本発明は、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）から形成される成形体（１）、特にヒートシンクまたは銅から形成される成形体（１）をセラミック成形体（２）、特にセラミックプリント基板と結合する方法に関する。本発明により、ＭＭＣ成形体（１）または銅成形体（１）に隣接するセラミック成形体（２）の表面に第１金属（４）が被覆され、これによりセラミック成形体（２）をＭＭＣ成形体または銅成形体（１）に載置する。更に２つの成形体（１、２）をＭＭＣ成形体（１）のマトリックス金属または銅成形体（１）の銅またはセラミック成形体（１）の表面に被覆された第１金属（４）から形成される系の共融温度より高い温度に加熱し、引き続き室温に冷却させる。 （もっと読む）

本実施例で単層基板（２）からなるＤＣ−ＤＣ変換器であるＰＣＢアセンブリ（１）は、高熱発生部品（３）を形成する電力半導体デバイスと、熱放散部品（４）を形成する磁性材料からなる様々なコアを実装している。熱伝導性結合材料（６）の抵抗路が、各熱発生部品（３）の上または下に配設されて、１つの熱放散部品（４）の中に突入しかつその他の側方に延出している。ある実施例では、熱発生部品（３）が熱放散部品（３）の中に収容される。別のＰＣＢアセンブリでは、それ自体が熱発生部品（３）又は熱放散部品（４）のみを担持する追加のプラグインＰＣＢが設けられる。後者の場合、熱発生部品（３）は前記ＰＣＢアセンブリ上に追加のプラグインＰＣＢの下側に実装される。 （もっと読む）