アゾ化合物の製造方法
【課題】 染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物を安価、かつ高純度に合成できる製造方法を提供することにある。
【解決手段】 下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の製造方法。
【解決手段】 下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アリールおよびヘテリルジアゾ成分とピリジンカプラーからなるアゾ色素のピリミジン環上のアミノ基に、アリール基およびヘテリル基を導入する手段としては、塩基性条件下、ＤＭＳＯなどの極性非プロトン溶媒中で、ピラゾールジアゾ成分とピリジンカプラーからなるアゾ色素とクロロベンゾチアゾールを反応させる方法が報告されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、この方法は、反応系が複雑で副生成物が生成しやすくなり、収率が満足のいくものではない。
また、塩基、及び相間移動触媒存在下で、ピリジン系骨格を有するジアゾ色素とアリール化剤又はヘテリル化剤を反応させる方法が報告されている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、これらの方法は特にアリール化剤又はヘテリル化剤が反応する窒素上の置換基が嵩高い場合、原料或は中間体の残存、相間移動触媒又は溶媒との反応による副生物生成のため、高純度に目的物を得ることが難しく、高純度の目的物を得る合成方法が望まれていた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３７１０７９号公報
【特許文献２】特開２００４−１５５７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物を安価、かつ高純度に合成できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記実情に鑑み本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、上記課題を解決しうることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
【０００６】
＜１＞ 下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の製造方法。
【０００７】
【化１】
【０００８】
（一般式（Ｉ）中、Ｑはアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。Ｒ3およびＲ4は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。ただし、Ｒ3とＲ4が共に水素原子であることはない。Ａ1およびＡ2は、いずれもがＣ（Ｒ）であるか、またはこれらの一方がＣ（Ｒ）であり、他方がＮである。ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
【０００９】
【化２】
【００１０】
（一般式（ＩＩ）中、Ｑ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＱ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。）
【００１１】
【化３】
【００１２】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は一般式（Ｉ）中のＲ1と同義である。Ｘはハロゲン原子またはスルホニルオキシ基を表す。）
【００１３】
＜２＞ 一般式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＱが、ピラゾール、チアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾールまたはイミダゾールの各環を形成する基であることを特徴とする上記＜１＞に記載のアゾ化合物の製造方法。
＜３＞ 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であり、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする上記＜１＞に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００１４】
【化４】
【００１５】
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ1’はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。Ｒ5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基を表す。Ｒ6は水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。）
【００１６】
【化５】
【００１７】
（一般式（Ｖ）中、Ｒ1’’は水素原子、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2は、一般式（ＩＶ）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。一般式（Ｖ）中のＲ1’’が水素原子である場合、Ｒ1’とＲ1は同じ置換基を表し、Ｒ1’’が水素原子でない場合、Ｒ1’とＲ1’’は同じ置換基を表す。）
【００１８】
＜４＞ 前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００１９】
【化６】
【００２０】
（一般式（ＶＩ）中、Ｘは一般式（ＩＩＩ）のＸと同義である。Ｙは置換基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。）
【００２１】
＜５＞ 前記４級ホスホニウム系相間移動触媒が下記一般式(VII)で表される化合物であることを特徴とする上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００２２】
【化７】
【００２３】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｘは、ハロゲン原子、水酸基、又は硫酸水素基を表し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ0はそれぞれ独立に炭素数１〜１２の分岐していてもよいアルキル基を表し、互いに同じでも異なっていても良い。）
【００２４】
＜６＞ 前記芳香族炭化水素系溶媒が下記一般式(VIII)で表される溶媒であることを特徴とする上記＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００２５】
【化８】
【００２６】
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｚは、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキル基、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。ここでｎが２または３のとき、複数のＺは互いに同じでも、異なっていても良い。）
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物を安価、即ち高収率かつ高純度に合成できる製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明について詳細に説明する。
まず本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物について詳しく述べる。
前記一般式（Ｉ）中、Ｑはアリール基またはへテロ環基を表す。アリール基は、無置換のアリール基であっても、置換基を有するアリール基であっても良い。
【００２９】
置換基を有するアリール基もしくはヘテロ環基の該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アルキルアミノ基、アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基などが挙げられる。
【００３０】
置換基を有するアリール基の上記置換基を以下に、さらに詳細に説明する。
ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルキル基で、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜１０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチルが挙げられ、多シクロアルキル基、例えば、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基で、例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）やトリシクロアルキル基等の多環構造の基が挙げられる。好ましくは単環のシクロアルキル基、ビシクロアルキル基であり、単環のシクロアルキル基が得に好ましい。）、
【００３１】
アルケニル基［直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルケニル基で、好ましくは炭素数２〜３０のアルケニル基であり、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイルが挙げられ、下記の環状アルケニル基をも含む。シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基で、例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、多シクロアルケニル基、例えば、ビシクロアルケニル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基で、例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）であり、単環のシクロアルケニル基が特に好ましい。］ 、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【００３２】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基で、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５〜７員の置換もしくは無置換、飽和もしくは不飽和、芳香族もしくは非芳香族、単環もしくは縮環のヘテロ環基であり、より好ましくは、環構成原子が炭素原子、窒素原子および硫黄原子から選択され、かつ窒素原子、酸素原子および硫黄原子のいずれかのヘテロ原子を少なくとも一個有するヘテロ環基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリジル、４−ピリジル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、
【００３３】
アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、２，４−ジ−ｔ−アミルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基で、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基で、ヘテロ環部は前述のヘテロ環基で説明されたヘテロ環部が好ましく、例えば、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、
【００３４】
アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基であり、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基で、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基で、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基で、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００３５】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、炭素数０〜３０のヘテロ環アミノ基であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ、Ｎ−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基であり、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルメトキシカルボニルアミノ）、
【００３６】
アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基で、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基で、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基であり、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、
【００３７】
アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基で、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ基で、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基で、ヘテロ環部は前述のヘテロ環基で説明されたヘテロ環部が好ましく、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基で、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、
【００３８】
アルキルもしくはアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基であり、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルもしくはアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基であり、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基であり、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基で、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、
【００３９】
アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基で、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールもしくはヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基（ヘテロ環部は前述のヘテロ環基で説明されたヘテロ環部が好ましい）、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ、３−ピリジルアゾ、２−チアゾリルアゾ、２−ベンゾチアゾリルアゾ）、イミド基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のイミド基で、例えばＮ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基で、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、
【００４０】
ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基で、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基で、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基で、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）が挙げられる。
【００４１】
Ｑにおけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が挙げられ、フェニル基が好ましい。またＱにおけるヘテロ環基としては、無置換のヘテロ環基と上記の好ましい置換基を有するヘテロ環基が好ましく、特に５員環もしくは６員環の置換基を有するヘテロ環が好ましい。該へテロ環基は、ピラゾール、チアゾ−ル、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾールまたはイミダゾールの各環を形成する基、例えば、３−ピラゾリル、２−チアゾリル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、２−ベンゾチアゾリル、トリアジル、２−イミダゾリルなどが挙げられる。
【００４２】
Ｒ1は、アリール基またはへテロ環基を表す。アリール基またはヘテロ環基は、上記Ｑで説明したアリール基またはへテロ環基と同義である。Ｒ1のうち、置換および無置換の２−ピリジル基、２−チエニル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、トリアジル基および２−フリル基が好ましく、置換および無置換の２−ベンゾチアゾリル基がさらに好ましい。
【００４３】
Ｒ2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。
Ｒ2におけるアルキル基は、直鎖または分岐のアルキル基であり、無置換のアルキル基であっても、置換基を有するアルキル基であってもよい。該アルキル基は、置換基の炭素原子を除いた炭素原子数１〜３０のアルキル基が好ましい。該アルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチルなどが挙げられる。置換基を有するアルキル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。アルキル基のうち、好ましいものは無置換のアルキル基である。
【００４４】
Ｒ2におけるシクロアルキル基は、無置換のシクロアルキル基であっても置換基を有するアルキル基であってもよい。置換基を有するシクロアルキル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該シクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどが挙げられる。
【００４５】
Ｒ2におけるアルケニル基は、無置換のアルケニル基であっても、置換基を有するアルケニル基であってもよい。置換基を有するアルケニル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該アルケニル基としては、置換基の炭素原子を除いた炭素原子数が２〜３０のアルケニル基が好ましい。該アルケニル基としては、例えばアリル、プレニル、ゲラニル、オレイルなどが挙げられる。
【００４６】
Ｒ2におけるアルキニル基は、無置換のアルキニル基であっても置換基を有するアルキニル基であってもよい。置換基を有するアルキニル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該アルキニル基は、置換基の炭素原子を除いた炭素原子数が２〜３０のアルキニル基が好ましい。該アルキニル基としては、例えばエチニル、プロパルギルなどが挙げられる。
【００４７】
Ｒ2におけるアリール基は、無置換のアリール基であっても置換基を有するアリール基であってもよい。置換基を有するアリール基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｒ2におけるアリール基のうち、置換基を有するアリール基が好ましく、２位と６位に置換基を有するアリール基がさらに好ましい。該アリール基としては、例えば、２，６−ジエチル−４−メチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、メシチルなどが挙げられる。
【００４８】
Ｒ2におけるヘテロ環基は、無置換のヘテロ環基であっても置換基を有するヘテロ環基であってもよいが、好ましくは置換基を有するヘテロ環基である。該へテロ環基としては、例えば、２−ピリジル、２−ベンゾチアゾリルなどが挙げられる。
【００４９】
Ｒ2のうち、置換基を有する、アリール基もしくはヘテロ環基が好ましく、さらに２位と６位に置換基を有するアリール基が最も好ましい。
【００５０】
Ｒ3およびＲ4は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基、またはカルバモイル基を表す。ただし、Ｒ3とＲ4が共に水素原子であることはない。
Ｒ3およびＲ4におけるヘテロ環基、スルホニル基、アシル基、またはカルバモイル基に関しては、上記Ｒ2と同様である。
【００５１】
Ｒ3およびＲ4におけるアリール基は、無置換のアリール基であっても置換基を有するアリール基であってもよいが、好ましくは置換基を有するアリール基である。置換基を有するアリール基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該アリール基としては、例えば、２，６−ジエチル−４−メチルフェニル、２−トルイル、メシチル、４−オクチルフェニルなどが挙げられる。
【００５２】
Ａ1及びＡ2は、いずれもが−Ｃ（Ｒ）＝であるか、あるいはこれらの一方が−Ｃ（Ｒ）＝であり、他方が−Ｎ＝である。ここでＲは水素原子または置換基を表す。該置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。
【００５３】
一般式（ＩＩ）中、Ｑ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＱ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５４】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は一般式（Ｉ）のＲ1と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｘはハロゲン原子又はスルホニルオキシ基を表し、塩素もしくは臭素原子、又はベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキシもしくはメタンスルホニルオキシ基が好ましい。
【００５５】
本発明において、一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩ）は、それぞれ一般式（ＩＶ）および一般式（Ｖ）であることが特に好ましい。
一般式（ＩＶ）および（Ｖ）中、Ｒ1’、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。Ｒ1’’は水素原子、アリール基またはヘテロ環基を表す。一般式（Ｖ）中のＲ1’’が水素原子である場合、Ｒ1’とＲ1は同じ置換基を表し、Ｒ1’’が水素原子でない場合、Ｒ1’とＲ1’’は同じ置換基を表す。
Ｒ5は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基を表す。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基は上記Ｒ2で説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基と同義である。Ｒ2はイソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が最も好ましい。Ｒ6は、水素原子、ハロゲン原子、またはシアノ基を表し、シアノ基が最も好ましい。
【００５６】
本発明において、一般式（ＩＩＩ）は、一般式（ＶＩ）であることがさらに好ましい。
一般式（ＶＩ）中、Ｘは一般式（ＩＩＩ）のＸと同義である。
Ｙは置換基を表す。Ｙは、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙとしては、ハロゲン原子、スルファモイル基、カルボキシル基またはスルホ基がより好ましく、スルファモイル基、カルボキシル基またはスルホ基が更に好ましい。
ｎは０〜４の整数であり、置換基Ｙの数を表す。ｎは０〜２が好ましく、０または１がより好ましい。
【００５７】
本反応で用いる一般式（ＶＩＩ）で示される４級ホスホニウム塩系相間移動触媒について説明する。
一般式（ＶＩＩ）中、Ｘは、ハロゲン原子、水酸基、硫酸水素基を表し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ0はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の分岐していてもよいアルキル基を示し、互いに同じでも異なっていても良い。この中で好ましい４級ホスホニウム塩相間移動触媒としては、Ｒ7〜Ｒ0の４つのアルキル鎖の内、少なくとも３つが同一であり、且つアルキル鎖が２〜１２の４級ホスホニウム塩が挙げられる。更に好ましくは、Ｒ7〜Ｒ0の４つのアルキル鎖が同一であり、且つアルキル鎖が２〜１２の４級ホスホニウム塩である。
【００５８】
本反応で用いる一般式（ＶＩＩＩ）で示される芳香族炭化水素系溶媒について説明する 。一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｚは、互いに同じでも、異なっていても良い置換基を表し、 その置換基は、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキル基、アルキルオキシ基、ハロ ゲン原子を示す。ｎは１〜３の整数を表す。この中で、好ましい溶媒としては、ｎが１ 〜３のアルキルベンゼン類、ｎが１〜２のアルキルオキシベンゼン類及びハロゲン化ベ ンゼン類であり、更に好ましくは、ｎが１〜３でアルキル鎖の炭素数が１〜５のアルキ ルベンゼン類、ｎが１〜２のアルキルオキシベンゼン類、クロロベンゼンが挙げられる 。
【００５９】
以下に一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、下記の例に限定されるものではない。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】
【表４】
【００６４】
【表５】
【００６５】
【表６】
【００６６】
次に本発明による一般式（Ｉ）で表される化合物の合成法について詳細に説明する。
本発明の合成法は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下に、アリール化剤またはヘテリル化剤とを芳香族炭化水素系溶媒中で反応させることを特徴としている。
相関移動触媒としては４級アンモニウム塩化合物、例えば、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、ヨウ化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム等を用いる方法が知られているが、反応条件によっては、これらの４級アンモニウム塩がアルキル化剤として作用することがある。例えば本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の合成工程において臭化テトラブチルアンモニウムを用いると副反応としてＮ−ブチル体が、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムを用いるとＮ−ベンジル体が無視できないほど生成することが本発明者らの検討により明らかとなった。一方で本発明の製造方法の特徴である４級ホスホニウム系化合物を用いた場合にはＮ−アルキル化された副生物がまったく生成せず、本発明の製造方法の大きな利点である。
ここで用いられる芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、エチルベンゼン、クメン、キシレン、メシチレン等のアルキルベンゼン系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化ベンゼン系溶媒、アニソール、１，２−ジメトキシベンゼン等のエーテル系溶媒などを挙げることができるがこれらに限定されるものでない。またこれらの芳香族炭化水素系溶媒にドナーナンバー２５以上の溶媒を芳香族炭化水素系溶媒に対して、１／１００〜１／３容量添加しても良い。ドナーナンバー２５以上の溶媒としては、アミド類（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなど）、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【００６７】
本反応で用いる反応溶媒は、一般式（ＩＩ）で表される化合物の質量に対して０．２〜５０倍量用いるのが好ましく、０．５〜２０倍量用いるのがさらに好ましい。
【００６８】
本反応に用いる無機塩基は、炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等のアルカリ炭酸塩及びアルカリ土類炭酸塩、水酸化セシウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム等のアルカリ水酸化物塩、およびアルカリ土類水酸化物塩を用いることができるが、好ましくはアルカリ炭酸塩、又は、アルカリ水酸化物塩であり、特に好ましくは、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、水酸化セシウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム及び水酸化リチウムである。また、本反応に用いる一般式(II)で表される反応基質が塩酸塩、硫酸水素塩等の塩である場合、これらの無機塩に加えて、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して０．０１〜１．０当量の有機塩基（ピリジン、ピコリン等のピリジン類、又は、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の３級アミン等）を併用することも有効である。
【００６９】
本反応で用いる無機塩基は、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して好ましくはモル数で５０当量以下で、より好ましくは１〜１０当量である。
【００７０】
本反応で用いるアリール化剤またはヘテリル化剤は、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して好ましくはモル数で２０当量以下で、より好ましくは１〜６当量である。
【００７１】
本反応で用いる４級ホスホニウム系相関移動触媒は、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して好ましくはモル数で０．００１〜２当量で、より好ましくは０．０１〜１当量である。
【００７２】
本発明の反応は、必ずしも脱酸素条件下（酸素ガスが低濃度である条件下）で行う必要はないが、安全性上、反応系内を窒素、アルゴン等の不活性ガスで満たして製造することは可能である。
【００７３】
本反応における反応温度は、反応基質、アリール化剤又はヘテリル化剤等よって異なるが、一般的に５０℃から１７０℃が好ましく、７０℃から１５０℃がより好ましい。
【００７４】
通常、本反応に要要する時間は、反応温度、塩基、反応剤などに左右されるが、概ね１〜２４時間である。反応温度は、８０℃から１５０℃で、反応時間が２〜１２時間が好ましい。反応終了はＮＭＲ、ＨＰＬＣ、ＴＬＣ、その他の方法によって確認することが出来る。
【実施例】
【００７５】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００７６】
（実施例１）
＜化合物（Ｉ−１）の合成＞
化合物（ＩＩ−１）（１塩酸塩）１０ｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．０５ｇ（５１．０１ｍｍｏｌ）、テトラブチルホスホニウムブロミド１．０８ｇ（３．１８ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール８．１１ｇ（４７．８１ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬ、およびＤＭＳＯ ２０ｍｌの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で６時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は９２．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。
前記反応溶液を放冷して内温が７０℃まで下がったところに、温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１２．０ｇ（収率８８％）を得た。
この結晶の純度は９８．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００７７】
（実施例２）
＜化合物（Ｉ−１）の合成＞
化合物（ＩＩ−１）（１塩酸）１０．０ｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．０５ｇ（５１．０１ｍｍｏｌ）、テトラブチルホスホニウムブロミド１．０８ｇ（３．１８ｍｍｏｌ）、３−メチルピリジン０．３０ｇ（３．２２ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール１０．８２ｇ（６３．７９ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬ、および、ＤＭＳＯ ２０ｍＬの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で５時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は９２．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。
前記反応溶液を放冷して内温が７０℃まで下がったところに、温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥させて、化合物（Ｉ−１）１２．０ｇ（収率８４％）を得た。この結晶の純度は９８．９％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００７８】
（実施例３）
＜化合物（Ｉ−１）の合成＞
化合物（ＩＩ−６）１０．０ｇ（１３．８１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．８２ｇ（２７．６４ｍｍｏｌ）、テトラブチルホスホニウムブロミド０．９４ｇ（２．７７ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール３．５１ｇ（２０．６９ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で４時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は８９．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。放冷して内温が７０℃まで下がったところに温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１０．０ｇ（収率８４．５％）を得た。
この結晶の純度は９９．１％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００７９】
（比較例１）
化合物（ＩＩ−１）（塩酸塩）１０．０ｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム８．８１ｇ（６３．７６ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．２３ｇ（３．８３ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール１０．８２ｇ（６３．７９ｍｍｏｌ）、酢酸ブチル２０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、内温１１０〜１１５℃で６時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は８７．８％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。放冷して内温が７０℃まで下がったところに水２０ｍＬ、トルエン２０ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール９０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール４０ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１１．５ｇ（収率８４．２％）を得た。
この結晶の純度は９５．１％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であり、副生成物としてジアリールアニリン部の窒素原子がアセチル化された化合物が１．８％、ブチル化された化合物が２．１％（いずれもＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）混入していた。
副生成物を除去するため、精製を行った。上記で得られた化合物（Ｉ−１）１１．５ｇをトルエン４６ｍＬ、酢酸エチル１１．５ｍＬの混合溶媒で加熱溶解し、メタノール１１５ｍＬを滴下し晶析する。この晶析液を冷却後、結晶をろ取した。得られた結晶をメタノール４６ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１０．９ｇ（収率９４．８％：トータル収率：７９．８％）を得た。この結晶の純度は９８．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００８０】
（比較例２）
化合物（ＩＩ−６）１０．０ｇ（１３．８１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．８２ｇ（２７．６４ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．０７ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール３．５１ｇ（２０．６９ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で４時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は８９．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。放冷して内温が７０℃まで下がったところに温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）９．５ｇ（収率８０．３％）を得た。この結晶の純度は９５．０％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
上記で得られた化合物（Ｉ−１）９．５ｇをトルエン３８ｍＬ、酢酸エチル９．５ｍＬの混合溶媒で加熱溶解し、メタノール９５ｍＬを滴下し晶析する。この晶析液を冷却後、結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール３８ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）９．１ｇ（収率９５．８％：トータル収率：７６．９％）を得た。この結晶の純度は９８．８％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アリールおよびヘテリルジアゾ成分とピリジンカプラーからなるアゾ色素のピリミジン環上のアミノ基に、アリール基およびヘテリル基を導入する手段としては、塩基性条件下、ＤＭＳＯなどの極性非プロトン溶媒中で、ピラゾールジアゾ成分とピリジンカプラーからなるアゾ色素とクロロベンゾチアゾールを反応させる方法が報告されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、この方法は、反応系が複雑で副生成物が生成しやすくなり、収率が満足のいくものではない。
また、塩基、及び相間移動触媒存在下で、ピリジン系骨格を有するジアゾ色素とアリール化剤又はヘテリル化剤を反応させる方法が報告されている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、これらの方法は特にアリール化剤又はヘテリル化剤が反応する窒素上の置換基が嵩高い場合、原料或は中間体の残存、相間移動触媒又は溶媒との反応による副生物生成のため、高純度に目的物を得ることが難しく、高純度の目的物を得る合成方法が望まれていた。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３７１０７９号公報
【特許文献２】特開２００４−１５５７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物を安価、かつ高純度に合成できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記実情に鑑み本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、上記課題を解決しうることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
【０００６】
＜１＞ 下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の製造方法。
【０００７】
【化１】
【０００８】
（一般式（Ｉ）中、Ｑはアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。Ｒ3およびＲ4は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。ただし、Ｒ3とＲ4が共に水素原子であることはない。Ａ1およびＡ2は、いずれもがＣ（Ｒ）であるか、またはこれらの一方がＣ（Ｒ）であり、他方がＮである。ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
【０００９】
【化２】
【００１０】
（一般式（ＩＩ）中、Ｑ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＱ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。）
【００１１】
【化３】
【００１２】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は一般式（Ｉ）中のＲ1と同義である。Ｘはハロゲン原子またはスルホニルオキシ基を表す。）
【００１３】
＜２＞ 一般式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＱが、ピラゾール、チアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾールまたはイミダゾールの各環を形成する基であることを特徴とする上記＜１＞に記載のアゾ化合物の製造方法。
＜３＞ 前記一般式（Ｉ）で表される化合物が下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であり、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする上記＜１＞に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００１４】
【化４】
【００１５】
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ1’はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。Ｒ5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基を表す。Ｒ6は水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。）
【００１６】
【化５】
【００１７】
（一般式（Ｖ）中、Ｒ1’’は水素原子、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2は、一般式（ＩＶ）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。一般式（Ｖ）中のＲ1’’が水素原子である場合、Ｒ1’とＲ1は同じ置換基を表し、Ｒ1’’が水素原子でない場合、Ｒ1’とＲ1’’は同じ置換基を表す。）
【００１８】
＜４＞ 前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００１９】
【化６】
【００２０】
（一般式（ＶＩ）中、Ｘは一般式（ＩＩＩ）のＸと同義である。Ｙは置換基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。）
【００２１】
＜５＞ 前記４級ホスホニウム系相間移動触媒が下記一般式(VII)で表される化合物であることを特徴とする上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００２２】
【化７】
【００２３】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｘは、ハロゲン原子、水酸基、又は硫酸水素基を表し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ0はそれぞれ独立に炭素数１〜１２の分岐していてもよいアルキル基を表し、互いに同じでも異なっていても良い。）
【００２４】
＜６＞ 前記芳香族炭化水素系溶媒が下記一般式(VIII)で表される溶媒であることを特徴とする上記＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【００２５】
【化８】
【００２６】
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｚは、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキル基、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。ここでｎが２または３のとき、複数のＺは互いに同じでも、異なっていても良い。）
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、染料、医薬品などの機能性化合物の中間体、原料として有用であるアゾ化合物を安価、即ち高収率かつ高純度に合成できる製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明について詳細に説明する。
まず本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物について詳しく述べる。
前記一般式（Ｉ）中、Ｑはアリール基またはへテロ環基を表す。アリール基は、無置換のアリール基であっても、置換基を有するアリール基であっても良い。
【００２９】
置換基を有するアリール基もしくはヘテロ環基の該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アルキルアミノ基、アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基などが挙げられる。
【００３０】
置換基を有するアリール基の上記置換基を以下に、さらに詳細に説明する。
ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルキル基で、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜１０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチルが挙げられ、多シクロアルキル基、例えば、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基で、例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）やトリシクロアルキル基等の多環構造の基が挙げられる。好ましくは単環のシクロアルキル基、ビシクロアルキル基であり、単環のシクロアルキル基が得に好ましい。）、
【００３１】
アルケニル基［直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルケニル基で、好ましくは炭素数２〜３０のアルケニル基であり、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイルが挙げられ、下記の環状アルケニル基をも含む。シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基で、例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、多シクロアルケニル基、例えば、ビシクロアルケニル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基で、例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）であり、単環のシクロアルケニル基が特に好ましい。］ 、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【００３２】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基で、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５〜７員の置換もしくは無置換、飽和もしくは不飽和、芳香族もしくは非芳香族、単環もしくは縮環のヘテロ環基であり、より好ましくは、環構成原子が炭素原子、窒素原子および硫黄原子から選択され、かつ窒素原子、酸素原子および硫黄原子のいずれかのヘテロ原子を少なくとも一個有するヘテロ環基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリジル、４−ピリジル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、
【００３３】
アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、２，４−ジ−ｔ−アミルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基で、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基で、ヘテロ環部は前述のヘテロ環基で説明されたヘテロ環部が好ましく、例えば、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、
【００３４】
アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基であり、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基で、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基で、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基で、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００３５】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、炭素数０〜３０のヘテロ環アミノ基であり、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ、Ｎ−１，３，５−トリアジン−２−イルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基であり、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルメトキシカルボニルアミノ）、
【００３６】
アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基で、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基で、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルもしくはアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基であり、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、
【００３７】
アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基で、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ基で、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基で、ヘテロ環部は前述のヘテロ環基で説明されたヘテロ環部が好ましく、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基で、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、
【００３８】
アルキルもしくはアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基であり、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルもしくはアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基であり、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基であり、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基で、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、
【００３９】
アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基で、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールもしくはヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基（ヘテロ環部は前述のヘテロ環基で説明されたヘテロ環部が好ましい）、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ、３−ピリジルアゾ、２−チアゾリルアゾ、２−ベンゾチアゾリルアゾ）、イミド基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のイミド基で、例えばＮ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基で、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、
【００４０】
ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基で、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基で、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基で、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）が挙げられる。
【００４１】
Ｑにおけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が挙げられ、フェニル基が好ましい。またＱにおけるヘテロ環基としては、無置換のヘテロ環基と上記の好ましい置換基を有するヘテロ環基が好ましく、特に５員環もしくは６員環の置換基を有するヘテロ環が好ましい。該へテロ環基は、ピラゾール、チアゾ−ル、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾールまたはイミダゾールの各環を形成する基、例えば、３−ピラゾリル、２−チアゾリル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、２−ベンゾチアゾリル、トリアジル、２−イミダゾリルなどが挙げられる。
【００４２】
Ｒ1は、アリール基またはへテロ環基を表す。アリール基またはヘテロ環基は、上記Ｑで説明したアリール基またはへテロ環基と同義である。Ｒ1のうち、置換および無置換の２−ピリジル基、２−チエニル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、トリアジル基および２−フリル基が好ましく、置換および無置換の２−ベンゾチアゾリル基がさらに好ましい。
【００４３】
Ｒ2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。
Ｒ2におけるアルキル基は、直鎖または分岐のアルキル基であり、無置換のアルキル基であっても、置換基を有するアルキル基であってもよい。該アルキル基は、置換基の炭素原子を除いた炭素原子数１〜３０のアルキル基が好ましい。該アルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチルなどが挙げられる。置換基を有するアルキル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。アルキル基のうち、好ましいものは無置換のアルキル基である。
【００４４】
Ｒ2におけるシクロアルキル基は、無置換のシクロアルキル基であっても置換基を有するアルキル基であってもよい。置換基を有するシクロアルキル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該シクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどが挙げられる。
【００４５】
Ｒ2におけるアルケニル基は、無置換のアルケニル基であっても、置換基を有するアルケニル基であってもよい。置換基を有するアルケニル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該アルケニル基としては、置換基の炭素原子を除いた炭素原子数が２〜３０のアルケニル基が好ましい。該アルケニル基としては、例えばアリル、プレニル、ゲラニル、オレイルなどが挙げられる。
【００４６】
Ｒ2におけるアルキニル基は、無置換のアルキニル基であっても置換基を有するアルキニル基であってもよい。置換基を有するアルキニル基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該アルキニル基は、置換基の炭素原子を除いた炭素原子数が２〜３０のアルキニル基が好ましい。該アルキニル基としては、例えばエチニル、プロパルギルなどが挙げられる。
【００４７】
Ｒ2におけるアリール基は、無置換のアリール基であっても置換基を有するアリール基であってもよい。置換基を有するアリール基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｒ2におけるアリール基のうち、置換基を有するアリール基が好ましく、２位と６位に置換基を有するアリール基がさらに好ましい。該アリール基としては、例えば、２，６−ジエチル−４−メチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、メシチルなどが挙げられる。
【００４８】
Ｒ2におけるヘテロ環基は、無置換のヘテロ環基であっても置換基を有するヘテロ環基であってもよいが、好ましくは置換基を有するヘテロ環基である。該へテロ環基としては、例えば、２−ピリジル、２−ベンゾチアゾリルなどが挙げられる。
【００４９】
Ｒ2のうち、置換基を有する、アリール基もしくはヘテロ環基が好ましく、さらに２位と６位に置換基を有するアリール基が最も好ましい。
【００５０】
Ｒ3およびＲ4は、各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基、またはカルバモイル基を表す。ただし、Ｒ3とＲ4が共に水素原子であることはない。
Ｒ3およびＲ4におけるヘテロ環基、スルホニル基、アシル基、またはカルバモイル基に関しては、上記Ｒ2と同様である。
【００５１】
Ｒ3およびＲ4におけるアリール基は、無置換のアリール基であっても置換基を有するアリール基であってもよいが、好ましくは置換基を有するアリール基である。置換基を有するアリール基の置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。該アリール基としては、例えば、２，６−ジエチル−４−メチルフェニル、２−トルイル、メシチル、４−オクチルフェニルなどが挙げられる。
【００５２】
Ａ1及びＡ2は、いずれもが−Ｃ（Ｒ）＝であるか、あるいはこれらの一方が−Ｃ（Ｒ）＝であり、他方が−Ｎ＝である。ここでＲは水素原子または置換基を表す。該置換基は、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。
【００５３】
一般式（ＩＩ）中、Ｑ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＱ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５４】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は一般式（Ｉ）のＲ1と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｘはハロゲン原子又はスルホニルオキシ基を表し、塩素もしくは臭素原子、又はベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキシもしくはメタンスルホニルオキシ基が好ましい。
【００５５】
本発明において、一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩ）は、それぞれ一般式（ＩＶ）および一般式（Ｖ）であることが特に好ましい。
一般式（ＩＶ）および（Ｖ）中、Ｒ1’、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。Ｒ1’’は水素原子、アリール基またはヘテロ環基を表す。一般式（Ｖ）中のＲ1’’が水素原子である場合、Ｒ1’とＲ1は同じ置換基を表し、Ｒ1’’が水素原子でない場合、Ｒ1’とＲ1’’は同じ置換基を表す。
Ｒ5は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基を表す。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基は上記Ｒ2で説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基と同義である。Ｒ2はイソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が最も好ましい。Ｒ6は、水素原子、ハロゲン原子、またはシアノ基を表し、シアノ基が最も好ましい。
【００５６】
本発明において、一般式（ＩＩＩ）は、一般式（ＶＩ）であることがさらに好ましい。
一般式（ＶＩ）中、Ｘは一般式（ＩＩＩ）のＸと同義である。
Ｙは置換基を表す。Ｙは、Ｑにおける置換基を有するアリール基の置換基として挙げたものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙとしては、ハロゲン原子、スルファモイル基、カルボキシル基またはスルホ基がより好ましく、スルファモイル基、カルボキシル基またはスルホ基が更に好ましい。
ｎは０〜４の整数であり、置換基Ｙの数を表す。ｎは０〜２が好ましく、０または１がより好ましい。
【００５７】
本反応で用いる一般式（ＶＩＩ）で示される４級ホスホニウム塩系相間移動触媒について説明する。
一般式（ＶＩＩ）中、Ｘは、ハロゲン原子、水酸基、硫酸水素基を表し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ0はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の分岐していてもよいアルキル基を示し、互いに同じでも異なっていても良い。この中で好ましい４級ホスホニウム塩相間移動触媒としては、Ｒ7〜Ｒ0の４つのアルキル鎖の内、少なくとも３つが同一であり、且つアルキル鎖が２〜１２の４級ホスホニウム塩が挙げられる。更に好ましくは、Ｒ7〜Ｒ0の４つのアルキル鎖が同一であり、且つアルキル鎖が２〜１２の４級ホスホニウム塩である。
【００５８】
本反応で用いる一般式（ＶＩＩＩ）で示される芳香族炭化水素系溶媒について説明する 。一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｚは、互いに同じでも、異なっていても良い置換基を表し、 その置換基は、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキル基、アルキルオキシ基、ハロ ゲン原子を示す。ｎは１〜３の整数を表す。この中で、好ましい溶媒としては、ｎが１ 〜３のアルキルベンゼン類、ｎが１〜２のアルキルオキシベンゼン類及びハロゲン化ベ ンゼン類であり、更に好ましくは、ｎが１〜３でアルキル鎖の炭素数が１〜５のアルキ ルベンゼン類、ｎが１〜２のアルキルオキシベンゼン類、クロロベンゼンが挙げられる 。
【００５９】
以下に一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表される化合物の具体例を以下に示すが、下記の例に限定されるものではない。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】
【表４】
【００６４】
【表５】
【００６５】
【表６】
【００６６】
次に本発明による一般式（Ｉ）で表される化合物の合成法について詳細に説明する。
本発明の合成法は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下に、アリール化剤またはヘテリル化剤とを芳香族炭化水素系溶媒中で反応させることを特徴としている。
相関移動触媒としては４級アンモニウム塩化合物、例えば、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、ヨウ化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム等を用いる方法が知られているが、反応条件によっては、これらの４級アンモニウム塩がアルキル化剤として作用することがある。例えば本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の合成工程において臭化テトラブチルアンモニウムを用いると副反応としてＮ−ブチル体が、塩化ベンジルトリエチルアンモニウムを用いるとＮ−ベンジル体が無視できないほど生成することが本発明者らの検討により明らかとなった。一方で本発明の製造方法の特徴である４級ホスホニウム系化合物を用いた場合にはＮ−アルキル化された副生物がまったく生成せず、本発明の製造方法の大きな利点である。
ここで用いられる芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、エチルベンゼン、クメン、キシレン、メシチレン等のアルキルベンゼン系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化ベンゼン系溶媒、アニソール、１，２−ジメトキシベンゼン等のエーテル系溶媒などを挙げることができるがこれらに限定されるものでない。またこれらの芳香族炭化水素系溶媒にドナーナンバー２５以上の溶媒を芳香族炭化水素系溶媒に対して、１／１００〜１／３容量添加しても良い。ドナーナンバー２５以上の溶媒としては、アミド類（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなど）、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【００６７】
本反応で用いる反応溶媒は、一般式（ＩＩ）で表される化合物の質量に対して０．２〜５０倍量用いるのが好ましく、０．５〜２０倍量用いるのがさらに好ましい。
【００６８】
本反応に用いる無機塩基は、炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等のアルカリ炭酸塩及びアルカリ土類炭酸塩、水酸化セシウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム等のアルカリ水酸化物塩、およびアルカリ土類水酸化物塩を用いることができるが、好ましくはアルカリ炭酸塩、又は、アルカリ水酸化物塩であり、特に好ましくは、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、水酸化セシウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム及び水酸化リチウムである。また、本反応に用いる一般式(II)で表される反応基質が塩酸塩、硫酸水素塩等の塩である場合、これらの無機塩に加えて、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して０．０１〜１．０当量の有機塩基（ピリジン、ピコリン等のピリジン類、又は、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の３級アミン等）を併用することも有効である。
【００６９】
本反応で用いる無機塩基は、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して好ましくはモル数で５０当量以下で、より好ましくは１〜１０当量である。
【００７０】
本反応で用いるアリール化剤またはヘテリル化剤は、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して好ましくはモル数で２０当量以下で、より好ましくは１〜６当量である。
【００７１】
本反応で用いる４級ホスホニウム系相関移動触媒は、原料となる一般式（ＩＩ）で表される化合物に対して好ましくはモル数で０．００１〜２当量で、より好ましくは０．０１〜１当量である。
【００７２】
本発明の反応は、必ずしも脱酸素条件下（酸素ガスが低濃度である条件下）で行う必要はないが、安全性上、反応系内を窒素、アルゴン等の不活性ガスで満たして製造することは可能である。
【００７３】
本反応における反応温度は、反応基質、アリール化剤又はヘテリル化剤等よって異なるが、一般的に５０℃から１７０℃が好ましく、７０℃から１５０℃がより好ましい。
【００７４】
通常、本反応に要要する時間は、反応温度、塩基、反応剤などに左右されるが、概ね１〜２４時間である。反応温度は、８０℃から１５０℃で、反応時間が２〜１２時間が好ましい。反応終了はＮＭＲ、ＨＰＬＣ、ＴＬＣ、その他の方法によって確認することが出来る。
【実施例】
【００７５】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００７６】
（実施例１）
＜化合物（Ｉ−１）の合成＞
化合物（ＩＩ−１）（１塩酸塩）１０ｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．０５ｇ（５１．０１ｍｍｏｌ）、テトラブチルホスホニウムブロミド１．０８ｇ（３．１８ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール８．１１ｇ（４７．８１ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬ、およびＤＭＳＯ ２０ｍｌの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で６時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は９２．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。
前記反応溶液を放冷して内温が７０℃まで下がったところに、温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１２．０ｇ（収率８８％）を得た。
この結晶の純度は９８．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００７７】
（実施例２）
＜化合物（Ｉ−１）の合成＞
化合物（ＩＩ−１）（１塩酸）１０．０ｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．０５ｇ（５１．０１ｍｍｏｌ）、テトラブチルホスホニウムブロミド１．０８ｇ（３．１８ｍｍｏｌ）、３−メチルピリジン０．３０ｇ（３．２２ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール１０．８２ｇ（６３．７９ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬ、および、ＤＭＳＯ ２０ｍＬの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で５時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は９２．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。
前記反応溶液を放冷して内温が７０℃まで下がったところに、温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥させて、化合物（Ｉ−１）１２．０ｇ（収率８４％）を得た。この結晶の純度は９８．９％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００７８】
（実施例３）
＜化合物（Ｉ−１）の合成＞
化合物（ＩＩ−６）１０．０ｇ（１３．８１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．８２ｇ（２７．６４ｍｍｏｌ）、テトラブチルホスホニウムブロミド０．９４ｇ（２．７７ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール３．５１ｇ（２０．６９ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で４時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は８９．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。放冷して内温が７０℃まで下がったところに温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１０．０ｇ（収率８４．５％）を得た。
この結晶の純度は９９．１％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００７９】
（比較例１）
化合物（ＩＩ−１）（塩酸塩）１０．０ｇ（１５．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム８．８１ｇ（６３．７６ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．２３ｇ（３．８３ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール１０．８２ｇ（６３．７９ｍｍｏｌ）、酢酸ブチル２０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、内温１１０〜１１５℃で６時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は８７．８％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。放冷して内温が７０℃まで下がったところに水２０ｍＬ、トルエン２０ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール９０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール４０ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１１．５ｇ（収率８４．２％）を得た。
この結晶の純度は９５．１％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であり、副生成物としてジアリールアニリン部の窒素原子がアセチル化された化合物が１．８％、ブチル化された化合物が２．１％（いずれもＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）混入していた。
副生成物を除去するため、精製を行った。上記で得られた化合物（Ｉ−１）１１．５ｇをトルエン４６ｍＬ、酢酸エチル１１．５ｍＬの混合溶媒で加熱溶解し、メタノール１１５ｍＬを滴下し晶析する。この晶析液を冷却後、結晶をろ取した。得られた結晶をメタノール４６ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）１０．９ｇ（収率９４．８％：トータル収率：７９．８％）を得た。この結晶の純度は９８．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【００８０】
（比較例２）
化合物（ＩＩ−６）１０．０ｇ（１３．８１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．８２ｇ（２７．６４ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．０７ｇ（３．３１ｍｍｏｌ）、クロロベンゾチアゾール３．５１ｇ（２０．６９ｍｍｏｌ）、トルエン１９ｍＬの混合溶液を内温１１０〜１２０℃で４時間加熱した。このとき、化合物（Ｉ−１）の生成率は８９．５％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）だった。放冷して内温が７０℃まで下がったところに温水３０ｍＬ、トルエン１０ｍＬ及びＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）２ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた油相にメタノール６０ｍＬを滴下し、晶析し、析出した結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール２４ｍＬで洗浄後、水６０ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）９．５ｇ（収率８０．３％）を得た。この結晶の純度は９５．０％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
上記で得られた化合物（Ｉ−１）９．５ｇをトルエン３８ｍＬ、酢酸エチル９．５ｍＬの混合溶媒で加熱溶解し、メタノール９５ｍＬを滴下し晶析する。この晶析液を冷却後、結晶をろ取した。
得られた結晶をメタノール３８ｍＬで洗浄し、乾燥して、化合物（Ｉ−１）９．１ｇ（収率９５．８％：トータル収率：７６．９％）を得た。この結晶の純度は９８．８％（ＨＰＬＣ面積％、測定波長２５４ｎｍ）であった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の製造方法。
【化１】
（一般式（Ｉ）中、Ｑはアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。Ｒ3およびＲ4は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。ただし、Ｒ3とＲ4が共に水素原子であることはない。Ａ1およびＡ2は、いずれもがＣ（Ｒ）であるか、またはこれらの一方がＣ（Ｒ）であり、他方がＮである。ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
【化２】
（一般式（ＩＩ）中、Ｑ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＱ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。）
【化３】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は一般式（Ｉ）中のＲ1と同義である。Ｘはハロゲン原子またはスルホニルオキシ基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＱが、ピラゾール、チアゾ−ル、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾールまたはイミダゾールの各環を形成する基であることを特徴とする請求項１に記載のアゾ化合物の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であり、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化４】
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ1’はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。Ｒ5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基を表す。Ｒ6は水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。）
【化５】
（一般式（Ｖ）中、Ｒ1’’は水素原子、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2は、一般式（ＩＶ）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。一般式（Ｖ）中のＲ1’’が水素原子である場合、Ｒ1’とＲ1は同じ置換基を表し、Ｒ1’’が水素原子でない場合、Ｒ1’とＲ1’’は同じ置換基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化６】
（一般式（ＶＩ）中、Ｘは一般式（ＩＩＩ）のＸと同義である。Ｙは置換基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。）
【請求項５】
前記４級ホスホニウム系相間移動触媒が下記一般式(VII)で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化７】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｘは、ハロゲン原子、水酸基、又は硫酸水素基を表し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ0はそれぞれ独立に炭素数１〜１２の分岐していてもよいアルキル基を表し、互いに同じでも異なっていても良い。）
【請求項６】
前記芳香族炭化水素系溶媒が下記一般式(VIII)で表される溶媒であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化８】
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｚは、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキル基、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。ここでｎが２または３のとき、複数のＺは互いに同じでも、異なっていても良い。）
【請求項１】
下記一般式（ＩＩ）で表される化合物を、無機塩基及び４級ホスホニウム系相間移動触媒存在下、芳香族炭化水素系溶媒中で、下記一般式（ＩＩＩ）で表されるアリール化剤またはヘテリル化剤と反応させることを特徴とする、下記一般式（Ｉ）で表されるアゾ化合物の製造方法。
【化１】
（一般式（Ｉ）中、Ｑはアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。Ｒ3およびＲ4は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、スルホニル基、アシル基またはカルバモイル基を表す。ただし、Ｒ3とＲ4が共に水素原子であることはない。Ａ1およびＡ2は、いずれもがＣ（Ｒ）であるか、またはこれらの一方がＣ（Ｒ）であり、他方がＮである。ここで、Ｒは水素原子または置換基を表す。）
【化２】
（一般式（ＩＩ）中、Ｑ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＱ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。）
【化３】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ1は一般式（Ｉ）中のＲ1と同義である。Ｘはハロゲン原子またはスルホニルオキシ基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｉ）および（ＩＩ）中のＱが、ピラゾール、チアゾ−ル、１，２，４−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、ベンゾチアゾール、トリアゾールまたはイミダゾールの各環を形成する基であることを特徴とする請求項１に記載のアゾ化合物の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であり、前記一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（Ｖ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化４】
（一般式（ＩＶ）中、Ｒ1’はアリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2は、一般式（Ｉ）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。Ｒ5は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロ環基またはアシル基を表す。Ｒ6は水素原子、ハロゲン原子またはシアノ基を表す。）
【化５】
（一般式（Ｖ）中、Ｒ1’’は水素原子、アリール基またはヘテロ環基を表す。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2は、一般式（ＩＶ）中のＲ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ａ1およびＡ2とそれぞれ同義である。一般式（Ｖ）中のＲ1’’が水素原子である場合、Ｒ1’とＲ1は同じ置換基を表し、Ｒ1’’が水素原子でない場合、Ｒ1’とＲ1’’は同じ置換基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化６】
（一般式（ＶＩ）中、Ｘは一般式（ＩＩＩ）のＸと同義である。Ｙは置換基を表す。ｎは０〜４の整数を表す。）
【請求項５】
前記４級ホスホニウム系相間移動触媒が下記一般式(VII)で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化７】
（一般式（ＶＩＩ）中、Ｘは、ハロゲン原子、水酸基、又は硫酸水素基を表し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ0はそれぞれ独立に炭素数１〜１２の分岐していてもよいアルキル基を表し、互いに同じでも異なっていても良い。）
【請求項６】
前記芳香族炭化水素系溶媒が下記一般式(VIII)で表される溶媒であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のアゾ化合物の製造方法。
【化８】
（一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｚは、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキル基、炭素数１〜１２の分岐してもよいアルキルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。ｎは１〜３の整数を表す。ここでｎが２または３のとき、複数のＺは互いに同じでも、異なっていても良い。）
【公開番号】特開２００７−９１６５９（Ｐ２００７−９１６５９Ａ）
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２８４６９５（Ｐ２００５−２８４６９５）
【出願日】平成１７年９月２９日（２００５．９．２９）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月２９日（２００５．９．２９）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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