【課題】固体還元炉の内部に対してマイクロ波を効率良く照射することが可能な、固体還元炉及び固体還元炉を提供すること。
【解決手段】本発明に係る固体還元炉は、酸化鉄原料と還元材とを混合して成形した塊成化物を、バーナー及び炉壁からの輻射熱により加熱して還元鉄を製造する固体還元炉において、固体還元炉の炉天井から炉床に向けて突出形成され、炉内を複数のゾーンに区分する１又は複数の仕切り壁と、仕切り壁の内部に配設されており、塊成化物を加熱するためのマイクロ波が導波される複数の導波管とを設け、仕切り壁の炉床に対向する底面には、マイクロ波照射口として導波管の端部を配設する。 （もっと読む）

【課題】固体還元炉の内部に対してマイクロ波を効率良く照射することが可能な、固体還元炉を提供すること。
【解決手段】本発明では、酸化鉄原料と還元材とを混合して成形した塊成化物を、バーナー及び炉壁からの輻射熱により加熱して還元鉄を製造する固体還元炉において、固体還元炉がバーナー及び炉壁からの輻射熱を利用して塊成化物を加熱するバーナー加熱エリアと、塊成化物に対して照射されるマイクロ波により塊成化物を加熱するマイクロ波加熱エリアと、から構成されている。マイクロ波加熱エリアは、固体還元炉の内部に挿入された、塊成化物を加熱するためのマイクロ波を導波する１又は複数の導波管を備え、マイクロ波加熱エリアでの固体還元炉の天井の高さは、バーナー加熱エリアでの固体還元炉の天井の高さよりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】内容物の流通時に短絡を防止できる、横型のフロー式のリアクターを有する化学反応装置を提供する。
【解決手段】内部が複数の仕切り板によって複数の室に仕切られており、液状の内容物が、上方に未充填空間を有した状態で水平方向に流れる横型のフロー式のリアクター１３と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生器１４と、マイクロ波発生器１４の発生したマイクロ波を、リアクター１３の未充填空間に伝送する１以上の導波管１５と、を備え、内容物は、仕切り板の上方をオーバーフローで流れるものであり、各室において、流入側の堰高が、流出側の堰高より、流出側の仕切り板における越流深以上高い。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を利用して乾燥炉内に装入された塊成化物の下層部位を選択的に加熱すること。
【解決手段】本発明に係るマイクロ波乾燥装置は、被乾燥物をコンベアにより搬送する際に当該被乾燥物に対して熱風を吹き付けることで前記被乾燥物に含まれる水分を低減させる熱風式の乾燥炉に対して設置され、被乾燥物を乾燥させるために用いられるマイクロ波を発振するマイクロ波発振機と、被乾燥物層の内部に対し、マイクロ波が加熱可能な加熱範囲が被乾燥物層の最下層を含む深さまで挿入された複数の導波管とを備え、複数の導波管のうち少なくとも２つは、乾燥炉の炉幅方向の互いに異なる位置に配置されており、炉幅方向に隣り合う導波管の前記搬送方向の位置は、互いに相違する。 （もっと読む）

【課題】
効率的なアニール処理を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】
実施形態の半導体製造装置は、マイクロ波の照射により成長するグレインを少なくとも一部に有する基板を載置するサセプタと、前記基板に対してマイクロ波を照射する照射部と、前記照射部が照射する前記マイクロ波の周波数を、前記グレインの共鳴周波数に近づけるように、前記照射部を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置１は、ウエハＷを収容する処理容器２と、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成する少なくとも１つのマグネトロン３１を有し、マイクロ波を処理容器２に導入するマイクロ波導入装置３と、マイクロ波導入装置３を制御する制御部８とを備えている。制御部８は、ウエハＷを処理するための状態が継続している間に、マイクロ波の周波数を変化させる。 （もっと読む）

【課題】シングルモードの空胴共振器を使用したマイクロ波装置に関し、被処理液の流量を多くして均一に効率良く処理可能にする。
【解決手段】被処理液とは異なる誘電率を有すると共に被処理液の流れを乱す障害手段６３を収容してあり、照射室内に生じる電界方向に対し軸線を沿わせて、空胴共振器の照射室に設置される流通管６０を提案する。この流通管をマイクロ波装置の照射室に設置すると、被処理液を流す流通管内において電界分布が一様ではなくなり、被処理液に吸収されるマイクロ波が抑制され、Ｑの低下が抑えられて同調が外れにくくなるので、被処理液の流量を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】 過加熱状態となった被解凍物を、冷却水の気化による気化冷却ですみやかに冷却することのできる解凍装置を得ること。
【解決手段】
被解凍物１を載置した解凍室２に、上部電極３７と下部電極３８、並びに、蒸気供給管３と冷却水供給管４を接続する。解凍室２底部の冷却水溜めスペース１３に蒸気発生用電熱ヒータ１４，１５を取り付ける。真空ポンプ５を冷却水タンク２２と循環ポンプ２３とエゼクタ２４，２５とで構成する。冷却水タンク２２を低温チラー３１と接続する。
解凍室２の被解凍物１が部分的に過加熱状態となった場合に、被解凍物１を気化冷却することができ、気化潜熱による大きな熱量で過加熱状態をすみやかに解消することができる。 （もっと読む）

【課題】 過加熱状態となった被解凍物を、冷却水の気化による気化冷却ですみやかに冷却することのできる解凍装置を得ること。
【解決手段】
被解凍物１を載置した解凍室２に、上部電極３７と下部電極３８、並びに、蒸気供給管３と冷却水供給管４を接続する。解凍室２底部の冷却水溜めスペース１３に蒸気発生用電熱ヒータ１４，１５を取り付ける。真空ポンプ５を冷却水タンク２２と循環ポンプ２３とエゼクタ２４，２５とで構成する。冷却水タンク２２を低温チラー３１と接続する。
解凍室２の被解凍物１が部分的に過加熱状態となった場合に、被解凍物１を気化冷却することができ、気化潜熱による大きな熱量で過加熱状態をすみやかに解消することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行うことができるマイクロ波照射装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してマイクロ波を照射して処理をするマイクロ波照射装置２において、真空排気が可能になされた処理容器４と、被処理体を支持する支持台６と、処理ガスを導入する処理ガス導入手段１０６と、マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段７２と、被処理体を加熱する加熱手段１６と、被処理体を冷却ガスにより冷却するガス冷却手段１０４と、被処理体の温度を測定する放射温度計６４と、放射温度計の測定値に基づいて加熱手段とガス冷却手段とを制御することにより被処理体の温度を調整する温度制御部７０とを備える。これにより、被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行う。 （もっと読む）