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国際特許分類[H05K3/12]の内容

国際特許分類[H05K3/12]に分類される特許

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【目的】本発明の目的は、低抵抗性の導体配線を内蔵し、かつ残留炭素が少なく、良好な特性の絶縁層を有する小型,高密度のハイブリッドIC用多層回路基板及びその製法と用途とを提供することを目的とする。
【構成】本発明は、低抵抗性導体配線を内蔵した多層回路基板において、本質的に製造過程における絶縁層中へ炭素が混入されない工程を提供し、結果的に、より小型,高密度の多層回路基板を提供するものである。
【効果】本発明によれば、低抵抗性導体配線を内蔵し、良好な特性の絶縁層を有する多層回路基板が得られるので、電子部品を小型化もしくは高密度化できるという効果がある。 (もっと読む)



【目的】 酸化物セラミックを用いて、低抵抗の銅による内部配線を可能とする。
【構成】 酸化物粉末を原料とするグリーンシート10に、銅を配線材料として平面配線18及び/またはビア14を設け、該配線部14、18が表面に露出しない様に該配線部14、18を覆ってグリーンシート10を積層し一体化した後1083〜1800℃の範囲にある最高温度で焼成することを特徴としている。 (もっと読む)



特定の特性の金属粉または金属粉混合物ならびに反応性有機媒体を含むPARMOD(商標)材料は、プリント配線板基板のような電子部品上に容易にプリントまたは堆積され、低温で硬化して、導電性が高く、充分固着され、充分硬化された純金属成分を形成する。電子部品上のPARMOD(商標)コンダクターの接着性は、電子部品に塗布されたポリイミド塗膜上にPARMOD(商標)をプリントすることによって、増進される。 (もっと読む)


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