【課題】 クロストークノイズを安定して減少させることができ、クロストークノイズに起因する回路誤動作を確実に防止できるノイズ低減回路を提供する。
【解決手段】 電源側に並列に接続された第一及び第二のトランジスタと、前記第二のトランジスタの出力側に直列接続された抵抗手段とを設け、前記抵抗手段の出力側と前記第一のトランジスタの出力側とを出力ノードで接続し、前記出力ノードから出力される出力電圧の変化が段階的になるように前記第一及び第二のトランジスタのオン／オフ動作タイミングを制御する制御回路を備えた。 （もっと読む）

【目的】 電力変換トランスのスイッチングスピードをより高速化する。
【構成】 ＰＷＭ発振回路ＩＣ２の出力を信号伝達トランスＴ１に入力し、信号伝達トランスＴ１の２次側出力をトランジスタＴＲ２，ＴＲ３で増幅して、電力変換トランスＴ２への入力をスイッチングするＭＯＳ−ＦＥＴで構成した電力半導体素子ＴＲ４に入力し電力変換トランスＴ２の２次側から出力させるスイッチング電源装置であって、信号伝達トランスＴ１の２次側巻線とトランジスタＴＲ２，ＴＲ３によって電力増幅する回路とにＰｃｈ−ＦＥＴで構成した巻線短絡素子ＴＲ１を接続し信号伝達トランスＴ１へのＰＷＭ駆動信号の入力信号状態により信号伝達トランスＴ１の２次側巻線を短絡状態とする。 （もっと読む）

【目的】 高周波に応用においても、スイッチングロスの少ないなどの多くの優れた特性を有するダブルゲート型半導体装置を従来のＩＧＢＴなどと同様に１つの制御信号で、確実に制御可能な制御装置を実現する。
【構成】 制御装置２０を入力端子Ｐ１に入力される制御信号からゲートＧ１に制御信号を供給する第１ゲート制御回路２１と、同じ入力端子Ｐ１に入力される制御信号からゲートＧ２に制御信号を供給する第２ゲート制御回路２２とにより構成する。第１ゲート制御回路２１には、ディレイ回路３１を設置し、ゲートＧ２にオフ信号が供給されサイリスタ状態からトランジスタ状態に移行した後にゲートＧ１にオフ信号を供給し、ダブルゲート型半導体装置を確実に停止させる。 （もっと読む）

【目的】 異なるボルトで作動するよう設計されたチップ同士を簡単にインタフェースさせること。
【構成】 ＶＯ−ＶＰがその閾電圧を超えた時にトランジスタＱ１がオンになる問題を解決するためにＶＦＧフローティングゲート回路が提供される。ＶＯがバイアス電圧Ｖｄｄ以下であれば、ＶＦＧ電圧はＶＰとなろう。しかし、ＶＯがＶｄｄを上回ると、ＶＦＧ電圧はＶＯに追従してＶＯと等しくなる。このように、ＶＦＧ回路はＶＯが３．３ボルト以上の論理１である時にトランジスタＱ１がオンになることを妨ぐ。同様に、トランジスタＱ１の寄生ダイオードの前傾斜の問題を解決するために、ＶＦＷフローティングウェル回路を提供する。ＶＯがＶｄｄ以下の時は、ＶＦＷの電圧はＶｄｄと等しい。しかし、ＶＯがＶｄｄを上回ると、ＶＦＷはＶＯに追従してＶＯに等しくなる。ＶＦＷ回路はＶＯがＶｄｄを上回る論理１である時にトランジスタＱ１の寄生ダイオードが前傾斜するのを防ぐ。 （もっと読む）