本発明は半導体電力スイッチを操作するための方法であって、この方法によって半導体電力スイッチのスイッチング区間（Ｅ−Ａ）の抵抗は制御電圧（Ｖｓｔ）によって電力スイッチ（Ｓ１、Ｓ２）のチップ温度（Ｔ１ｉｓｔ、Ｔ２ｉｓｔ）が予め設定される目標温度（Ｔｓｏｌｌ）を超えないように制御され、この目標温度（Ｔｓｏｌｌ）に到達した場合にはスイッチング区間（Ｅ−Ａ）の抵抗が高められる。この方法を実施するための装置は半導体電力スイッチとしてトランスファーゲート（ＴＧ）を使用し、このトランスファーゲート（ＴＧ）はチャージポンプ（ＬＰ）によって制御され、半導体電力スイッチとしてのこのトランスファーゲート（ＴＧ）において統合された温度センサを有する商用トランジスタが使用される。
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第１ＮＭＯＳトランジスタ、第１ＰＭＯＳトランジスタ、第２ＮＭＯＳトランジスタ、第２ＰＭＯＳトランジスタ、第２ＰＭＯＳの第１ソース／ドレインに接続された第１バイアス電圧ノード、第１ＰＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第３バイアス電圧ノード、第１ＰＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第４バイアス電圧ノード、第１ＮＭＯＳトランジスタの第２ソース／ドレインを第１ＰＭＯＳトランジスタの第１ソース／ドレインに接続するプルアップノード、第２ＰＭＯＳトランジスタの第２ソース／ドレインを第２ＮＭＯＳトランジスタの第１ソース／ドレインに接続するプルダウンノード、入力ノード、第１ＰＭＯＳトランジスタの第２ソース／ドレインを第２ＮＭＯＳトランジスタの第２ソース／ドレインに接続する記憶ノード、出力ノード、入力データ値を入力ノードから第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートと第２ＰＭＯＳトランジスタのゲートに制御可能に伝達するべく接続された入力スイッチ、及び保存されているデータ値を記憶ノードから出力ノードに制御可能に伝達するべく接続された出力スイッチを有する集積回路である。
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【課題】回路電源を高速化または低電圧化しても安定な動作が可能で、高速化または低消費電力化に適した信号伝送回路を提供する。
【解決手段】複数の単位回路で構成され、駆動パルスに従って単位回路からパルス電圧が順次出力される。単位回路は、駆動パルスをドレインに入力して、パルス電圧としてソースから出力する第１の出力トランジスタ（Ｔ１２）と、第１の出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続された第１のブートストラップ容量（Ｃ１１）と、第１のブートストラップ容量を充電するために、ソースが第１の出力トランジスタのゲートに接続され、ドレインが電源線または接地線あるいは充電パルス線に接続された充電トランジスタ（Ｔ１１）と、一端が充電トランジスタのゲートに接続された第２のブートストラップ容量（Ｃ２２）とを備える。 （もっと読む）

増幅回路はキャパシタ構造（４２）と切替装置とを備える。キャパシタ構造は、電圧依存性静電容量を有する第一のキャパシタ（Ｃ_２）と第二のキャパシタ（Ｃ_１）（これもまた電圧依存性としてよい）とを有する。同回路は２つのモードで、すなわち少なくとも第一のキャパシタの一端子に入力電圧が提供される第一のモードと、切替装置によって第一及び第二のキャパシタ同士の間で電荷の再配分が起こることにより、第一のキャパシタにかかる電圧が変化し第一のキャパシタの静電容量が減少し、出力電圧が第一のキャパシタにかかる電圧に依存する第二のモードとで、動作可能である。本発明は電圧制御静電容量をキャパシタ間の電荷共有と併せて使用するものであり、これにより、結果的に電圧増幅特性が提供される。よってこの機構は、アナログ電圧の増幅に、または固定レベル（すなわちデジタル電圧）の昇圧に利用できる。よって本発明の回路は、レベルシフトまたは増幅のために、例えばアクティブマトリクスアレイ装置のピクセルでの用途に使用できる。
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スイッチ（１０）とキャパシタ（１２）を備えるトラック／ホールド回路である。第１のブートストラップスイッチ（１４ａ）は、その入力として、クロック信号ｃｌｋｉｎ及び入力信号Ｖｉｎを有する。第１のブートストラップスイッチ（１４ａ）から出力されるクロック信号ｃｌｋｂｏｏｔは、スイッチ（１０）のゲートに印加される。第１のブートストラップスイッチ（１４ａ）は、電流源（２０）という形のレベルシフト手段及びバッファ手段（３０）を介して、当該回路の入力Ｖｉｎと出力Ｖｓとの間に接続されている。第２のブートストラップスイッチ（１４ｂ）が設けられており、第２のブートストラップスイッチ（１４ｂ）は、その入力として、クロック信号ｃｌｋｉｎ及び入力信号Ｖｉｎを有する。第２のブートストラップスイッチ（１４ｂ）から出力される逆位相クロック信号ｃｌｋｎｂｏｏｔは、スイッチ（１０）のいずれかの側に接続されている２つのダミースイッチ（１６）のゲートに印加される。
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【目的】消費電力を節減しＩＣチップへの高密度集積化に適したＥＬ表示パネル駆動回路を提供することにある。
【構成】エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル駆動回路のレベルシフト出力電圧が入力側に帰還されて入力信号ＩＮのロウ（Ｌ）レベル対応の接地電位を不明確にすることがないように基準電位線を入力側の接地配線ＧＮＤ１と出力側の接地配線ＧＮＤ２とに分離するとともに、出力トランジスタＰ１０３／Ｎ１０３駆動用のレベルシフト回路１０の前段に補助レベルシフト回路２０を配置した。これにより、高圧電源側の接地電位ＧＮＤ２が変動しても高圧側のレベルシフト回路１０の誤駆動が回避でき出力トランジスタＰ１０３／Ｎ１０３における不要な電流が回避できる。 （もっと読む）