは、中立軸の半径である。これら仕様は典型的なものであって、ＲＢＡＲの全ての可能な寸法を網羅するのではない。
【００１６】
周波数ｆは、構造層の厚さｔの非常に弱い関数である。ｔが大きく（すなわちｔ〜ｒo）なると、周波数はｒo、ｒi、およびｒnの与えられたセットについて減少し始める。これはポアソン効果のためである。１ＧＨｚのポリＳｉＧｅバルク環状共振器の有限要素モデリング（ＦＥＭ）分析は、数学的モデルが、ｔ＝１μｍについて、実際の共振周波数の±０．５％内で予測された共振周波数ｆを与えることを示す。
【００１７】
図３は、静電駆動および容量検出を持つ環状共振器の回路モデルである。等価インダクタンス（Ｌeq）、等価容量（Ｃeq）、および等価抵抗（Ｒeq）は、以下の方程式によって与えられる。
【数２】
【００１８】
運動抵抗は、ＲＢＡＲがその意図された共振周波数において動作されるときのＲeqの値である。Ｒeqの小さい値は、ＲＦ応用例については有利だと考えられる。運動抵抗Ｒeqを小さくするためには、容量ギャップｇはしばしば３０から１００ｎｍのオーダーであることに注意されたい。したがって、プルイン（pull-in）として知られる不安定性の本当の危険がありえる。ギャップを閉じるアクチュエータは、もしそれらに印加された電圧がｙ／ｇ≦２／３であり、ここでｙが電圧が印加された後のギャップ幅であるとき、互いにくっつく。ｇ＝３０ｎｍを持つ１ＧＨｚのポリＳｉＧｅ環状共振器について、プルイン電圧Ｖpiは、１７１Ｖより充分に上である。自由空間の電界放射制限は、おおまかに１Ｖ／ｎｍである。よってＶbiasは３０Ｖより小さくなければならず、プルインは問題にならない。
【００１９】
共振において、ＬeqおよびＣeqは打ち消し合い、環状共振器は電気的に抵抗Ｒeqに等価となる。Ｒeqは、ＭＥＭＳ ＲＦ共振器において重要な性能指数であり、挿入損失に直接に関係する。
【００２０】
図４は、オンチップＲＦフィルタとしての環状共振器の動作を示す概略図である。この動作モードにおいて、容量駆動および容量検出が採用される。ＤＣバイアスが環状共振器１０へのアンカーサポートに印加され、入力信号は駆動要素１２のアンカーサポートに印加される。検出電子回路は、外側環状検出電極１４に接続される。駆動および検出信号を増すために、駆動および検出電極の両方について、クシ形駆動キャパシタ（comb-drive capacitors）ではなく、ギャップを閉じるキャパシタ（gap-closing capacitors）を用いるのが有利である。共振器のための最も良い構造材料は、高いヤング率および高い降伏応力を有する高Ｑ材料（ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、およびポリＳｉＣのような）である。実際には、単結晶の固体のような、より少ない粒界を持つ材料が共振器の固有Ｑを高くすることが多い。改良されたＱおよび動作パフォーマンスのために、環状共振器は、流体制動および原子吸収／脱ガスを少なくするために、真空中で動作されえる。
【００２１】
基本的なバルク環状共振器のレイアウトのバリエーションにおいては、駆動電極３０および検出電極３２のセットが図５Ａ、５Ｂに示されるように共振器の上下に配置されえる。これは、駆動および検出力に寄与し、共振器システムに第２の極を付加し、調節された透過帯域を持つ多極フィルタの製造を可能にする。さらに、この実施形態は、ポアソン効果のために常に存在する平面外の動きを利用する。アンカーを追加または除去することによってさまざまな変更がアンカーレイアウトにはなされえるが、これは基板上で共振器を保持するためにはたった１つのアンカーだけが必要とされるからである。さらに、１つの連続的なアンカーが共振器の中立軸全体に沿って作られえる。駆動および検出電極は、アンカーのアレイを用いることによって、より堅固にアンカーで留められえる。
【００２２】
図６Ａ、６Ｂは、共振器のピエゾ抵抗効果を利用する環状共振器の動作の他のモードを示す概略図および等価回路である。動作中において、環状共振器は、圧縮または引張応力をそのバルク全体にわたって受ける。もし構造材料がピエゾ抵抗的であるなら、圧縮状態から引張状態へと変わるにつれて、バルク共振器の抵抗における実質的な変化が存在することになる。この可変抵抗器は、図６Ｂに示されるように信号を出力するために用いられえる。この出力は、この動作モードにおける電流に対して、電圧であることに注意されたい。
【００２３】
環状共振器を安定な周波数源として動作させる一つの方法は、電圧パルスを駆動端子に印加することである。共振器の高調波、特に第１および第２半径方向モードが励起される。第２電極からの電流信号は、それからオンチップ、低Ｑフィルタを通されえ、所望のもの以外の全ての高調波を濾過しえる。信号が減衰するに従い、別のパルスが共振器に印加されえる。このようにして連続的な周波数源が作られる。
【００２４】
バルク環状共振器は、従来の半導体集積回路処理技術を用いて容易に製造される。さまざまなプロセスが採用されえ、図７Ａ〜７Ｅは、ある実施形態による環状共振器の製造を示す断面の側面図である。図示を促すために、駆動電極の中心から検出電極を通る共振器の部分である、共振器の半分しか示されない。この実施形態において、構造は高抵抗単結晶シリコン（ＳＣＳ）５０の基板上に製造される。低温酸化膜（ＬＴＯ）５２が基板５０の表面上に堆積され、それから１０００オングストロームの定比窒化シリコン５４が酸化物層５２上に堆積される。その後、ドーピングされた低応力ポリシリコン５６（ポリ０と表示される）の０．５ミクロン層が堆積され、共振器のためのグランドマスクを形成するようにそれからパターン付けされエッチングされる。その後、低温酸化膜（ＬＴＯ）５８の１ミクロン厚の層が低圧力化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）技術によってポリシリコン５６の第１層の上に堆積される。
【００２５】
次に図７Ｂに示されるように、酸化物層５８は、中間のポリ０層５６の上でエッチングされ除去され、それからポリシリコンの第２層（ポリ１）６０が、ポリ１層がポリ０層５６に接触するように、酸化物層５８の上に堆積される。ポリ１層６０は、１ミクロン厚のドーピングされた低応力ポリシリコン層である。その後、０．５ミクロンの低温酸化膜６２が堆積され、パターン付けされエッチングされる。これはポリ１をパターン付けするためのハードマスクとして用いられ、ポリ１は、図７Ｂに示されるように環状共振器６０を形成する。ポリ１ ６０は、連続的なリングであるが、この限定された断面図ではリングの断面しか示されないことがわかるだろう。
【００２６】
その後、図７Ｃに示されるように、３０から１００ナノメートルのスペーサ二酸化ケイ素６４が構造体の表面上に堆積される。図７Ｄに示されるように、ポリ０ ５６の層への開口部が形成され、それから開口部内でポリ０層５６に接触するドーピングされたポリシリコン層６６（ポリ２）が堆積される。ポリ２は、１ミクロンのドーピングされた低応力ポリシリコンである。
【００２７】
その後、ポリ２層６６は、図７Ｅに示されるようにエッチングされ、バルク環状共振器の検出電極１４（図１）および駆動電極１２（図１）が形成される。最後に、検出電極１４および駆動電極１２は、二酸化ケイ素５８、酸化物マスク６２および二酸化ケイ素６４の薄膜を除去するために、フッ化水素酸のような選択性二酸化ケイ素エッチングを適用することによって、環状共振器１０から解放される。窒化シリコン層５４は、下層の酸化物層５２のエッチングを防止する。アンカー１８は、共振器１０、検出電極１４および駆動電極１８を下層の基板から支持するようその場所に留まる。
【００２８】
本発明によるＭＥＭＳ半径方向バルク環状共振器は、無線ＲＦ通信システムのためのフィルタのオンチップ集積の役に立つ。この共振器は、非常に低い電力消費および非常に低い挿入損失でＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数で動作しえる。フィルタを半導体ＣＭＯＳ集積回路と直接に集積することによって、製造コストと共に寄生効果が劇的に減少される。
【００２９】
本発明は、特定の実施形態を参照して記載されてきたが、記載は本発明を例示的に示し、本発明を限定するよう解釈されるべきではない。さまざまな改変および応用が添付の特許請求の範囲によって規定された本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、当業者には考えられるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１Ａは、本発明のある実施形態による環状共振器の平面図である。図１Ｂは、本発明のある実施形態による環状共振器の断面の側面図である。
【図２】図１の環状共振器の振動の第２半径方向モードを概略的に示す図である。
【図３】静電駆動および容量検出を持つ環状共振器の回路モデルの図である。
【図４】環状共振器の動作のある実施形態を示す概略図である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態による環状共振器の平面図である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態による環状共振器の断面の側面図である。
【図６Ａ】環状共振器の動作の他の実施形態を示す概略図である。
【図６Ｂ】環状共振器の動作の他の実施形態を示す概略図である。
【図７Ａ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｂ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｃ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｄ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｅ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、「ＭＥＭＳ共振器およびそれを作る方法」という２００２年５月６日に出願された係属中の出願１０／１４０，１３７に関する。
【０００２】
本発明は、大きくはマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）に関し、より具体的には本発明はＭＥＭＳ技術を用いた機械的共振器に関する。
【背景技術】
【０００３】
機械的共振器は、ＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯（すなわち〜３０ＭＨｚから３０ＧＨｚ）におけるフィルタとしておよび周波数源として働きえると知られている。そのような共振器は、超低消費電力、通信回路とのオンチップ集積を提供するためにＭＥＭＳ技術を用いて作られえる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同時係属中の出願番号１０／１４０，１３７は、ＭＥＭＳ共振器を開示し、このＭＥＭＳ共振器ではバルク長手方向バー（bulk longitudinal bar）が、共振質量に容量結合された電極で電極一端における駆動電極および他端における検出電極の間で共振する。このデバイスは、半導体プロセス技術を用いて容易に製造される。しかし、共振質量の幅および容量ギャップは制限となるファクタである。
【０００５】
本発明は、設計および応用に融通性を提供する環状共振器（annular resonator）に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、環状共振器が提供される。ある実施形態において、この共振器は、容量的に内側半径および環状共振器の表面に結合された内部電極、および容量的に外側半径および環状共振器の表面に結合された外部電極を有する。内側および外側電極は、それぞれ電極および環状共振器の内側および外側半径方向表面間で均一なギャップを維持する限り任意の所望の形状を有しえる。好ましい実施形態によれば、内側および外側電極は、環状の形状である。いずれかの電極が駆動電極でありえ、他方の電極が検出電極でありえる。ピエゾ実施形態においては、電極は共振器の表面上に配置されえる。
【０００７】
電極および共振器は、元素、合金、または化合物半導体、金属、または圧電材料を含みえる材料を備える。共振器構造は、支持アンカーと共に基板上に位置する薄膜内で形成されえる。この基板およびサポートアンカーは、共振器の機械的支持として用いられる。エネルギー損失を減らすために、アンカーは、典型的には、中立軸、つまり環状共振器が高調波励起の下で変位を示さない軸半径に沿って配置された材料ポストである。有利な点として、基板は、共振器がフィルタまたは周波数源として機能する電子集積回路を備えうる。
【０００８】
任意の与えられた周波数について、環状共振器は、所望のように大きくも小さくも作られえる。したがって、駆動電極の表面面積および検出電極の表面面積は、任意の値に設計されえる。共振器の運動抵抗は、概ね任意に小さくされえる。さらに、体積は任意に大きくされえるので、フィルタのＱを増すことができる。環状共振器は、個別素子による商用フィルタに匹敵する挿入損失に作られえる。
【０００９】
本発明およびその目的および特徴は、以下の詳細な説明および添付の特許請求の範囲を図面と併せることで容易に明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
いくつかの図における同様の要素は同じ参照番号を有する。
【００１１】
ここで図面を参照して、図１Ａ、１Ｂは、本発明による半径方向バルク環状共振器（radial bulk annular resonator）（ＲＢＡＲ）のある実施形態を示す平面図および断面の側面図である。共振器１０は、内側表面内に配置されそこから間隔を置かれた電極１２、および共振器１０の周りに配置され共振器の外側半径から間隔を置かれた電極１４を持つ内側表面および外側表面を有する薄い環状体である。内側電極１２および外側電極１４は、それぞれ駆動および検出電極と表示されている。しかし、容量駆動および検出については、電極の機能は逆にされてもデバイスの動作に悪影響を及ぼさない。すなわち、外側電極１４が駆動のために用いられえ、内側電極１２が検出のために用いられえる。図１Ｂに示されるように、駆動電極１２および共振器１０の間のギャップは、ｇと表示され、共振器１０の内側および外側半径は、それぞれ、ｒiおよびｒoと表示される。２つの電極および共振器は、基板１６上において、電極および共振器から基板１６へと伸びるアンカー１８によって保持される。
【００１２】
共振器および駆動電極は、多結晶シリコン（ポリＳｉ）、多結晶シリコンカーバイド（ポリＳｉＣ）、多結晶シリコンゲルマニウム（ポリＳｉＧｅ）および微小製造プロセスに使用されえる他の材料のような、微小製造施設で堆積されえる等方性線形弾性材料を含みええる。この共振器は、図２に示されるように、環状ディスクの第２半径方向モードを励起することによって動作する。このモードにおいて、共振器体は、半径方向または接線方向の変位を示さない中立軸の周りに、半径方向に伸長および圧縮する。図１Ｂにおいて共振器１０を保持するアンカー１８は、中立軸に沿って配置される。図２における破線は、歪みのない環状共振器を示す。定常的な振動において、サイクルは不確定で続く。図２で示される変位は、図示のために大きく強調されていることに注意されたい。
【００１３】
環状共振器についての周波数計算はいくらか複雑だが、動作の周波数についての近似ｆは以下で与えられる。
【数１】
【００１４】
ここでＥ、ρ、およびνは、それぞれ構造材料のヤング率、密度、およびポアソン比であり、ｒiおよびｒoは、それぞれデバイスの内側および外側半径である。ｒo→∞、かつｒiが有限であるとき、この方程式はより正確になる。有限のｒoおよびｒiについては、この方程式は正確ではない。表１は、共振器のコンピュータモデルの結果を示す。この表は、任意の与えられたターゲット周波数について、無限の個数の異なる内側および外側半径を持ちえることを示す。よって理論上は、バルク半径方向共振器は、動作の周波数にかかわらず、所望のように大きくも、または小さくもされえる。また外側（ｒo）、内側（ｒi）、および中立半径（ｒn）の与えられたセットについて、周波数のスケーリングは、ｒo、ｒi、およびｒnに反比例する。したがって、もし１ＧＨｚにおいてｒo＝３μｍ、ｒi＝１μｍ、およびｒn＝２μｍであるなら、１／ｘＧＨｚにおいてｒo＝３ｘμｍ、ｒi＝１ｘμｍ、およびｒn＝２ｘμｍである。
【表１】
【００１５】
表１：さまざまな周波数における異なる材料のＲＢＡＲについての形状仕様である。ｒnは、中立軸の半径である。これら仕様は典型的なものであって、ＲＢＡＲの全ての可能な寸法を網羅するのではない。
【００１６】
周波数ｆは、構造層の厚さｔの非常に弱い関数である。ｔが大きく（すなわちｔ〜ｒo）なると、周波数はｒo、ｒi、およびｒnの与えられたセットについて減少し始める。これはポアソン効果のためである。１ＧＨｚのポリＳｉＧｅバルク環状共振器の有限要素モデリング（ＦＥＭ）分析は、数学的モデルが、ｔ＝１μｍについて、実際の共振周波数の±０．５％内で予測された共振周波数ｆを与えることを示す。
【００１７】
図３は、静電駆動および容量検出を持つ環状共振器の回路モデルである。等価インダクタンス（Ｌeq）、等価容量（Ｃeq）、および等価抵抗（Ｒeq）は、以下の方程式によって与えられる。
【数２】
【００１８】
運動抵抗は、ＲＢＡＲがその意図された共振周波数において動作されるときのＲeqの値である。Ｒeqの小さい値は、ＲＦ応用例については有利だと考えられる。運動抵抗Ｒeqを小さくするためには、容量ギャップｇはしばしば３０から１００ｎｍのオーダーであることに注意されたい。したがって、プルイン（pull-in）として知られる不安定性の本当の危険がありえる。ギャップを閉じるアクチュエータは、もしそれらに印加された電圧がｙ／ｇ≦２／３であり、ここでｙが電圧が印加された後のギャップ幅であるとき、互いにくっつく。ｇ＝３０ｎｍを持つ１ＧＨｚのポリＳｉＧｅ環状共振器について、プルイン電圧Ｖpiは、１７１Ｖより充分に上である。自由空間の電界放射制限は、おおまかに１Ｖ／ｎｍである。よってＶbiasは３０Ｖより小さくなければならず、プルインは問題にならない。
【００１９】
共振において、ＬeqおよびＣeqは打ち消し合い、環状共振器は電気的に抵抗Ｒeqに等価となる。Ｒeqは、ＭＥＭＳ ＲＦ共振器において重要な性能指数であり、挿入損失に直接に関係する。
【００２０】
図４は、オンチップＲＦフィルタとしての環状共振器の動作を示す概略図である。この動作モードにおいて、容量駆動および容量検出が採用される。ＤＣバイアスが環状共振器１０へのアンカーサポートに印加され、入力信号は駆動要素１２のアンカーサポートに印加される。検出電子回路は、外側環状検出電極１４に接続される。駆動および検出信号を増すために、駆動および検出電極の両方について、クシ形駆動キャパシタ（comb-drive capacitors）ではなく、ギャップを閉じるキャパシタ（gap-closing capacitors）を用いるのが有利である。共振器のための最も良い構造材料は、高いヤング率および高い降伏応力を有する高Ｑ材料（ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、およびポリＳｉＣのような）である。実際には、単結晶の固体のような、より少ない粒界を持つ材料が共振器の固有Ｑを高くすることが多い。改良されたＱおよび動作パフォーマンスのために、環状共振器は、流体制動および原子吸収／脱ガスを少なくするために、真空中で動作されえる。
【００２１】
基本的なバルク環状共振器のレイアウトのバリエーションにおいては、駆動電極３０および検出電極３２のセットが図５Ａ、５Ｂに示されるように共振器の上下に配置されえる。これは、駆動および検出力に寄与し、共振器システムに第２の極を付加し、調節された透過帯域を持つ多極フィルタの製造を可能にする。さらに、この実施形態は、ポアソン効果のために常に存在する平面外の動きを利用する。アンカーを追加または除去することによってさまざまな変更がアンカーレイアウトにはなされえるが、これは基板上で共振器を保持するためにはたった１つのアンカーだけが必要とされるからである。さらに、１つの連続的なアンカーが共振器の中立軸全体に沿って作られえる。駆動および検出電極は、アンカーのアレイを用いることによって、より堅固にアンカーで留められえる。
【００２２】
図６Ａ、６Ｂは、共振器のピエゾ抵抗効果を利用する環状共振器の動作の他のモードを示す概略図および等価回路である。動作中において、環状共振器は、圧縮または引張応力をそのバルク全体にわたって受ける。もし構造材料がピエゾ抵抗的であるなら、圧縮状態から引張状態へと変わるにつれて、バルク共振器の抵抗における実質的な変化が存在することになる。この可変抵抗器は、図６Ｂに示されるように信号を出力するために用いられえる。この出力は、この動作モードにおける電流に対して、電圧であることに注意されたい。
【００２３】
環状共振器を安定な周波数源として動作させる一つの方法は、電圧パルスを駆動端子に印加することである。共振器の高調波、特に第１および第２半径方向モードが励起される。第２電極からの電流信号は、それからオンチップ、低Ｑフィルタを通されえ、所望のもの以外の全ての高調波を濾過しえる。信号が減衰するに従い、別のパルスが共振器に印加されえる。このようにして連続的な周波数源が作られる。
【００２４】
バルク環状共振器は、従来の半導体集積回路処理技術を用いて容易に製造される。さまざまなプロセスが採用されえ、図７Ａ〜７Ｅは、ある実施形態による環状共振器の製造を示す断面の側面図である。図示を促すために、駆動電極の中心から検出電極を通る共振器の部分である、共振器の半分しか示されない。この実施形態において、構造は高抵抗単結晶シリコン（ＳＣＳ）５０の基板上に製造される。低温酸化膜（ＬＴＯ）５２が基板５０の表面上に堆積され、それから１０００オングストロームの定比窒化シリコン５４が酸化物層５２上に堆積される。その後、ドーピングされた低応力ポリシリコン５６（ポリ０と表示される）の０．５ミクロン層が堆積され、共振器のためのグランドマスクを形成するようにそれからパターン付けされエッチングされる。その後、低温酸化膜（ＬＴＯ）５８の１ミクロン厚の層が低圧力化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）技術によってポリシリコン５６の第１層の上に堆積される。
【００２５】
次に図７Ｂに示されるように、酸化物層５８は、中間のポリ０層５６の上でエッチングされ除去され、それからポリシリコンの第２層（ポリ１）６０が、ポリ１層がポリ０層５６に接触するように、酸化物層５８の上に堆積される。ポリ１層６０は、１ミクロン厚のドーピングされた低応力ポリシリコン層である。その後、０．５ミクロンの低温酸化膜６２が堆積され、パターン付けされエッチングされる。これはポリ１をパターン付けするためのハードマスクとして用いられ、ポリ１は、図７Ｂに示されるように環状共振器６０を形成する。ポリ１ ６０は、連続的なリングであるが、この限定された断面図ではリングの断面しか示されないことがわかるだろう。
【００２６】
その後、図７Ｃに示されるように、３０から１００ナノメートルのスペーサ二酸化ケイ素６４が構造体の表面上に堆積される。図７Ｄに示されるように、ポリ０ ５６の層への開口部が形成され、それから開口部内でポリ０層５６に接触するドーピングされたポリシリコン層６６（ポリ２）が堆積される。ポリ２は、１ミクロンのドーピングされた低応力ポリシリコンである。
【００２７】
その後、ポリ２層６６は、図７Ｅに示されるようにエッチングされ、バルク環状共振器の検出電極１４（図１）および駆動電極１２（図１）が形成される。最後に、検出電極１４および駆動電極１２は、二酸化ケイ素５８、酸化物マスク６２および二酸化ケイ素６４の薄膜を除去するために、フッ化水素酸のような選択性二酸化ケイ素エッチングを適用することによって、環状共振器１０から解放される。窒化シリコン層５４は、下層の酸化物層５２のエッチングを防止する。アンカー１８は、共振器１０、検出電極１４および駆動電極１８を下層の基板から支持するようその場所に留まる。
【００２８】
本発明によるＭＥＭＳ半径方向バルク環状共振器は、無線ＲＦ通信システムのためのフィルタのオンチップ集積の役に立つ。この共振器は、非常に低い電力消費および非常に低い挿入損失でＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数で動作しえる。フィルタを半導体ＣＭＯＳ集積回路と直接に集積することによって、製造コストと共に寄生効果が劇的に減少される。
【００２９】
本発明は、特定の実施形態を参照して記載されてきたが、記載は本発明を例示的に示し、本発明を限定するよう解釈されるべきではない。さまざまな改変および応用が添付の特許請求の範囲によって規定された本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、当業者には考えられるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１Ａは、本発明のある実施形態による環状共振器の平面図である。図１Ｂは、本発明のある実施形態による環状共振器の断面の側面図である。
【図２】図１の環状共振器の振動の第２半径方向モードを概略的に示す図である。
【図３】静電駆動および容量検出を持つ環状共振器の回路モデルの図である。
【図４】環状共振器の動作のある実施形態を示す概略図である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態による環状共振器の平面図である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態による環状共振器の断面の側面図である。
【図６Ａ】環状共振器の動作の他の実施形態を示す概略図である。
【図６Ｂ】環状共振器の動作の他の実施形態を示す概略図である。
【図７Ａ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｂ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｃ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｄ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図７Ｅ】製造中の環状共振器の一部の断面の側面図である。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ共振器であって、
ａ）内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、
ｂ）前記内側半径内に配置され、前記共振器体から間隔を置かれた第１電極、および
ｃ）前記環状共振器体の周りに配置され、前記外側半径から間隔を置かれた第２電極
を備え、前記第１電極および前記第２電極は、前記共振器体の駆動および検出を提供するＭＥＭＳ共振器。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、支持基板および前記電極および共振器体を前記基板上で支持する複数のアンカーをさらに含むＭＥＭＳ共振器。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記基板は集積回路を備え、前記アンカーは、前記駆動電極および前記検出電極を前記集積回路に接続する、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器体へのそれぞれのアンカーは、第２半径方向モードの高調波励起の下で、前記共振器体が半径方向または接線方向の変位を生じない中立軸に沿って前記共振器体に接触するＭＥＭＳ共振器。
【請求項５】
請求項４に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器。
【請求項６】
請求項５に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体の前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項７】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器。
【請求項８】
請求項７に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記半導体材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項９】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器は、レイアウト面積が１ｃｍ2より小さいＭＥＭＳ共振器。
【請求項１０】
請求項９に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作するＭＥＭＳ共振器。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記駆動および検出電極は容量的に前記共振器体に結合されるＭＥＭＳ共振器。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器体は、上部および底部表面を有し、前記上部および底部表面に近接し間隔を置かれた複数の第２駆動電極および前記上部および底部表面に近接し間隔を置かれた複数の第２検出電極をさらに含むＭＥＭＳ共振器。
【請求項１３】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記駆動および検出電極は容量的に前記共振器体に結合されるＭＥＭＳ共振器。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作するＭＥＭＳ共振器。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器は、レイアウト面積が１ｃｍ2より小さいＭＥＭＳ共振器。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体の前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項１８】
ＭＥＭＳ共振器回路であって、
ａ）内側半径および外側半径によって定義される半導体材料の環状共振器体、
ｂ）前記内側半径内に配置され、前記共振器体から間隔を置かれた第１電極、および
ｃ）前記環状共振器体の周りに配置され、前記外側半径から間隔を置かれた第２電極、
ｄ）ある電極に結合されたＲＦ信号入力、
ｅ）前記共振器体に接続されたバイアス電圧端子、および
ｆ）他の電極から出力される信号を受け取るよう結合された検出端子
を備えるＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項１９】
請求項１８に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作するＭＥＭＳ共振器。
【請求項２０】
請求項１９に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記回路は、ＲＦ送信機／受信機（「トランシーバ」）においてフィルタとして機能するＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２１】
請求項２０に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２２】
請求項２１に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記環状共振器体の前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２３】
請求項２２に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、さらに支持基板を含み、前記基板は前記共振器回路に結合されたＲＦトランシーバ集積回路を備える、ＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２４】
請求項２０に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、さらに支持基板を含み、前記基板は前記共振器回路に結合されたＲＦトランシーバ集積回路を備える、ＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２５】
ＭＥＭＳ共振器であって、
ａ）内側半径および外側半径によって定義されるピエゾ抵抗材料の環状共振器体、
ｂ）前記内側半径内に配置され、前記共振器体から間隔を置かれた駆動電極、および
ｃ）前記環状共振器体の表面上に配置され、前記ピエゾ抵抗材料の抵抗の変化を検出する複数の検出電極
を備えるＭＥＭＳ共振器。
【請求項２６】
ＭＥＭＳ共振器において、機械共振周波数に容量的に駆動されえる環状材料を備える共振器体。
【請求項２７】
請求項２６に記載の共振器体であって、前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、共振器体。
【請求項２８】
請求項２７に記載の共振器体であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作する共振器体。
【請求項１】
ＭＥＭＳ共振器であって、
ａ）内側半径および外側半径によって定義される環状共振器体、
ｂ）前記内側半径内に配置され、前記共振器体から間隔を置かれた第１電極、および
ｃ）前記環状共振器体の周りに配置され、前記外側半径から間隔を置かれた第２電極
を備え、前記第１電極および前記第２電極は、前記共振器体の駆動および検出を提供するＭＥＭＳ共振器。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、支持基板および前記電極および共振器体を前記基板上で支持する複数のアンカーをさらに含むＭＥＭＳ共振器。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記基板は集積回路を備え、前記アンカーは、前記駆動電極および前記検出電極を前記集積回路に接続する、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器体へのそれぞれのアンカーは、第２半径方向モードの高調波励起の下で、前記共振器体が半径方向または接線方向の変位を生じない中立軸に沿って前記共振器体に接触するＭＥＭＳ共振器。
【請求項５】
請求項４に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器。
【請求項６】
請求項５に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体の前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項７】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器。
【請求項８】
請求項７に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記半導体材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項９】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器は、レイアウト面積が１ｃｍ2より小さいＭＥＭＳ共振器。
【請求項１０】
請求項９に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作するＭＥＭＳ共振器。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記駆動および検出電極は容量的に前記共振器体に結合されるＭＥＭＳ共振器。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器体は、上部および底部表面を有し、前記上部および底部表面に近接し間隔を置かれた複数の第２駆動電極および前記上部および底部表面に近接し間隔を置かれた複数の第２検出電極をさらに含むＭＥＭＳ共振器。
【請求項１３】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記駆動および検出電極は容量的に前記共振器体に結合されるＭＥＭＳ共振器。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作するＭＥＭＳ共振器。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記共振器は、レイアウト面積が１ｃｍ2より小さいＭＥＭＳ共振器。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＭＥＭＳ共振器であって、前記環状共振器体の前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器。
【請求項１８】
ＭＥＭＳ共振器回路であって、
ａ）内側半径および外側半径によって定義される半導体材料の環状共振器体、
ｂ）前記内側半径内に配置され、前記共振器体から間隔を置かれた第１電極、および
ｃ）前記環状共振器体の周りに配置され、前記外側半径から間隔を置かれた第２電極、
ｄ）ある電極に結合されたＲＦ信号入力、
ｅ）前記共振器体に接続されたバイアス電圧端子、および
ｆ）他の電極から出力される信号を受け取るよう結合された検出端子
を備えるＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項１９】
請求項１８に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作するＭＥＭＳ共振器。
【請求項２０】
請求項１９に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記回路は、ＲＦ送信機／受信機（「トランシーバ」）においてフィルタとして機能するＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２１】
請求項２０に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記環状共振器体は、高ヤング率および高降伏応力を持つ材料であるＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２２】
請求項２１に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、前記環状共振器体の前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、ＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２３】
請求項２２に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、さらに支持基板を含み、前記基板は前記共振器回路に結合されたＲＦトランシーバ集積回路を備える、ＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２４】
請求項２０に記載のＭＥＭＳ共振器回路であって、さらに支持基板を含み、前記基板は前記共振器回路に結合されたＲＦトランシーバ集積回路を備える、ＭＥＭＳ共振器回路。
【請求項２５】
ＭＥＭＳ共振器であって、
ａ）内側半径および外側半径によって定義されるピエゾ抵抗材料の環状共振器体、
ｂ）前記内側半径内に配置され、前記共振器体から間隔を置かれた駆動電極、および
ｃ）前記環状共振器体の表面上に配置され、前記ピエゾ抵抗材料の抵抗の変化を検出する複数の検出電極
を備えるＭＥＭＳ共振器。
【請求項２６】
ＭＥＭＳ共振器において、機械共振周波数に容量的に駆動されえる環状材料を備える共振器体。
【請求項２７】
請求項２６に記載の共振器体であって、前記材料は、ポリＳｉ、ポリＳｉＧｅ、ポリＳｉＣ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、およびＰＺＴからなるグループから選択される、共振器体。
【請求項２８】
請求項２７に記載の共振器体であって、前記共振器はＶＨＦ、ＵＨＦ、およびＳＨＦ周波数帯における周波数において動作する共振器体。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【公表番号】特表２００７−５０３１８５（Ｐ２００７−５０３１８５Ａ）
【公表日】平成１９年２月１５日（２００７．２．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５３３２７６（Ｐ２００６−５３３２７６）
【出願日】平成１６年５月２１日（２００４．５．２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０１５９６７
【国際公開番号】ＷＯ２００５／００１９４８
【国際公開日】平成１７年１月６日（２００５．１．６）
【出願人】（５０１０３５０７７）ザ・リージェンツ・オブ・ジ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア (6)
【氏名又は名称原語表記】ＴＨＥ ＲＥＧＥＮＴＳ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦ ＣＡＬＩＦＯＲＮＩＡ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年２月１５日（２００７．２．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年５月２１日（２００４．５．２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０１５９６７
【国際公開番号】ＷＯ２００５／００１９４８
【国際公開日】平成１７年１月６日（２００５．１．６）
【出願人】（５０１０３５０７７）ザ・リージェンツ・オブ・ジ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア (6)
【氏名又は名称原語表記】ＴＨＥ ＲＥＧＥＮＴＳ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦ ＣＡＬＩＦＯＲＮＩＡ
【Ｆターム（参考）】
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