キノキサリン誘導体及び電界発光素子
【課題】優れた電子輸送性およびホールブロッキング性を有し、かつ結晶化することなく
成膜できるキノキサリン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】下記の一般式［Ｃ−１］に代表されるキノキサリン誘導体を合成する。
（式中、ＸおよびＹは置換または無置換のアリール基、あるいは置換または無置換の複素
環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキシル基、置換
または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）また、上記キノキ
サリン誘導体を用いた電界発光素子を含む有機半導体素子を形成する。
成膜できるキノキサリン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】下記の一般式［Ｃ−１］に代表されるキノキサリン誘導体を合成する。
（式中、ＸおよびＹは置換または無置換のアリール基、あるいは置換または無置換の複素
環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキシル基、置換
または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）また、上記キノキ
サリン誘導体を用いた電界発光素子を含む有機半導体素子を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体材料であるキノキサリン誘導体、前記キノキサリン誘導体を用い
た有機半導体素子および電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機化合物は無機化合物に比べて、材料系が多様であり、適した分子設計により様々な
機能を有する材料を合成できる可能性がある。また、膜等の形成物が柔軟性に富み、さら
には高分子化させることにより加工性にも優れるという特長もある。これらの利点から、
近年、機能性有機材料を用いたフォトニクスやエレクトロニクスに注目が集まっている。
【０００３】
例えば、有機半導体材料を機能性有機材料として用いたフォトエレクトロニクスデバイ
スの例として、太陽電池や電界発光素子（有機エレクトロルミネッセント素子ともいう）
が挙げられる。これらは有機半導体材料の電気物性（キャリア輸送性）および光物性（光
吸収あるいは発光）を活かしたデバイスであり、中でも特に、電界発光素子はめざましい
発展を見せている。
【０００４】
電界発光素子の基本的なデバイス構造は、１９８７年にＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ等によって報
告されている。素子構造は、ホール輸送性の有機化合物と電子輸送性の有機化合物とを積
層させた合計約１００ｎｍ程度の有機薄膜を、電極で挟んだダイオード素子の一種であり
、素子に電圧を印加すると、発光性の材料（蛍光材料）からなる電子輸送性の化合物から
の発光を得ることができる（例えば、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ ａｎｄ Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙ
ｋｅ， ”Ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｏｄｅｓ”
， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１， Ｎｏ．１２，
９１３−９１５ （１９８７） 参照〔文献１〕。）。
【０００５】
このように、有機半導体材料を用いた素子、中でも太陽電池や電界発光素子のようにヘ
テロ接合を用いる素子には、ホール輸送性材料と電子輸送性材料との組み合わせが必要不
可欠であると言える。
【０００６】
ところが、有機半導体材料は一般に、潜在的にホール輸送性の材料が多い。また、その
キャリア移動度の絶対値を見ても、ホール輸送性材料のホール移動度の方が電子輸送性材
料の電子移動度に比べて数桁大きいのが現状である。したがって、電子輸送性の優れた電
子輸送性材料が望まれている。
【０００７】
なお、電子輸送性材料としては、電子輸送性を有することで知られているキノキサリン
誘導体を２量化させることにより、熱物性を向上させたという報告がなされている（例え
ば、特開平６−２０７１６９号公報 参照〔文献２〕）。
【０００８】
しかしながら、２量化することで分子間の相互作用は小さくなるため、電子輸送性は低
下する。また、エネルギーギャップ等の物性値も本来のキノキサリン誘導体から大きくず
れてしまう。
【０００９】
また、キノキサリン骨格に縮合環を導入し、剛直な平面構造とすることで、熱物性値（
ガラス転移点や融点）を向上させたという報告もなされている（例えば、特開平９−１３
０２５号公報 参照〔文献３〕）。
【００１０】
しかし、この材料は熱物性値が高いという特徴を有しているものの、膜を形成した際に
アモルファス状態を維持しづらく、結晶化し易いというデメリットをも有している。
【００１１】
その他、電子輸送性材料にはホールブロッキング性を併せ持つ材料（この場合を特にホ
ールブロッキング性材料という）が知られている。この場合、電子を輸送するという機能
の他にホールをブロックするという機能も有しているため、様々な応用が可能となる。例
えば電界発光素子において、ホールブロッキング性材料をホール輸送層と電子輸送層との
間に挿入することにより、ホールをホール輸送層内に閉じこめ、ホール輸送層において選
択的にキャリアを再結合させ、発光させたという報告がある（例えば、Ｙａｓｕｎｏｒｉ
ＫＩＪＩＭＡ， Ｎｏｂｕｔｏｓｈｉ ＡＳＡＩ ａｎｄ Ｓｈｉｎ−ｉｃｈｉｒｏ
ＴＡＭＵＲＡ， ”Ａ Ｂｌｕｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄ
ｉｏｄｅ”， Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ， Ｖｏｌ． ３８， ５２７４−５２７７（１９９９） 参照〔文献４〕）。
【００１２】
さらに、ホールブロッキング性の材料を三重項発光素子に用いることで効率の良い発光
が得られたという報告がなされている（例えば、Ｄ． Ｆ． Ｏ’Ｂｒｉｅｎ， Ｍ．
Ａ． Ｂａｌｄｏ， Ｍ． Ｅ． Ｔｈｏｍｐｓｏｎ ａｎｄ Ｓ． Ｒ． Ｆｏｒｒｅ
ｓｔ， ”Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｅｎｅｒｇｙ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏ
ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅｓ”， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ， ｖｏｌ． ７４， Ｎｏ． ３， ４４２−４４４ （１９９９）
参照〔文献５〕）。
【００１３】
なお、三重項発光素子は電界発光素子の高効率化に有効な技術であるが、ホールブロッ
キング材料を用いないと効率よく発光できないため、ホールブロッキング材料が重要なキ
ーとなる。
【００１４】
このように、電子輸送性材料の中でもホールブロッキング材料の重要性は高いが、電子
輸送性が高く、なおかつホールブロッキング性も良好である材料となると、かなり限定さ
れてしまうのが現状である。その少数例として、例えば文献４、文献５でも用いられてい
るＢＣＰ（バソキュプロイン）が挙げられるが、蒸着膜の結晶化が激しく、実際のデバイ
スに適用する場合には信頼性に大きな悪影響を及ぼす。
したがって、電子輸送性材料の中でも、良好なホールブロッキング性を有する上に膜質
が良く、結晶化しにくいホールブロッキング性材料が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明では、優れた電子輸送性およびホールブロッキング性を有し、かつ結晶
化することなく成膜できるキノキサリン誘導体を提供することを目的とする。また、上記
キノキサリン誘導体を用いて有機半導体素子、およびその一種である電界発光素子を作製
することにより、高効率で駆動安定性の高い有機半導体素子、および電界発光素子を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の構成は、下記（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）のキノキサリ
ン誘導体を提供するものである。
（１）一般式［Ｃ−１］で表されるキノキサリン誘導体。
【化１】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（２）一般式［Ｃ−２］で表されるキノキサリン誘導体。
【化２】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（３）一般式［Ｃ−３］で表されるキノキサリン誘導体。
【化３】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（４）一般式［Ｃ−４］で表されるキノキサリン誘導体。
【化４】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（５）一般式［Ｃ−５］で表されるキノキサリン誘導体。
【化５】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（６）（１）乃至（５）のいずれか一において、
一般式［Ｃ−６］で表される前記複素環残基を含むキノキサリン誘導体。
【化６】
（式中、ＡはＳまたはＯを示す。）
【００１７】
上述した（１）〜（６）に示す本発明のキノキサリン誘導体は、ジケトンとジアミンを
材料として用いることにより合成することができる。なお、本発明で用いるキノキサリン
誘導体（ＦｕＱｎ）の合成方法は、下記に示す合成方法に限定されるものではない。なお
、合成方法の一例として（５）に示すキノキサリン誘導体の合成スキームを以下［Ｃ−７
］に示す。
【化７】
【００１８】
具体的には、ジケトンとジアミンをクロロホルム（脱水クロロホルム）、アルコール（
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール）等の溶媒中で攪拌還流する。途中
、ｐ−トルエンスルホン酸を加えさらに攪拌還流を行う。この反応時間は１〜２４時間が
好ましい。
【００１９】
なお、上記各構成において、キノキサリン誘導体の各構造は、ＸおよびＹがアルキル基
、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または無置換の複素環残基を有しており
、平面構造とならないことから膜を形成した際におけるアモルファス状態を維持し、結晶
化しにくい構造とすることができる。従って、従来技術で示した文献３で開示されたＸお
よびＹが環状構造とする場合に比べ、成膜性の面で著しい効果を有している。
【００２０】
さらに、ＸおよびＹが上述した構造を有する場合には電荷の偏りが生じるため、電子輸
送性を向上させることができる。なお、電子輸送性を向上させる上では複素環残基を有す
ることがより好ましい。
【００２１】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
を用いた電界発光素子を含む有機半導体素子である。
【００２２】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
が電子輸送性に優れた材料であることから、前記キノキサリン誘導体を電子輸送性材料と
して用いた電界発光素子である。
【００２３】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
とゲスト材料を含む発光層を有することを特徴とする電界発光素子である。本発明のキノ
キサリン誘導体は、エネルギーギャップが広いという特徴を有していることから、ホスト
材料として用い、他のゲスト材料と共に発光層を形成することができる。
【００２４】
なお、上記構成において、本発明のキノキサリン誘導体は、ホスト材料の広いエネルギ
ーギャップが要求される燐光性物質をゲスト材料として用いた場合には特に好ましい。
【００２５】
一方、本発明のキノキサリン誘導体は、エネルギーギャップが広く、４５０ｎｍ付近に
蛍光波長を示すことから青色発光用のゲスト材料としても用いることができる。なお、本
発明のキノキサリン誘導体は、電子輸送性を有する材料であり、一般に電子輸送性を有す
る材料をゲスト材料として用いることにより膜抵抗を低下できることが知られているため
、駆動電圧を低下させる上で効果的である。
【００２６】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
がホールブロッキング性においても優れていることからホールブロッキング性材料として
用いたことを特徴とする電界発光素子である。
【００２７】
また、上記構成において、本発明のキノキサリン誘導体はエネルギーギャップの広い材
料であることから、前記キノキサリン誘導体をホールブロッキング材料としてホールブロ
ッキング層に用いた場合には、広いエネルギーギャップが要求される燐光性物質を含む発
光層を有する構成が特に好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明を実施することにより、優れた電子輸送性およびホールブロッキング性を有し、
かつ結晶化することなく成膜できるキノキサリン誘導体が得られた。また、上記キノキサ
リン誘導体を用いて有機半導体素子、およびその一種である電界発光素子を作製すること
により、高効率で駆動安定性の高い有機半導体素子、および電界発光素子を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図２】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図３】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図４】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図５】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図６】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図７】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図８】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図９】本発明のキノキサリン誘導体のＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図１０】図１０Ａと図１０Ｂは、本発明のキノキサリン誘導体およびＢＣＰ薄膜の表面写真である。
【図１１】本発明のキノキサリン誘導体の１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明における電界発光素子の素子構成は、基本的には、一対の電極（陽極及び陰極）
間に上述したキノキサリン誘導体（（１）〜（６）に示す）を含む電界発光層（正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層）を挟持した構成で
あり、例えば、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔
輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／電子注入層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホールブロッキング層
／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホールブロッキング層／
電子輸送層／電子注入層／陰極等の構成を有する電界発光素子において、電子輸送層、ブ
ロッキング層、または発光層に前記キノキサリン誘導体を用いることができる。
【００３１】
また、本発明の電界発光素子は基板に支持されていることが好ましく、該基板について
は特に制限はなく、従来の電界発光素子に用いられているものであれば良く、例えば、ガ
ラス、石英、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
【００３２】
また、本発明の電界発光素子の陽極材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０
ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好
ましい。なお、陽極材料の具体例としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ
）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉ
ｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タ
ングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ
）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いるこ
とができる。
【００３３】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、
電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料
の具体例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等の
アルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金
（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２）の他、希土類金属を
含む遷移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含
む）との積層により形成することもできる。
【００３４】
なお、上述した陽極材料及び陰極材料は、蒸着法、スパッタリング法等により薄膜を形
成することにより、それぞれ陽極及び陰極を形成する。膜厚は、１０〜５００ｎｍとする
のが好ましい。
【００３５】
また、本発明の電界発光素子において、電界発光層におけるキャリアの再結合により生
じる光は、陽極または陰極の一方、または両方から外部に出射される構成となる。すなわ
ち、陽極から光を出射させる場合には、陽極を透光性の材料で形成することとし、陰極側
から光を出射させる場合には、陰極を透光性の材料で形成することとする。
【００３６】
また、電界発光層には公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材
料のいずれを用いることもできる。なお、発光層を形成する材料には、有機化合物材料の
みから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
【００３７】
なお、電界発光層は、正孔注入性材料からなる正孔注入層、正孔輸送性材料からなる正
孔輸送層、発光性材料からなる発光層、ブロッキング性材料からなるブロッキング層、電
子輸送性材料からなる電子輸送層、電子注入性材料からなる電子注入層などを組み合わせ
て積層することにより形成される。
【００３８】
本発明において、キノキサリン誘導体を電子輸送層に用いる場合には、電界発光層は、
少なくとも陽極側に発光層、陰極側にキノキサリン誘導体を含む電子輸送層とを積層して
形成される。なお、その他の正孔注入層、正孔輸送層は、必要に応じて組み合わせて用い
ることもできる。この場合に用いる具体的な材料を以下に示す。
【００３９】
正孔注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、
フタロシアニン（以下、Ｈ２−Ｐｃと示す）、銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示
す）等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料
もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドープしたポリエチレンジオ
キシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）や、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール
（以下、ＰＶＫと示す）などを用いることもできる。
【００４０】
正孔輸送性材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有す
るもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、先に述べたＴ
ＰＤの他、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−ア
ミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ
−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，
４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニル
アミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げ
られる。
【００４１】
発光性材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、
Ａｌｑ３と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌ
ｍｑ３と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下
、ＢｅＢｑ２と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビ
フェニリル）−アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）２と示す）、ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）２と示す）
などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。
【００４２】
そして、キノキサリン誘導体を含む電子輸送層には、先に示したキノキサリン誘導体（
（１）〜（６））のいずれかを用いることとする。
【００４３】
また、本発明において、キノキサリン誘導体を発光層におけるホスト材料として用いる
場合には、発光層は、少なくともホスト材料であるキノキサリン誘導体と、ゲスト材料と
を含む発光層により形成される。なお、その他の正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、
およびブロッキング層は必要に応じて組み合わせて用いることもできる。この場合におい
て、正孔注入層、正孔輸送層は、キノキサリン誘導体を電子輸送層に用いた場合と同様の
材料を用いることができる。
【００４４】
なお、電子輸送性材料としては、先に述べたＡｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２などの
キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるＢＡ
ｌｑなどが好適である。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール
系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４
−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ール（以下、ＰＢＤと示す）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（以下、ＯＸＤ−７と示す）などの
オキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−
（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと示す）、３−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）
−１，２，４−トリアゾール（以下、ｐ−ＥｔＴＡＺと示す）などのトリアゾール誘導体
、バソフェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと示す）、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰ
と示す）などのフェナントロリン誘導体を用いることができる。
【００４５】
また、ブロッキング性材料としては、上で述べたＢＡｌｑ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ｐ−
ＥｔＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ等を用いることができる。
【００４６】
なお、この場合における発光層はホスト材料であるキノキサリン誘導体（（１）〜（６
））とゲスト材料とを組み合わせることにより形成される。
【００４７】
発光層に用いるゲスト材料としては、キナクリドン、ジエチルキナクリドン（ＤＥＱ）
、ルブレン、ペリレン、ＤＰＴ、Ｃｏ−６、ＰＭＤＦＢ、ＢＴＸ、ＡＢＴＸ、ＤＣＭ、Ｄ
ＣＪＴの他、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と示
す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル
フィリン−白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）等の三重項発光材料（燐光材料）を用いるこ
とができる。
【００４８】
これに対して本発明では、キノキサリン誘導体を電界発光層におけるゲスト材料として
用いることもでき、この場合には、電界発光層は、少なくともゲスト材料であるキノキサ
リン誘導体と、ホスト材料とを含む電界発光層により形成される。なお、その他の正孔注
入層、正孔輸送層、電子輸送層、およびブロッキング層は必要に応じて組み合わせて用い
ることもできる。これらの材料は上述した材料と同様の材料を用いることができる。
【００４９】
さらに、本発明において、キノキサリン誘導体をブロッキング層に用いる場合には、電
界発光層は、少なくとも陽極側に発光層、陰極側にキノキサリン誘導体を含むブロッキン
グ層とを積層して形成される。なお、その他の正孔注入層、正孔輸送層、および電子輸送
層は必要に応じて組み合わせて用いることもできる。この場合において、正孔注入層、正
孔輸送層は、キノキサリン誘導体を電子輸送層に用いた場合と同様の材料を用いることが
でき、また電子輸送層は、キノキサリン誘導体を発光層のホスト材料として用いた場合と
同様の材料を用いることができる。
【００５０】
なお、ブロッキング層にキノキサリン誘導体を用いる場合には、発光性材料として上述
した材料の他に三重項発光材料を用いることがより好ましく、白金または、イリジウムを
中心金属とする錯体を用いることができる。三重項発光材料としては、トリス（２−フェ
ニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と示す）、２，３，７，８，１２，
１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、ＰｔＯ
ＥＰと示す）などが挙げられる。
【００５１】
以下に、本発明の合成例、実施例および比較例を用いて本発明について説明するが、本
発明は、これらの例によって限定されるものではない。
【００５２】
（合成例１）
［Ｃ−７］で示した合成例について詳細に説明する。
【化８】
（２，３−Ｄｉ−ｆｕｒａｎ−２−ｙｌ−ｄｉｂｅｎｚｏ［ｆ，ｈ］ｑｕｉｎｏｘａｌｉ
ｎｅの合成）
【００５３】
ジケトンとして化学反応式［Ｃ−７］中に示す１，２−Ｄｉ−ｆｒａｎ−２−ｙｌ−ｅ
ｔｈａｎｅ−１，２−ｄｉｏｎｅ１．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジアミンとしてＰｈｅｎ
ａｎｔｈｒｅｎｅ−９，１０−ｄｉａｍｉｎｅ２．１４ｇ（１０ｍｏｌ）をそれぞれ入れ
たナスフラスコに脱水クロロホルム（３００ｍｌ）を加え、攪拌還流した。加熱開始から
３０分後スパチュラー１杯のｐ−トルエンスルホン酸を加え２４時間攪拌還流をおこなっ
た。反応終了後 ＨＣｌａｑ、ＮａＨＣＯ３ａｑ、Ｈ２Ｏで抽出した。得られた溶液にＭ
ｇＳＯ４（無水）を加え終夜攪拌をおこなった。エバポレーターで乾固させたのち、常温
減圧乾燥をおこなった。精製はカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）でＲｆ
＝０．８０のところを回収した。カラム精製し黄緑色粉末を昇華精製したところ淡黄色の
針状結晶を得た。この淡黄色の針状結晶の示差走査熱量分析（ＤＳＣ）の結果、融点は２
０２℃であった。また、図９に示す赤外線吸収スペクトル測定の結果、原料の−ＮＨ２由
来の吸収３５００〜３３００ｃｍ−１とα−ジケトン由来の１６８０ｃｍ−１付近のピー
クが消失していることから反応が進行したものと考えられる。
【００５４】
なお、得られた化合物を単離し、１Ｈ−ＮＭＲによる分析を行った。測定結果を図１１
に示す。（基準：ＴＭＳ、溶媒：クロロホルム、測定波長：４００ＭＨｚ）σ（ｐｐｍ）
＝６．６１（１Ｈ°２−フラン）、６．９４（１Ｈ ２−フラン）、７．６３（１Ｈ ２
フラン）、７．７４−７．７９（２Ｈ フェナントレン）、８．６１−８．６４（１Ｈ
フェナントレン）、９．２４−９．２８（１Ｈ フェナントレン）。この結果、化学式［
化７］中に示す構造を有する２，３−Ｄｉ−ｆｕｒａｎ−２−ｙｌ−ｄｉｂｅｎｚｏ［ｆ
，ｈ］ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅであることが確認された。
【００５５】
（合成例２）
化学式［Ｃ−８］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以外
は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−１０
］に示す。
【化９】
【化１０】
【化１１】
【００５６】
（合成例３）
化学式［Ｃ−１１］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
１３］に示す。
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【００５７】
（合成例４）
化学式［Ｃ−１４］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
１６］に示す。
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【００５８】
（合成例５）
化学式［Ｃ−１７］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−１
８］に示す。
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【００５９】
（合成例６）
化学式［Ｃ−１９］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２０］に示す。
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【００６０】
（合成例７）
化学式［Ｃ−２１］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２２］に示す。
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【００６１】
（合成例８）
化学式［Ｃ−２３］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−２
４］に示す。
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【００６２】
（合成例９）
化学式［Ｃ−２５］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２６］に示す。
【化３０】
【化３１】
【化３２】
【００６３】
（合成例１０）
化学式［Ｃ−２７］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２８］に示す。
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【００６４】
（合成例１１）
化学式［Ｃ−２９］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−３
０］に示す。
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【００６５】
（合成例１２）
化学式［Ｃ−３１］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
３２］に示す。
【化３９】
【化４０】
【化４１】
【００６６】
（合成例１３）
化学式［Ｃ−３３］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
３４］に示す。
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【００６７】
（合成例１４）
化学式［Ｃ−３５］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−３
６］に示す。
【化４５】
【化４６】
【化４７】
【００６８】
（合成例１５）
化学式［Ｃ−３７］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
３８］に示す。
【化４８】
【化４９】
【化５０】
【００６９】
（合成例１６）
化学式［Ｃ−３９］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４１］に示す。
【化５１】
【化５２】
【化５３】
【００７０】
（合成例１７）
化学式［Ｃ−４２］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４３］に示す。
【化５４】
【化５５】
【化５６】
【００７１】
（合成例１８）
化学式［Ｃ−４４］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４５］に示す。
【化５７】
【化５８】
【化５９】
【００７２】
（合成例１９）
化学式［Ｃ−４６］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４７］に示す。
【化６０】
【化６１】
【化６２】
【００７３】
（合成例２０）
化学式［Ｃ−４８］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４９］に示す。
【化６３】
【化６４】
【化６５】
【００７４】
（合成例２１）
化学式［Ｃ−５０］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
５１］に示す。
【化６６】
【化６７】
【化６８】
【実施例１】
【００７５】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の一部に用いて作製される電
界発光素子について説明する。なお、本実施例では、基板上に形成される電界発光素子の
素子構成について図１を用いて説明する。
【００７６】
まず、基板１００上に電界発光素子の第１の電極１０１が形成される。なお、本実施例
では、第１の電極１０１は陽極として機能する。材料として透明導電膜であるＩＴＯ（ｉ
ｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を用い、スパッタリング法により１１０ｎｍの膜厚で
形成する。なお、ここで用いるスパッタリング法としては、２極スパッタ法、イオンビー
ムスパッタ法、または対向ターゲットスパッタ法等がある。
【００７７】
次に、第１の電極（陽極）１０１上に電界発光層１０２が形成される。なお、本実施例
では、電界発光層１０２が正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸
送層１１４の積層構造を有し、電子輸送層１１４に本発明のキノキサリン誘導体を用いる
場合について説明する。
【００７８】
第１の電極１０１が形成された基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに第１の電極
１０１が形成された面を下方にして固定し、真空蒸着装置の内部に備えられた蒸発源に銅
フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）を入れ、抵抗加熱法を用いた蒸着法により２
０ｎｍの膜厚で正孔注入層１１１を形成する。
【００７９】
次に正孔輸送性に優れた材料により正孔輸送層１１２を形成する。ここでは４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤ
と示す）を同様の方法により、３０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８０】
次に発光層１１３が形成される。なお、発光層１１３において正孔と電子が再結合し、
発光を生じる。ここでは、Ａｌｑ３を同様の方法により５０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８１】
そして、電子輸送層１１４が形成される。なお、電子輸送層１１４は、本発明のキノキ
サリン誘導体により形成される。キノキサリン誘導体としては、合成例１〜２１に示す材
料を用いることができるが、本実施例では、合成例１に示す２，３−ジフラン−２−イル
−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを同様の方法により２０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８２】
上述したように積層構造を有する電界発光層１０２を形成した後、陰極として機能する
第２の電極１０３をスパッタリング法または蒸着法により形成する。なお、本実施例では
、電界発光層１０２上にアルミニウムリチウム合金（Ａｌ：Ｌｉ）（１００ｎｍ）をスパ
ッタリング法により形成することにより第２の電極１０３を得る。
【００８３】
以上により、本発明のキノキサリン誘導体を用いた電界発光素子が形成される。なお、
本実施例では、基板上に形成される第１の電極が陽極材料で形成され、陽極として機能す
る場合について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、第１の電極を陰極材
料で形成し、陰極として機能させることもできる。ただし、この場合（陽極と陰極とを入
れ替えた場合）には、電界発光層の積層順が本実施例で示した場合と逆になる。さらに、
本実施例では、第１の電極（陽極）は透明電極であり、第１の電極（陽極）側から電界発
光層で生じた光を出射させる構成としているが、本発明はこれに限定されることはなく、
透過率を確保するために適した材料を選択することにより第２の電極（陰極）側から光を
出射させる構成とすることもできる。
【００８４】
なお、本実施例に示すように本発明のキノキサリン誘導体を電子輸送層に用いることに
より、電子輸送性、およびブロッキング性に優れた電子輸送層を形成することができるの
で駆動電圧が低く、発光効率に優れた電界発光素子が得られる。
【実施例２】
【００８５】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の一部に用いて電界発光素子
を作製する場合であって、実施例１に示した場合と異なる構成について説明する。具体的
には、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の発光層に用いる場合について図２を用
いて説明する。
【００８６】
実施例１と同様に第１の電極２０１が形成され、第１の電極２０１上に電界発光層２０
２が蒸着法により形成される。
【００８７】
まず、第１の電極２０１に接して正孔注入層２１１が形成される。正孔注入層２１１を
形成する材料としては、公知の正孔注入性材料を用いることができるが、本実施例では、
Ｃｕ−Ｐｃにより２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。
【００８８】
次に、正孔輸送層２１２が形成される。正孔輸送層２１２を形成する材料としては、公
知の正孔輸送性材料を用いることができるが、本実施例では、α−ＮＰＤにより３０ｎｍ
の膜厚で蒸着法により形成する。
【００８９】
次に、発光層２１３が形成される。本実施例では、発光層２１３を形成する材料のうち
ホスト材料に本発明のキノキサリン誘導体（合成例１〜２１に示した材料を含む）を用い
、ゲスト材料としては公知の発光性材料を用いることができるので、本実施例では、キノ
キサリン誘導体のうち合成例１に示す２，３−ジフラン−２−イル−ジベンゾ［ｆ，ｈ］
キノキサリンと、ペリレンとを共蒸着法により３０ｎｍの膜厚で形成する。
【００９０】
次に、電子輸送層２１４が形成される。電子輸送層２１４を形成する材料としては、公
知の電子輸送性材料を用いることができ、具体的にはＢＡｌｑ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、Ｂ
ＣＰ等を用いることができるが、本実施例では、発光層に用いたキノキサリン誘導体、具
体的には２，３−ジフラン−２−イル−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを用い、２０ｎ
ｍの膜厚で蒸着法により形成する。
【００９１】
そして、電界発光層２０２が積層形成されたところに第２の電極２０３を実施例１と同
様にして形成することにより、電界発光素子が得られる。
【００９２】
なお、本実施例に示すように本発明のキノキサリン誘導体を発光層のホスト材料として
用いることで、キノキサリン誘導体が有するエネルギーギャップの広さを有効に活かすこ
とができるため、発光効率を高める上で非常に効果的である。
【実施例３】
【００９３】
本実施例では、発光層に本発明のキノキサリン誘導体を用いる場合であるが、実施例２
とは構成が異なる場合について説明する。なお、この構成においては、発光層と電子輸送
層以外の構成については、実施例２と同様であるので説明は省略する。
【００９４】
図３において、第１の電極３０１と第２の電極３０３に挟まれて形成される電界発光層
３０２のうち、本実施例では、発光層３１３のゲスト材料として本発明のキノキサリン誘
導体を用いる。なお、ここで用いるキノキサリン誘導体としては、合成例１〜合成例２１
で説明した材料を用いることができる。
【００９５】
そして、ホスト材料であるＣＢＰと共蒸着することにより発光層３１３が形成される。
ここで用いるホスト材料としては公知の材料を用いることができる。具体的には、ＴＰＤ
、α−ＮＰＤ、ＴＣＴＡ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＢＣＰ等を用いることができる。
【００９６】
なお、本発明のキノキサリン誘導体は、エネルギーギャップが広く、４５０ｎｍ付近に
蛍光波長を示すことから青色発光用のゲスト材料としても用いることができる。また、本
発明のキノキサリン誘導体は、電子輸送性を有する材料であり、一般にキャリア輸送性を
有する材料をゲスト材料として用いることにより膜抵抗を低下させることが知られている
（「第４５回 日経マイクロデバイス・セミナー 有機ＥＬ最前線」日経ＢＰ社、日経マ
イクロデバイス、ｐ．３−１〜３−１２ 参照〔文献６〕）。すなわち、本実施例に示す
ように本発明のキノキサリン誘導体を発光層のゲスト材料として用いることにより駆動電
圧を低下させることができる。
【実施例４】
【００９７】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の一部に用いて電界発光素子
を作製する場合であって、実施例１に示した場合と異なる構成について説明する。具体的
には、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層のホールブロッキング層に用いる場合に
ついて図４を用いて説明する。
【００９８】
実施例１と同様に第１の電極４０１が形成され、第１の電極４０１上に電界発光層４０
２が蒸着法により形成される。
【００９９】
まず、第１の電極４０１に接して正孔注入層４１１が形成される。正孔注入層４１１を
形成する材料としては、公知の正孔注入性材料を用いることができるが、本実施例では、
Ｃｕ−Ｐｃにより２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。
【０１００】
次に、発光層４１２が形成される。発光層４１２を形成する材料としては、公知の発光
材料を用いることができるが、本実施例では、α−ＮＰＤにより３０ｎｍの膜厚で蒸着法
により形成する。
【０１０１】
次に、ホールブロッキング層４１３が形成される。なお、ホールブロッキング層４１３
は、本発明のキノキサリン誘導体により形成される。キノキサリン誘導体としては、合成
例１〜２１に示す材料を用いることができるが、本実施例では、合成例１に示す２，３−
ジフラン−２−イル−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを同様の方法により２０ｎｍの膜
厚で形成する。
【０１０２】
次に、電子輸送層４１４が形成される。電子輸送層４１４を形成する材料としては、公
知の電子輸送性材料を用いることができるが、本実施例では、Ａｌｑ３により３０ｎｍの
膜厚で蒸着法により形成する。
【０１０３】
そして、電界発光層４０２が積層形成されたところに第２の電極４０３を実施例１と同
様にして形成することにより、電界発光素子が得られる。
【０１０４】
なお、本実施例に示すように本発明のキノキサリン誘導体をホールブロッキング層４１
３に用いることによりホールを発光層４１２に閉じ込めることができるため、発光効率を
高めることができる。
【実施例５】
【０１０５】
本実施例では、実施例１で示した素子構成を有する電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ
（２０ｎｍ）／α−ＮＰＤ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＦｕＱｎ（２０ｎｍ）
／ＣａＦ（１ｎｍ）／Ａｌの素子特性について測定した。なお、本実施例におけるキノキ
サリン誘導体（ＦｕＱｎ）としては、合成例１に示す２，３−ジフラン−２−イル−ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを用いた。その結果を図５〜８のプロット３に示す。図５に
おける輝度−電流密度特性においては、プロット３に示すように電流密度が１００ｍＡ／
ｃｍ２の場合において、４０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１０６】
また、図６に示す輝度−電圧特性においては、プロット３に示すように８Ｖの電圧を印
加したところ１０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１０７】
また、図７に示す電流効率−輝度特性においては、プロット３に示すように１００ｃｄ
／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は２．８ｃｄ／Ａ程度であった。
【０１０８】
さらに、図８に示す電流−電圧特性は、プロット３に示すように７Ｖの電圧を印加した
ところ０．４ｍＡ程度の電流が流れた。
【０１０９】
（比較例１）
これに対して、実施例５で測定した素子構造とは異なり、キノキサリン誘導体からなる
電子輸送層を有しない構造の電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ（２０ｎｍ）／α−ＮＰ
Ｄ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＣａＦ（１ｎｍ）／Ａｌの素子特性について測
定した。その結果を図５〜８のプロット１に示す。図５における輝度−電流特性において
は、プロット１に示すように電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ２の場合において、４０００ｃ
ｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。この結果は、実施例５における素子構造の場合と大差な
かった。
【０１１０】
また、図６に示す輝度−電圧特性においては、プロット１に示すように８Ｖの電圧を印
加したところ６０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。なお、この場合において、印加
電圧に対する輝度は大きくなっているが、電子輸送層を有しない構造であるため電界発光
層全体が薄くなることに大きく起因している。そのため、この構造における電界発光素子
が実施例２に示す構造よりも素子特性が良いと解するべきではない。
【０１１１】
また、図７に示す電流効率−輝度特性においては、プロット１に示すように１００ｃｄ
／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は２．２ｃｄ／Ａ程度であった。すなわち
、プロット３に示す実施例２の素子構造に比べて電流効率が悪いという結果が得られた。
この結果は、実施例２の素子構造において、電子輸送層を形成するキノキサリン誘導体が
ホールブロッキング性に優れており、ホールを発光層に閉じ込めることにより効率よく発
光が得られることを示している。
【０１１２】
さらに、図８に示す電流−電圧特性は、プロット１に示すように７Ｖの電圧を印加した
ところ１ｍＡ程度の電流が流れた。これも、流れる電流量は電界発光層の膜厚に影響を受
けることから図６における結果の解釈と同様に、この構造における電界発光素子が実施例
２に示す構造よりも素子特性が良いと解するべきではない。
【０１１３】
（比較例２）
さらに、実施例５で測定した素子構造において、電子輸送層に本発明のキノキサリン誘
導体ではなく従来からブロッキング性の材料として用いられているバソキュプロイン（以
下、ＢＣＰと示す）を用いて作製した電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ（２０ｎｍ）／
α−ＮＰＤ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＢＣＰ（２０ｎｍ）／ＣａＦ（１ｎｍ
）／Ａｌの素子特性について測定した。その結果を図５〜８のプロット２に示す。図５に
おける輝度−電流特性においては、プロット２に示すように電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ
２の場合において、４０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。この結果は、実施例５に
おける素子構造の場合と大差なかった。
【０１１４】
また、図６に示す輝度−電圧特性においては、プロット２に示すように８Ｖの電圧を印
加したところ２００ｃｄ／ｍ２程度の輝度しか得られなかった。すなわち、バソキュプロ
インを用いた場合における素子特性は、本発明のキノキサリン誘導体を用いて形成された
電子輸送層を有する電界発光素子に比べ、電子注入輸送性において劣っているということ
ができる。
【０１１５】
また、図７に示す電流効率−輝度特性においては、プロット２に示すように１００ｃｄ
／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は３．１ｃｄ／Ａ程度であったが、全体と
しては、本発明のキノキサリン誘導体を用いて形成された電子輸送層を有する電界発光素
子と同様の特性を示した。すなわち、ブロッキング性に関しては本発明のキノキサリン誘
導体は従来のＢＣＰと同程度の特性を維持できることが示された。
【０１１６】
さらに、図８に示す電流−電圧特性は、プロット２に示すように７Ｖの電圧を印加した
ところ０．０８ｍＡ程度の電流が流れた。同じ膜厚で比較するとキノキサリンを含む電界
発光素子の法がＢＣＰを用いた場合に比べ電流−電圧特性に優れていることからキノキサ
リン誘導体を用いることにより電界発光素子の電子注入輸送性が高められたということが
できる。
【実施例６】
【０１１７】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体からなる薄膜の膜表面の様子について説明
する。図１０Ａには、基板上にキノキサリン誘導体の薄膜が５０ｎｍ程度成膜され、封止
基板で封止されたサンプルを示す。なお、この場合におけるキノキサリン誘導体の薄膜は
、表面が結晶化することなく安定な膜であった。
【０１１８】
（比較例３）
キノキサリン誘導体の薄膜の代わりにＢＣＰの薄膜を成膜したこと以外は実施例６と同
様にサンプルを作製した。その結果、図１０Ｂに示すように時間の経過に伴いＢＣＰの薄
膜は結晶化した。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体材料であるキノキサリン誘導体、前記キノキサリン誘導体を用い
た有機半導体素子および電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機化合物は無機化合物に比べて、材料系が多様であり、適した分子設計により様々な
機能を有する材料を合成できる可能性がある。また、膜等の形成物が柔軟性に富み、さら
には高分子化させることにより加工性にも優れるという特長もある。これらの利点から、
近年、機能性有機材料を用いたフォトニクスやエレクトロニクスに注目が集まっている。
【０００３】
例えば、有機半導体材料を機能性有機材料として用いたフォトエレクトロニクスデバイ
スの例として、太陽電池や電界発光素子（有機エレクトロルミネッセント素子ともいう）
が挙げられる。これらは有機半導体材料の電気物性（キャリア輸送性）および光物性（光
吸収あるいは発光）を活かしたデバイスであり、中でも特に、電界発光素子はめざましい
発展を見せている。
【０００４】
電界発光素子の基本的なデバイス構造は、１９８７年にＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ等によって報
告されている。素子構造は、ホール輸送性の有機化合物と電子輸送性の有機化合物とを積
層させた合計約１００ｎｍ程度の有機薄膜を、電極で挟んだダイオード素子の一種であり
、素子に電圧を印加すると、発光性の材料（蛍光材料）からなる電子輸送性の化合物から
の発光を得ることができる（例えば、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ ａｎｄ Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙ
ｋｅ， ”Ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｏｄｅｓ”
， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１， Ｎｏ．１２，
９１３−９１５ （１９８７） 参照〔文献１〕。）。
【０００５】
このように、有機半導体材料を用いた素子、中でも太陽電池や電界発光素子のようにヘ
テロ接合を用いる素子には、ホール輸送性材料と電子輸送性材料との組み合わせが必要不
可欠であると言える。
【０００６】
ところが、有機半導体材料は一般に、潜在的にホール輸送性の材料が多い。また、その
キャリア移動度の絶対値を見ても、ホール輸送性材料のホール移動度の方が電子輸送性材
料の電子移動度に比べて数桁大きいのが現状である。したがって、電子輸送性の優れた電
子輸送性材料が望まれている。
【０００７】
なお、電子輸送性材料としては、電子輸送性を有することで知られているキノキサリン
誘導体を２量化させることにより、熱物性を向上させたという報告がなされている（例え
ば、特開平６−２０７１６９号公報 参照〔文献２〕）。
【０００８】
しかしながら、２量化することで分子間の相互作用は小さくなるため、電子輸送性は低
下する。また、エネルギーギャップ等の物性値も本来のキノキサリン誘導体から大きくず
れてしまう。
【０００９】
また、キノキサリン骨格に縮合環を導入し、剛直な平面構造とすることで、熱物性値（
ガラス転移点や融点）を向上させたという報告もなされている（例えば、特開平９−１３
０２５号公報 参照〔文献３〕）。
【００１０】
しかし、この材料は熱物性値が高いという特徴を有しているものの、膜を形成した際に
アモルファス状態を維持しづらく、結晶化し易いというデメリットをも有している。
【００１１】
その他、電子輸送性材料にはホールブロッキング性を併せ持つ材料（この場合を特にホ
ールブロッキング性材料という）が知られている。この場合、電子を輸送するという機能
の他にホールをブロックするという機能も有しているため、様々な応用が可能となる。例
えば電界発光素子において、ホールブロッキング性材料をホール輸送層と電子輸送層との
間に挿入することにより、ホールをホール輸送層内に閉じこめ、ホール輸送層において選
択的にキャリアを再結合させ、発光させたという報告がある（例えば、Ｙａｓｕｎｏｒｉ
ＫＩＪＩＭＡ， Ｎｏｂｕｔｏｓｈｉ ＡＳＡＩ ａｎｄ Ｓｈｉｎ−ｉｃｈｉｒｏ
ＴＡＭＵＲＡ， ”Ａ Ｂｌｕｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄ
ｉｏｄｅ”， Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ， Ｖｏｌ． ３８， ５２７４−５２７７（１９９９） 参照〔文献４〕）。
【００１２】
さらに、ホールブロッキング性の材料を三重項発光素子に用いることで効率の良い発光
が得られたという報告がなされている（例えば、Ｄ． Ｆ． Ｏ’Ｂｒｉｅｎ， Ｍ．
Ａ． Ｂａｌｄｏ， Ｍ． Ｅ． Ｔｈｏｍｐｓｏｎ ａｎｄ Ｓ． Ｒ． Ｆｏｒｒｅ
ｓｔ， ”Ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｅｎｅｒｇｙ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏ
ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅｓ”， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ， ｖｏｌ． ７４， Ｎｏ． ３， ４４２−４４４ （１９９９）
参照〔文献５〕）。
【００１３】
なお、三重項発光素子は電界発光素子の高効率化に有効な技術であるが、ホールブロッ
キング材料を用いないと効率よく発光できないため、ホールブロッキング材料が重要なキ
ーとなる。
【００１４】
このように、電子輸送性材料の中でもホールブロッキング材料の重要性は高いが、電子
輸送性が高く、なおかつホールブロッキング性も良好である材料となると、かなり限定さ
れてしまうのが現状である。その少数例として、例えば文献４、文献５でも用いられてい
るＢＣＰ（バソキュプロイン）が挙げられるが、蒸着膜の結晶化が激しく、実際のデバイ
スに適用する場合には信頼性に大きな悪影響を及ぼす。
したがって、電子輸送性材料の中でも、良好なホールブロッキング性を有する上に膜質
が良く、結晶化しにくいホールブロッキング性材料が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明では、優れた電子輸送性およびホールブロッキング性を有し、かつ結晶
化することなく成膜できるキノキサリン誘導体を提供することを目的とする。また、上記
キノキサリン誘導体を用いて有機半導体素子、およびその一種である電界発光素子を作製
することにより、高効率で駆動安定性の高い有機半導体素子、および電界発光素子を提供
することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の構成は、下記（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、（６）のキノキサリ
ン誘導体を提供するものである。
（１）一般式［Ｃ−１］で表されるキノキサリン誘導体。
【化１】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（２）一般式［Ｃ−２］で表されるキノキサリン誘導体。
【化２】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（３）一般式［Ｃ−３］で表されるキノキサリン誘導体。
【化３】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（４）一般式［Ｃ−４］で表されるキノキサリン誘導体。
【化４】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（５）一般式［Ｃ−５］で表されるキノキサリン誘導体。
【化５】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または
無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキ
シル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
（６）（１）乃至（５）のいずれか一において、
一般式［Ｃ−６］で表される前記複素環残基を含むキノキサリン誘導体。
【化６】
（式中、ＡはＳまたはＯを示す。）
【００１７】
上述した（１）〜（６）に示す本発明のキノキサリン誘導体は、ジケトンとジアミンを
材料として用いることにより合成することができる。なお、本発明で用いるキノキサリン
誘導体（ＦｕＱｎ）の合成方法は、下記に示す合成方法に限定されるものではない。なお
、合成方法の一例として（５）に示すキノキサリン誘導体の合成スキームを以下［Ｃ−７
］に示す。
【化７】
【００１８】
具体的には、ジケトンとジアミンをクロロホルム（脱水クロロホルム）、アルコール（
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール）等の溶媒中で攪拌還流する。途中
、ｐ−トルエンスルホン酸を加えさらに攪拌還流を行う。この反応時間は１〜２４時間が
好ましい。
【００１９】
なお、上記各構成において、キノキサリン誘導体の各構造は、ＸおよびＹがアルキル基
、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または無置換の複素環残基を有しており
、平面構造とならないことから膜を形成した際におけるアモルファス状態を維持し、結晶
化しにくい構造とすることができる。従って、従来技術で示した文献３で開示されたＸお
よびＹが環状構造とする場合に比べ、成膜性の面で著しい効果を有している。
【００２０】
さらに、ＸおよびＹが上述した構造を有する場合には電荷の偏りが生じるため、電子輸
送性を向上させることができる。なお、電子輸送性を向上させる上では複素環残基を有す
ることがより好ましい。
【００２１】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
を用いた電界発光素子を含む有機半導体素子である。
【００２２】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
が電子輸送性に優れた材料であることから、前記キノキサリン誘導体を電子輸送性材料と
して用いた電界発光素子である。
【００２３】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
とゲスト材料を含む発光層を有することを特徴とする電界発光素子である。本発明のキノ
キサリン誘導体は、エネルギーギャップが広いという特徴を有していることから、ホスト
材料として用い、他のゲスト材料と共に発光層を形成することができる。
【００２４】
なお、上記構成において、本発明のキノキサリン誘導体は、ホスト材料の広いエネルギ
ーギャップが要求される燐光性物質をゲスト材料として用いた場合には特に好ましい。
【００２５】
一方、本発明のキノキサリン誘導体は、エネルギーギャップが広く、４５０ｎｍ付近に
蛍光波長を示すことから青色発光用のゲスト材料としても用いることができる。なお、本
発明のキノキサリン誘導体は、電子輸送性を有する材料であり、一般に電子輸送性を有す
る材料をゲスト材料として用いることにより膜抵抗を低下できることが知られているため
、駆動電圧を低下させる上で効果的である。
【００２６】
また、本発明の別の構成は、上記構成（（１）〜（６））におけるキノキサリン誘導体
がホールブロッキング性においても優れていることからホールブロッキング性材料として
用いたことを特徴とする電界発光素子である。
【００２７】
また、上記構成において、本発明のキノキサリン誘導体はエネルギーギャップの広い材
料であることから、前記キノキサリン誘導体をホールブロッキング材料としてホールブロ
ッキング層に用いた場合には、広いエネルギーギャップが要求される燐光性物質を含む発
光層を有する構成が特に好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明を実施することにより、優れた電子輸送性およびホールブロッキング性を有し、
かつ結晶化することなく成膜できるキノキサリン誘導体が得られた。また、上記キノキサ
リン誘導体を用いて有機半導体素子、およびその一種である電界発光素子を作製すること
により、高効率で駆動安定性の高い有機半導体素子、および電界発光素子を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図２】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図３】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図４】本発明の電界発光素子の素子構造を説明する図である。
【図５】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図６】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図７】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図８】電界発光素子の素子特性を示すグラフである。
【図９】本発明のキノキサリン誘導体のＩＲスペクトルを示すグラフである。
【図１０】図１０Ａと図１０Ｂは、本発明のキノキサリン誘導体およびＢＣＰ薄膜の表面写真である。
【図１１】本発明のキノキサリン誘導体の１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明における電界発光素子の素子構成は、基本的には、一対の電極（陽極及び陰極）
間に上述したキノキサリン誘導体（（１）〜（６）に示す）を含む電界発光層（正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層）を挟持した構成で
あり、例えば、陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔
輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／電子注入層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホールブロッキング層
／電子輸送層／陰極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ホールブロッキング層／
電子輸送層／電子注入層／陰極等の構成を有する電界発光素子において、電子輸送層、ブ
ロッキング層、または発光層に前記キノキサリン誘導体を用いることができる。
【００３１】
また、本発明の電界発光素子は基板に支持されていることが好ましく、該基板について
は特に制限はなく、従来の電界発光素子に用いられているものであれば良く、例えば、ガ
ラス、石英、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
【００３２】
また、本発明の電界発光素子の陽極材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０
ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好
ましい。なお、陽極材料の具体例としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ
）、酸化インジウムに２〜２０［％］の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉ
ｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タ
ングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ
）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いるこ
とができる。
【００３３】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、
電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陰極材料
の具体例としては、元素周期律の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等の
アルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金
（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２）の他、希土類金属を
含む遷移金属を用いて形成することができるが、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属（合金を含
む）との積層により形成することもできる。
【００３４】
なお、上述した陽極材料及び陰極材料は、蒸着法、スパッタリング法等により薄膜を形
成することにより、それぞれ陽極及び陰極を形成する。膜厚は、１０〜５００ｎｍとする
のが好ましい。
【００３５】
また、本発明の電界発光素子において、電界発光層におけるキャリアの再結合により生
じる光は、陽極または陰極の一方、または両方から外部に出射される構成となる。すなわ
ち、陽極から光を出射させる場合には、陽極を透光性の材料で形成することとし、陰極側
から光を出射させる場合には、陰極を透光性の材料で形成することとする。
【００３６】
また、電界発光層には公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材
料のいずれを用いることもできる。なお、発光層を形成する材料には、有機化合物材料の
みから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
【００３７】
なお、電界発光層は、正孔注入性材料からなる正孔注入層、正孔輸送性材料からなる正
孔輸送層、発光性材料からなる発光層、ブロッキング性材料からなるブロッキング層、電
子輸送性材料からなる電子輸送層、電子注入性材料からなる電子注入層などを組み合わせ
て積層することにより形成される。
【００３８】
本発明において、キノキサリン誘導体を電子輸送層に用いる場合には、電界発光層は、
少なくとも陽極側に発光層、陰極側にキノキサリン誘導体を含む電子輸送層とを積層して
形成される。なお、その他の正孔注入層、正孔輸送層は、必要に応じて組み合わせて用い
ることもできる。この場合に用いる具体的な材料を以下に示す。
【００３９】
正孔注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、
フタロシアニン（以下、Ｈ２−Ｐｃと示す）、銅フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示
す）等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料
もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドープしたポリエチレンジオ
キシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）や、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール
（以下、ＰＶＫと示す）などを用いることもできる。
【００４０】
正孔輸送性材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有す
るもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、先に述べたＴ
ＰＤの他、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−ア
ミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ
−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，
４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニル
アミン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げ
られる。
【００４１】
発光性材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、
Ａｌｑ３と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌ
ｍｑ３と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（以下
、ＢｅＢｑ２と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビ
フェニリル）−アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）２と示す）、ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ）２と示す）
などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。
【００４２】
そして、キノキサリン誘導体を含む電子輸送層には、先に示したキノキサリン誘導体（
（１）〜（６））のいずれかを用いることとする。
【００４３】
また、本発明において、キノキサリン誘導体を発光層におけるホスト材料として用いる
場合には、発光層は、少なくともホスト材料であるキノキサリン誘導体と、ゲスト材料と
を含む発光層により形成される。なお、その他の正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、
およびブロッキング層は必要に応じて組み合わせて用いることもできる。この場合におい
て、正孔注入層、正孔輸送層は、キノキサリン誘導体を電子輸送層に用いた場合と同様の
材料を用いることができる。
【００４４】
なお、電子輸送性材料としては、先に述べたＡｌｑ３、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２などの
キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるＢＡ
ｌｑなどが好適である。また、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール
系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４
−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ール（以下、ＰＢＤと示す）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（以下、ＯＸＤ−７と示す）などの
オキサジアゾール誘導体、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−
（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと示す）、３−（４−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）
−１，２，４−トリアゾール（以下、ｐ−ＥｔＴＡＺと示す）などのトリアゾール誘導体
、バソフェナントロリン（以下、ＢＰｈｅｎと示す）、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰ
と示す）などのフェナントロリン誘導体を用いることができる。
【００４５】
また、ブロッキング性材料としては、上で述べたＢＡｌｑ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ｐ−
ＥｔＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ等を用いることができる。
【００４６】
なお、この場合における発光層はホスト材料であるキノキサリン誘導体（（１）〜（６
））とゲスト材料とを組み合わせることにより形成される。
【００４７】
発光層に用いるゲスト材料としては、キナクリドン、ジエチルキナクリドン（ＤＥＱ）
、ルブレン、ペリレン、ＤＰＴ、Ｃｏ−６、ＰＭＤＦＢ、ＢＴＸ、ＡＢＴＸ、ＤＣＭ、Ｄ
ＣＪＴの他、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と示
す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル
フィリン−白金（以下、ＰｔＯＥＰと示す）等の三重項発光材料（燐光材料）を用いるこ
とができる。
【００４８】
これに対して本発明では、キノキサリン誘導体を電界発光層におけるゲスト材料として
用いることもでき、この場合には、電界発光層は、少なくともゲスト材料であるキノキサ
リン誘導体と、ホスト材料とを含む電界発光層により形成される。なお、その他の正孔注
入層、正孔輸送層、電子輸送層、およびブロッキング層は必要に応じて組み合わせて用い
ることもできる。これらの材料は上述した材料と同様の材料を用いることができる。
【００４９】
さらに、本発明において、キノキサリン誘導体をブロッキング層に用いる場合には、電
界発光層は、少なくとも陽極側に発光層、陰極側にキノキサリン誘導体を含むブロッキン
グ層とを積層して形成される。なお、その他の正孔注入層、正孔輸送層、および電子輸送
層は必要に応じて組み合わせて用いることもできる。この場合において、正孔注入層、正
孔輸送層は、キノキサリン誘導体を電子輸送層に用いた場合と同様の材料を用いることが
でき、また電子輸送層は、キノキサリン誘導体を発光層のホスト材料として用いた場合と
同様の材料を用いることができる。
【００５０】
なお、ブロッキング層にキノキサリン誘導体を用いる場合には、発光性材料として上述
した材料の他に三重項発光材料を用いることがより好ましく、白金または、イリジウムを
中心金属とする錯体を用いることができる。三重項発光材料としては、トリス（２−フェ
ニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）３と示す）、２，３，７，８，１２，
１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、ＰｔＯ
ＥＰと示す）などが挙げられる。
【００５１】
以下に、本発明の合成例、実施例および比較例を用いて本発明について説明するが、本
発明は、これらの例によって限定されるものではない。
【００５２】
（合成例１）
［Ｃ−７］で示した合成例について詳細に説明する。
【化８】
（２，３−Ｄｉ−ｆｕｒａｎ−２−ｙｌ−ｄｉｂｅｎｚｏ［ｆ，ｈ］ｑｕｉｎｏｘａｌｉ
ｎｅの合成）
【００５３】
ジケトンとして化学反応式［Ｃ−７］中に示す１，２−Ｄｉ−ｆｒａｎ−２−ｙｌ−ｅ
ｔｈａｎｅ−１，２−ｄｉｏｎｅ１．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ジアミンとしてＰｈｅｎ
ａｎｔｈｒｅｎｅ−９，１０−ｄｉａｍｉｎｅ２．１４ｇ（１０ｍｏｌ）をそれぞれ入れ
たナスフラスコに脱水クロロホルム（３００ｍｌ）を加え、攪拌還流した。加熱開始から
３０分後スパチュラー１杯のｐ−トルエンスルホン酸を加え２４時間攪拌還流をおこなっ
た。反応終了後 ＨＣｌａｑ、ＮａＨＣＯ３ａｑ、Ｈ２Ｏで抽出した。得られた溶液にＭ
ｇＳＯ４（無水）を加え終夜攪拌をおこなった。エバポレーターで乾固させたのち、常温
減圧乾燥をおこなった。精製はカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）でＲｆ
＝０．８０のところを回収した。カラム精製し黄緑色粉末を昇華精製したところ淡黄色の
針状結晶を得た。この淡黄色の針状結晶の示差走査熱量分析（ＤＳＣ）の結果、融点は２
０２℃であった。また、図９に示す赤外線吸収スペクトル測定の結果、原料の−ＮＨ２由
来の吸収３５００〜３３００ｃｍ−１とα−ジケトン由来の１６８０ｃｍ−１付近のピー
クが消失していることから反応が進行したものと考えられる。
【００５４】
なお、得られた化合物を単離し、１Ｈ−ＮＭＲによる分析を行った。測定結果を図１１
に示す。（基準：ＴＭＳ、溶媒：クロロホルム、測定波長：４００ＭＨｚ）σ（ｐｐｍ）
＝６．６１（１Ｈ°２−フラン）、６．９４（１Ｈ ２−フラン）、７．６３（１Ｈ ２
フラン）、７．７４−７．７９（２Ｈ フェナントレン）、８．６１−８．６４（１Ｈ
フェナントレン）、９．２４−９．２８（１Ｈ フェナントレン）。この結果、化学式［
化７］中に示す構造を有する２，３−Ｄｉ−ｆｕｒａｎ−２−ｙｌ−ｄｉｂｅｎｚｏ［ｆ
，ｈ］ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅであることが確認された。
【００５５】
（合成例２）
化学式［Ｃ−８］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以外
は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−１０
］に示す。
【化９】
【化１０】
【化１１】
【００５６】
（合成例３）
化学式［Ｃ−１１］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
１３］に示す。
【化１２】
【化１３】
【化１４】
【００５７】
（合成例４）
化学式［Ｃ−１４］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
１６］に示す。
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【００５８】
（合成例５）
化学式［Ｃ−１７］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−１
８］に示す。
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【００５９】
（合成例６）
化学式［Ｃ−１９］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２０］に示す。
【化２１】
【化２２】
【化２３】
【００６０】
（合成例７）
化学式［Ｃ−２１］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２２］に示す。
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【００６１】
（合成例８）
化学式［Ｃ−２３］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−２
４］に示す。
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【００６２】
（合成例９）
化学式［Ｃ−２５］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２６］に示す。
【化３０】
【化３１】
【化３２】
【００６３】
（合成例１０）
化学式［Ｃ−２７］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
２８］に示す。
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【００６４】
（合成例１１）
化学式［Ｃ−２９］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−３
０］に示す。
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【００６５】
（合成例１２）
化学式［Ｃ−３１］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
３２］に示す。
【化３９】
【化４０】
【化４１】
【００６６】
（合成例１３）
化学式［Ｃ−３３］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
３４］に示す。
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【００６７】
（合成例１４）
化学式［Ｃ−３５］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−９］に示すジアミンを用いた以
外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−３
６］に示す。
【化４５】
【化４６】
【化４７】
【００６８】
（合成例１５）
化学式［Ｃ−３７］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
３８］に示す。
【化４８】
【化４９】
【化５０】
【００６９】
（合成例１６）
化学式［Ｃ−３９］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４１］に示す。
【化５１】
【化５２】
【化５３】
【００７０】
（合成例１７）
化学式［Ｃ−４２］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４３］に示す。
【化５４】
【化５５】
【化５６】
【００７１】
（合成例１８）
化学式［Ｃ−４４］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４５］に示す。
【化５７】
【化５８】
【化５９】
【００７２】
（合成例１９）
化学式［Ｃ−４６］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−４０］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４７］に示す。
【化６０】
【化６１】
【化６２】
【００７３】
（合成例２０）
化学式［Ｃ−４８］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１２］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
４９］に示す。
【化６３】
【化６４】
【化６５】
【００７４】
（合成例２１）
化学式［Ｃ−５０］に示すジケトンおよび化学式［Ｃ−１５］に示すジアミンを用いた
以外は合成例１と同様にして反応を行った。得られたキノキサリン誘導体を化学式［Ｃ−
５１］に示す。
【化６６】
【化６７】
【化６８】
【実施例１】
【００７５】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の一部に用いて作製される電
界発光素子について説明する。なお、本実施例では、基板上に形成される電界発光素子の
素子構成について図１を用いて説明する。
【００７６】
まず、基板１００上に電界発光素子の第１の電極１０１が形成される。なお、本実施例
では、第１の電極１０１は陽極として機能する。材料として透明導電膜であるＩＴＯ（ｉ
ｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）を用い、スパッタリング法により１１０ｎｍの膜厚で
形成する。なお、ここで用いるスパッタリング法としては、２極スパッタ法、イオンビー
ムスパッタ法、または対向ターゲットスパッタ法等がある。
【００７７】
次に、第１の電極（陽極）１０１上に電界発光層１０２が形成される。なお、本実施例
では、電界発光層１０２が正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸
送層１１４の積層構造を有し、電子輸送層１１４に本発明のキノキサリン誘導体を用いる
場合について説明する。
【００７８】
第１の電極１０１が形成された基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに第１の電極
１０１が形成された面を下方にして固定し、真空蒸着装置の内部に備えられた蒸発源に銅
フタロシアニン（以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）を入れ、抵抗加熱法を用いた蒸着法により２
０ｎｍの膜厚で正孔注入層１１１を形成する。
【００７９】
次に正孔輸送性に優れた材料により正孔輸送層１１２を形成する。ここでは４，４’−
ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤ
と示す）を同様の方法により、３０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８０】
次に発光層１１３が形成される。なお、発光層１１３において正孔と電子が再結合し、
発光を生じる。ここでは、Ａｌｑ３を同様の方法により５０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８１】
そして、電子輸送層１１４が形成される。なお、電子輸送層１１４は、本発明のキノキ
サリン誘導体により形成される。キノキサリン誘導体としては、合成例１〜２１に示す材
料を用いることができるが、本実施例では、合成例１に示す２，３−ジフラン−２−イル
−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを同様の方法により２０ｎｍの膜厚で形成する。
【００８２】
上述したように積層構造を有する電界発光層１０２を形成した後、陰極として機能する
第２の電極１０３をスパッタリング法または蒸着法により形成する。なお、本実施例では
、電界発光層１０２上にアルミニウムリチウム合金（Ａｌ：Ｌｉ）（１００ｎｍ）をスパ
ッタリング法により形成することにより第２の電極１０３を得る。
【００８３】
以上により、本発明のキノキサリン誘導体を用いた電界発光素子が形成される。なお、
本実施例では、基板上に形成される第１の電極が陽極材料で形成され、陽極として機能す
る場合について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、第１の電極を陰極材
料で形成し、陰極として機能させることもできる。ただし、この場合（陽極と陰極とを入
れ替えた場合）には、電界発光層の積層順が本実施例で示した場合と逆になる。さらに、
本実施例では、第１の電極（陽極）は透明電極であり、第１の電極（陽極）側から電界発
光層で生じた光を出射させる構成としているが、本発明はこれに限定されることはなく、
透過率を確保するために適した材料を選択することにより第２の電極（陰極）側から光を
出射させる構成とすることもできる。
【００８４】
なお、本実施例に示すように本発明のキノキサリン誘導体を電子輸送層に用いることに
より、電子輸送性、およびブロッキング性に優れた電子輸送層を形成することができるの
で駆動電圧が低く、発光効率に優れた電界発光素子が得られる。
【実施例２】
【００８５】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の一部に用いて電界発光素子
を作製する場合であって、実施例１に示した場合と異なる構成について説明する。具体的
には、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の発光層に用いる場合について図２を用
いて説明する。
【００８６】
実施例１と同様に第１の電極２０１が形成され、第１の電極２０１上に電界発光層２０
２が蒸着法により形成される。
【００８７】
まず、第１の電極２０１に接して正孔注入層２１１が形成される。正孔注入層２１１を
形成する材料としては、公知の正孔注入性材料を用いることができるが、本実施例では、
Ｃｕ−Ｐｃにより２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。
【００８８】
次に、正孔輸送層２１２が形成される。正孔輸送層２１２を形成する材料としては、公
知の正孔輸送性材料を用いることができるが、本実施例では、α−ＮＰＤにより３０ｎｍ
の膜厚で蒸着法により形成する。
【００８９】
次に、発光層２１３が形成される。本実施例では、発光層２１３を形成する材料のうち
ホスト材料に本発明のキノキサリン誘導体（合成例１〜２１に示した材料を含む）を用い
、ゲスト材料としては公知の発光性材料を用いることができるので、本実施例では、キノ
キサリン誘導体のうち合成例１に示す２，３−ジフラン−２−イル−ジベンゾ［ｆ，ｈ］
キノキサリンと、ペリレンとを共蒸着法により３０ｎｍの膜厚で形成する。
【００９０】
次に、電子輸送層２１４が形成される。電子輸送層２１４を形成する材料としては、公
知の電子輸送性材料を用いることができ、具体的にはＢＡｌｑ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、Ｂ
ＣＰ等を用いることができるが、本実施例では、発光層に用いたキノキサリン誘導体、具
体的には２，３−ジフラン−２−イル−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを用い、２０ｎ
ｍの膜厚で蒸着法により形成する。
【００９１】
そして、電界発光層２０２が積層形成されたところに第２の電極２０３を実施例１と同
様にして形成することにより、電界発光素子が得られる。
【００９２】
なお、本実施例に示すように本発明のキノキサリン誘導体を発光層のホスト材料として
用いることで、キノキサリン誘導体が有するエネルギーギャップの広さを有効に活かすこ
とができるため、発光効率を高める上で非常に効果的である。
【実施例３】
【００９３】
本実施例では、発光層に本発明のキノキサリン誘導体を用いる場合であるが、実施例２
とは構成が異なる場合について説明する。なお、この構成においては、発光層と電子輸送
層以外の構成については、実施例２と同様であるので説明は省略する。
【００９４】
図３において、第１の電極３０１と第２の電極３０３に挟まれて形成される電界発光層
３０２のうち、本実施例では、発光層３１３のゲスト材料として本発明のキノキサリン誘
導体を用いる。なお、ここで用いるキノキサリン誘導体としては、合成例１〜合成例２１
で説明した材料を用いることができる。
【００９５】
そして、ホスト材料であるＣＢＰと共蒸着することにより発光層３１３が形成される。
ここで用いるホスト材料としては公知の材料を用いることができる。具体的には、ＴＰＤ
、α−ＮＰＤ、ＴＣＴＡ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＢＣＰ等を用いることができる。
【００９６】
なお、本発明のキノキサリン誘導体は、エネルギーギャップが広く、４５０ｎｍ付近に
蛍光波長を示すことから青色発光用のゲスト材料としても用いることができる。また、本
発明のキノキサリン誘導体は、電子輸送性を有する材料であり、一般にキャリア輸送性を
有する材料をゲスト材料として用いることにより膜抵抗を低下させることが知られている
（「第４５回 日経マイクロデバイス・セミナー 有機ＥＬ最前線」日経ＢＰ社、日経マ
イクロデバイス、ｐ．３−１〜３−１２ 参照〔文献６〕）。すなわち、本実施例に示す
ように本発明のキノキサリン誘導体を発光層のゲスト材料として用いることにより駆動電
圧を低下させることができる。
【実施例４】
【００９７】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層の一部に用いて電界発光素子
を作製する場合であって、実施例１に示した場合と異なる構成について説明する。具体的
には、本発明のキノキサリン誘導体を電界発光層のホールブロッキング層に用いる場合に
ついて図４を用いて説明する。
【００９８】
実施例１と同様に第１の電極４０１が形成され、第１の電極４０１上に電界発光層４０
２が蒸着法により形成される。
【００９９】
まず、第１の電極４０１に接して正孔注入層４１１が形成される。正孔注入層４１１を
形成する材料としては、公知の正孔注入性材料を用いることができるが、本実施例では、
Ｃｕ−Ｐｃにより２０ｎｍの膜厚で蒸着法により形成する。
【０１００】
次に、発光層４１２が形成される。発光層４１２を形成する材料としては、公知の発光
材料を用いることができるが、本実施例では、α−ＮＰＤにより３０ｎｍの膜厚で蒸着法
により形成する。
【０１０１】
次に、ホールブロッキング層４１３が形成される。なお、ホールブロッキング層４１３
は、本発明のキノキサリン誘導体により形成される。キノキサリン誘導体としては、合成
例１〜２１に示す材料を用いることができるが、本実施例では、合成例１に示す２，３−
ジフラン−２−イル−ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを同様の方法により２０ｎｍの膜
厚で形成する。
【０１０２】
次に、電子輸送層４１４が形成される。電子輸送層４１４を形成する材料としては、公
知の電子輸送性材料を用いることができるが、本実施例では、Ａｌｑ３により３０ｎｍの
膜厚で蒸着法により形成する。
【０１０３】
そして、電界発光層４０２が積層形成されたところに第２の電極４０３を実施例１と同
様にして形成することにより、電界発光素子が得られる。
【０１０４】
なお、本実施例に示すように本発明のキノキサリン誘導体をホールブロッキング層４１
３に用いることによりホールを発光層４１２に閉じ込めることができるため、発光効率を
高めることができる。
【実施例５】
【０１０５】
本実施例では、実施例１で示した素子構成を有する電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ
（２０ｎｍ）／α−ＮＰＤ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＦｕＱｎ（２０ｎｍ）
／ＣａＦ（１ｎｍ）／Ａｌの素子特性について測定した。なお、本実施例におけるキノキ
サリン誘導体（ＦｕＱｎ）としては、合成例１に示す２，３−ジフラン−２−イル−ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを用いた。その結果を図５〜８のプロット３に示す。図５に
おける輝度−電流密度特性においては、プロット３に示すように電流密度が１００ｍＡ／
ｃｍ２の場合において、４０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１０６】
また、図６に示す輝度−電圧特性においては、プロット３に示すように８Ｖの電圧を印
加したところ１０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。
【０１０７】
また、図７に示す電流効率−輝度特性においては、プロット３に示すように１００ｃｄ
／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は２．８ｃｄ／Ａ程度であった。
【０１０８】
さらに、図８に示す電流−電圧特性は、プロット３に示すように７Ｖの電圧を印加した
ところ０．４ｍＡ程度の電流が流れた。
【０１０９】
（比較例１）
これに対して、実施例５で測定した素子構造とは異なり、キノキサリン誘導体からなる
電子輸送層を有しない構造の電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ（２０ｎｍ）／α−ＮＰ
Ｄ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＣａＦ（１ｎｍ）／Ａｌの素子特性について測
定した。その結果を図５〜８のプロット１に示す。図５における輝度−電流特性において
は、プロット１に示すように電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ２の場合において、４０００ｃ
ｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。この結果は、実施例５における素子構造の場合と大差な
かった。
【０１１０】
また、図６に示す輝度−電圧特性においては、プロット１に示すように８Ｖの電圧を印
加したところ６０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。なお、この場合において、印加
電圧に対する輝度は大きくなっているが、電子輸送層を有しない構造であるため電界発光
層全体が薄くなることに大きく起因している。そのため、この構造における電界発光素子
が実施例２に示す構造よりも素子特性が良いと解するべきではない。
【０１１１】
また、図７に示す電流効率−輝度特性においては、プロット１に示すように１００ｃｄ
／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は２．２ｃｄ／Ａ程度であった。すなわち
、プロット３に示す実施例２の素子構造に比べて電流効率が悪いという結果が得られた。
この結果は、実施例２の素子構造において、電子輸送層を形成するキノキサリン誘導体が
ホールブロッキング性に優れており、ホールを発光層に閉じ込めることにより効率よく発
光が得られることを示している。
【０１１２】
さらに、図８に示す電流−電圧特性は、プロット１に示すように７Ｖの電圧を印加した
ところ１ｍＡ程度の電流が流れた。これも、流れる電流量は電界発光層の膜厚に影響を受
けることから図６における結果の解釈と同様に、この構造における電界発光素子が実施例
２に示す構造よりも素子特性が良いと解するべきではない。
【０１１３】
（比較例２）
さらに、実施例５で測定した素子構造において、電子輸送層に本発明のキノキサリン誘
導体ではなく従来からブロッキング性の材料として用いられているバソキュプロイン（以
下、ＢＣＰと示す）を用いて作製した電界発光素子（ＩＴＯ／Ｃｕ−Ｐｃ（２０ｎｍ）／
α−ＮＰＤ（３０ｎｍ）／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＢＣＰ（２０ｎｍ）／ＣａＦ（１ｎｍ
）／Ａｌの素子特性について測定した。その結果を図５〜８のプロット２に示す。図５に
おける輝度−電流特性においては、プロット２に示すように電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ
２の場合において、４０００ｃｄ／ｍ２程度の輝度が得られた。この結果は、実施例５に
おける素子構造の場合と大差なかった。
【０１１４】
また、図６に示す輝度−電圧特性においては、プロット２に示すように８Ｖの電圧を印
加したところ２００ｃｄ／ｍ２程度の輝度しか得られなかった。すなわち、バソキュプロ
インを用いた場合における素子特性は、本発明のキノキサリン誘導体を用いて形成された
電子輸送層を有する電界発光素子に比べ、電子注入輸送性において劣っているということ
ができる。
【０１１５】
また、図７に示す電流効率−輝度特性においては、プロット２に示すように１００ｃｄ
／ｍ２の輝度が得られた場合における電流効率は３．１ｃｄ／Ａ程度であったが、全体と
しては、本発明のキノキサリン誘導体を用いて形成された電子輸送層を有する電界発光素
子と同様の特性を示した。すなわち、ブロッキング性に関しては本発明のキノキサリン誘
導体は従来のＢＣＰと同程度の特性を維持できることが示された。
【０１１６】
さらに、図８に示す電流−電圧特性は、プロット２に示すように７Ｖの電圧を印加した
ところ０．０８ｍＡ程度の電流が流れた。同じ膜厚で比較するとキノキサリンを含む電界
発光素子の法がＢＣＰを用いた場合に比べ電流−電圧特性に優れていることからキノキサ
リン誘導体を用いることにより電界発光素子の電子注入輸送性が高められたということが
できる。
【実施例６】
【０１１７】
本実施例では、本発明のキノキサリン誘導体からなる薄膜の膜表面の様子について説明
する。図１０Ａには、基板上にキノキサリン誘導体の薄膜が５０ｎｍ程度成膜され、封止
基板で封止されたサンプルを示す。なお、この場合におけるキノキサリン誘導体の薄膜は
、表面が結晶化することなく安定な膜であった。
【０１１８】
（比較例３）
キノキサリン誘導体の薄膜の代わりにＢＣＰの薄膜を成膜したこと以外は実施例６と同
様にサンプルを作製した。その結果、図１０Ｂに示すように時間の経過に伴いＢＣＰの薄
膜は結晶化した。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式で表されるキノキサリン誘導体。
【化１】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキシル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
【請求項１】
下記一般式で表されるキノキサリン誘導体。
【化１】
（式中、ＸおよびＹはアルキル基、置換または無置換のアリール基、あるいは置換または無置換の複素環残基を示し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、アルキル基、アルコキシル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環残基を示す。）
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−１６８３９６（Ｐ２０１０−１６８３９６Ａ）
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９５７３６（Ｐ２０１０−９５７３６）
【出願日】平成２２年４月１９日（２０１０．４．１９）
【分割の表示】特願２００４−５５１１９４（Ｐ２００４−５５１１９４）の分割
【原出願日】平成１５年１０月２８日（２００３．１０．２８）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月５日（２０１０．８．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１９日（２０１０．４．１９）
【分割の表示】特願２００４−５５１１９４（Ｐ２００４−５５１１９４）の分割
【原出願日】平成１５年１０月２８日（２００３．１０．２８）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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