【目的】ＳＣＥ（表面伝導型電子放出素子）型のフラットパネルディスプレイなどに使用され、その構成後に空気中などでの熱処理工程を経ることになる配線構造であって、この熱処理工程によっても表面の酸化や抵抗値の増加が起こらない配線構造を提供する。
【構成】銅で構成された導電母体３と、導電母体３とガラス基板１との間に介在しクロムなどからなる密着層２と、導電母体３の露出部の全体を被覆するクロムなどからなる保護層３とを設ける。この配線構造は、例えば、■密着層および導電母体とをリフトオフ法で形成し、その後、密着層および導電母体の配線パターンよりも幅の広いパターンによって保護層を形成することにより、あるいは■密着層および導電母体とを形成した後、保護層をめっき法によって形成することにより、製造される。 （もっと読む）

【目的】 導体部41とその側面を覆う絶縁部33a とを有する配線構造であって導体部および絶縁部41,33aの密着性が良い配線構造を形成する方法を提供する。
【構成】 下地31上に絶縁部形成用の絶縁層例えばポリイミド層を形成し、次にこの絶縁層の導体部形成予定領域を選択的に除去して絶縁部33a を形成する。該絶縁部33a の形成が済んだ下地上全面に、前記絶縁部と後に形成される導体部との密着性を確保でき、かつ、電解めっきの際の電流供給用薄膜として使用される薄膜37例えばチタン膜および白金膜をこの順に積層し薄膜37を形成する。該薄膜37の、導体部形成予定領域に対応する部分以外の部分を、絶縁性材料例えばホトマスク39で覆う。絶縁性材料39による被覆が済んだ試料にめっき例えば金めっきを施して導体部41を形成する。 （もっと読む）

【目的】 酸化物セラミックを用いて、低抵抗の銅による内部配線を可能とする。
【構成】 酸化物粉末を原料とするグリーンシート１０に、銅を配線材料として平面配線１８及び／またはビア１４を設け、該配線部１４、１８が表面に露出しない様に該配線部１４、１８を覆ってグリーンシート１０を積層し一体化した後1083〜1800℃の範囲にある最高温度で焼成することを特徴としている。 （もっと読む）

【目的】配線を高密度にし、一定の特性インピーダンスを実現した上で、絶縁特性に優れた配線板の製造法を提供すること。
【構成】以下の工程を含むこと。
Ａ．絶縁基板表面に第１の導体回路を形成する工程Ｂ．形成した導体回路の表面に、無電解めっきによって、ニッケル合金、コバルト合金、パラジウムおよび金から選択された１種以上の金属層を形成する工程Ｃ．めっきした回路導体を有する基板表面に、感光性樹脂層を形成し、バイアホールを形成する工程Ｄ．感光性樹脂層の表面を粗化し、無電解めっきによって、ニッケル合金、コバルト合金、パラジウムおよび金から選択された１種以上の金属層を形成し、さらに回路導体を形成する工程Ｅ．前記工程Ｂ〜Ｄを必要に応じて繰り返す工程 （もっと読む）

【目的】 ペースト中の樹脂及びレジストを完全に燃焼・焼失させる銅微細配線形成方法、更にその表面を平坦化する銅微細配線方法及びその銅微細配線を提供する。
【構成】 セラミックス基板１上に堆積したフォトレジスト２に、配線パターンに応じた開口部４を形成し、該開口部内に銅及び／または酸化銅，ガラスフリット並びに樹脂，溶剤及び可塑剤からなるビヒクルにて構成された導体ペースト５を平板ゴム６にて充填して乾燥後、大気中で、４００℃から６００℃の温度にて加熱して、フォトレジスト２及び導体ペースト５中の樹脂を完全に燃焼・焼失させ、酸化銅微細配線７を形成する。そして１０容量％以下を含む窒素ガス中で、６００℃から１０００℃の温度にて酸化銅微細配線７を還元すると共に焼結して銅微細配線８を形成する。更に電解メッキ法により銅微細配線８の表面に金属メッキ層を形成して、その表面を平坦化した銅微細配線を得る。 （もっと読む）

【構成】銅張積層板に、あらかじめエッチングの触媒となる貴金属３を付着した後、めっきレジスト４を被覆し、写真法により、導体パタ−ンとなる部分以外にめっきレジスト４を残しためっきレジスト４’を形成する。その後、化学銅めっきにより導体パタ−ン５を形成する。導体パタ−ン上に電気半田めっきでエッチングレジスト６を形成し、有機溶剤を用い、めっきレジスト４’を剥離除去する。その後、導体パタ−ン５以外の基材銅部を塩化第二銅の塩酸溶液でエッチング除去する。その後、導体パタ−ン５上のエッチングレジストの半田を硝酸系の半田除去液で溶解除去して導体パタ−ン５’を形成する。
【効果】セミアディティブ工法において、導体パタ−ン形成時パタ−ンの側面および裾部の食われを防止できる。 （もっと読む）