エチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体の製造方法
【課題】医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料として有用な、特に機能性ポリマーあるいはオリゴマーの末端封止材原料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体又はエチニルフタル酸誘導体を、高純度で、高品質で工業的規模で製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（２）で表される化合物と一般式（３）で表される化合物を反応させた後、吸着剤による処理を行うことを特徴とする下記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法、又は下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体の製造方法。
式中、Ｑはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基、アリール基またはアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【解決手段】一般式（２）で表される化合物と一般式（３）で表される化合物を反応させた後、吸着剤による処理を行うことを特徴とする下記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法、又は下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体の製造方法。
式中、Ｑはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基、アリール基またはアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は医農薬中間体、液晶、および電子材料等の機能性材料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体およびエチニルフタル酸誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アリールエチニルフタル酸誘導体は医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料原料として重要な化合物であり、特に近年では分子内に存在する炭素−炭素三重結合構造を利用した、様々な機能性材料に関する研究対象として注目されている。例えばポリイミドオリゴマーに熱硬化性とともに耐熱性および耐酸化性を付与する末端封止材料として、アリールエチニルフタル酸無水物が用いられている（例えば、特許文献１及び非特許文献１〜３参照。）。さらには、液晶配向膜の機能、あるいは絶縁膜用材料の部分構造としても期待されている（例えば特許文献２参照。）。
これらのアリールエチニルフタル酸無水物の製造方法についても種々開示されている（特許文献３〜５、及び非特許文献４〜５参照。）。
【特許文献１】米国特許第５，５６７，８００号明細書
【特許文献２】特開２００３−２７７５０４号公報
【特許文献３】特開平１１−１８０９７０号公報
【特許文献４】特開２００３−７３３７２号公報
【特許文献５】米国特許第６，３９５，９０７号明細書
【非特許文献１】Ｐｏｌｙｍｅｒ，第３５巻，４８５７頁（１９９４年）
【非特許文献２】Ｐｏｌｙｍｅｒ，第３５巻，４８７４頁（１９９４年）
【非特許文献３】機能材料，第２０巻１２号，３３頁（２０００年）
【非特許文献４】ＨｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍ．Ｐｏｌｙｍ．，第６巻，４２３頁（１９９４年）
【非特許文献５】Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，第３５巻，３５３頁（１９９５年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者らの検討によれば、エチニルフタル酸無水物誘導体の従来の製造方法は品質、特に着色およびある種の有機溶媒に溶解しない不純物を含む点において、未だ満足なものとは言いがたいものであった。さらにポリイミドの末端封止材料として用いるエチニルフタル酸無水物誘導体の品質が樹脂材料の性能、物性に重大な影響を与えることも明らかとなった。例えば特許文献３、特許文献４に記載の方法で製造した４−フェニルエチニルフタル酸無水物を末端封止材料としてポリイミド樹脂を製造すると、場合によって難溶解成分の発生、熱成形時、硬化時の発泡が見られ、破断伸び率が低下するなど、安定して樹脂を製造することが困難であった。また、非特許文献４には昇華によって取り出した４−フェニルエチニルフタル酸無水物は白色と記載されているが、特許文献３に記載の方法で得られた４−フェニルエチニルフタル酸無水物は黄褐色であり、本発明者らの検討では特許文献４に記載の製造方法でも４−フェニルエチニルフタル酸無水物は黄褐色であった。
このことから、これまでの製造方法では、製造過程に由来する着色物質が４−フェニルエチニルフタル酸無水物中に残っていることがわかった。なお、上記の非特許文献４に記載の昇華による目的物の取り出し、精製には特別な装置が必要であり、処理量も限られることから工業スケールでの製造には不向きである。このように従来の製造方法は目的物の品質確保、後工程での工程／品質保証という点からも有利な方法とは言えず、安定に純度の高いエチニルフタル酸無水物誘導体を大量に製造できる技術が強く求められていた。
【０００４】
従って本発明の目的は、上記の問題点を克服し、医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料として有用な、特に機能性ポリマーあるいはオリゴマーの末端封止材原料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体の製造方法を提供することにある。具体的には、高純度で、着色および不溶解物質の不純物が少なく、安定して高品位の樹脂や医薬、農薬中間体を製造できるエチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは上記の事情に鑑み鋭意研究した結果、エチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体を安定して高純度かつ高効率で製造するための新規な方法を見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００６】
即ち本発明は、下記［１］〜［５］で説明される。
［１］ 下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、吸着剤による処理を行うことを特徴とする下記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【０００７】
【化１】
【０００８】
一般式（１）〜（３）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【０００９】
［２］ 下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、得られた下記一般式（１）で表される化合物を加水分解した後、吸着剤により処理することを特徴とする下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体の製造方法。
【００１０】
【化２】
【００１１】
一般式（１）〜（４）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【００１２】
［３］ 前記［２］に記載の方法で得られた前記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を合成原料とすることを特徴とする前記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【００１３】
［４］ 前記吸着剤が活性炭であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
【００１４】
［５］ 前記一般式（２）で表されるアルキニル化合物が、下記一般式（２Ａ）で表されるアルキニル化合物であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法。
【００１５】
【化３】
【００１６】
一般式（２Ａ）中、ｎは０〜３の整数を表し、Ｒ1は各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。
【００１７】
［６］ 前記吸着剤による処理が、脱水剤の存在下で行われることを特徴とする［１］、［４］または［５］のいずれかに記載の製造方法。
【００１８】
［７］ 前記吸着剤が、加水分解後の反応液に添加されることを特徴とする［２］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料として有用な、特に機能性ポリマーあるいはオリゴマーの末端封止材原料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体の工業的規模で実施可能な製造方法を提供できる。具体的には、高純度で、着色および不溶解物質の不純物が少なく、安定して高品位の樹脂を製造できるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明を詳細に説明する。
最初に、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を詳細に説明する。
【００２１】
【化４】
【００２２】
一般式（１）中、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有してもよい。
Ｑは、好ましくは、置換基又は無置換のアリール基（例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル）であり、置換基又は無置換のフェニル基がより好ましい。さらに好ましくは、フェニル基である。
【００２３】
Ｑにおける上記の各基が有することのできる置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、フッ素原子、アルコキシまたはアリールオキシカルボニル基、シアノ基、アリール基（好ましくはフェニル基）、アリールオキシ基（好ましくはフェニルオキシ基）、シリル基（好ましくはトリアルキルシリル基）、アミノカルボニル基、アミノ基（好ましくはジアルキルアミノ基）からなる群より選択された置換基が挙げられ、置換基を単一あるいは複数有していてもよい。
これらの中でもアルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、フッ素原子、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基が置換基として好ましく、アルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、フッ素原子、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基がより好ましい。なお、これらの置換基が複数個存在する場合、各々は同一でも異なっていてもよく、またこれらが互いに連結して環を形成していてもよい。
【００２４】
Ｑが有することのできる置換基において、より具体的な例としてはフッ素原子、シアノ基、メチル基、エチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基、２−エチルヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、１−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−オクチルオキシ基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニル基、アズレニル基、１−ナフトキシ基、２−ナフトキシ基、フェノキシ基、１−ヘプタフルオロプロピル基、トリフルオロメチル基、１−ヘプタフルオロプロポキシ基、トリフルオロメトキシ基、１−ヘプテニル基、１−オクチニル基、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリメチルシリル基、ジメチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノ基などが挙げられる。
これらの中でもフッ素原子、シアノ基、メチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニル基、１−ナフトキシ基、２−ナフトキシ基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジメチルアミノ基が好ましく、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェニル基、１−ナフチル基、フェノキシ基がより好ましい。
【００２５】
一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体は好ましくは、下記一般式（１Ａ）で表すことができる。
【００２６】
【化５】
【００２７】
一般式（１Ａ）中、Ｑは一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００２８】
以下に一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２９】
【化６】
【００３０】
次に一般式（２）で表されるアルキニル化合物について説明する。
【００３１】
【化７】
【００３２】
一般式（２）中、Ｑは前記一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同一である。
【００３３】
一般式（２）で表されるアルキニル化合物のより好ましい化合物は、下記一般式（２Ａ）で表すことができる。
【００３４】
【化８】
【００３５】
一般式（２Ａ）中、ｎは０〜３の整数を表し、Ｒ1は各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。
Ｒ1のより具体的な例としてはフェニル基、フェノキシ基、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基の他にメチル基、エチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基などが挙げられるが、これらの中でもフェニル基、フェノキシ基、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェニル基、フェノキシ基がより好ましい。
これらＲ1の官能基は、さらに置換基を有していても良く、その例は、上述したＱが有してもよい置換基と同様である。
【００３６】
次に一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体について説明する。
【００３７】
【化９】
【００３８】
一般式（３）中、Ｘ1はハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくは臭素原子、ヨウ素原子であり、最も好ましくは臭素原子である。
【００３９】
一般式（３）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体において、好ましくは下記一般式（３Ａ）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体である。
【００４０】
【化１０】
【００４１】
一般式（３Ａ）中、Ｘ1は一般式（３）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４２】
次に本発明の製造方法について説明する。
本発明の製造方法では、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させた後、得られた一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を含有する溶液に対して、吸着剤処理を行うことが特徴である。
一般式（２）で表されるアルキニル化合物と一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体から、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を製造する方法は、公知の方法を適用することができる。例えば前記の特許文献３、特許文献４、あるいは非特許文献１に記載されている方法に従い、脱ハロゲン化水素剤及び触媒の存在下に有機溶媒中で混合・加熱することにより、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を系中に生成させることができる。
【００４３】
本発明の反応で、好ましく用いる触媒としては例えば２価又は０価のパラジウム錯体、パラジウムーカーボン、０〜２価の銅塩が挙げられ、これらは単一あるいは複数用いてもよい。また、本反応は４級アンモニウム塩の存在下に実施することも可能である。
【００４４】
上記触媒のうち、本発明で２価又は０価のパラジウム錯体を用いる場合の好適なものを下記一般式（５）または一般式（６）として表すことができる。
一般式（５）： ＰｄＬ2Ｙ2
一般式（６）： ＰｄＬ4
【００４５】
ここでＹは、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素又はヨウ素の各原子）またはアシレートイオン（例えば、ＣＨ3ＣＯＯ-、Ｃ2Ｈ5ＣＯＯ-、Ｃ3Ｈ7ＣＯＯ-、Ｃ4Ｈ9ＣＯＯ-）を表す。Ｌは、配位子（例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂの各原子を含む配位子）を表す。Ｌは、好ましくはリン原子を含む配位子である。Ｌで表される配位子の具体例としては、Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｐで表されるホスフィン化合物が挙げられ、ここで、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、各々独立にアリール基または炭化水素基（例えばアルキル基）を表し、これらは互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ2、Ｒ3およびＲ4の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル、エチルヘキシル、オクチル、ベンジル、ｏ−トルイル、ｍ−トルイル、フェニル、ナフチルなどが挙げられるが、好ましくはメチル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル、オクチル、ｏ−トルイル、フェニル、ナフチルであり、より好ましくはシクロヘキシル、オクチル、ｏ−トルイル、フェニルであり、なおより好ましくはｏ−トルイル、フェニルである。一般式（５）で表されるパラジウム錯体は、ＰｄＹ2で表される化合物と配位子Ｌとの混合物として使用してもよい。
【００４６】
２価又は０価のパラジウム錯体の使用量は、原料であるハロフタル酸無水物に対して任意の量を用いることができるが、好ましくは１．０×１０-8〜０．０２当量であり、１．０×１０-6〜１．０×１０-3当量がより好ましい。
【００４７】
本発明において２価又は０価のパラジウム錯体を用いる場合、一般式（５）あるいは一般式（６）で表される化合物を別途過剰に添加しても良い。この添加量は用いるパラジウム錯体に対して、任意の量を用いることができるが、好ましい使用量は１〜１０００倍当量であり、５〜１００当量の使用がより好ましい。
【００４８】
本発明においてパラジウム−カーボンを用いる場合の使用量は特に限定しないが、パラジウムの含有量基準で、原料である一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物に対し１．０×１０-6〜０．１当量が好ましく、１．０×１０-4〜１．０×１０-2当量がより好ましい。
【００４９】
本発明において０〜２価の銅塩を用いる場合、具体的には塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、酢酸銅（Ｉ）、臭化銅（ＩＩ）、沃化銅（Ｉ）、酢酸銅（ＩＩ）、銅粉末、または還元銅などが挙げられるが、好ましくは塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、または沃化銅（Ｉ）であり、臭化銅（Ｉ）または沃化銅（Ｉ）がより好ましい。
【００５０】
０〜２価の銅塩を用いる場合の使用量は特に限定しないが、好ましくは原料である一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物に対し１．０×１０-6〜５．０×１０-2当量であり、１．０×１０-5〜２．０×１０-2当量用いるのがより好ましい。
【００５１】
本発明において４級アンモニウム塩を用いる場合の好適なものを、下記一般式（７）として表すことができる。
【００５２】
【化１１】
【００５３】
一般式（７）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は各々独立にアルキル基、アルケニル基、ベンジル基またはアリール基を表し、これらは互いに連結して環を形成していてもよい。好ましくはアルキル基またはベンジル基である。これらの具体的な例としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジル、オクチル等が挙げられるが、エチル、プロピル、ブチルおよびベンジルが好ましい。
【００５４】
（Ｘ2）-は１価の陰イオンを表し、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、硝酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、酢酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、およびヘキサフルオロリン酸イオンが挙げられるが、中でも塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、および酢酸イオンが好ましく、塩化物イオン、臭化物イオン、および硫酸水素イオンがより好ましい。
【００５５】
一般式（７）で表される４級アンモニウム塩の具体例としては、酢酸テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸水素テトラエチルアンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウム、硫酸水素テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラオクチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、ヨウ化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化フェニルトリメチルアンモニウム、臭化フェニルトリメチルアンモニウム、およびヨウ化フェニルトリメチルアンモニウムが挙げられるが、中でも酢酸テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、硫酸水素テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム、硫酸水素テトラプロピルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化フェニルトリメチルアンモニウム、および臭化フェニルトリメチルアンモニウムが好ましく、硫酸水素テトラエチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、硫酸水素テトラプロピルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、および塩化ベンジルトリエチルアンモニウムがより好ましい。
【００５６】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を生成させる工程では脱ハロゲン化水素剤を使用することが好ましい。これらは、特に限定されるものではないが好適には塩基性有機物質である。これらの塩基性有機物質としては、有機アミン類（例えば、アルキルアミン類、アリールアミン類、ヘテロ環アミン類等）が挙げられ、具体的にはジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルエチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアニリンおよびＮ−メチルモルホリンなどが挙げられ、好ましくはトリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルエチルアミン、およびＮ−メチルモルホリンであり、より好ましくはトリエチルアミン、およびジイソプロピルエチルアミンである。脱ハロゲン化剤は、単独でも２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５７】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を生成させる工程で使用する溶媒は特に限定されないが、ニトリル系溶媒（アセトニトリル等）、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸ブチル等）、芳香族炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（ヘプタン、オクタン、デカン等）、アミド系溶媒（ジメチルホルムアミド、およびジメチルアセトアミド等）が挙げられ、中でもニトリル系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒が好ましく、具体的にはアセトニトリル、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、トルエン、エチルベンゼン、ヘプタン、デカン、ジメチルホルムアミド、およびジメチルアセトアミドが好ましく、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、トルエンがより好ましい。有機溶媒は単独でも２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５８】
また反応前に溶媒を窒素やアルゴンなどの不活性ガスを反応系に導入することで、系内の酸素が除去され副反応を抑えることができる。
この工程の反応温度は通常は５０℃以上であるが、好ましくは５０℃〜１３０℃、より好ましくは６０〜１２０℃である。
【００５９】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を生成させる工程で副生物として生成する塩、および反応の触媒も含め、反応後の不溶解物は固液分離によって取り除くことができる。濾過においては濾剤を使用することができる。また反応中の溶媒、あるいは雰囲気に由来する水分により、目的物のエチニルフタル酸無水物誘導体が加水分解を受けることがあるが、再度脱水するために不溶解物の濾過前後で、任意の脱水剤を添加するあるいは熱処理を行うことで閉環させることができる。この場合の好ましい脱水剤の具体例としては、硫酸、あるいは無水酢酸であり、これらは混合して用いてもよい。このように熱閉環を行う場合は、トルエンおよびキシレンなど共沸脱水能力の高い溶媒の使用が好ましい。
【００６０】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させた後、本発明においては、得られた一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を含有する溶液に対して、吸着剤処理を行う。該吸着剤は反応終了後にそのまま反応液添加してもよく、また反応後の不溶解物を除去した濾液に添加してもよい。本発明の好ましい実施形態は、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を含有する溶液に対して反応液中の不溶解物を除去せずそのまま吸着剤を添加し、吸着処理を行った後に固液分離によって反応後の不溶解物と同時に除去する。
【００６１】
本発明で使用する吸着剤の具体的な例としては、シリカゲル、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、あるいはこれら金属酸化物の混合系からなる市販の吸着剤、活性炭、ゼオライト、モンモリロナイト等の粘土鉱物が挙げられるが、好ましくは酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、金属酸化物の混合系からなる市販の吸着剤、活性炭であり、最も好ましくは活性炭である。
活性炭はどのようなものでも構わないが、瀝青炭、泥炭、グラファイト、コークス、木材等からつくられるものが好ましく、比表面積が５００ｍ2／ｇ以上のものがより好ましい。また、活性炭の形状は特に限定されないが、造粒炭、粒状炭、破砕炭および粉末炭が好ましく、より好ましくは、粒状炭、粉末炭である。活性炭の具体的な例としては、ツルミコール株式会社製「ツルミコール」、二村化学工業（株）製「太閤」、日本ノリット株式会社製「ＮＯＲＩＴ」、および武田薬品工業株式会社製「白鷺Ａ」が好ましく、より好ましくはツルミコール株式会社製「ツルミコール」、および武田薬品工業株式会社製「白鷺Ａ」である。
吸着剤は複数種を用いることも可能である。
吸着剤の使用量は、反応で得られた一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の理論生成量に対して０．１〜２００質量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０質量％、さらに好ましくは１〜２０質量％の範囲である。
吸着剤処理する温度は通常０〜８０℃の範囲であるが、好ましくは１０〜６０℃、より好ましくは３０〜５０℃である。
吸着剤処理の時間は吸着剤の種類、使用量、温度により異なるが通常０．２〜１２時間である。また吸着剤処理の工程で終夜放置することも可能である。吸着剤処理後に、使用した吸着剤は通常の固液分離により容易に除去することができる。
【００６２】
本発明においては、吸着剤処理工程で、吸着剤とともに脱水剤、特に好ましくは無水酢酸を添加することが好ましい。これにより、反応等で混入するエチニルフタル酸誘導体を閉環し、エチニルフタル酸無水物誘導体に変換し、収率および純度を向上させることができる。無水酢酸の使用量は、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の理論生成量に対し、好ましくは０．００１〜２倍モル、より好ましくは０．００１〜１倍モル、さらに好ましくは０．０１〜０．５倍モルである。
【００６３】
本発明の吸着剤処理工程では、反応溶媒の溶媒をそのまま使用しても、また溶媒交換（一部の交換も含む）後の溶媒を使用してもよい。溶媒交換して使用される溶媒は、前記の反応工程で使用される溶媒の中から選択されるのが好ましい。吸着剤処理時に使用する溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、特にトルエン、キシレン、モノクロロベンゼンおよびこれらを少なくとも１種含有する溶媒（混合溶媒）が好ましい。
【００６４】
吸着剤を除去した反応液を冷却することで一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体が結晶として析出するので、通常の固液分離を行って目的物を単離することができるが、結晶析出に際して貧溶剤を併用することも可能である。かかる方法で得られるエチニルフタル酸無水物誘導体は極めて高純度であり、ポリイミド樹脂等の末端封止材料として好適に使用することができる。
【００６５】
本発明の製造方法においては、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて得た一般式（１）で表される反応生成物を、加水分解する工程を経て、吸着剤による処理を行うこともできる。以下に、第二の態様として説明する。
第二の態様において、加水分解は、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を単離して行ってもよいが、単離することなく（好ましくは結晶として取り出すことなく）引き続き行う方法は好ましく適用される。また、吸着剤処理を行った一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体に対して、第二の態様を行うことも好ましい。
【００６６】
最初に、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて得られる一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を加水分解する方法について説明する。
【００６７】
酸無水物誘導体を加水分解する方法は合成化学的に公知であり、通常は塩基を作用させる方法が好ましく採用され、本発明にも好ましく適用される。塩基の種類としてはアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属アルコキシド、有機塩基等が挙げられるが、好ましい塩基はアルカリ金属水酸化物である。アルカリ金属水酸化物としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムが挙げられるが、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムの使用が好ましい。これらはフレーク状、ペレット状のものを使用してもよいし、任意の濃度の溶液（例えば２５質量％水酸化ナトリウム水溶液、４８質量％水酸化カリウム水溶液）として使用してもよい。工業スケールでの製造を考慮すると、溶液状態で使用するのが簡便である。加水分解工程において使用する塩基（好ましくはアルカリ金属水酸化物）の使用量は一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の理論生成量に対して２．０〜１０倍モルの範囲が好ましく、より好ましくは２．０〜５．０倍モル、さらに好ましくは２．１〜３．０倍モルである。
【００６８】
加水分解工程において使用しうる反応溶媒としては、工程操作上の問題等を引き起こさず、反応の進行を妨げず、かつ本発明のアルカリ加水分解工程において分解して反応に悪影響を与えない限り特に制限はないが、水あるいは水と有機溶剤からなる混合系が選択される。水と併用してもよい有機溶剤としてはメタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン等の非プロトン性極性溶媒、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ピリジン等のピリジン系溶媒、アセトニトリル等のニリル系溶媒など、あるいはこれらの中から選択される複数の溶媒を併用する方法が好ましく挙げられるが、エチニルフタル酸無水物誘導体生成時の溶媒をそのまま使う方法も、コストおよび操作性の面から好適である。これらの中でもアルコール系溶媒、非プロトン性極性溶媒、ピリジン系溶媒、ニトリル系溶媒の使用が好ましく、メタノール、エタノール、２−プロパノール、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、アセトニトリルの使用がより好ましい。最も好ましい溶媒は水、あるいは水とメタノール、エタノール、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、アセトニトリルあるいはこれらの中から選択される２〜３種の溶媒の併用系である。
【００６９】
加水分解工程における反応温度は通常０〜２００℃の範囲であるが、好ましくは２０〜１００℃、より好ましくは２０〜６０℃である。反応時間は仕込み量、反応温度により異なるが通常０．２〜１２時間であり、０．５〜６時間の範囲がより好ましい。加水分解工程では特に不活性な雰囲気は不要であるが、アルゴンまたは窒素気流下で反応を行なってもよい。
以上を本発明の第一の態様とする。
【００７０】
次いで、加水分解後に吸着剤処理工程を有するエチニルフタル酸誘導体の製造方法について説明する。かかる製造方法を本発明の第二の態様とする。
本発明の第二の態様においては、吸着剤処理は、上記の加水分解反応終了後の反応混合物に対して吸着剤処理を行うのが好ましい。吸着剤としては、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体において挙げた吸着剤を挙げることができ、好ましい範囲も同じである。吸着剤の使用量は原料として用いたエチニルフタル酸無水物誘導体の量もしくは理論生成量に対して０．１〜２００質量％の範囲であるが、好ましくは０．５〜５０質量％、より好ましくは１〜２０質量％である。吸着剤処理の温度は通常０〜８０℃の範囲であるが、好ましくは１０〜６０℃、より好ましくは２０〜４０℃である。吸着剤処理の時間は仕込み量、温度により異なるが通常０．５〜１２時間である。また吸着剤処理の工程で終夜放置することも可能である。使用した吸着剤は通常の固液分離により容易に除去することができる。
この第二の態様においては、吸着剤は加水分解反応後の反応液に吸着剤を添加するのが好ましい。
【００７１】
加水分解、吸着剤処理後の反応混合物には、エチニルフタル酸誘導体が有機あるいは無機の塩基と塩を形成した状態で存在している。貧溶媒を加えて塩を結晶として析出せしめ、これを固液分離により単離してもよいが、単離することなく塩から酸に変換することによって下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体に変換するのが好ましい。
【００７２】
【化１２】
【００７３】
一般式（４）中、Ｑは前記一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同一である。
また、一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体において、好ましくは下記一般式（４Ａ）で表されるエチニルフタル酸誘導体である。
【００７４】
【化１３】
【００７５】
一般式（４Ａ）中、Ｑは一般式（４）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００７６】
得られたエチニルフタル酸誘導体の塩の混合物から一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体への変換は、吸着剤を固液分離により除去した後の反応液に酸を作用させることで実施される。使用する酸の量は、理論生成量におけるカルボキシル基１個に対して１当量以上、好ましくは１〜１．５当量である。使用する酸の種類としては鉱酸が好ましく、具体的にはハロゲン化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸等が挙げられるが、通常は塩酸あるいは硫酸が用いられる。酸との作用により、カルボン酸塩をカルボン酸となり、エチニルフタル酸誘導体が析出するので、通常の固液分離を行って目的物を単離することができる。また、有機溶媒を用いて抽出し、貧溶媒を添加して晶析、あるいは減圧または常圧による濃縮で溶媒置換した後に晶析させることもできる。本発明においては、減圧または常圧による濃縮で溶媒置換した後に晶析させることが好ましい。
また抽出に用いた有機溶媒をそのまま、あるいは減圧または常圧による濃縮で溶媒置換した後に、引き続き、一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を環化して一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を合成することができ、このように一般式（１）で表される化合物に再度導く方法は本発明の第二の態様において、特に好ましい。
【００７７】
一般式（４）で表される化合物を抽出する有機溶剤としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン等のエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤、ヘキサン、へプタンに代表される脂肪族系炭化水素溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン化合物、芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。工業的規模での大量製造適性、入手の容易さ等の観点から好ましく使用される有機溶剤の具体的としては、メチル−ｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン（ｏ−体、ｍ−体、ｐ−体あるいはこれらの任意の割合の混合物のいずれであってもよい）、メシチレン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、イソプロピルベンゼン（クメン）、クロロベンゼン、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられるが、これらの中でもメチル−ｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンがより好ましく、メチル−ｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン、酢酸エチル、メチルエチルケトンがなおより好ましい溶剤である。これらは複数併用することも可能である。
有機溶剤を共存させることにより、カルボン酸の塩が酸に変換された一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を効果的に有機層に抽出することができる。
【００７８】
以下に、第二の態様における好ましい態様である、一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を化学的または熱的に閉環して、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体に誘導する方法について説明する。
該環化反応は合成化学的に公知であり、その方法は特に限定されない。例えば溶剤の存在下に無水酢酸と加熱することで容易に閉環することができる。また、１１０℃〜１５０℃に加熱して閉環することも可能であり、この場合はトルエンなど共沸により水を除去する性質を有する溶剤を使用することが好ましい。
反応終了後は反応液を冷却することで一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体が結晶として析出するので、通常の固液分離を行って目的物を単離することができる。あるいは貧溶剤を併用することも可能である。
【００７９】
本発明の第一の態様、及び第二の態様のいずれの場合であっても、上記以外の工程に他の工程を適宜追加することができる。
【００８０】
本発明の製造方法で得られるエチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体は極めて高純度であり、ポリイミド樹脂等の末端封止材料として好適に使用することができる。
【実施例】
【００８１】
以下実施例、比較例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例および比較例に記載の方法で合成したエチニルフタル酸無水物誘導体は、以下に記載の方法でガスクロマトグラフィーによる純度測定、融点および吸光度の測定を行った。同じ物質においては、融点が高く、吸光度が低い物質の方が、不純物が少ない。
【００８２】
１．ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）
試料５０ｍｇをジクロロメタンに溶解させて計１０ｍｌの溶液にして測定した。
・カラム：Ｊ＆Ｗ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製 ＤＢ−５ＭＳ，０．２５ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｍ
・キャリアーガス：ヘリウム、７０ｋＰａ
・検出：ＦＩＤ
・カラム温度：１００℃ → ３００℃（昇温 １０℃／分）
【００８３】
２．融点
メトラー・トレド（株）製ＦＰ９０／８１ＨＴ自動融点測定システムを用いて下記条件にて測定した。
（４−フェニルエチニルフタル酸無水物の測定の場合）
・測定開始温度：１４７℃
・測定終了温度：１５５℃
・昇温速度：０．１℃／分
・検出方法：透過率変化
（４−シアノフェニルエチニルフタル酸無水物および４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物の測定の場合）
・測定開始温度：２１５℃
・測定終了温度：２２５℃
・昇温速度：０．１℃／分
・検出方法：透過率変化
【００８４】
３．吸光度
（株）日立製作所製Ｕ−３５００吸光光度計を用い、下記条件にて測定した。
・試料濃度：１００ｍｇ／１０ｍｌ （但し、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物については、１０ｍｇ／１０ｍｌ）
・溶媒：酢酸エチル
・セル：石英ガラスセル １０ｍｍ
・参照：酢酸エチル
・測定波長：４００ｎｍ （但し、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物については、４５０ｎｍ）
【００８５】
＜実施例１＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、およびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．３１ｇ（０．４５×１０-3モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、混合キシレン１００ｇおよび活性炭（商品名：ツルミコール粒状炭，ツルミコール株式会社製）３．４ｇを加え８０℃で３０分加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は５５．８ｇ（収率７４．９％）であった。
【００８６】
＜実施例２＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリフェニルホスフィン０．６０ｇ（０．２２×１０-2モル）、塩化パラジウム０．０７ｇ（０．４０×１０-3モル）、およびヨウ化銅０．１０ｇ（０．５３×１０-3モルを入れ、窒素気流下加熱し、次に４−シアノフェニルアセチレン４２．０ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温４８〜５２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間５０℃で反応させた後、減圧下、４０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次に、モノクロロベンゼン１００ｇ、無水酢酸５．１ｇ（０．０５０モル）および活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）３．４ｇを加え８０℃で３０分加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、減圧乾燥して４−（４’−シアノフェニル）エチニルフタル酸無水物を得た。収量は５５．９ｇ（収率６８．２％）であった。
【００８７】
＜実施例３＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ、およびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．３１ｇを入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇを２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、４０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）を３．４ｇ加え、されに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、析出した結晶を固液分離した。得られた結晶を５０℃で一夜乾燥させ、４−フェニルエチニルフタル酸を７７．５ｇ得た。この結晶全量に、酢酸エチル２００ｍｌおよび無水酢酸４９．５ｇを添加した。この混合液を加熱して１時間還流させ、氷水浴にて３０分間冷却後、固液分離した。得られた結晶物をトルエンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は６２．５ｇ（反応全体での収率８３．９％）であった。
【００８８】
＜実施例４＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン４０．５ｇ、トリフェニルホスフィン０．５０ｇ、ヨウ化銅０．１４ｇおよびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．１５ｇを入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇを２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、４０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：太閤，二村化学工業株式会社製）を３．４ｇ加え、されに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、酢酸エチル５００ｍｌを加えて内温４０℃まで攪拌しながら加温した。攪拌を停止して静置後、水層を取り除き、減圧濃縮により酢酸エチルを留去し、アセトニトリル５０ｍｌおよび水３００ｍｌを加えた。この懸濁液を室温で１０分攪拌し、固液分離して得られた結晶を水洗した。結晶は５０℃で減圧乾燥させ、４−フェニルエチニルフタル酸を７７．０ｇ得た。この結晶全量に、トルエン２００ｍｌおよび無水酢酸４４．１ｇを添加し、加熱して２時間還流させ、得られた結晶物をトルエンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は６４．１ｇ（反応全体での収率８６．１％）であった。
【００８９】
＜実施例５＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン４０．５ｇ、トリフェニルホスフィン０．５０ｇ、ヨウ化銅０．１４ｇおよびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．１５ｇを入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇを２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、４０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）を３．４ｇ加え、されに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、酢酸エチル５００ｍｌを加えて内温４０℃まで攪拌しながら加温した。攪拌を停止して静置後、水層を取り除き、減圧濃縮により酢酸エチルを８０％留去し、さらにキシレン２００ｍｌを加えて全体量が２００ｍｌになるまで減圧濃縮を進めた。これに無水酢酸６１．３ｇを添加した。この混合液を加熱して２時間還流させ、得られた結晶物をトルエンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は６７．３ｇ（反応全体での収率９０．４％）であった。
【００９０】
＜実施例６＞
還流管を備え付けた１０００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン５００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリ−ｏ−トルイルホスフィン０．６７ｇ（２．２×１０-3モル）、および酢酸パラジウム９０ｍｇ（４．０×１０-4モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次に１−エチニルナフタレン５４．８ｇ（０．３６モル）を３０分間、内温６５〜７０℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、５時間７０〜７６℃で反応させた後、減圧下、５０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、８０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）を３．４ｇ加え、さらに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、析出した結晶を固液分離した。得られた結晶を５０℃で一夜乾燥させ、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸を８７．３ｇ得た。この結晶全量に、クロロベンゼン５００ｍｌおよび無水酢酸４９．５ｇを添加した。この混合液を加熱して１時間還流させ、氷水浴にて３０分間冷却後、固液分離した。得られた結晶物をアセトンで洗浄し、減圧乾燥して４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物を得た。収量は７６．５ｇ（反応全体での収率８５．５％）であった。
【００９１】
＜比較例１＞（特開２００３−７３３７２号公報記載の方法）
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、およびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．３１ｇ（０．４５×１０−３モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、混合キシレン１００ｇを入れ８０℃に加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は５８．９ｇ（収率７９．１％）であった。
【００９２】
＜比較例２＞（特開２００３−７３３７２号公報記載の方法）
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリフェニルホスフィン０．６０ｇ（０．２２×１０-2モル）、塩化パラジウム０．０７ｇ（０．４０×１０-3モル）、およびヨウ化銅０．１０ｇ（０．５３×１０-3モルを入れ、窒素気流下加熱し、次に４−シアノフェニルアセチレン４２．０ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温４８〜５２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間５０℃で反応させた後、減圧下、４０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次にモノクロロベンゼン１００ｇを入れ８０℃に加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、乾燥して４−シアノフェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は５５．０ｇ（収率．６７．１％）であった。
【００９３】
＜比較例３＞（特開平１１−１８０９７０号公報記載の方法）
撹拌機、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器にトリフェニルホスフィンを１．１０ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、４−ブロモフタル酸無水物を６８１．０ｇ（３．００ｍｏｌ）、フェニルアセチレンを３２１．７ｇ（３．１５ｍｏｌ）、トリエチルアミンを３．５Ｌ装入し、強く撹拌しながら窒素を３０分間バブリングした。パブリングを止め、窒素を導入しつつ、ここに、ＰｄＣｌ2［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］2を０．２１ｇ（０．３ｍｍｏｌ）装入して６０℃まで昇温した。さらに、ヨウ化銅０．２３ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を装入し、ゆっくりと昇温して、８５〜９０℃で４時間反応させた。反応終了後冷却し、１規定の水酸化ナトリウム水溶液７．５Ｌを装入し、２時間撹拌した。有機層を除去し、残った水層に溶解する未反応原料等を取り除くために、これにトルエン２Ｌを装入しトルエン抽出をすることを３回行い、得られた均一な水層に２規定の塩酸水を３．２５Ｌ滴下装入した。得られた析出物をろ過し、水５Ｌで洗浄し、１１０℃減圧下で２４時間乾燥した。得られた４−フェニルエチニルフタル酸は白色粉末であり、収量は７８２．２ｇ、収率は９７．９％であった。更に撹拌機、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器に、得られた４−フェニルエチニルフタル酸７８２．２ｇ、無水酢酸７３０ｇ、トルエン７３０ｇを装入し、１１０℃還流下で４時間撹拌した。１００℃まで冷却した後、熱ろ過し、冷却し、得られた析出物をろ過し、無水酢酸／トルエン混合溶媒（混合質量比５／５）５００ｇで洗浄し、さらに、トルエン／ヘキサン混合溶媒（混合質量比５／５）５００ｇで洗浄した。これを１４０℃減圧・窒素微気流下で１２時間乾燥した。得られた４−フェニルエチニルフタル酸無水物は、トルエン可溶の黄白色粉末であり、収量は６３２．７ｇ、反応全体での収率は９２．５％であった。
【００９４】
＜比較例４＞（特開平１１−１８０９７０号公報記載の方法）
還流管を備え付けた１０００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン５００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリ−ｏ−トルイルホスフィン０．６７ｇ（２．２×１０-3モル）、および酢酸パラジウム９０ｍｇ（４．０×１０-4モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次に１−エチニルナフタレン５４．８ｇ（０．３６モル）を３０分間、内温６５〜７０℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、５時間７０〜７６℃で反応させた後、減圧下、５０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、８０℃で１時間加熱し、珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に攪拌条件下で、３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、析出した結晶を固液分離した。得られた結晶を５０℃で一夜乾燥させ、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸を８７．６ｇ得た。この結晶全量に、クロロベンゼン５００ｍｌおよび無水酢酸４９．５ｇを添加した。この混合液を加熱して１時間還流させ、氷水浴にて３０分間冷却後、固液分離した。得られた結晶物をアセトンで洗浄し、減圧乾燥して４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物を得た。収量は７６．６ｇ（反応全体での収率８５．６％）であった。
【００９５】
これらの方法で合成したエチニルフタル酸無水物誘導体を物性の評価に供した。測定結果を下記表１に記載した。
【００９６】
【表１】
【００９７】
上記の表１から、本発明の製造方法を適用して得られた化合物は、純度が高く、着色も少なく、高品質である。一方、比較例３の方法は精製工程を有する方法であり、精製装置が必要であることに加え、工程数が多い。この比較例３の方法に比べ本発明の製造方法は簡略な方法であり、かつ、本発明の製造方法で得られる化合物は高純度であった。
すなわち、本発明の製造方法を適用して得られた化合物は、着色およびその原因となる不純物が低減されており、機能性材料については絶縁性あるいは透明性等の性質を要求される場合にはとりわけ有利である。また医薬、農薬の中間体としては、純度が高い点で理想的な合成中間体を提供できることとなった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は医農薬中間体、液晶、および電子材料等の機能性材料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体およびエチニルフタル酸誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アリールエチニルフタル酸誘導体は医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料原料として重要な化合物であり、特に近年では分子内に存在する炭素−炭素三重結合構造を利用した、様々な機能性材料に関する研究対象として注目されている。例えばポリイミドオリゴマーに熱硬化性とともに耐熱性および耐酸化性を付与する末端封止材料として、アリールエチニルフタル酸無水物が用いられている（例えば、特許文献１及び非特許文献１〜３参照。）。さらには、液晶配向膜の機能、あるいは絶縁膜用材料の部分構造としても期待されている（例えば特許文献２参照。）。
これらのアリールエチニルフタル酸無水物の製造方法についても種々開示されている（特許文献３〜５、及び非特許文献４〜５参照。）。
【特許文献１】米国特許第５，５６７，８００号明細書
【特許文献２】特開２００３−２７７５０４号公報
【特許文献３】特開平１１−１８０９７０号公報
【特許文献４】特開２００３−７３３７２号公報
【特許文献５】米国特許第６，３９５，９０７号明細書
【非特許文献１】Ｐｏｌｙｍｅｒ，第３５巻，４８５７頁（１９９４年）
【非特許文献２】Ｐｏｌｙｍｅｒ，第３５巻，４８７４頁（１９９４年）
【非特許文献３】機能材料，第２０巻１２号，３３頁（２０００年）
【非特許文献４】ＨｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍ．Ｐｏｌｙｍ．，第６巻，４２３頁（１９９４年）
【非特許文献５】Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，第３５巻，３５３頁（１９９５年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者らの検討によれば、エチニルフタル酸無水物誘導体の従来の製造方法は品質、特に着色およびある種の有機溶媒に溶解しない不純物を含む点において、未だ満足なものとは言いがたいものであった。さらにポリイミドの末端封止材料として用いるエチニルフタル酸無水物誘導体の品質が樹脂材料の性能、物性に重大な影響を与えることも明らかとなった。例えば特許文献３、特許文献４に記載の方法で製造した４−フェニルエチニルフタル酸無水物を末端封止材料としてポリイミド樹脂を製造すると、場合によって難溶解成分の発生、熱成形時、硬化時の発泡が見られ、破断伸び率が低下するなど、安定して樹脂を製造することが困難であった。また、非特許文献４には昇華によって取り出した４−フェニルエチニルフタル酸無水物は白色と記載されているが、特許文献３に記載の方法で得られた４−フェニルエチニルフタル酸無水物は黄褐色であり、本発明者らの検討では特許文献４に記載の製造方法でも４−フェニルエチニルフタル酸無水物は黄褐色であった。
このことから、これまでの製造方法では、製造過程に由来する着色物質が４−フェニルエチニルフタル酸無水物中に残っていることがわかった。なお、上記の非特許文献４に記載の昇華による目的物の取り出し、精製には特別な装置が必要であり、処理量も限られることから工業スケールでの製造には不向きである。このように従来の製造方法は目的物の品質確保、後工程での工程／品質保証という点からも有利な方法とは言えず、安定に純度の高いエチニルフタル酸無水物誘導体を大量に製造できる技術が強く求められていた。
【０００４】
従って本発明の目的は、上記の問題点を克服し、医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料として有用な、特に機能性ポリマーあるいはオリゴマーの末端封止材原料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体の製造方法を提供することにある。具体的には、高純度で、着色および不溶解物質の不純物が少なく、安定して高品位の樹脂や医薬、農薬中間体を製造できるエチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは上記の事情に鑑み鋭意研究した結果、エチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体を安定して高純度かつ高効率で製造するための新規な方法を見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００６】
即ち本発明は、下記［１］〜［５］で説明される。
［１］ 下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、吸着剤による処理を行うことを特徴とする下記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【０００７】
【化１】
【０００８】
一般式（１）〜（３）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【０００９】
［２］ 下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、得られた下記一般式（１）で表される化合物を加水分解した後、吸着剤により処理することを特徴とする下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体の製造方法。
【００１０】
【化２】
【００１１】
一般式（１）〜（４）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【００１２】
［３］ 前記［２］に記載の方法で得られた前記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を合成原料とすることを特徴とする前記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【００１３】
［４］ 前記吸着剤が活性炭であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
【００１４】
［５］ 前記一般式（２）で表されるアルキニル化合物が、下記一般式（２Ａ）で表されるアルキニル化合物であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法。
【００１５】
【化３】
【００１６】
一般式（２Ａ）中、ｎは０〜３の整数を表し、Ｒ1は各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。
【００１７】
［６］ 前記吸着剤による処理が、脱水剤の存在下で行われることを特徴とする［１］、［４］または［５］のいずれかに記載の製造方法。
【００１８】
［７］ 前記吸着剤が、加水分解後の反応液に添加されることを特徴とする［２］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、医薬、農薬中間体、液晶、電子材料などの機能性材料として有用な、特に機能性ポリマーあるいはオリゴマーの末端封止材原料として有用なエチニルフタル酸無水物誘導体の工業的規模で実施可能な製造方法を提供できる。具体的には、高純度で、着色および不溶解物質の不純物が少なく、安定して高品位の樹脂を製造できるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明を詳細に説明する。
最初に、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を詳細に説明する。
【００２１】
【化４】
【００２２】
一般式（１）中、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有してもよい。
Ｑは、好ましくは、置換基又は無置換のアリール基（例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル）であり、置換基又は無置換のフェニル基がより好ましい。さらに好ましくは、フェニル基である。
【００２３】
Ｑにおける上記の各基が有することのできる置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、フッ素原子、アルコキシまたはアリールオキシカルボニル基、シアノ基、アリール基（好ましくはフェニル基）、アリールオキシ基（好ましくはフェニルオキシ基）、シリル基（好ましくはトリアルキルシリル基）、アミノカルボニル基、アミノ基（好ましくはジアルキルアミノ基）からなる群より選択された置換基が挙げられ、置換基を単一あるいは複数有していてもよい。
これらの中でもアルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、フッ素原子、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基が置換基として好ましく、アルキル基、アルコキシ基、パーフルオロアルキル基、フッ素原子、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基がより好ましい。なお、これらの置換基が複数個存在する場合、各々は同一でも異なっていてもよく、またこれらが互いに連結して環を形成していてもよい。
【００２４】
Ｑが有することのできる置換基において、より具体的な例としてはフッ素原子、シアノ基、メチル基、エチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基、２−エチルヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、１−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−オクチルオキシ基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニル基、アズレニル基、１−ナフトキシ基、２−ナフトキシ基、フェノキシ基、１−ヘプタフルオロプロピル基、トリフルオロメチル基、１−ヘプタフルオロプロポキシ基、トリフルオロメトキシ基、１−ヘプテニル基、１−オクチニル基、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、トリメチルシリル基、ジメチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノ基などが挙げられる。
これらの中でもフッ素原子、シアノ基、メチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニル基、１−ナフトキシ基、２−ナフトキシ基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジメチルアミノ基が好ましく、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェニル基、１−ナフチル基、フェノキシ基がより好ましい。
【００２５】
一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体は好ましくは、下記一般式（１Ａ）で表すことができる。
【００２６】
【化５】
【００２７】
一般式（１Ａ）中、Ｑは一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００２８】
以下に一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２９】
【化６】
【００３０】
次に一般式（２）で表されるアルキニル化合物について説明する。
【００３１】
【化７】
【００３２】
一般式（２）中、Ｑは前記一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同一である。
【００３３】
一般式（２）で表されるアルキニル化合物のより好ましい化合物は、下記一般式（２Ａ）で表すことができる。
【００３４】
【化８】
【００３５】
一般式（２Ａ）中、ｎは０〜３の整数を表し、Ｒ1は各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。
Ｒ1のより具体的な例としてはフェニル基、フェノキシ基、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基の他にメチル基、エチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基などが挙げられるが、これらの中でもフェニル基、フェノキシ基、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、２−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、２−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、フッ素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェニル基、フェノキシ基がより好ましい。
これらＲ1の官能基は、さらに置換基を有していても良く、その例は、上述したＱが有してもよい置換基と同様である。
【００３６】
次に一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体について説明する。
【００３７】
【化９】
【００３８】
一般式（３）中、Ｘ1はハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくは臭素原子、ヨウ素原子であり、最も好ましくは臭素原子である。
【００３９】
一般式（３）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体において、好ましくは下記一般式（３Ａ）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体である。
【００４０】
【化１０】
【００４１】
一般式（３Ａ）中、Ｘ1は一般式（３）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４２】
次に本発明の製造方法について説明する。
本発明の製造方法では、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させた後、得られた一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を含有する溶液に対して、吸着剤処理を行うことが特徴である。
一般式（２）で表されるアルキニル化合物と一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体から、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を製造する方法は、公知の方法を適用することができる。例えば前記の特許文献３、特許文献４、あるいは非特許文献１に記載されている方法に従い、脱ハロゲン化水素剤及び触媒の存在下に有機溶媒中で混合・加熱することにより、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を系中に生成させることができる。
【００４３】
本発明の反応で、好ましく用いる触媒としては例えば２価又は０価のパラジウム錯体、パラジウムーカーボン、０〜２価の銅塩が挙げられ、これらは単一あるいは複数用いてもよい。また、本反応は４級アンモニウム塩の存在下に実施することも可能である。
【００４４】
上記触媒のうち、本発明で２価又は０価のパラジウム錯体を用いる場合の好適なものを下記一般式（５）または一般式（６）として表すことができる。
一般式（５）： ＰｄＬ2Ｙ2
一般式（６）： ＰｄＬ4
【００４５】
ここでＹは、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素又はヨウ素の各原子）またはアシレートイオン（例えば、ＣＨ3ＣＯＯ-、Ｃ2Ｈ5ＣＯＯ-、Ｃ3Ｈ7ＣＯＯ-、Ｃ4Ｈ9ＣＯＯ-）を表す。Ｌは、配位子（例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂの各原子を含む配位子）を表す。Ｌは、好ましくはリン原子を含む配位子である。Ｌで表される配位子の具体例としては、Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｐで表されるホスフィン化合物が挙げられ、ここで、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、各々独立にアリール基または炭化水素基（例えばアルキル基）を表し、これらは互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ2、Ｒ3およびＲ4の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル、エチルヘキシル、オクチル、ベンジル、ｏ−トルイル、ｍ−トルイル、フェニル、ナフチルなどが挙げられるが、好ましくはメチル、ｎ−ブチル、シクロヘキシル、オクチル、ｏ−トルイル、フェニル、ナフチルであり、より好ましくはシクロヘキシル、オクチル、ｏ−トルイル、フェニルであり、なおより好ましくはｏ−トルイル、フェニルである。一般式（５）で表されるパラジウム錯体は、ＰｄＹ2で表される化合物と配位子Ｌとの混合物として使用してもよい。
【００４６】
２価又は０価のパラジウム錯体の使用量は、原料であるハロフタル酸無水物に対して任意の量を用いることができるが、好ましくは１．０×１０-8〜０．０２当量であり、１．０×１０-6〜１．０×１０-3当量がより好ましい。
【００４７】
本発明において２価又は０価のパラジウム錯体を用いる場合、一般式（５）あるいは一般式（６）で表される化合物を別途過剰に添加しても良い。この添加量は用いるパラジウム錯体に対して、任意の量を用いることができるが、好ましい使用量は１〜１０００倍当量であり、５〜１００当量の使用がより好ましい。
【００４８】
本発明においてパラジウム−カーボンを用いる場合の使用量は特に限定しないが、パラジウムの含有量基準で、原料である一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物に対し１．０×１０-6〜０．１当量が好ましく、１．０×１０-4〜１．０×１０-2当量がより好ましい。
【００４９】
本発明において０〜２価の銅塩を用いる場合、具体的には塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、酢酸銅（Ｉ）、臭化銅（ＩＩ）、沃化銅（Ｉ）、酢酸銅（ＩＩ）、銅粉末、または還元銅などが挙げられるが、好ましくは塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、または沃化銅（Ｉ）であり、臭化銅（Ｉ）または沃化銅（Ｉ）がより好ましい。
【００５０】
０〜２価の銅塩を用いる場合の使用量は特に限定しないが、好ましくは原料である一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物に対し１．０×１０-6〜５．０×１０-2当量であり、１．０×１０-5〜２．０×１０-2当量用いるのがより好ましい。
【００５１】
本発明において４級アンモニウム塩を用いる場合の好適なものを、下記一般式（７）として表すことができる。
【００５２】
【化１１】
【００５３】
一般式（７）中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は各々独立にアルキル基、アルケニル基、ベンジル基またはアリール基を表し、これらは互いに連結して環を形成していてもよい。好ましくはアルキル基またはベンジル基である。これらの具体的な例としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジル、オクチル等が挙げられるが、エチル、プロピル、ブチルおよびベンジルが好ましい。
【００５４】
（Ｘ2）-は１価の陰イオンを表し、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、硝酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、酢酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、およびヘキサフルオロリン酸イオンが挙げられるが、中でも塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸水素イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、および酢酸イオンが好ましく、塩化物イオン、臭化物イオン、および硫酸水素イオンがより好ましい。
【００５５】
一般式（７）で表される４級アンモニウム塩の具体例としては、酢酸テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸水素テトラエチルアンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラプロピルアンモニウム、硫酸水素テトラプロピルアンモニウム、臭化テトラオクチルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、ヨウ化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、臭化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化フェニルトリメチルアンモニウム、臭化フェニルトリメチルアンモニウム、およびヨウ化フェニルトリメチルアンモニウムが挙げられるが、中でも酢酸テトラメチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラメチルアンモニウム、硫酸水素テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム、硫酸水素テトラプロピルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリエチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化フェニルトリメチルアンモニウム、および臭化フェニルトリメチルアンモニウムが好ましく、硫酸水素テトラエチルアンモニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、硫酸水素テトラプロピルアンモニウム、塩化ベンジルトリブチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、および塩化ベンジルトリエチルアンモニウムがより好ましい。
【００５６】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を生成させる工程では脱ハロゲン化水素剤を使用することが好ましい。これらは、特に限定されるものではないが好適には塩基性有機物質である。これらの塩基性有機物質としては、有機アミン類（例えば、アルキルアミン類、アリールアミン類、ヘテロ環アミン類等）が挙げられ、具体的にはジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルエチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアニリンおよびＮ−メチルモルホリンなどが挙げられ、好ましくはトリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルエチルアミン、およびＮ−メチルモルホリンであり、より好ましくはトリエチルアミン、およびジイソプロピルエチルアミンである。脱ハロゲン化剤は、単独でも２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５７】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を生成させる工程で使用する溶媒は特に限定されないが、ニトリル系溶媒（アセトニトリル等）、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸ブチル等）、芳香族炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（ヘプタン、オクタン、デカン等）、アミド系溶媒（ジメチルホルムアミド、およびジメチルアセトアミド等）が挙げられ、中でもニトリル系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒が好ましく、具体的にはアセトニトリル、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、トルエン、エチルベンゼン、ヘプタン、デカン、ジメチルホルムアミド、およびジメチルアセトアミドが好ましく、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、トルエンがより好ましい。有機溶媒は単独でも２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５８】
また反応前に溶媒を窒素やアルゴンなどの不活性ガスを反応系に導入することで、系内の酸素が除去され副反応を抑えることができる。
この工程の反応温度は通常は５０℃以上であるが、好ましくは５０℃〜１３０℃、より好ましくは６０〜１２０℃である。
【００５９】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を生成させる工程で副生物として生成する塩、および反応の触媒も含め、反応後の不溶解物は固液分離によって取り除くことができる。濾過においては濾剤を使用することができる。また反応中の溶媒、あるいは雰囲気に由来する水分により、目的物のエチニルフタル酸無水物誘導体が加水分解を受けることがあるが、再度脱水するために不溶解物の濾過前後で、任意の脱水剤を添加するあるいは熱処理を行うことで閉環させることができる。この場合の好ましい脱水剤の具体例としては、硫酸、あるいは無水酢酸であり、これらは混合して用いてもよい。このように熱閉環を行う場合は、トルエンおよびキシレンなど共沸脱水能力の高い溶媒の使用が好ましい。
【００６０】
一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させた後、本発明においては、得られた一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を含有する溶液に対して、吸着剤処理を行う。該吸着剤は反応終了後にそのまま反応液添加してもよく、また反応後の不溶解物を除去した濾液に添加してもよい。本発明の好ましい実施形態は、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を含有する溶液に対して反応液中の不溶解物を除去せずそのまま吸着剤を添加し、吸着処理を行った後に固液分離によって反応後の不溶解物と同時に除去する。
【００６１】
本発明で使用する吸着剤の具体的な例としては、シリカゲル、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、あるいはこれら金属酸化物の混合系からなる市販の吸着剤、活性炭、ゼオライト、モンモリロナイト等の粘土鉱物が挙げられるが、好ましくは酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、金属酸化物の混合系からなる市販の吸着剤、活性炭であり、最も好ましくは活性炭である。
活性炭はどのようなものでも構わないが、瀝青炭、泥炭、グラファイト、コークス、木材等からつくられるものが好ましく、比表面積が５００ｍ2／ｇ以上のものがより好ましい。また、活性炭の形状は特に限定されないが、造粒炭、粒状炭、破砕炭および粉末炭が好ましく、より好ましくは、粒状炭、粉末炭である。活性炭の具体的な例としては、ツルミコール株式会社製「ツルミコール」、二村化学工業（株）製「太閤」、日本ノリット株式会社製「ＮＯＲＩＴ」、および武田薬品工業株式会社製「白鷺Ａ」が好ましく、より好ましくはツルミコール株式会社製「ツルミコール」、および武田薬品工業株式会社製「白鷺Ａ」である。
吸着剤は複数種を用いることも可能である。
吸着剤の使用量は、反応で得られた一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の理論生成量に対して０．１〜２００質量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０質量％、さらに好ましくは１〜２０質量％の範囲である。
吸着剤処理する温度は通常０〜８０℃の範囲であるが、好ましくは１０〜６０℃、より好ましくは３０〜５０℃である。
吸着剤処理の時間は吸着剤の種類、使用量、温度により異なるが通常０．２〜１２時間である。また吸着剤処理の工程で終夜放置することも可能である。吸着剤処理後に、使用した吸着剤は通常の固液分離により容易に除去することができる。
【００６２】
本発明においては、吸着剤処理工程で、吸着剤とともに脱水剤、特に好ましくは無水酢酸を添加することが好ましい。これにより、反応等で混入するエチニルフタル酸誘導体を閉環し、エチニルフタル酸無水物誘導体に変換し、収率および純度を向上させることができる。無水酢酸の使用量は、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の理論生成量に対し、好ましくは０．００１〜２倍モル、より好ましくは０．００１〜１倍モル、さらに好ましくは０．０１〜０．５倍モルである。
【００６３】
本発明の吸着剤処理工程では、反応溶媒の溶媒をそのまま使用しても、また溶媒交換（一部の交換も含む）後の溶媒を使用してもよい。溶媒交換して使用される溶媒は、前記の反応工程で使用される溶媒の中から選択されるのが好ましい。吸着剤処理時に使用する溶媒は、芳香族炭化水素系溶媒、特にトルエン、キシレン、モノクロロベンゼンおよびこれらを少なくとも１種含有する溶媒（混合溶媒）が好ましい。
【００６４】
吸着剤を除去した反応液を冷却することで一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体が結晶として析出するので、通常の固液分離を行って目的物を単離することができるが、結晶析出に際して貧溶剤を併用することも可能である。かかる方法で得られるエチニルフタル酸無水物誘導体は極めて高純度であり、ポリイミド樹脂等の末端封止材料として好適に使用することができる。
【００６５】
本発明の製造方法においては、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて得た一般式（１）で表される反応生成物を、加水分解する工程を経て、吸着剤による処理を行うこともできる。以下に、第二の態様として説明する。
第二の態様において、加水分解は、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を単離して行ってもよいが、単離することなく（好ましくは結晶として取り出すことなく）引き続き行う方法は好ましく適用される。また、吸着剤処理を行った一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体に対して、第二の態様を行うことも好ましい。
【００６６】
最初に、一般式（２）および一般式（３）で表される化合物を反応させて得られる一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を加水分解する方法について説明する。
【００６７】
酸無水物誘導体を加水分解する方法は合成化学的に公知であり、通常は塩基を作用させる方法が好ましく採用され、本発明にも好ましく適用される。塩基の種類としてはアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属アルコキシド、有機塩基等が挙げられるが、好ましい塩基はアルカリ金属水酸化物である。アルカリ金属水酸化物としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムが挙げられるが、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムの使用が好ましい。これらはフレーク状、ペレット状のものを使用してもよいし、任意の濃度の溶液（例えば２５質量％水酸化ナトリウム水溶液、４８質量％水酸化カリウム水溶液）として使用してもよい。工業スケールでの製造を考慮すると、溶液状態で使用するのが簡便である。加水分解工程において使用する塩基（好ましくはアルカリ金属水酸化物）の使用量は一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の理論生成量に対して２．０〜１０倍モルの範囲が好ましく、より好ましくは２．０〜５．０倍モル、さらに好ましくは２．１〜３．０倍モルである。
【００６８】
加水分解工程において使用しうる反応溶媒としては、工程操作上の問題等を引き起こさず、反応の進行を妨げず、かつ本発明のアルカリ加水分解工程において分解して反応に悪影響を与えない限り特に制限はないが、水あるいは水と有機溶剤からなる混合系が選択される。水と併用してもよい有機溶剤としてはメタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール系溶媒、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン等の非プロトン性極性溶媒、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ピリジン等のピリジン系溶媒、アセトニトリル等のニリル系溶媒など、あるいはこれらの中から選択される複数の溶媒を併用する方法が好ましく挙げられるが、エチニルフタル酸無水物誘導体生成時の溶媒をそのまま使う方法も、コストおよび操作性の面から好適である。これらの中でもアルコール系溶媒、非プロトン性極性溶媒、ピリジン系溶媒、ニトリル系溶媒の使用が好ましく、メタノール、エタノール、２−プロパノール、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、アセトニトリルの使用がより好ましい。最も好ましい溶媒は水、あるいは水とメタノール、エタノール、Ｎ−メチルピロリドン、スルホラン、アセトニトリルあるいはこれらの中から選択される２〜３種の溶媒の併用系である。
【００６９】
加水分解工程における反応温度は通常０〜２００℃の範囲であるが、好ましくは２０〜１００℃、より好ましくは２０〜６０℃である。反応時間は仕込み量、反応温度により異なるが通常０．２〜１２時間であり、０．５〜６時間の範囲がより好ましい。加水分解工程では特に不活性な雰囲気は不要であるが、アルゴンまたは窒素気流下で反応を行なってもよい。
以上を本発明の第一の態様とする。
【００７０】
次いで、加水分解後に吸着剤処理工程を有するエチニルフタル酸誘導体の製造方法について説明する。かかる製造方法を本発明の第二の態様とする。
本発明の第二の態様においては、吸着剤処理は、上記の加水分解反応終了後の反応混合物に対して吸着剤処理を行うのが好ましい。吸着剤としては、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体において挙げた吸着剤を挙げることができ、好ましい範囲も同じである。吸着剤の使用量は原料として用いたエチニルフタル酸無水物誘導体の量もしくは理論生成量に対して０．１〜２００質量％の範囲であるが、好ましくは０．５〜５０質量％、より好ましくは１〜２０質量％である。吸着剤処理の温度は通常０〜８０℃の範囲であるが、好ましくは１０〜６０℃、より好ましくは２０〜４０℃である。吸着剤処理の時間は仕込み量、温度により異なるが通常０．５〜１２時間である。また吸着剤処理の工程で終夜放置することも可能である。使用した吸着剤は通常の固液分離により容易に除去することができる。
この第二の態様においては、吸着剤は加水分解反応後の反応液に吸着剤を添加するのが好ましい。
【００７１】
加水分解、吸着剤処理後の反応混合物には、エチニルフタル酸誘導体が有機あるいは無機の塩基と塩を形成した状態で存在している。貧溶媒を加えて塩を結晶として析出せしめ、これを固液分離により単離してもよいが、単離することなく塩から酸に変換することによって下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体に変換するのが好ましい。
【００７２】
【化１２】
【００７３】
一般式（４）中、Ｑは前記一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同一である。
また、一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体において、好ましくは下記一般式（４Ａ）で表されるエチニルフタル酸誘導体である。
【００７４】
【化１３】
【００７５】
一般式（４Ａ）中、Ｑは一般式（４）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００７６】
得られたエチニルフタル酸誘導体の塩の混合物から一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体への変換は、吸着剤を固液分離により除去した後の反応液に酸を作用させることで実施される。使用する酸の量は、理論生成量におけるカルボキシル基１個に対して１当量以上、好ましくは１〜１．５当量である。使用する酸の種類としては鉱酸が好ましく、具体的にはハロゲン化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸等が挙げられるが、通常は塩酸あるいは硫酸が用いられる。酸との作用により、カルボン酸塩をカルボン酸となり、エチニルフタル酸誘導体が析出するので、通常の固液分離を行って目的物を単離することができる。また、有機溶媒を用いて抽出し、貧溶媒を添加して晶析、あるいは減圧または常圧による濃縮で溶媒置換した後に晶析させることもできる。本発明においては、減圧または常圧による濃縮で溶媒置換した後に晶析させることが好ましい。
また抽出に用いた有機溶媒をそのまま、あるいは減圧または常圧による濃縮で溶媒置換した後に、引き続き、一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を環化して一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体を合成することができ、このように一般式（１）で表される化合物に再度導く方法は本発明の第二の態様において、特に好ましい。
【００７７】
一般式（４）で表される化合物を抽出する有機溶剤としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン等のエーテル系溶剤、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤、ヘキサン、へプタンに代表される脂肪族系炭化水素溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン化合物、芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。工業的規模での大量製造適性、入手の容易さ等の観点から好ましく使用される有機溶剤の具体的としては、メチル−ｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン（ｏ−体、ｍ−体、ｐ−体あるいはこれらの任意の割合の混合物のいずれであってもよい）、メシチレン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、イソプロピルベンゼン（クメン）、クロロベンゼン、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられるが、これらの中でもメチル−ｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンがより好ましく、メチル−ｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン、酢酸エチル、メチルエチルケトンがなおより好ましい溶剤である。これらは複数併用することも可能である。
有機溶剤を共存させることにより、カルボン酸の塩が酸に変換された一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を効果的に有機層に抽出することができる。
【００７８】
以下に、第二の態様における好ましい態様である、一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を化学的または熱的に閉環して、一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体に誘導する方法について説明する。
該環化反応は合成化学的に公知であり、その方法は特に限定されない。例えば溶剤の存在下に無水酢酸と加熱することで容易に閉環することができる。また、１１０℃〜１５０℃に加熱して閉環することも可能であり、この場合はトルエンなど共沸により水を除去する性質を有する溶剤を使用することが好ましい。
反応終了後は反応液を冷却することで一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体が結晶として析出するので、通常の固液分離を行って目的物を単離することができる。あるいは貧溶剤を併用することも可能である。
【００７９】
本発明の第一の態様、及び第二の態様のいずれの場合であっても、上記以外の工程に他の工程を適宜追加することができる。
【００８０】
本発明の製造方法で得られるエチニルフタル酸無水物誘導体及びエチニルフタル酸誘導体は極めて高純度であり、ポリイミド樹脂等の末端封止材料として好適に使用することができる。
【実施例】
【００８１】
以下実施例、比較例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例および比較例に記載の方法で合成したエチニルフタル酸無水物誘導体は、以下に記載の方法でガスクロマトグラフィーによる純度測定、融点および吸光度の測定を行った。同じ物質においては、融点が高く、吸光度が低い物質の方が、不純物が少ない。
【００８２】
１．ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）
試料５０ｍｇをジクロロメタンに溶解させて計１０ｍｌの溶液にして測定した。
・カラム：Ｊ＆Ｗ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製 ＤＢ−５ＭＳ，０．２５ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｍ
・キャリアーガス：ヘリウム、７０ｋＰａ
・検出：ＦＩＤ
・カラム温度：１００℃ → ３００℃（昇温 １０℃／分）
【００８３】
２．融点
メトラー・トレド（株）製ＦＰ９０／８１ＨＴ自動融点測定システムを用いて下記条件にて測定した。
（４−フェニルエチニルフタル酸無水物の測定の場合）
・測定開始温度：１４７℃
・測定終了温度：１５５℃
・昇温速度：０．１℃／分
・検出方法：透過率変化
（４−シアノフェニルエチニルフタル酸無水物および４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物の測定の場合）
・測定開始温度：２１５℃
・測定終了温度：２２５℃
・昇温速度：０．１℃／分
・検出方法：透過率変化
【００８４】
３．吸光度
（株）日立製作所製Ｕ−３５００吸光光度計を用い、下記条件にて測定した。
・試料濃度：１００ｍｇ／１０ｍｌ （但し、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物については、１０ｍｇ／１０ｍｌ）
・溶媒：酢酸エチル
・セル：石英ガラスセル １０ｍｍ
・参照：酢酸エチル
・測定波長：４００ｎｍ （但し、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物については、４５０ｎｍ）
【００８５】
＜実施例１＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、およびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．３１ｇ（０．４５×１０-3モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、混合キシレン１００ｇおよび活性炭（商品名：ツルミコール粒状炭，ツルミコール株式会社製）３．４ｇを加え８０℃で３０分加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は５５．８ｇ（収率７４．９％）であった。
【００８６】
＜実施例２＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリフェニルホスフィン０．６０ｇ（０．２２×１０-2モル）、塩化パラジウム０．０７ｇ（０．４０×１０-3モル）、およびヨウ化銅０．１０ｇ（０．５３×１０-3モルを入れ、窒素気流下加熱し、次に４−シアノフェニルアセチレン４２．０ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温４８〜５２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間５０℃で反応させた後、減圧下、４０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次に、モノクロロベンゼン１００ｇ、無水酢酸５．１ｇ（０．０５０モル）および活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）３．４ｇを加え８０℃で３０分加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、減圧乾燥して４−（４’−シアノフェニル）エチニルフタル酸無水物を得た。収量は５５．９ｇ（収率６８．２％）であった。
【００８７】
＜実施例３＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ、およびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．３１ｇを入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇを２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、４０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）を３．４ｇ加え、されに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、析出した結晶を固液分離した。得られた結晶を５０℃で一夜乾燥させ、４−フェニルエチニルフタル酸を７７．５ｇ得た。この結晶全量に、酢酸エチル２００ｍｌおよび無水酢酸４９．５ｇを添加した。この混合液を加熱して１時間還流させ、氷水浴にて３０分間冷却後、固液分離した。得られた結晶物をトルエンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は６２．５ｇ（反応全体での収率８３．９％）であった。
【００８８】
＜実施例４＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン４０．５ｇ、トリフェニルホスフィン０．５０ｇ、ヨウ化銅０．１４ｇおよびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．１５ｇを入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇを２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、４０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：太閤，二村化学工業株式会社製）を３．４ｇ加え、されに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、酢酸エチル５００ｍｌを加えて内温４０℃まで攪拌しながら加温した。攪拌を停止して静置後、水層を取り除き、減圧濃縮により酢酸エチルを留去し、アセトニトリル５０ｍｌおよび水３００ｍｌを加えた。この懸濁液を室温で１０分攪拌し、固液分離して得られた結晶を水洗した。結晶は５０℃で減圧乾燥させ、４−フェニルエチニルフタル酸を７７．０ｇ得た。この結晶全量に、トルエン２００ｍｌおよび無水酢酸４４．１ｇを添加し、加熱して２時間還流させ、得られた結晶物をトルエンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は６４．１ｇ（反応全体での収率８６．１％）であった。
【００８９】
＜実施例５＞
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン４０．５ｇ、トリフェニルホスフィン０．５０ｇ、ヨウ化銅０．１４ｇおよびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．１５ｇを入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇを２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、４０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）を３．４ｇ加え、されに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、酢酸エチル５００ｍｌを加えて内温４０℃まで攪拌しながら加温した。攪拌を停止して静置後、水層を取り除き、減圧濃縮により酢酸エチルを８０％留去し、さらにキシレン２００ｍｌを加えて全体量が２００ｍｌになるまで減圧濃縮を進めた。これに無水酢酸６１．３ｇを添加した。この混合液を加熱して２時間還流させ、得られた結晶物をトルエンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は６７．３ｇ（反応全体での収率９０．４％）であった。
【００９０】
＜実施例６＞
還流管を備え付けた１０００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン５００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリ−ｏ−トルイルホスフィン０．６７ｇ（２．２×１０-3モル）、および酢酸パラジウム９０ｍｇ（４．０×１０-4モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次に１−エチニルナフタレン５４．８ｇ（０．３６モル）を３０分間、内温６５〜７０℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、５時間７０〜７６℃で反応させた後、減圧下、５０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、８０℃で１時間加熱した。これに活性炭（商品名：白鷺Ａ，武田薬品工業株式会社製）を３．４ｇ加え、さらに３０分間攪拌した。珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、析出した結晶を固液分離した。得られた結晶を５０℃で一夜乾燥させ、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸を８７．３ｇ得た。この結晶全量に、クロロベンゼン５００ｍｌおよび無水酢酸４９．５ｇを添加した。この混合液を加熱して１時間還流させ、氷水浴にて３０分間冷却後、固液分離した。得られた結晶物をアセトンで洗浄し、減圧乾燥して４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物を得た。収量は７６．５ｇ（反応全体での収率８５．５％）であった。
【００９１】
＜比較例１＞（特開２００３−７３３７２号公報記載の方法）
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、アセトニトリル１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、およびビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム０．３１ｇ（０．４５×１０−３モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次にフェニルアセチレン３３．７ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温５８〜６２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間６０℃で反応させた後、減圧下、６０℃にてアセトニトリルを９０％留去した。次に、混合キシレン１００ｇを入れ８０℃に加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、減圧乾燥して４−フェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は５８．９ｇ（収率７９．１％）であった。
【００９２】
＜比較例２＞（特開２００３−７３３７２号公報記載の方法）
還流管を備え付けた３００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン１００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリフェニルホスフィン０．６０ｇ（０．２２×１０-2モル）、塩化パラジウム０．０７ｇ（０．４０×１０-3モル）、およびヨウ化銅０．１０ｇ（０．５３×１０-3モルを入れ、窒素気流下加熱し、次に４−シアノフェニルアセチレン４２．０ｇ（０．３３モル）を２０分間、内温４８〜５２℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、１５時間５０℃で反応させた後、減圧下、４０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次にモノクロロベンゼン１００ｇを入れ８０℃に加熱した。珪藻土１０ｇを均一に乗せた直径５ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液を室温まで冷却し固液分離した。得られた結晶物を、キシレンで洗浄し、乾燥して４−シアノフェニルエチニルフタル酸無水物を得た。収量は５５．０ｇ（収率．６７．１％）であった。
【００９３】
＜比較例３＞（特開平１１−１８０９７０号公報記載の方法）
撹拌機、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器にトリフェニルホスフィンを１．１０ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、４−ブロモフタル酸無水物を６８１．０ｇ（３．００ｍｏｌ）、フェニルアセチレンを３２１．７ｇ（３．１５ｍｏｌ）、トリエチルアミンを３．５Ｌ装入し、強く撹拌しながら窒素を３０分間バブリングした。パブリングを止め、窒素を導入しつつ、ここに、ＰｄＣｌ2［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］2を０．２１ｇ（０．３ｍｍｏｌ）装入して６０℃まで昇温した。さらに、ヨウ化銅０．２３ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を装入し、ゆっくりと昇温して、８５〜９０℃で４時間反応させた。反応終了後冷却し、１規定の水酸化ナトリウム水溶液７．５Ｌを装入し、２時間撹拌した。有機層を除去し、残った水層に溶解する未反応原料等を取り除くために、これにトルエン２Ｌを装入しトルエン抽出をすることを３回行い、得られた均一な水層に２規定の塩酸水を３．２５Ｌ滴下装入した。得られた析出物をろ過し、水５Ｌで洗浄し、１１０℃減圧下で２４時間乾燥した。得られた４−フェニルエチニルフタル酸は白色粉末であり、収量は７８２．２ｇ、収率は９７．９％であった。更に撹拌機、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器に、得られた４−フェニルエチニルフタル酸７８２．２ｇ、無水酢酸７３０ｇ、トルエン７３０ｇを装入し、１１０℃還流下で４時間撹拌した。１００℃まで冷却した後、熱ろ過し、冷却し、得られた析出物をろ過し、無水酢酸／トルエン混合溶媒（混合質量比５／５）５００ｇで洗浄し、さらに、トルエン／ヘキサン混合溶媒（混合質量比５／５）５００ｇで洗浄した。これを１４０℃減圧・窒素微気流下で１２時間乾燥した。得られた４−フェニルエチニルフタル酸無水物は、トルエン可溶の黄白色粉末であり、収量は６３２．７ｇ、反応全体での収率は９２．５％であった。
【００９４】
＜比較例４＞（特開平１１−１８０９７０号公報記載の方法）
還流管を備え付けた１０００ｍｌの三口フラスコに４−ブロモ無水フタル酸６８．１ｇ（０．３０モル）、テトラヒドロフラン５００ｇ、トリエチルアミン３６．４ｇ（０．３６モル）、トリ−ｏ−トルイルホスフィン０．６７ｇ（２．２×１０-3モル）、および酢酸パラジウム９０ｍｇ（４．０×１０-4モル）を入れ、窒素気流下加熱し、次に１−エチニルナフタレン５４．８ｇ（０．３６モル）を３０分間、内温６５〜７０℃を維持しながら滴下した。滴下終了後、５時間７０〜７６℃で反応させた後、減圧下、５０℃にてテトラヒドロフランを９０％留去した。次に、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液５２．８ｇを加え、８０℃で１時間加熱し、珪藻土２０ｇを均一に乗せた直径７ｃｍのろ紙により、この溶液を加圧熱ろ過した。ろ液に攪拌条件下で、３５．５質量％濃塩酸３７．０ｇを１０分で滴下し、析出した結晶を固液分離した。得られた結晶を５０℃で一夜乾燥させ、４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸を８７．６ｇ得た。この結晶全量に、クロロベンゼン５００ｍｌおよび無水酢酸４９．５ｇを添加した。この混合液を加熱して１時間還流させ、氷水浴にて３０分間冷却後、固液分離した。得られた結晶物をアセトンで洗浄し、減圧乾燥して４−（１−ナフチルエチニル）フタル酸無水物を得た。収量は７６．６ｇ（反応全体での収率８５．６％）であった。
【００９５】
これらの方法で合成したエチニルフタル酸無水物誘導体を物性の評価に供した。測定結果を下記表１に記載した。
【００９６】
【表１】
【００９７】
上記の表１から、本発明の製造方法を適用して得られた化合物は、純度が高く、着色も少なく、高品質である。一方、比較例３の方法は精製工程を有する方法であり、精製装置が必要であることに加え、工程数が多い。この比較例３の方法に比べ本発明の製造方法は簡略な方法であり、かつ、本発明の製造方法で得られる化合物は高純度であった。
すなわち、本発明の製造方法を適用して得られた化合物は、着色およびその原因となる不純物が低減されており、機能性材料については絶縁性あるいは透明性等の性質を要求される場合にはとりわけ有利である。また医薬、農薬の中間体としては、純度が高い点で理想的な合成中間体を提供できることとなった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、吸着剤による処理を行うことを特徴とする下記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【化１】
一般式（１）〜（３）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【請求項２】
下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、得られた下記一般式（１）で表される化合物を加水分解した後、吸着剤により処理することを特徴とする下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体の製造方法。
【化２】
一般式（１）〜（４）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【請求項３】
請求項２に記載の方法で得られた前記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を閉環することを特徴とする前記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記吸着剤が活性炭であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記一般式（２）で表されるアルキニル化合物が、下記一般式（２Ａ）で表されるアルキニル化合物であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の製造方法。
【化３】
一般式（２Ａ）中、ｎは０〜３の整数を表し、Ｒ1は各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子またはシアノ基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。
【請求項６】
前記吸着剤による処理が、脱水剤の存在下で行われることを特徴とする請求項１、４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記吸着剤が、加水分解後の反応液に添加されることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１】
下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、吸着剤による処理を行うことを特徴とする下記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【化１】
一般式（１）〜（３）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【請求項２】
下記一般式（２）で表されるアルキニル化合物と下記一般式（３）で表されるハロフタル酸無水物誘導体を反応させた後、得られた下記一般式（１）で表される化合物を加水分解した後、吸着剤により処理することを特徴とする下記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体の製造方法。
【化２】
一般式（１）〜（４）において、Ｑは炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルケニル基、炭素数６〜１０のビシクロアルキル基、炭素数６〜１２のトリシクロアルキル基、炭素数６〜１６のアリール基または炭素数２〜１０のアシル基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。Ｘ1はハロゲン原子を表す。
【請求項３】
請求項２に記載の方法で得られた前記一般式（４）で表されるエチニルフタル酸誘導体を閉環することを特徴とする前記一般式（１）で表されるエチニルフタル酸無水物誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記吸着剤が活性炭であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記一般式（２）で表されるアルキニル化合物が、下記一般式（２Ａ）で表されるアルキニル化合物であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の製造方法。
【化３】
一般式（２Ａ）中、ｎは０〜３の整数を表し、Ｒ1は各々独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、トリフルオロメチル基、フッ素原子またはシアノ基を表し、これらの各基は置換基を有していてもよい。
【請求項６】
前記吸着剤による処理が、脱水剤の存在下で行われることを特徴とする請求項１、４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記吸着剤が、加水分解後の反応液に添加されることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【公開番号】特開２００６−１５１９０４（Ｐ２００６−１５１９０４Ａ）
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３４７１４７（Ｐ２００４−３４７１４７）
【出願日】平成１６年１１月３０日（２００４．１１．３０）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月３０日（２００４．１１．３０）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
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