【課題】実機のホールスラスタと同様の過渡的部分を模擬できるホールスラスタシミュレータを提供すること。
【解決手段】電流値が制御できる電流モード電子負荷５０と、抵抗値が制御できるアノード抵抗モード電子負荷５１とを並列に備えるアノード疑似負荷８と、抵抗値が制御できるキーパ抵抗モード電子負荷５２と、キーパ抵抗モード電子負荷５２よりもインピーダンスが高い高抵抗負荷５３とを並列に備えるキーパ擬似負荷９と、抵抗値を制御できるヒータ抵抗モード電子負荷５４を備えるホローカソードヒータ擬似負荷１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 多チャネルプラズマ加速装置を提供する。
【解決手段】 上面が塞がっている円柱状の面に沿って形成され、円柱状の内部に第１チャネルを形成する中央シリンダと、中央シリンダと同じ同心軸を有する相異なる直径の円柱状の面に沿って形成される第１外部シリンダおよび第２外部シリンダと、を含み、第１外部シリンダおよび第２外部シリンダとの間の空間に第２チャネルを形成するため第１外部シリンダの直径は中心シリンダの直径より大きく形成され、第２シリンダの直径は第１外部シリンダの直径より大きく形成される。 （もっと読む）

スラスタ（１）は、管（２）内にメインチャンバ（６）を有している。この管の長手方向軸は、推力の軸（４）を定める。インジェクタ（８）は、この管のメインチャンバの一端にイオン化ガスを噴射する。イオナイザ（１２４）は、前記メインチャンバ（６）に噴射したガスをイオン化する。第１磁場発生器（１２、１４）および電磁場発生器（１８）は、前記推力軸（４）方向に沿って前記イオナイザ（１２４）の下流側に磁化重動加速フィールドを発生するように構成している。スラスタ（１）は、ガスをイオン化し、磁化重動力により電子とイオンの両方を加速する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ内部で誘導される２次電流とのカップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が発生しても、磁場圧力の傾きに影響を与えない程度の強力な磁界を形成する電磁気誘導加速装置の提供。
【解決手段】外部シリンダー２０７の外側面を巻くコイル２０１と、内部シリンダー２０９の内側面を巻くコイル２０３と、接続部２１１の上側面に沿って直径が減少するように巻くコイル２０５とが全て連結されて１つのコイルを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成と加速とのそれぞれで駆動周波数を最適化することで、プラズマの生成／加速の両能力の向上が図れる電磁誘導加速装置、を提供する。
【解決手段】放電コイル(350)には第１駆動周波数の電流が同方向に流れる。そのとき生成される交流磁界がチャネル(390)内にプラズマを生成し、軸方向の初期速度を与える。外部及び内部コイル(310、330)には第２駆動周波数の電流が同方向に流れる。チャネル（390）の出口に近いコイルほど、第２駆動周波数が低い。それにより生成される交流磁界が軸方向に傾きを持ち、かつ軸方向に伝搬するので、プラズマが軸方向に加速され続ける。第１及び第２駆動周波数は互いに独立に最適化される。 （もっと読む）

【課題】 イオン加速とプラズマ生成とを独立して制御できるホール効果プラズマ加速器を提供する。
【解決手段】 ガス導入口２０５ｂを有する環状加速チャネル２０２と、高周波供給部２１３，２１４と、アノード２０６と、カソード２０７と、中和電子発生部２０７，２１０と、磁界発生手段２０１，２０３ａ，２０３ｂ，２０４と、高周波発振器２１５を有し、導入されたガスは高周波によって電離・プラズマ化し、プラズマの陽イオンはアノード２０６とカソード２０７との間に印加される加速電圧によって加速されて外部に噴射され、プラズマの電子は磁界との相互作用により軸方向の移動が制限される二段式ホール効果プラズマ加速器２００は、加速制御量たる加速電圧２０９でイオンの加速度が制御され、加速制御量と独立制御されるプラズマ化制御量たる高周波出力でプラズマの発生量が制御される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの照射範囲を拡大させ、プラズマの生成／加速の両能力を同時に向上させ得る電磁誘導加速装置を提供する。
【解決手段】初期放電部(310)は第１駆動周波数の電流を、放電コイル(315)、第１外部及び内部コイル(311、313)に同方向に流す。そのとき生成される交流磁界がチャネル(390)内にプラズマを生成し、軸方向の初期速度を与える。加速部(330)は第２駆動周波数の電流を第２外部及び内部コイル(331、333)に同方向に流す。各電流の位相は軸方向に沿って遅れる。それにより生成される交流磁界が軸方向に傾きを持ち、かつ軸方向に伝搬するので、プラズマが軸方向に加速され続ける。ノズル部(350)は第３外部及び内部コイルに電流を逆方向に流す。それにより軸方向の磁界が生成されるので、プラズマが圧縮されてから外に放出される。第１及び第２駆動周波数は互いに独立に最適化される。
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【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）

磁界の主として長手方向の磁力線経過特性と主として横方向の磁力線経過特性とを交互に有する特別な磁界構造を備えたイオン加速装置のために、室壁の、磁界の磁力線経過特性に適合された非円筒状の形状を備えたイオン化室のジオメトリが提案される。
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本発明では、イオン加速器装置に対して、カスプ構造を有する磁界と長手方向軸に対して横断方向に延長されたイオン化チャンバ横断面との組み合わせが提案される。これは有利にはイオン流のスケーリングを可能にする。
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