【課題】補償をしない場合は音響共振器の有効性を阻害する、音響共振器を特徴づける温度ドリフトを補償する音響共振器回路及びフィルタの提供。
【解決手段】音響共振器回路１００は、補償キャパシタ１０８と並列に接続された音響共振器１０４を含む構成で、補償キャパシタ１０８は、少なくとも部分的に音響共振器１０４の共鳴の温度ドリフトを補償する。又、音響共振器回路１００は、帯域内では低い挿入損失で帯域外では高い挿入損失を示す伝達関数を提供するように構成された高周波フィルタに組み込まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合と、低いスプリアス応答と、望ましい周波数-温度特性とを同時に示すＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、ニオブ酸リチウムを含むとともに弾性波の伝搬を行なうように構成される基板１２と、基板１２の表面２２上の第１及び第２の電極パターン１８、２０により第１及び第２の共振器１４、１６が形成され、その上にプラスのＴＣＦを有する誘電保護膜２４が形成される。そして、第１及び第２の電極パターン１８、２０が個々の電極幅ａ１、ａ２を有するとともに異なる電極周期ｐ１、ｐ２をもって配置され、異なる電極周期ｐ１、ｐ２のそれぞれが電極周期ｐ１、ｐ２に対する電極幅ａ１、ａ２のそれぞれの比率と関連付けられる。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路（ＩＣ）デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ＩＣデバイスは、基板１０２上で形成されたバッファ層１０４と、アルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つを含み、バッファ層１０４上に形成されたバリア層１０６と、窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つとを含み、バリア層１０６上に形成されたキャップ１０８層と、キャップ層１０８に直接連結され、その層上に形成されたゲート１１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスおよびＢＡＷデバイスの電気的性能を向上させる。
【解決手段】開示された実施形態は、シャープな部分を含む筐体によって形成されたキャビティ内に配置された電子デバイスを有するパッケージを含む。該パッケージは、該筐体上に塗布された感光層を含み、該シャープな部分に隣接するスムーズな部分を設けてもよい。該パッケージの製造方法も開示される。他の実施形態も記載され特許請求され得る。 （もっと読む）

【課題】高温で動作可能な高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】バッファ層１６と、バッファ層１６上のＩＩＩ−Ｖ族層１８と、ＩＩＩ−Ｖ族層１８上のソース接点２０およびドレイン接点２２と、ＩＩＩ−Ｖ族層１８上で、ソース接点２０およびドレイン接点２２間の再成長ショットキー層１０と、成長ショットキー層１０上のゲート接点２４、を備える装置、および装置を用いたシステムを含む。さらに、装置とシステムの製造方法も含む。 （もっと読む）

【課題】高結合基板上にＳＡＷトランスデューサまたはＳＡＷ共振器を形成し、トランスデューサ領域での導波を保証することにより、トランスデューサ領域のエネルギを誘導する方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の表面上にインターデジタルトランスデューサを形成し、音響波を該トランスデューサを通って横方向に誘導するための、横方向に延在する中央領域と横方向に対向するエッジ領域を有する電極で、酸化ケイ素保護膜は該トランスデューサを被覆し、窒化ケイ素層は、該中央領域とエッジ領域内だけの酸化ケイ素保護膜を被覆する。窒化ケイ素層の厚みは中央領域内の音響波の周波数を変更させるに十分なものであり、対向するエッジ領域それぞれ内のチタンストリップの配置によって最適化される。該チタンストリップは、エッジ領域内の音響波速度がトランスデューサ中央領域内の波速度より小さくなるように、エッジ領域内の速度を低減する。 （もっと読む）

【課題】バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１０４の上に形成され、ガリウムナイトライドで構成されるバッファ層１０８と前記バッファ層の上に形成され、インジウムアルミニウムナイトライド(InAlN)で構成された第１のバリアサブレイヤーと１１４、第１のバリアサブレイヤーの上に形成され、アルミニウムガリウムナイトライド(AlGaN)で構成された第２のバリアサブレイヤー１１６と、含む、バリア層と、第２のバリアサブレイヤーの上に形成されたソース端子１２０、ゲート端子１２４およびドレイン端子１２８と、を含む高電子移動度トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で、凹部バリア層を備え、バリア層間にゲート電極を形成することにより、エンハンスメント型ＦＥＴを提供する。
【解決手段】基板上１０４上にバッファ１０８層を形成し、バッファ層上にスペーサ層１１２を形成し、スペーサ層上にバリア層１１６を形成する。バリア層内に凹部を形成し、凹部を通して、少なくてもその一部が前記スペーサ層上に配置されるようにゲート構造１４０を形成する。 （もっと読む）