【課題】常温から１０００℃以上の高温の間で使用可能であり、急激な温度変化に対応して耐久性に優れる圧電振動子、及びこれを用いた温度センサーを提供する。
【解決手段】板状をなす圧電振動子片の表面及び裏面に夫々励振電極を備えてなり、圧電振動子片の素材は、ランガサイト構造を有する酸化物結晶材料からなり、励振電極が、酸化物結晶材料を構成する金属元素の少なくとも１種類を含む第１の金属薄膜と、白金族元素の少なくとも１種類を含む第２の金属薄膜と、高融点金属元素の少なくとも１種類を含む第３の金属薄膜を含む。酸化物結晶材料としてＬＴＧ、又はＬＴＧＡが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特定の周波数において、一定量の減衰量を確保すること。
【解決手段】ラダー型に接続された複数の直列共振器Ｓ１−Ｓ４および複数の並列共振器Ｐ１−Ｐ４と、前記複数の直列共振器のうち少なくとも１つの直列共振器Ｓ１に並列に接続された第１インダクタＬ１と、を具備し、前記複数の並列共振器の一部Ｐ３ａは、前記複数の直列共振器と前記複数の並列共振器とが形成する通過帯域の外であって前記第１インダクタと前記少なくとも１つの直列共振器とが形成する第１減衰極１０の高周波数側に共振周波数ｆｒｐ３および反共振周波数ｆａｐ３を有し、前記複数の並列共振器の一部の少なくとも１つは、共振周波数の低周波数側に副共振の共振周波数ｆｒｐ３１を有するフィルタ。 （もっと読む）

【課題】急峻かつ温度安定性に優れたガードバンド側のスカート特性を有し、更に広帯域化が可能なデュプレクサを提供する。
【解決手段】通過帯域の異なる送信フィルタ及び受信フィルタを有するデュプレクサにおいて、フィルタを構成する複数の直列共振子Ｓ１〜Ｓ８及び複数の並列共振子Ｐ１〜Ｐ６のうち、ガードバンド側のスカート特性を形成する第１共振子Ｓ１〜Ｓ４、Ｐ４〜Ｐ６は、温度補償型のＴＣ−ＦＢＡＲまたはラブ波利用の弾性表面波共振子とし、ガードバンドと反対側のスカート特性を形成する第２共振子Ｐ１〜Ｐ３、Ｓ５〜Ｓ８は、非温度補償型のＦＢＡＲまたは弾性表面波共振子とする。第２共振子の弾性表面波共振子には、ＬＴ基板またはＬＴとＳａの貼り合わせ基板を用いた弾性表面波共振子の他、ラブ波利用の弾性表面波共振子を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】不要な振動モードが生じることを抑制できるＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、第１電極２０との間の静電力によって基板１０の厚み方向に振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極と、を含み、第２電極３０は、梁部３２を複数有する。 （もっと読む）

【課題】補償をしない場合は音響共振器の有効性を阻害する、音響共振器を特徴づける温度ドリフトを補償する音響共振器回路及びフィルタの提供。
【解決手段】音響共振器回路１００は、補償キャパシタ１０８と並列に接続された音響共振器１０４を含む構成で、補償キャパシタ１０８は、少なくとも部分的に音響共振器１０４の共鳴の温度ドリフトを補償する。又、音響共振器回路１００は、帯域内では低い挿入損失で帯域外では高い挿入損失を示す伝達関数を提供するように構成された高周波フィルタに組み込まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】ディスク状の振動板がワイングラスモードで振動するように構成された輪郭振動型のディスク振動子において、当該ディスク振動子の小型化を図ること。
【解決手段】平面で見た時に第１の電極２１、２１を結ぶと共に振動板１０の中心を通る直線をＬとすると、この直線とのなす角度θが４５°となる位置において振動板１０に貫通孔１１を形成し、即ち振動板１０の振動の節となる位置（振動板１０の振動を阻害しない位置）に貫通孔１１を形成し、この貫通孔１１の内壁面とベース基板１（導電膜５）との間を接続するように支持部３０を設ける。 （もっと読む）

【課題】振動の減衰時間を減少させ、機械振動子の動作を高速化する。
【解決手段】微小機械振動子は、基板（１０４）上に形成された２つの支持部（１１３，１１４）と、２つの異なる振動モードを有する両持ち梁部（１０８）と、両持ち梁部を第１の振動モードで励振する励振手段となる交流電源（４１１）と、両持ち梁部を第１の振動モードおよび第２の振動モードが混合した状態で振動させる混合手段となる交流電源（４１３）と、両持ち梁部を第１の振動モードで励振する状態から、第１の振動モードおよび第２の振動モードが混合した状態に切り換える切換手段となるスイッチ（４１２，４１４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の中心部と外縁部との間で周方向に亘って膨張収縮する輪郭振動が互いに同相で起こるように各々構成された２つの振動体を連結部により連結した振動子において、前記輪郭振動が連結部によって阻害されることを抑制すること。
【解決手段】互いに同相で輪郭振動を起こすディスクレゾネータ３１、１３の間に音叉型振動体１１を介在させ、この音叉型振動体１１の振動腕部１４、１４の夫々にディスクレゾネータ３１、３１を接続する。そして、音叉型振動体１１について、ディスクレゾネータ３１、３１の膨張収縮を吸収するように、これらディスクレゾネータ３１、３１に対して逆相で振動させる。 （もっと読む）

【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と、圧電基板１０上に設けられ、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６又は並列共振子Ｐ１〜Ｐ６と接続された信号配線１６及び接地配線１８と、直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６との間に空洞が形成されるように直列共振子Ｓ１〜Ｓ６及び並列共振子Ｐ１〜Ｐ６上に設けられた金属天井２０と、金属天井２０上に設けられた封止部と、を具備し、少なくとも１つの金属天井は、高周波信号を伝送する信号配線１６と接続されている電子部品である。 （もっと読む）

【課題】大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０と、基板１０上に設けられた下部電極１２と、下部電極１２上に設けられ、ａ軸方向の格子定数とｃ軸方向の格子定数との比が１．６より小さい窒化アルミニウムからなる圧電薄膜１４と、圧電薄膜１４上に設けられ、圧電薄膜１４を挟んで下部電極１２と対向する上部電極１６と、を具備する弾性波デバイスである。本発明によれば、大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ウルツ鉱型結晶構造を有する圧電薄膜１４を成膜する工程と、圧電薄膜１４の格子定数を測定する工程と、格子定数ｃが所定の値ｃ_０以上である場合、圧電薄膜１４を成膜する工程における成膜条件を変更する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、大きな電気結合定数を有する弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの共振特性を向上させること。
【解決手段】基板１０と、前記基板上に形成された下部電極１２と、前記下部電極上に形成された少なくとも２層の圧電膜１４と、前記少なくとも２層の圧電膜に挟まれた絶縁膜２８と、前記少なくとも２層の圧電膜上に形成された上部電極１６と、を具備し、前記下部電極と前記上部電極とが対向する領域における前記少なくとも２層の圧電膜のうち最上の圧電膜の外周５１は、前記上部電極の外周５３より内側に位置する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】 温度補償膜を用いた弾性波フィルタの広帯域化及び整合改善を図ると共に、共振周波数のずれを抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、複数の圧電薄膜共振子を含む弾性波フィルタであって、圧電薄膜共振子は、基板１０と、基板１０上に設けられた圧電薄膜１４と、圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで設けられた下部電極１２及び上部電極１８と、下部電極１２及び上部電極１８が対向する共振領域４０に設けられ、共振領域４０とは異なる形状を有する周波数制御用の質量負荷膜２４と、共振領域４０に設けられ、圧電薄膜１４の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数を持つ温度補償膜１６と、を備え、複数の圧電薄膜共振子のうち少なくとも２つは、質量負荷膜２４の面積が互いに異なることを特徴とする弾性波フィルタである。 （もっと読む）

【課題】周波数の温度特性を改善すると共に、圧電膜の配向性の乱れを抑制し、良好な共振特性を得ることが可能な圧電薄膜共振器およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられた下部電極１２と、下部電極１２上に設けられた、２層からなる第１圧電膜１４および第２圧電膜１８と、第２圧電膜１８上に設けられ、第１圧電膜１４と第２圧電膜１８とを挟み下部電極１２と対向する領域を有する上部電極２０と、下部電極１２と上部電極２０とが対向する領域であって、第１圧電膜１４と第２圧電膜１８との２層の間に設けられた絶縁膜１６と、を具備し、絶縁膜１６の上面は下面よりも平坦である圧電薄膜共振器である。 （もっと読む）

【課題】段差部に引出電極を有する圧電振動片を採用した場合であっても、周波数調整時に断線の虞を生じさせる事の無い圧電デバイスの周波数調整方法を提供する。
【解決手段】励振電極２６が形成された振動部２４と、入出力電極３０が形成された周縁部２２との間に段差部２３を備え、前記段差部を跨いで前記励振電極と前記入出力電極とを電気的に接続する引出電極２８が形成され、厚み滑り振動を主振動とする圧電振動片２０における前記励振電極を、前記圧電振動片をパッケージベース３６に搭載した後にエッチングすることで成す周波数調整方法であって、少なくとも、前記振動部に楕円形状に形成されるエネルギー閉じ込め領域の外形形状に沿う曲線のうち、前記励振電極の周縁部において前記引出電極が接続された部位に最も近接する部位に対して定められる接線よりも、前記エネルギー閉じ込め領域側に位置する励振電極をエッチング領域としてエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第１のノードと第２のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第１のノードと電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記第２のノードと電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。前記第１のノードまたは前記第２のノードから発振信号を出力する。 （もっと読む）