クロマン環を有する化合物を含有する液晶組成物
【課題】ネマチック相の広い温度範囲、低粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性を有する、新規なクロマン環を有する化合物を含有する液晶組成物を提供する。
【解決手段】第一成分として、特定のクロマン環を有する化合物，第二成分として、置換又は非置換の１，４−シクロヘキシレン，１，４−フェニレン環構造を有する特定の化合物，第三成分として置換又は非置換の１，４−シクロヘキシレン，１，４−フェニレン，１，４−ジオキサン環構造を有する特定の化合物を含有する正の誘電率異方性を有する液晶組成物。
【解決手段】第一成分として、特定のクロマン環を有する化合物，第二成分として、置換又は非置換の１，４−シクロヘキシレン，１，４−フェニレン環構造を有する特定の化合物，第三成分として置換又は非置換の１，４−シクロヘキシレン，１，４−フェニレン，１，４−ジオキサン環構造を有する特定の化合物を含有する正の誘電率異方性を有する液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。そして、この組成物の成分として使用される新規な化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を、市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。従って、小さい粘度を有する組成物が好ましい。低い温度において小さい粘度を有する組成物がより好ましい。
【０００４】
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子におけるコントラスト比を最大にするために、透過型のＡＭ素子では組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を約０．４５μｍに設計する。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０８〜０．１２の範囲である。一方、反射型および半透過型のＡＭ素子におけるΔｎ・ｄは約０．２５μｍである。反射型および半透過型のＡＭ素子におけるセルギャップは、応答時間と製造技術とを考慮して２．０〜４．０μｍである。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０６〜０．０７５の範囲である。組成物における低いしきい値電圧は素子における小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、低いしきい値電圧が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１〜３に開示されている。特許文献１および２は、強誘電性液晶組成物（スメクチック相を有する組成物）に関する。特許文献３は、ネマチック相を有し、そして誘電率異方性が正である液晶組成物に関する。特許文献４には、クロマン環を有するＮ型の液晶化合物が記載されている。
【特許文献１】特開平５−２５１５８号公報
【特許文献２】特開平６−２５６３３７号公報
【特許文献３】特開平６−２５６３３９号公報
【特許文献４】特開２００５−３５９８６公報望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、などの特性を有する。したがって、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な値を有する光学異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性を有する組成物が特に望まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、正に大きい誘電率異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、透過型、反射型および半透過型素子のＡＭ素子に対応できるように、０．０６〜０．２０の光学異方性、正に大きい誘電率異方性および低いしきい値電圧を有する組成物を含有し、そして大きな電圧保持率などの特性を有するＡＭ素子を提供することでもある。この目的は、新規なクロマン環を有する化合物を提供することでもある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特定発明は、次の［１］項で示される。
［１］ 第一成分として式（１−１）〜式（１−１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、正に大きい誘電率異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する。特に、本発明の組成物は正に大きい誘電率異方性を有する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。０．０６〜０．２０の光学異方性、正に大きい誘電率異方性および低いしきい値電圧を有する組成物は、透過型、反射型および半透過型素子のＡＭ素子に適し、そしてこのような素子は大きな電圧保持率を有する。そして、新規なクロマン環を有する化合物が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性」の意味は、液晶相を有することだけに限定されない。それ自体は液晶相を持たなくても、他の液晶化合物と混合したときに、液晶組成物の成分として使用できる特性も、「液晶性」の意味に含まれる。「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１−１）」と略すことがある。式（１−１）で表される化合物の群も「化合物（１−１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。組成物におけるネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。組成物におけるネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、化合物または組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。液晶組成物における成分または液晶性化合物の割合（％）は、液晶組成物の全重量を基準とする重量％を意味する。
【００１１】
本発明は、上記の［１］項と次に示す［２］〜［２４］項で構成される。
［２］ 第一成分が式（１−１１）〜式（１−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【００１２】
［３］ 式（２）〜式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、［１］項または［２］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ４およびＲ５は独立してアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ５およびＺ６は独立して単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ２）２−である。
【００１３】
［４］ 式（５）〜式（７）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、［３］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ６はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルであり；Ｘ２はフッ素、塩素、任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシであり；環Ｅおよび環Ｆは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ７およびＺ８は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−であり；そして、Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素である。
【００１４】
［５］ 第一成分として式（１−４１）〜式（１−４４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
［６］ 第一成分として式（１−５１）〜式（１−７８）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【００１５】
［７］ 下記の式（２−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、［５］項または［６］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８およびＲ９は独立してアルキルであり；Ｒ１０はアルキル、アルケニル、アルコキシ、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；Ｒ１１はアルキルまたはアルコキシであり；そしてＲ１２はアルキル、アルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【００１６】
［８］ 第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００１７】
［９］ 第二成分が式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００１８】
［１０］ 第二成分が式（４−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００１９】
［１１］ 第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００２０】
［１２］ 第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（４−１）〜式（４−３）でのそれぞれ表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００２１】
［１３］ 下記の式（５−１）〜式（７−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、［７］〜［１２］のいずれか１項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８はアルキルである。
【００２２】
［１４］ 第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２３】
［１５］ 第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２４】
［１６］ 第三成分が式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２５】
［１７］ 第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２６】
［１８］ 第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２７】
［１９］ 第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２８】
［２０］ ［１］〜［１９］のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２９】
［２１］ 式（１−１）〜式（１−１０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【００３０】
［２２］ 式（１−１１）〜式（１−２０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【００３１】
［２３］ 式（１−４２）〜式（１−４４）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【００３２】
［２４］ 式（１−５１）〜式（１−７８）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【００３３】
本発明のポイントは次のとおりである。第一のポイントは、ネマチック相を有し、正の誘電率異方性を有し、小さなしきい値電圧を有し、そして大きな電圧保持率を有する組成物を見いだしたことである。第二のポイントは、この組成物の成分には、クロマン環を有する化合物を混合すればよいことを見いだしたことである。この組成物の優れた特性および具体的な組成物の成分構成は、実施例に記載されている。第三のポイントは、この化合物がネマチック相を有し、正に大きな誘電率異方性、および大きな電圧保持率を有することを見いだしたことである。この化合物の優れた特性は、実施例に記載されている。
【００３４】
本発明の液晶組成物は、下記の式（１−１）〜式（１−１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第一成分として含有し、そして正の誘電率異方性を有するように調整された液晶組成物である。
【００３５】
本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。その他の化合物は、液晶性化合物、添加物、不純物などである。この液晶性化合物は化合物（１−１）〜化合物（１−１０）、および化合物（２）〜化合物（７）とは異なる化合物である。このような液晶性化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである。
【００３６】
組成物Ｂは、化合物（１−１）〜化合物（１−１０）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を必須成分として含有し、化合物（２）〜化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を任意成分として含有し、そしてこれら以外に液晶性化合物を含有しない組成物である。組成物Ｂには、添加物、不純物などを含有してもよい。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。従って、コストを下げる目的のためには、組成物Ｂは組成物Ａよりも好ましい。しかしながら、目的に合わせて特性をさらに調整するためには、その他の液晶性化合物を含有する組成物Ａの方が組成物Ｂよりも好ましい。
【００３７】
化合物（１−１）〜化合物（１−１０）、および化合物（２）〜化合物（７）と異なる液晶性化合物には、シアノ基を有する化合物またはピリミジン環を有する化合物が含まれる。このような液晶性化合物はＩＰＳなどのモードを有する素子に用いる組成物には混合されてもよい。しかし、この化合物は組成物の比抵抗を下げるので、ＴＮ−ＴＦＴ素子などに用いる組成物には好ましくない。シアノ基を有する化合物またはピリミジン環を有する化合物の例は、式（８）または式（９）である。光学活性な化合物の例は式（Ｏｐ−１）〜式（Ｏｐ−１２）である。
これらの式において、Ｒ１３はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルであり；Ｘ３は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；環Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｋは１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２,５−ジイル、１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ９は単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−であり；Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂおよびｄは独立して０または１である。
【００３８】
前記の［１］項または［２］項の組成物は、誘電率異方性が＋２〜−２である液晶性化合物を含有することが好ましく、これによって素子の応答時間をさらに短くすることができる。そして、素子の応答時間をさらに短くし、かつ素子をより低い電圧で駆動させるために、誘電率異方性が＋２〜−２である液晶性化合物を含有し、そして誘電率異方性が１０以上である液晶性化合物をさらに含有することが好ましい。
【００３９】
次に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。
成分化合物が組成物に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１−１）〜化合物（１−１０）は、組成物のしきい値電圧を下げ、粘度を上げる。化合物（２）〜（４）は、組成物のしきい値電圧を上げ、粘度を下げる。化合物（５）〜（７）は、組成物のしきい値電圧を下げ、粘度を上げる。
【００４０】
次に、成分化合物の組成物全量を基準とする好ましい割合およびその根拠を説明する。第一成分の好ましい割合は、組成物のしきい値電圧を下げるために３％以上であり、組成物の粘度を下げる、または下限温度を下げるために８０％以下である。さらに好ましい割合は、５％〜５０％である。特に好ましい割合は、１０〜４０％である。
【００４１】
第二成分を混合する場合、この成分の好ましい割合は、組成物の粘度を下げるために５％以上であり、組成物のしきい値電圧を下げるために８０％以下である。さらに好ましい割合は、５〜６０％である。特に好ましい割合は、１０％〜４０％である。
【００４２】
第三成分を混合する場合、この成分の好ましい割合は、組成物のしきい値電圧を下げるために５％以上であり、組成物の粘度を下げるために６０％以下である。さらに好ましい割合は、５％〜５０％である。特に好ましい割合は、１０％〜４０％である。
【００４３】
本発明の組成物において、第一成分、第二成分および第三成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。
【００４４】
次に、成分化合物の好ましい形態を説明する。成分化合物を表す式において、Ｒ１の記号を複数の式に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２、環Ａ１、Ｚ１、Ｙ１、Ｘ１、Ｌ１などの記号についても適用される。
【００４５】
Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルである。好ましくはアルキルまたはアルケニルである。特に好ましくはアルキルである。
【００４６】
Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシである。好ましくは、ハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキルまたは任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシである。特に好ましくは、ハロゲンまたは任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキルである。
【００４７】
Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルである。
【００４８】
Ｒ４およびＲ５は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。好ましいＲ４は、アルキル、アルケニル、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。好ましいＲ５はアルキルまたはアルコキシである。
【００４９】
Ｒ６はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルである。好ましくはアルキルまたはアルケニルである。特に好ましくはアルキルである。
【００５０】
Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。好ましくはアルキルである。これらの中で、分岐も存在する場合は、直鎖の方が好ましい。
【００５１】
Ｒ８およびＲ９はアルキルである。Ｒ８およびＲ９は同じ基であってもよいし、異なる基であってもよい。
【００５２】
Ｒ１０はアルキル、アルケニル、アルコキシまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【００５３】
Ｒ１１はアルキルまたはアルコキシである。
【００５４】
Ｒ１２はアルキル、アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【００５５】
Ｒ１３はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルである。好ましくは、アルキルまたはアルケニルである。
【００５６】
Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈである。好ましくは、フッ素、−ＣＦ３または−ＯＣＦ３である。さらに好ましくは、フッ素または−ＣＦ３である。
【００５７】
Ｘ２はフッ素、塩素、任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシである。好ましくは、フッ素、塩素、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシである。これらの中で、分岐も存在する場合は、直鎖の方が好ましい。
【００５８】
Ｘ３は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮである。好ましくは、−ＣＮである。
【００５９】
好ましいハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素である。さらに好ましくは、フッ素または塩素である。特に好ましくは、フッ素である。
【００６０】
本発明におけるアルキル、アルコキシおよびアルケニルは、それぞれ直鎖の基であってもよく、分岐の基であってもよいが、直鎖の基である方が好ましい。アルキルの好ましい炭素数は１〜１０である。アルコキシの好ましい炭素数は１〜１０である。アルケニルの好ましい炭素数は２〜１０である。
【００６１】
アルキルの好ましい例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチルである。さらに好ましい例は、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルおよびヘプチルである。
【００６２】
アルケニルの好ましい例は、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニルおよび５−ヘキセニルである。さらに好ましい例は、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニルおよび３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。
【００６３】
アルコキシの好ましい例は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシおよびヘプチルオキシである。さらに好ましい例はメトキシおよびエトキシである。
【００６４】
任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの好ましい例は、炭素数が１〜１０であり、そして直鎖のフッ素化アルキルである。より好ましい例は−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＣＦ２ＣＨＦ２および−ＣＨＦＣＦ３であり、特に好ましい例は−ＣＦ３である。
【００６５】
任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの好ましい例は、炭素数が２〜１０であり、そして直鎖のフッ素化アルケニルである。より好ましい例は、２，２−ジフルオロ−ビニル、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、および５，５−ジフルオロ−４−ペンテニルである。さらに好ましい例は、２，２−ジフルオロ−ビニルおよび４，４−ジフルオロ−３−ブテニルである。
【００６６】
任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシの好ましい例は、炭素数が１〜１０であり、そして直鎖のフッ素化アルコキシである。より好ましい例は、−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２、−ＯＣＦ２ＣＨＦ２および−ＯＣＨＦＣＦ３である。さらに好ましい例は、−ＯＣＦ３および−ＯＣＨＦ２であり、特に好ましい例は−ＯＣＦ３である。
【００６７】
アルコキシメチルの好ましい例は、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチルおよびペンチルオキシメチルである。特に好ましい例はメトキシメチルである。
【００６８】
Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。Ａ１、Ａ２、Ａ３またはＡ４の好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンおよび任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。
【００６９】
環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。好ましい環Ｄは、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。
【００７０】
環Ｅおよび環Ｆは独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。
【００７１】
環Ｇは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。環Ｇの好ましい例は、１，４−フェニレン、および任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。特に好ましい例は１，４−フェニレンである。
【００７２】
本発明において、任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンの好ましい例は、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンおよび２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。
【００７３】
記号中または構造式中の１，４−シクロヘキシレンまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンのフルオロ基は化合物の誘電率異方性を大きくするように位置している（例えば、化合物（１−４３））。２−フルオロ−１，４−フェニレンのフルオロ基は、環の右側に位置してもよいし、または左側に位置してもよい。好ましい位置は、化合物（１−４２）などのように右側である。
【００７４】
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり、単結合が好ましい。
【００７５】
Ｚ５およびＺ６は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ２）２−である。Ｚ５またはＺ６の好ましい例は、単結合および−ＣＯＯ−であり、より好ましい例は単結合である。
【００７６】
Ｚ７およびＺ８は独立して、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−である。Ｚ７の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ２）２−および−ＣＯＯ−である。Ｚ８の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−および−ＣＦ２Ｏ−である。
【００７７】
Ｚ９は、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−である。Ｚ９の好ましい例は単結合および−ＣＯＯ−であり、より好ましい例は単結合である。
【００７８】
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して、水素、フッ素またはメチルである。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３またはＹ４の好ましい例は水素およびフッ素である。
【００７９】
Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素である。組成物の粘度を下げるためには、Ｌ１とＬ２が同時に水素であることが好ましい。組成物のしきい値電圧を下げるためには、Ｌ１とＬ２が同時にフッ素であることが好ましい。
【００８０】
ｂおよびｄは独立して０または１であり、好ましくは０である。
【００８１】
次に、成分化合物の具体的な例を示し、それらが組成物に与える効果について説明する。化合物（１−１）〜化合物（１−１０）の好ましい例は、化合物（１−１１）〜化合物（１−２０）である。
【００８２】
化合物（１−１１）、化合物（１−１２）、化合物（１−１５）および化合物（１−１６）は、組成物の上限温度を下げ、そして下限温度を下げる。化合物（１−１３）、化合物（１−１４）および化合物（１−１７）〜化合物（１−２０）は、組成物の上限温度を上げる。化合物（１−１）〜（１−１０）のさらに好ましい例は、化合物（１−４１）〜化合物（１−４４）、化合物（１−５１）〜化合物（１−７８）、および後記の化合物（１−１０１）〜化合物（１−２８２）である。
【００８３】
【００８４】
これらの中で、組成物の粘度を下げるためには、化合物（１−４１）〜化合物（１−４４）が好ましい。組成物のしきい値電圧を下げるためには、化合物（１−５１）〜化合物（１−７８）が好ましい。組成物の下限温度をより下げるためには、化合物（１−５１）〜化合物（１−５８）が好ましい。組成物の上限温度をより上げるためには、化合物（１−５９）〜化合物（１−７８）が好ましい。組成物の光学異方性をより小さくするために、化合物（１−５１）、化合物（１−５５）、化合物（１−５９）および化合物（１−６３）が好ましい。組成物の光学異方性を大きくするためには、化合物（１−５２）〜化合物（１−５４）、化合物（１−５６）〜化合物（１−５８）、化合物（１−６０）〜化合物（１−６２）、および化合物（１−６４）〜化合物（１−７８）が好ましい。組成物のしきい値電圧をより下げるために、化合物（１−５１）〜化合物（１−５４）、および化合物（１−６７）〜化合物（１−６９）が好ましい。組成物のしきい値電圧をより下げ、そして下限温度を下げるためには、化合物（１−５５）〜化合物（１−５８）、化合物（１−６３）〜化合物（１−６６）、および化合物（１−７０）〜化合物（１−７２）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、しきい値電圧をより下げ、そして光学異方性を大きくするために、化合物（１−７３）〜化合物（１−７８）が好ましい。
【００８５】
化合物（２）〜化合物（４）の好ましい例は、下記の化合物（２−１）〜化合物（４−３）である。
【００８６】
これらの中で、組成物の粘度をより下げるために、化合物（２−１）が好ましい。組成物の下限温度をより下げるために、化合物（２−２）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、そして粘度を下げるために、化合物（３−１）が好ましい。化合物の光学異方性を上げ、そして粘度を下げるために、化合物（３−２）および化合物（３−３）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、光学異方性を大きくするために、化合物（４−１）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、粘度を下げるために、化合物（４−２）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、光学異方性を小さくするために、化合物（４−３）が好ましい。
【００８７】
化合物（５）〜化合物（７）の好ましい例は、下記の化合物（５−１）〜化合物（７−２）である。
【００８８】
これらの中で、組成物の粘度を下げ、下限温度を下げるために、化合物（５−１）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、下限温度を下げるために、化合物（６−２）〜化合物（６−４）が好ましい。組成物のしきい値電圧を下げ、粘度を下げるために、化合物（６−９）、化合物（６−１）、化合物（６−１２）、化合物（６−１４）が好ましい。組成物のしきい値電圧をより下げるために、化合物（６−１９）、化合物（６−２０）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、しきい値電圧を下げるために、化合物（７−１）が好ましい。
【００８９】
次に、化合物（１−１）〜（１−１０）のさらに好ましい具体例として、化合物（１−１０１）〜化合物（１−２８２）を示す。これらの式における記号の意味は前述の通りである。
【００９０】
【００９１】
【００９２】
【００９３】
【００９４】
【００９５】
【００９６】
【００９７】
【００９８】
次に、化合物（１−１）〜化合物（１−１０）の合成方法を説明する。これらの化合物は、有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成できる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、Organic Syntheses（John Wiley & Sons, Inc）、Organic Reactions（John Wiley & Sons, Inc)、Comprehensive Organic Synthesis（Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などに記載されている。
【００９９】
結合基Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３またはＺ４を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）〜項（ＸＩ）でスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ１またはＭＳＧ２は少なくとも１つの環を有する１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ１（またはＭＳＧ２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｋ）は化合物（１）に相当する。
【０１００】
（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。
【０１０１】
（II）−ＣＦ２Ｏ−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（２４）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）でフッ素化し、−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する（M. Kuroboshi et al., Chemlett., 1992，827.を参照）。化合物（１Ｃ）は化合物（２４）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される（W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照）。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。
【０１０２】
（III）−（ＣＨ２）２−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（２５）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２７）をカリウム塩（２６）をカリウムｔ−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２８）に反応させて化合物（２７）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。化合物（２７）をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｄ）を合成する。
【０１０３】
（IV）−ＣＨ２Ｏ−の生成
化合物（２８）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（２９）を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（３０）を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（３０）を化合物（３１）と反応させて化合物（１Ｅ）を合成する。
【０１０４】
次に、環Ａ１、Ａ２、Ａ３または環Ａ４に関して説明する。１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンなどの環は出発物が市販されているか、または合成法がよく知られており、容易に準備できる。
【０１０５】
次にクロマン環を生成する方法について説明する。最初に、クロマン環を有する化合物を合成するために、下記に示す化合物（ｑ１ａ）を合成し、化合物（ｑ１ａ）を出発原料として化合物（１−１）〜（１−１０）を合成する方法を説明する。
【０１０６】
出発原料となる化合物（５２）は、例えば下記のスキームに示すような公知の方法により、容易に合成することができる。
（Ａ−１）Ａ２がシクロヘキシレンなどであり、かつＺ２が単結合である場合の化合物（５２）、およびＺ２がアルキレンである場合の化合物（５２）の合成法
（これらの式において、Ｐは保護基を示し、ＴＩＰＳはトリイソプロピルシリル、ＴＢＤＭＳはｔ−ブチルジメチルシリル、Ｂｎはベンジルを表す。）
最初に有機合成化学の方法に従ってシクロヘキサノン誘導体（５０ａ）またはカルボニル誘導体（５０ｂ）を準備し、適切なグリニァール試薬（５１）を用いたグリニァール反応、酸による脱水反応、およびＰｄ触媒を用いた水素還元を順次行い、その後は必要により塩化アルミニウムを用いた異性化反応を行うことにより、容易に化合物（５２）に誘導することができる。
【０１０７】
（Ａ−２）Ａ２がフェニレンなどであり、かつＺ２が単結合である場合の化合物（５２）、Ｚ２が−ＣＨ２Ｏ−である場合の化合物（５２）、およびＺ２が−ＣＦ２Ｏ−である場合の化合物（５２）の合成法
（これらの式において、Ｘ４は臭素、ヨウ素またはトリフラート（ＯＴｆ）を表し、下記の表記は任意の水素がフッ素で置き換えられていても良いフェニレンを表す。
最初に有機合成化学の方法に従って化合物（５３ａ）、化合物（５３ｂ）または化合物（５３ｃ）を準備する。化合物（５３ａ）から、例えばボロン酸誘導体（５４）などとカップリッグ反応を行う方法、または化合物（５３ｂ）から、フェノール誘導体（５５）などとエーテル化を行う方法、または化合物（５３ｃ）から、フェノール誘導体（５５）などとエステル化を行い、その後に上記に示した合成スキーム（II）を用いることによって、容易に化合物（５２）に誘導することができる。
【０１０８】
次に、化合物（５２）から化合物（ｑ１ａ）を合成する方法について説明する。まず、化合物（５２）から化合物（５８）に誘導するスキームを下記に示す。
化合物（５２）を臭素化し、次いでブチルリチウムで処理した後に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などを作用させてアルデヒド体（５７）を得る。その後、ジエチルホスホノ酢酸エチルを水素化ナトリウムのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、化合物（５７）と反応させて、化合物（５８）を得る。
【０１０９】
（Ｂ−１） 化合物（６１）の合成
化合物（６１）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（５８）をパラジウム触媒下で水素還元を行い、ついでProtective Groups in Organic Synthesis（Greene, John Wiley & Sons, Inc）などに記載されている一般的な脱保護の条件により、フェノールの保護基を取り除く。得られた化合物（６０）をｐ−トルエンスルホン酸などを用いて脱水環化反応を行うことにより、化合物（６１）を得ることができる。
【０１１０】
（Ｂ−２） 化合物（６５）の合成
化合物（６５）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（５８）をｍ−クロロ過安息香酸と作用させてエポキシ（６２）に誘導し、さらに酢酸ナトリウムを加えることで化合物（６３）を得る。次いで、この化合物（６３）をジエチルアミノサルファートリフルオライド（DAST）などのフッ素化剤を用いてフッ素化し、その後は（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いて、脱保護、脱水環化反応を行うことにより、化合物（６５）を得ることができる。
【０１１１】
（Ｂ−３） 化合物（６７）の合成
化合物（６７）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（６３）から、Ｗｉｔｔｉｇ反応、次いで水素還元を行って化合物（６５）に誘導し、その後に（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（６７）を得ることができる。
【０１１２】
（Ｂ−４）化合物（７０）の合成
化合物（７０）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（６４）から、塩素との光反応を行って塩素化物（６８）とし、さらにフッ化アンチモンを作用させてフッ素化を行うことにより化合物（６９）に誘導する。その後は、（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７０）を得ることができる。
【０１１３】
（Ｂ−５）化合物（７４）の合成
化合物（７４）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（５２）とシアノ酢酸クロライドの混合物に塩化アルミニウムを作用させて化合物（７１）とし、ついでエタノールと塩基により化合物（７２）に誘導する。そして、ＤＡＳＴを用いてフッ素化し、その後は（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７４）を得ることができる。
【０１１４】
（Ｂ−６）化合物（７６）の合成
化合物（７６）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（７２）から、Ｗｉｔｔｉｇ反応、次いで水素還元を行って化合物（７５）に誘導し、その後に（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７６）を得ることができる。
【０１１５】
（Ｂ−７）化合物（７８）の合成
化合物（７８）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（６２）にフッ化水素ピリジンを作用させ、ついでＤＡＳＴを用いてフッ素化を行うことにより化合物（７７）が得られる。その後は（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７８）を得ることができる。
【０１１６】
次に、化合物（ｑ１ａ）から化合物（１−１）〜（１−１０）に誘導する方法について説明する。
（Ｃ−１） 化合物（８１）および化合物（８２）の生成
化合物（８１）および化合物（８２）の合成スキームの一例を下記に示す。
化合物（ｑ１ａ）に、例えばトリフルオロメチルトリメチルシランとテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）を作用させると化合物（７９）が得られる。この化合物（７９）に塩化チオニルを作用させて化合物（８０）に誘導し、さらに水素還元を行うと、化合物（８１）が得られる。また、化合物（８０）にフッ化水素ピリジンをさせると、化合物（８２）を得ることができる。
【０１１７】
（Ｃ−２） 化合物（８５）の生成
化合物（８５）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
例えば、ヨードパーフルオロエタンに金属リチウム作用させたものを、化合物（ｑ１ａ）と反応させて化合物（８３）とする。その後は、（II−１）に記した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（１２６）を得ることができる。
【０１１８】
（Ｃ−３） 化合物（８７）、化合物（８８）および化合物（８９）の生成
化合物（１２８）、化合物（１２９）および化合物（１３０）の合成スキームの一例を下記に示す。
化合物（ｑ１ａ）を、ＤＩＢＡＬを用いて還元すると、化合物（８６）が得られる。この化合物にフッ化水素ピリジンを作用させると、化合物（８７）が得られる。また、化合物（８６）に塩化チオニルを作用させると化合物（８８）、また化合物（８６）にヨードトリフルオロメタンを作用させてエーテル化を行うと化合物（８９）が得られる。
【０１１９】
（Ｃ−４） 化合物（９０）の生成
化合物（９０）の合成スキームの一例を下記に示す。
化合物（ｑ１ａ）を、ローソン試薬を使用してチオエステル化合物に誘導した後、フッ化水素ピリジンを作用させることにより、化合物（９０）を得ることができる。
【０１２０】
（Ｃ−５） 化合物（９２）および化合物（９３）の生成
化合物（９２）および化合物（９３）の合成スキームの一例を下記に示す。
Ｑ２のハロゲン化物に金属リチウムを作用させたものを、化合物（ｑ１ａ）と反応させて化合物（９１）とし、次いで塩化チオニルを用いた塩素化、さらには水素還元を行うと化合物（９２）が得られる。また、化合物（９１）にフッ化水素ピリジンを作用させると、化合物（９３）を得ることができる。
【０１２１】
（Ｃ−６） 化合物（９６）および化合物（９７）の生成
化合物（９６）および化合物（９７）の合成スキームの一例を下記に示す。
シクロヘキセン誘導体のハロゲン化物（９４）に金属リチウムを作用させたものを、化合物（ｑ１ａ）と反応させると、化合物（９５）が得られる。この化合物（９５）を（II−３）と同様の方法で塩素化し、ついで水素還元を行うと化合物（９６）が得られる。また、フッ化水素ピリジンを作用させた後に水素還元を行うと、化合物（９７）を得ることができる。
【０１２２】
化合物（１−１）〜（１−１０）を生成するための別法の一例として、下記のようなスキームを挙げる。
まず、上記の（Ｃ−１）〜（Ｃ−６）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（９８）から化合物（９９）を合成することができる。この化合物（９９）を、ホウ酸トリメチルなどを用いることによりボロン酸誘導体（１０１）に変換する。その後、この化合物（１０１）とＱ１のハロゲン化物（１０２）などを、パラジウム触媒などを用いてカップリング反応を行うことにより、化合物（１−１）〜（１−１０）を得ることができる。
【０１２３】
官能基や環の化学的性質、または合成の簡便さなどの様々な要因を考慮した上で、化合物（１−１）〜（１−１０）の化合物の適切な合成方法を選択する。
【０１２４】
化合物（２）〜化合物（７）は既知の方法によって合成できる。例えば、化合物（２−１）は、特開昭５９−７０６２４号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−３）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１）は、特開昭５８−１２６８２３号公報に記載された方法で合成する。化合物（６−９）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（７−１）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。
【０１２５】
化合物（２）〜化合物（７）において合成法を記載しなかった化合物、および化合物（８）、化合物（９）、化合物（Ｏｐ−１）〜化合物（Ｏｐ−１２）は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。
【０１２６】
組成物および化合物の用途を説明する。本発明の組成物はＡＭ素子に適する。ＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子への使用は好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【０１２７】
本発明の化合物（１−１）〜化合物（１−１０）は、ＡＭ素子用の組成物に適する。この化合物は、ＰＭ素子用の組成物への使用も可能である。この化合物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子用の組成物への使用も可能である。この化合物は、ＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子用の組成物への使用は好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子用の組成物への使用も可能である。この化合物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子用の組成物や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子用の組成物、例えばＰＮ（polymer network）素子用の組成物にも使用できる。
【０１２８】
本発明は、次の項も含む。１）ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、そしてネマチック相の下限温度が−２０℃以下である上記の組成物、２）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。８）上記化合物をネマチック相を有する組成物成分としての使用。９）上記化合物をＡＭ素子用の組成物成分としての使用。
【実施例】
【０１２９】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。化合物の実施例において、相転移温度である結晶、ネマチック相および等方相は、それぞれＣ、ＮおよびＩで表す場合がある。相転移温度において、かっこ内の値は、その化合物がモノトロピックであることを示す。この相転移温度の単位は℃である。得られた化合物は核磁気共鳴スペクトル、質量スペクトルなどで同定した。核磁気共鳴スペクトルにおいて、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットである。
【０１３０】
組成物の比較例、および組成物の実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。組成物の実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。組成物の比較例、および実施例における液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。組成物の比較例および実施例においては、最後に組成物の特性値をまとめた。
【０１３１】
【０１３２】
組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよい。
【０１３３】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８０重量％の母液晶Ａを混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶Ａの測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶Ａの割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【０１３４】
母液晶Ａの組成およびこの母液晶Ａの特性は下記のとおりである。
ＮＩ＝７１．７℃、Δｎ＝０．１３７、Δε＝１１．０、η＝２７．０ｍＰａ・ｓ．
【０１３５】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【０１３６】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【０１３７】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【０１３８】
化合物の低温相溶性（ＴＬ；％）：２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、１重量％の化合物を母液晶Ｂに混合し、試料を調製する。この試料をガラス瓶に入れ、−２０℃のフリーザーへ３０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、２０重量％の濃度で結晶またはスメクチック相であり、１５重量％の濃度でネマチック相であれば、その化合物のＴＬを１５重量％とした（ＴＬ＝１５重量％）。
【０１３９】
母液晶Ｂの組成は、次のとおりである。
【０１４０】
＜粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）＞
測定にはＥ型粘度計を用いた。
【０１４１】
＜光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）＞
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【０１４２】
＜誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）＞
２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【０１４３】
＜しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）＞
測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【０１４４】
＜電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）＞
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。２５℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−１で表した。１００℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−２で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。ＶＨＲ−３は、加熱後の素子を２５℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−４は、加熱後の素子を１００℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−１およびＶＨＲ−２は、初期段階における評価に相当する。ＶＨＲ−３およびＶＨＲ−４は、素子を長時間使用した後の評価に相当する。
【０１４５】
＜らせんピッチ＞
測定は、グランジャンーカノーくさび法と呼ばれる方法によって、２５℃にて行った。
【０１４６】
＜ガスクロマト分析＞
測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【０１４７】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。
【０１４８】
［比較例１］
特開平６−２５６３３９号公報に開示されている化合物の中から、実施例２の化合物を合成した。この化合物は、２−ブチル−６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）カルボニルオキシクロマンである。この化合物の誘電率異方性は、２．８であった。この化合物の誘電率異方性は小さい。
【０１４９】
［実施例１］
＜２−トリフルオロメチル−６−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ１）：Ｒ７がプロピルである式（１−４１）の化合物）の合成＞
【０１５０】
（工程１）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０１）(30.0g)のジクロロメタン(200ml)溶液を０℃に冷却して、臭素(17.3g)を滴下し、そのまま３０分間攪拌した。反応液を水にあけてジクロロメタン(100ml)を追加し、常法により、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｍ１−０２）(18.9g)を得た。次に、窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０２）(18.9g)のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）(200ml)溶液を−６５℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム／シクロヘキサン溶液(69ml)を滴下した。そのままの温度で１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）(5.04g)のＴＨＦ溶液(10ml)を滴下し、さらに１時間攪拌した。反応液を１Ｎ−ＨＣｌ水溶液にあけてトルエン(500ml)で２回抽出し、常法にて水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０３）(9.11g)を得た。
【０１５１】
（工程２）
窒素雰囲気下で、ジエチルホスホノ酢酸エチル(6.81g)のＴＨＦ(60ml)溶液を−４０℃に冷却し、ｔ−ブトキシカリウム(3.41g)をゆっくりと加えた。そのまま１時間攪拌した後に、化合物（Ｍ１−０３）(9.11g)のＴＨＦ(30ml)溶液を滴下し、さらに１時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン(200ml)で抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０４）(9.47g)を得た。この化合物（Ｍ１−０４）(9.47g)のトルエン(30ml)／イソプロピルアルコール(30ml)混合溶液に触媒としてパラジウムカーボン粉末（Ｐｄ／Ｃ）(0.50g)を加え、反応器内に１．０ｋＰａの水素圧をかけて常温にて１日間攪拌した。反応液をろ過した後、常法にて濃縮し、化合物（Ｍ１−０５）(9.22g)を得た。
この化合物（Ｍ１−０５）(9.22g)のジクロロメタン(70ml)溶液を０℃まで冷却し、三臭化ホウ素(6.95g)を滴下して室温に戻した後、５時間攪拌した。反応液を氷水にあけてトルエン(200ml)で２回抽出し、常法にて、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した。その後、この濃縮物のトルエン(80ml)溶液にｐ−トルエンスルホン酸水和物(0.50g)を加え、ディーンスターク装置を用いて、生成したエタノールをトルエンとともに留去しながら１時間加熱還流した。この後、さらにトルエン(20ml)を追加し、さらに1時間加熱還流した。反応物を水にあけてトルエン(100ml)を追加し、常法にて、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０６）(6.29g)を得た。
【０１５２】
（工程３）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０６）(1.57g)のＴＨＦ(10ml)溶液を０℃に冷却し、（トリフルオロメチル）トリメチルシラン(0.78g)のＴＨＦ(4ml)溶液を滴下し、その後にテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）／ＴＨＦ溶液(1.0mol/L)を少量加えた。室温にて１時間攪拌した後、さらにＴＢＡＦ／ＴＨＦ溶液(5.5ml)を滴下し、そのまま３時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン（30ml）で２回抽出し、常法にて水で洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０７）(1.66g)を得た。
【０１５３】
（工程４）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０７）(1.66g)のトルエン(10ml)溶液に少量のピリジンを加え、４５℃で塩化チオニル(0.49g)を滴下し、そのまま１時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法にて水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０８）(1.68g)を得た。この化合物（Ｍ１−０８）(1.68g)のトルエン(5ml)／イソプロピルアルコール(5ml)の混合液にトリエチルアミンを少量加え、さらに触媒としてＰｄ／Ｃ(0.20g)を加えて、反応器内に３ｋＰａの水素圧をかけて、室温にて２日間攪拌する。反応液をろ過した後、トルエン(50ml)を加えて、常法にて１N−ＨＣｌ水溶液、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して標題化合物（Ｍ１）(1.06g)を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.859(t, 3H), 0.874-1.33(m, 15H), 1.71-1.87(m, 8H), 2.03-2.10(m, 1H), 2.20-2.24(m, 1H), 2.21-2.25(m, 1H), 2.31-2.35(m, 1H), 2.85(m, 2H), 4.37-4.46(m, 1H), 6.66(s, 1H), 6.78-6.81(dd, 1H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-79.0(d, 3F), -137.1(d, 1F).
MS： 426(M+)
【０１５４】
［実施例２］
＜２−トリフルオロメチル−６−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルフェニル）フェニル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ２）：Ｒ７がペンチルである（１−４２）の化合物）の合成＞
【０１５５】
実施例１の（工程１）〜（工程４）に記載した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（Ｍ２−０１）（15.0g）から標題化合物（Ｍ２）（1.20g）を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.910(t, 3H), 1.34-1.37(m, 4H), 1.63-1.69(m, 2H), 2.09-2.17(m, 1H), 2.28-2.34(m, 1H), 2.66(t, 2H), 2.96-2.99(m, 2H), 4.47-4.51(m, 1H), 7.11(s, 1H), 7.22(d, 1H), 7.28(d, 2H), 7.37(d, 1H), 7.42-7.45(m, 2H), 7.53(d, 2H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-78.9(d, 3F), -118.5(m, 1F), 136.4(d, 1F).
MS： 460(M+)
【０１５６】
［実施例３］
＜２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（４−プロピルフェニル）−８−フルオロクロマン （化合物（Ｍ３）：Ｒ７がプロピルである（１−４４）の化合物）の合成＞
【０１５７】
（工程１）
実施例１の（工程１）に記載した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（Ｍ３−０１）（22.3g）から化合物（Ｍ３−０２）（12.2g）を合成した。
次に、窒素雰囲気下で、（１，３−ジオキソラン−２−イルメチル）トリフェニルホスホニウムブロマイド（11.4g）とＴＨＦ（50mL）の混合溶液を−３０℃まで冷却し、ｔ−ブトキシカリウム（2.97g）をゆっくりと加えた。そのままの温度で１時間攪拌した後に、化合物（Ｍ３−０２）（6.00g）のＴＨＦ（20mL）溶液を滴下した。徐々に室温に戻して１時間攪拌した後、反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目的物を単離した。その単離した化合物（6.10g）のトルエン（15mL）／イソプロパノール（15mL）の混合液に、触媒としてＰｄ／Ｃ（0.50g）を加え、反応器内に１ｋＰａの水素圧をかけて常温にて１日間撹拌した。反応液をろ過した後、そのまま濃縮して化合物（Ｍ３−０３）（6.00g）を得た。
【０１５８】
（工程２）
化合物（Ｍ３−０３）（6.00g）、ぎ酸（18mL）、およびトルエン（30mL）の混合溶液を、８０℃で２時間加熱還流した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）を追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行い、化合物（Ｍ３−０４）（4.30g）を得た。次に、窒素雰囲気下で、マグネシウム（0.383g）とＴＨＦ（10mL）の混合液を４０℃まで加熱し、その後、氷水浴などを用いて４０℃程度に保ちながら１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼン（3.33g）のＴＨＦ（10mL）溶液をゆっくりと滴下してGrignard試薬を調整した。そのままの温度で１時間攪拌した後、さらに化合物（Ｍ３−０４）（4.30g）のＴＨＦ（20ｍL）溶液を滴下し、さらに１時間攪拌した。反応液を１Ｎ−ＨＣｌ水溶液にあけてトルエン（50mL）にて２回抽出し、常法により水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮を行うことにより化合物（Ｍ３−０５）（6.00g）を得た。
【０１５９】
（工程３）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ３−０５）（5.80g）のジクロロメタン（30mL）溶液を−２０℃まで冷却し、三臭化ホウ素（4.04g）を滴下して、その後除々に室温に戻して１時間攪拌した。反応液を水にあけてジクロロメタン（100mL）を追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行うことにより目的物を得た。次に、得られた化合物（5.10g）、水酸化カリウム（2.84g）、およびジオキサン（50mL）の混合液にトシルクロリド（2.91g）を加え、３時間加熱還流した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法により水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して標題化合物（Ｍ３）（2.20g）を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.969(t, 3H), 1.64-1.71(m, 2H), 2.03-2.10(m, 2H), 2.25-2.29(m, 2H), 2.62(t, 2H), 2.84-2.90(m, 1H), 3.01-3.08(m, 1H), 5.07-5.10(m, 1H), 7.08(m, 3H), 7.18-7.21(m, 1H), 7.23(d, 2H), 7.43-7.44(m, 2H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-134.1(m, 2F), -137.0(d, 1F), -161.7(d, 1F).
MS： 400（M＋）
【０１６０】
［実施例４］
＜２，２−ジフルオロ−６−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルフェニル）フェニル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ４）：Ｒ７がペンチルである（１−７１）の化合物）の合成＞
【０１６１】
（工程１）
実施例１の（工程１）に記載した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（Ｍ４−０１）（10.0g）から化合物（Ｍ４−０２）（5.92g）を合成した。
次に、窒素雰囲気下で、メトキシメチルホスホニムクロライド（4.23g）のＴＨＦ（20mL）溶液を−３０℃まで冷却し、ｔ−ブトキシカリウム（1.39g）をゆっくりと加えた。そのままの温度で１時間攪拌した後に、化合物（Ｍ４−０２）（4.05g）のＴＨＦ（20mL）溶液を滴下した。徐々に室温に戻して１時間攪拌した後、反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目的物を単離した。その後、この単離した化合物(4.00g)、３Ｎ−ＨＣｌ水溶液（10mL）、およびアセトン（30mL）の混合溶液を、６０℃で２時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行い、化合物（Ｍ４−０３）（2.39g）を得た。
【０１６２】
（工程２）
窒素雰囲気下で、ジブロモジフルオロメタン（2.69g）のＴＨＦ（6mL）溶液を０℃まで冷却し、トリス（ジエチルアミノ）ホスフィン（6.56g）のＴＨＦ（15mL）溶液をゆっくりと滴下した。常温にて１時間攪拌した後、さらに化合物（Ｍ４−０３）（2.39g）のＴＨＦ（10mL）溶液をゆっくりと滴下し、４０℃で４時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法にて水、３Ｎ−ＨＣｌ水溶液、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ４−０４）（2.30g）を得た。次に、窒素雰囲気下で、この化合物（Ｍ４−０４）（2.30g）のジクロロメタン（20mL）溶液を−１０℃まで冷却し、臭素（0.88g）を滴下した。そのままの温度で３０分間攪拌した後、反応液を水にあけてジクロロメタン（50mL）を追加し、常法にて水、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水にて順次洗浄、次いで濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｍ４−０５）（1.24g）を得た。
【０１６３】
（工程３）
化合物（Ｍ４−０５）（1.24g）のトルエン（10mL）／イソプロピルアルコール（10mL）／トリエチルアミン（0.50mL）の混合液に、触媒としてＰｄ／Ｃ（0.15g）を加え、反応器内に３ｋＰａの水素圧をかけて常温にて２日間攪拌した。反応液をろ過した後、トルエン（80mL）を加えて、常法にて１N−ＨＣｌ水溶液、水、重曹水、水で順次洗浄し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して標題化合物（Ｍ４）（0.710g）を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.910(t, 3H), 1.30-1.40(m, 4H), 1.62-1.66(m, 2H), 2.37-2.44(m, 2H), 2.65(t, 2H), 3.08(t, 1H), 7.11(s, 1H), 7.21(d, 1H), 7.26(d, 2H), 7.37(d, 1H), 7.42-7.44(m, 2H), 7.51(m, 2H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-69.9(t, 2F), -118.3(m, 1F), -134.6(d, 1F).
MS： 428（M＋）
【０１６４】
［実施例５］
＜２−トリフルオロメチル−３，３−ジフルオロ−６−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ５）：Ｒ７がプロピルである（１−５９）の化合物）の合成＞
【０１６５】
（工程１）
実施例１で合成した化合物（Ｍ１−０４）を出発原料とする。窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０４）のジクロロメタン溶液を０℃に冷却して、ｍ−クロロ過安息香酸を滴下し、室温で２０時間攪拌する。反応液を水にあけてジクロロメタンを追加し、常法により、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄、次いで濃縮して、化合物（Ｍ５−０１）を単離する。窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ５−０１）、酢酸ナトリウムおよびトルエンの混合溶液を、２時間加熱還流する。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して化合物（Ｍ５−０２）を単離する。
【０１６６】
（工程２）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ５−０２）のジクロロメタン溶液を０℃まで冷却し、ＤＡＳＴ（ジエチルアミノサルファートリフルオリド）をゆっくりと滴下し、室温にて２０時間攪拌する。反応液を水にあけてジクロロメタンを追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ５−０３）を単離する。この化合物（Ｍ５−０３）のジクロロメタン溶液を０℃まで冷却し、三臭化ホウ素を滴下して室温に戻した後、５時間攪拌する。反応液を氷水にあけてトルエンで２回抽出し、常法にて、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮する。その後、この濃縮物のトルエン溶液にｐ−トルエンスルホン酸水和物を加え、ディーンスターク装置を用いて、生成したエタノールをトルエンとともに留去しながら１時間加熱還流する。この後、さらにトルエンを追加し、さらに1時間加熱還流する。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法にて、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ５−０４）を得る。
【０１６７】
（工程３）
化合物（Ｍ５−０４）から、実施例１の（工程３）および（工程４）と同様の方法にて、標題化合物（Ｍ５）を得る。
【０１６８】
［実施例６］
＜２−トリフルオロメチル−３−メチル−６−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ６）：Ｒ７がプロピルである（１−１４６）の化合物）の合成＞
【０１６９】
（工程１）
実施例５で合成した化合物（Ｍ５−０２）を出発原料とする。窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミドのＴＨＦ溶液を−３０℃まで冷却し、ｔ−ブトキシカリウムをゆっくりと加え、そのままの温度で１時間攪拌する。この後、化合物（Ｍ５−０２）のＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、室温にもどしてさらに１時間攪拌する。反応液を水にあけてトルエンにて２回抽出し、常法にて水で洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目的物を単離する。単離した化合物をのトルエン／イソプロピルアルコールの混合液に、触媒としてＰｄ／Ｃを加え、反応器内に３ｋＰａの水素圧をかけて常温にて２日間攪拌する。反応液をろ過した後、トルエンを加えて、常法にて１N−ＨＣｌ水溶液、水、重曹水、水で順次洗浄し、次いで濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｍ６−０１）を単離する。この化合物（Ｍ６−０１）のジクロロメタン溶液を０℃まで冷却し、三臭化ホウ素を滴下して室温に戻した後、５時間攪拌する。反応液を氷水にあけてトルエンで２回抽出し、常法にて、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮する。この濃縮物のトルエン溶液にｐ−トルエンスルホン酸水和物を加え、ディーンスターク装置を用いて、生成したエタノールをトルエンとともに留去しながら１時間加熱還流する。この後、さらにトルエンを追加し、さらに1時間加熱還流する。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法にて、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ６−０２）を得る。
【０１７０】
（工程２）
化合物（Ｍ６−０２）から、実施例１の（工程３）および（工程４）と同様の方法にて、標題化合物（Ｍ６）を得る。
【０１７１】
［実施例７］
＜２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３，３−ジフルオロ−６−（４−プロピルフェニル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ７）：Ｒ７がプロピルである（１−７８）の化合物）の合成＞
【０１７２】
（工程１）
化合物（Ｍ７−０１）から、実施例５の（工程１）および（工程２）と同様の方法にて化合物（Ｍ７−０２）を得る。
【０１７３】
（工程２）
窒素雰囲気下で、細かく切ったリチウムおよびジエチルエーテルの混合液に、室温で化合物（Ｍ７−０３）のジエチルエーテル溶液をゆっくりと滴下し、その後に１時間加熱還流する。反応液を１Ｎ−ＨＣｌ水にあけてトルエンで３回抽出し、常法にて、水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ７−０４）を得る。
【０１７４】
（工程３）
化合物（Ｍ７−０４）から、実施例１の（工程４）と同様の方法にて、標題化合物（Ｍ７）を得る。
【０１７５】
実施例１〜７および前記の合成法をもとに、前記の化合物（１−４１）〜化合物（１−４４）、化合物（１−５１）〜化合物（１−７８）および化合物（１−１０１）〜化合物（１−２８２）を合成することができる。
【０１７６】
［実施例８］
母液晶Ａ９０重量％と、実施例１で得られた化合物（Ｍ１）１０重量％とからなる組成物Ｃを調整した。組成物Ｃの物性値を外挿して化合物（Ｍ１）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．０９５
誘電率異方性（Δε）＝１０．２
【０１７７】
［実施例９］
母液晶Ａ８５重量％と、実施例２で得られた化合物（Ｍ２）１５重量％とからなる組成物Ｄを調整した。組成物Ｄの物性値を外挿して化合物（Ｍ２）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１９０
誘電率異方性（Δε）＝１６．９
【０１７８】
［実施例１０］
母液晶Ａ８５重量％と、実施例３で得られた化合物（Ｍ３）１５重量％とからなる組成物Ｅを調整した。組成物Ｅの物性値を外挿して化合物（Ｍ３）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１２４
誘電率異方性（Δε）＝１７．７
【０１７９】
［実施例１１］
母液晶Ａ９０重量％と、実施例４で得られた化合物（Ｍ４）１０重量％とからなる組成物Ｆを調整した。組成物Ｆの物性値を外挿して化合物（Ｍ４）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１９７
誘電率異方性（Δε）＝２１．９
【０１８０】
［実施例１２］
母液晶Ａ９０重量％と、実施例５で得られた化合物（Ｍ５）１０重量％とからなる組成物Ｇを調整した。組成物Ｇの物性値を外挿して化合物（Ｍ５）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１９５
誘電率異方性（Δε）＝１７．９
【０１８１】
［比較例２］
特開平６−２５６３３９号公報に開示されている組成物の中から、実施例５の組成物を調製した。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物はＮＩが低く、ＶＨＲ−１およびＶＨＲ−２が小さい。
３−ＨＥＡ−４ ２５％
３−ＨＢ−Ｃ ３０％
５−ＨＢ−Ｃ ２２．５％
７−ＨＢ−Ｃ ２２．５％
ＮＩ＝４９．２℃；Δｎ＝０．１００；Δε＝９．７；Ｖｔｈ＝１．４３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．５％；ＶＨＲ−２＝５３．５％．
【０１８２】
［実施例１３］
下記の組成物を調製した。
２−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ３％
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ４％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
この組成物のΔεは５．６であった。
【０１８３】
［実施例１４］
下記の組成物を調製する。
２−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１０） １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１７） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１８） １１％
ＮＩ＝９２．４℃；Δｎ＝０．０８９；Δε＝１２．０；Ｖｔｈ＝１．２１Ｖ；η＝３３．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１８４】
［実施例１５］
下記の組成物を調製する。
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （５−２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （５−４） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ２％
ＮＩ＝９９．１℃；Δｎ＝０．１４７；Δε＝８．５；Ｖｔｈ＝１．６０Ｖ；η＝５２．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１８５】
［実施例１６］
下記の組成物を調製する。
２−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
４−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
５−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） １２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １５％
ＮＩ＝９５．７℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝９．８；Ｖｔｈ＝１．５１Ｖ；η＝７１．３ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．８％．
【０１８６】
［実施例１７］
下記の組成物を調製する。
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−ＨＢ−ＣＬ （５−１） １０％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １８％
ＮＩ＝７９．０℃；Δｎ＝０．１４２；Δε＝８．３；Ｖｔｈ＝１．５３Ｖ；η＝４０．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９７．９％．
追加データ
【０１８７】
［実施例１８］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） １５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （３−２） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （４−２） ４％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （４−３） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） １７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １９％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
ＮＩ＝８３．６℃；Δｎ＝０．１０９；Δε＝８．９；Ｖｔｈ＝１．４９Ｖ；η＝３０．３ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９７．７％．
【０１８８】
［実施例１９］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） １５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （３−２） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （４−２） ４％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （４−３） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） １７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １９％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
ＮＩ＝８０．１℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝９．４；Ｖｔｈ＝１．４４Ｖ；η＝３３．２ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１８９】
［実施例２０］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） １５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （３−２） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （４−２） ４％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （４−３） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） １７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １９％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
ＮＩ＝７７．２℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝９．０；Ｖｔｈ＝１．４７Ｖ；η＝２８．５ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．５％．
【０１９０】
［実施例２１］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） １２％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） ８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ５％
ＮＩ＝１０８．６℃；Δｎ＝０．１８５；Δε＝１０．６；Ｖｔｈ＝１．４３Ｖ；η＝７８．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１９１】
［侍史例２２］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） １２％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） ８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ５％
ＮＩ＝１０４．４℃；Δｎ＝０．１８３；Δε＝１１．２；Ｖｔｈ＝１．３４Ｖ；η＝８１．７ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．６％．
【０１９２】
［実施例２３］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １２％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） ８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ５％
ＮＩ＝１０１．０℃；Δｎ＝０．１７７；Δε＝１０．７；Ｖｔｈ＝１．４０Ｖ；η＝７６．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９３】
［実施例２４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
ＮＩ＝８０．５℃；Δｎ＝０．１０３；Δε＝５．８；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ；η＝２５．９ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９４】
［実施例２５］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
ＮＩ＝７８．１℃；Δｎ＝０．１０２；Δε＝６．２；Ｖｔｈ＝１．７５Ｖ；η＝２８．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１９５】
［実施例２６］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−４４） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
ＮＩ＝７６．４℃；Δｎ＝０．０９８；Δε＝５．９；Ｖｔｈ＝１．７９Ｖ；η＝２４．７ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９６】
［実施例２７］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） １５％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１０） １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１７） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１８） １１％
ＮＩ＝８７．３℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝１２．７；Ｖｔｈ＝１．１０Ｖ；η＝４８．８ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９７．３％．
【０１９７】
［実施例２８］
２−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ８％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１０） １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１７） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１８） １１％
ＮＩ＝８２．９℃；Δｎ＝０．０８０；Δε＝１２．０；Ｖｔｈ＝１．１５Ｖ；η＝４２．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．８％．
【０１９８】
［実施例２９］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （５−２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （５−４） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ２％
ＮＩ＝１０２．２℃；Δｎ＝０．１４８；Δε＝８．０；Ｖｔｈ＝１．６６Ｖ；η＝４８．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９９】
［実施例３０］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （５−２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （５−４） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ２％
ＮＩ＝９６．０℃；Δｎ＝０．１４１；Δε＝８．１；Ｖｔｈ＝１．６６Ｖ；η＝４６．９ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０２００】
［実施例３１］
２−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４２） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４２） ５％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） １２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １５％
ＮＩ＝１０７．５℃；Δｎ＝０．１７２；Δε＝９．６；Ｖｔｈ＝１．５４Ｖ；η＝７４．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．７％．
【０２０１】
［実施例３２］
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
４−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） １２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １５％
ＮＩ＝１０１．３℃；Δｎ＝０．１７０；Δε＝１０．６；Ｖｔｈ＝１．４４Ｖ；η＝８０．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０２０２】
［実施例３３］
３−ＨＨＣｒｏ１（２Ｆ２）−ＣＦ３ （１−５９） ５％
３−ＨＨＣｒｏ１（Ｆ２）（８Ｆ） （１−６３） ５％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １６％
３−ＨＢ−Ｏ２ ４％
３−ＨＨ−４ ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ ３％
３−ＨＨＢ−１ ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％
【０２０３】
［実施例３４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２）（８Ｆ） （１−７１） ８％
２−ＨＢ−Ｃ ５％
３−ＨＢ−Ｃ １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ １５％
２−ＢＴＢ−１ ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
３−ＨＨＢ−３ １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
【０２０４】
［実施例３５］
３−Ｂ（Ｆ）Ｃｒｏ１（２Ｆ２）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２０４）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２） （１−７２） ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％
３−ＨＢ−Ｃ ８％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３％
３−ＨＨ−２Ｖ １１％
３−ＨＨ−２Ｖ１ ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ５％
【０２０５】
［実施例３６］
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ３％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ １１％
５−ＰｙＢ−Ｃ ６％
４−ＢＢ−３ ８％
３−ＨＨ−２Ｖ １０％
５−ＨＨ−Ｖ １１％
Ｖ−ＨＨＢ−１ ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ １２％
３−ＨＨＢ−１ ９％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ １０％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ５％
【０２０６】
［実施例３７］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２）（８Ｆ） （１−７２） ６％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％
３−ＨＢ−Ｃ １８％
２−ＢＴＢ−１ １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ ２４％
３−ＨＨＢ−１ ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％
【０２０７】
［実施例３８］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ７％
５−ＨＢ−ＣＬ １６％
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨ−５ ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
ＮＩ＝１０８．７℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝４．６；Ｖｔｈ＝２．２０Ｖ；η＝２６．８ｍＰａ・ｓ．
上記組成物１００部にＯｐ０５を０．２５部添加したときのらせんピッチは６１．２μｍであった
【０２０８】
［実施例３９］
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ５％
３−ＨＨＣｒｏ１（２Ｆ２）−ＣＦ３ （１−５９） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４％
【０２０９】
［実施例４０］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） １０％
５−ＨＢ−Ｆ １２％
６−ＨＢ−Ｆ ９％
７−ＨＢ−Ｆ ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢＨ−３ ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３％
ＮＩ＝７８．８℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝４．７；Ｖｔｈ＝１．９５Ｖ；η＝２０．７ｍＰａ・ｓ．
【０２１０】
［実施例４１］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １２％
５−ＨＢ−ＣＬ １１％
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
ＮＩ＝７５．８℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝９．５；Ｖｔｈ＝１．４１Ｖ；η＝３３．６ｍＰａ・ｓ．
【０２１１】
［実施例４２］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ４％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ４％
３−ＨＢ−ＣＬ ６％
５−ＨＢ−ＣＬ ４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ １４％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ３％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
ＮＩ＝６６．２℃；Δｎ＝０．０９９；Δε＝９．３；Ｖｔｈ＝１．４３Ｖ；η＝３５．４ｍＰａ・ｓ．
【０２１２】
［実施例４３］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２） （１−７２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ４％
５−ＨＢ−ＣＬ １７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ−４ １０％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
ＮＩ＝７０．２℃；Δｎ＝０．０８４；Δε＝４．４；Ｖｔｈ＝１．７５Ｖ；η＝２７．０ｍＰａ・ｓ．
【０２１３】
［実施例４４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（２Ｆ２）−ＣＦ３ （１−６８） ８％
５−ＨＢ−ＣＬ ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨ−４ ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
【０２１４】
［実施例４５］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） １０％
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ７％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
ＮＩ＝８８．９℃；Δｎ＝０．１２３；Δε＝１１．２；Ｖｔｈ＝１．５８Ｖ；η＝３９．６ｍＰａ・ｓ．
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＭ（active matrix）素子などに適する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。そして、この組成物の成分として使用される新規な化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物はネマチック相を有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を、市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。従って、小さい粘度を有する組成物が好ましい。低い温度において小さい粘度を有する組成物がより好ましい。
【０００４】
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子におけるコントラスト比を最大にするために、透過型のＡＭ素子では組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を約０．４５μｍに設計する。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０８〜０．１２の範囲である。一方、反射型および半透過型のＡＭ素子におけるΔｎ・ｄは約０．２５μｍである。反射型および半透過型のＡＭ素子におけるセルギャップは、応答時間と製造技術とを考慮して２．０〜４．０μｍである。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０６〜０．０７５の範囲である。組成物における低いしきい値電圧は素子における小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、低いしきい値電圧が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。
【０００６】
従来の組成物は、下記の特許文献１〜３に開示されている。特許文献１および２は、強誘電性液晶組成物（スメクチック相を有する組成物）に関する。特許文献３は、ネマチック相を有し、そして誘電率異方性が正である液晶組成物に関する。特許文献４には、クロマン環を有するＮ型の液晶化合物が記載されている。
【特許文献１】特開平５−２５１５８号公報
【特許文献２】特開平６−２５６３３７号公報
【特許文献３】特開平６−２５６３３９号公報
【特許文献４】特開２００５−３５９８６公報望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、などの特性を有する。したがって、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な値を有する光学異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性を有する組成物が特に望まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、正に大きい誘電率異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、透過型、反射型および半透過型素子のＡＭ素子に対応できるように、０．０６〜０．２０の光学異方性、正に大きい誘電率異方性および低いしきい値電圧を有する組成物を含有し、そして大きな電圧保持率などの特性を有するＡＭ素子を提供することでもある。この目的は、新規なクロマン環を有する化合物を提供することでもある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の特定発明は、次の［１］項で示される。
［１］ 第一成分として式（１−１）〜式（１−１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、正に大きい誘電率異方性、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する。特に、本発明の組成物は正に大きい誘電率異方性を有する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。０．０６〜０．２０の光学異方性、正に大きい誘電率異方性および低いしきい値電圧を有する組成物は、透過型、反射型および半透過型素子のＡＭ素子に適し、そしてこのような素子は大きな電圧保持率を有する。そして、新規なクロマン環を有する化合物が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶性」の意味は、液晶相を有することだけに限定されない。それ自体は液晶相を持たなくても、他の液晶化合物と混合したときに、液晶組成物の成分として使用できる特性も、「液晶性」の意味に含まれる。「任意の」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示すが、個数が０である場合を含まない。式（１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１−１）」と略すことがある。式（１−１）で表される化合物の群も「化合物（１−１）」と略すことがある。他の式で表される化合物についても同様である。組成物におけるネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。組成物におけるネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、化合物または組成物が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。液晶組成物における成分または液晶性化合物の割合（％）は、液晶組成物の全重量を基準とする重量％を意味する。
【００１１】
本発明は、上記の［１］項と次に示す［２］〜［２４］項で構成される。
［２］ 第一成分が式（１−１１）〜式（１−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【００１２】
［３］ 式（２）〜式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、［１］項または［２］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ４およびＲ５は独立してアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ５およびＺ６は独立して単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ２）２−である。
【００１３】
［４］ 式（５）〜式（７）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、［３］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ６はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルであり；Ｘ２はフッ素、塩素、任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシであり；環Ｅおよび環Ｆは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ７およびＺ８は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−であり；そして、Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素である。
【００１４】
［５］ 第一成分として式（１−４１）〜式（１−４４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
［６］ 第一成分として式（１−５１）〜式（１−７８）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【００１５】
［７］ 下記の式（２−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、［５］項または［６］項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８およびＲ９は独立してアルキルであり；Ｒ１０はアルキル、アルケニル、アルコキシ、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；Ｒ１１はアルキルまたはアルコキシであり；そしてＲ１２はアルキル、アルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【００１６】
［８］ 第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００１７】
［９］ 第二成分が式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００１８】
［１０］ 第二成分が式（４−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００１９】
［１１］ 第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００２０】
［１２］ 第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（４−１）〜式（４−３）でのそれぞれ表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、［７］項に記載の液晶組成物。
【００２１】
［１３］ 下記の式（５−１）〜式（７−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、［７］〜［１２］のいずれか１項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８はアルキルである。
【００２２】
［１４］ 第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２３】
［１５］ 第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２４】
［１６］ 第三成分が式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２５】
［１７］ 第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２６】
［１８］ 第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２７】
［１９］ 第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、［１３］項に記載の液晶組成物。
【００２８】
［２０］ ［１］〜［１９］のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２９】
［２１］ 式（１−１）〜式（１−１０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【００３０】
［２２］ 式（１−１１）〜式（１−２０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【００３１】
［２３］ 式（１−４２）〜式（１−４４）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【００３２】
［２４］ 式（１−５１）〜式（１−７８）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【００３３】
本発明のポイントは次のとおりである。第一のポイントは、ネマチック相を有し、正の誘電率異方性を有し、小さなしきい値電圧を有し、そして大きな電圧保持率を有する組成物を見いだしたことである。第二のポイントは、この組成物の成分には、クロマン環を有する化合物を混合すればよいことを見いだしたことである。この組成物の優れた特性および具体的な組成物の成分構成は、実施例に記載されている。第三のポイントは、この化合物がネマチック相を有し、正に大きな誘電率異方性、および大きな電圧保持率を有することを見いだしたことである。この化合物の優れた特性は、実施例に記載されている。
【００３４】
本発明の液晶組成物は、下記の式（１−１）〜式（１−１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第一成分として含有し、そして正の誘電率異方性を有するように調整された液晶組成物である。
【００３５】
本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。その他の化合物は、液晶性化合物、添加物、不純物などである。この液晶性化合物は化合物（１−１）〜化合物（１−１０）、および化合物（２）〜化合物（７）とは異なる化合物である。このような液晶性化合物は、特性をさらに調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。不純物は成分化合物の合成などの工程において混入した化合物などである。
【００３６】
組成物Ｂは、化合物（１−１）〜化合物（１−１０）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を必須成分として含有し、化合物（２）〜化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を任意成分として含有し、そしてこれら以外に液晶性化合物を含有しない組成物である。組成物Ｂには、添加物、不純物などを含有してもよい。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。従って、コストを下げる目的のためには、組成物Ｂは組成物Ａよりも好ましい。しかしながら、目的に合わせて特性をさらに調整するためには、その他の液晶性化合物を含有する組成物Ａの方が組成物Ｂよりも好ましい。
【００３７】
化合物（１−１）〜化合物（１−１０）、および化合物（２）〜化合物（７）と異なる液晶性化合物には、シアノ基を有する化合物またはピリミジン環を有する化合物が含まれる。このような液晶性化合物はＩＰＳなどのモードを有する素子に用いる組成物には混合されてもよい。しかし、この化合物は組成物の比抵抗を下げるので、ＴＮ−ＴＦＴ素子などに用いる組成物には好ましくない。シアノ基を有する化合物またはピリミジン環を有する化合物の例は、式（８）または式（９）である。光学活性な化合物の例は式（Ｏｐ−１）〜式（Ｏｐ−１２）である。
これらの式において、Ｒ１３はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルであり；Ｘ３は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；環Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｋは１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２,５−ジイル、１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ９は単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−であり；Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂおよびｄは独立して０または１である。
【００３８】
前記の［１］項または［２］項の組成物は、誘電率異方性が＋２〜−２である液晶性化合物を含有することが好ましく、これによって素子の応答時間をさらに短くすることができる。そして、素子の応答時間をさらに短くし、かつ素子をより低い電圧で駆動させるために、誘電率異方性が＋２〜−２である液晶性化合物を含有し、そして誘電率異方性が１０以上である液晶性化合物をさらに含有することが好ましい。
【００３９】
次に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さいまたは低い、を意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。
成分化合物が組成物に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１−１）〜化合物（１−１０）は、組成物のしきい値電圧を下げ、粘度を上げる。化合物（２）〜（４）は、組成物のしきい値電圧を上げ、粘度を下げる。化合物（５）〜（７）は、組成物のしきい値電圧を下げ、粘度を上げる。
【００４０】
次に、成分化合物の組成物全量を基準とする好ましい割合およびその根拠を説明する。第一成分の好ましい割合は、組成物のしきい値電圧を下げるために３％以上であり、組成物の粘度を下げる、または下限温度を下げるために８０％以下である。さらに好ましい割合は、５％〜５０％である。特に好ましい割合は、１０〜４０％である。
【００４１】
第二成分を混合する場合、この成分の好ましい割合は、組成物の粘度を下げるために５％以上であり、組成物のしきい値電圧を下げるために８０％以下である。さらに好ましい割合は、５〜６０％である。特に好ましい割合は、１０％〜４０％である。
【００４２】
第三成分を混合する場合、この成分の好ましい割合は、組成物のしきい値電圧を下げるために５％以上であり、組成物の粘度を下げるために６０％以下である。さらに好ましい割合は、５％〜５０％である。特に好ましい割合は、１０％〜４０％である。
【００４３】
本発明の組成物において、第一成分、第二成分および第三成分の合計の好ましい割合は、良好な特性を得るために７０％以上である。さらに好ましい割合は９０％以上である。
【００４４】
次に、成分化合物の好ましい形態を説明する。成分化合物を表す式において、Ｒ１の記号を複数の式に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１−１）のＲ１がエチルであり、化合物（１−２）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２、環Ａ１、Ｚ１、Ｙ１、Ｘ１、Ｌ１などの記号についても適用される。
【００４５】
Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルである。好ましくはアルキルまたはアルケニルである。特に好ましくはアルキルである。
【００４６】
Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシである。好ましくは、ハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキルまたは任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシである。特に好ましくは、ハロゲンまたは任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキルである。
【００４７】
Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルである。
【００４８】
Ｒ４およびＲ５は独立して、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。好ましいＲ４は、アルキル、アルケニル、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。好ましいＲ５はアルキルまたはアルコキシである。
【００４９】
Ｒ６はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルである。好ましくはアルキルまたはアルケニルである。特に好ましくはアルキルである。
【００５０】
Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。好ましくはアルキルである。これらの中で、分岐も存在する場合は、直鎖の方が好ましい。
【００５１】
Ｒ８およびＲ９はアルキルである。Ｒ８およびＲ９は同じ基であってもよいし、異なる基であってもよい。
【００５２】
Ｒ１０はアルキル、アルケニル、アルコキシまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【００５３】
Ｒ１１はアルキルまたはアルコキシである。
【００５４】
Ｒ１２はアルキル、アルケニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【００５５】
Ｒ１３はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルである。好ましくは、アルキルまたはアルケニルである。
【００５６】
Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈである。好ましくは、フッ素、−ＣＦ３または−ＯＣＦ３である。さらに好ましくは、フッ素または−ＣＦ３である。
【００５７】
Ｘ２はフッ素、塩素、任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシである。好ましくは、フッ素、塩素、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシである。これらの中で、分岐も存在する場合は、直鎖の方が好ましい。
【００５８】
Ｘ３は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮである。好ましくは、−ＣＮである。
【００５９】
好ましいハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素である。さらに好ましくは、フッ素または塩素である。特に好ましくは、フッ素である。
【００６０】
本発明におけるアルキル、アルコキシおよびアルケニルは、それぞれ直鎖の基であってもよく、分岐の基であってもよいが、直鎖の基である方が好ましい。アルキルの好ましい炭素数は１〜１０である。アルコキシの好ましい炭素数は１〜１０である。アルケニルの好ましい炭素数は２〜１０である。
【００６１】
アルキルの好ましい例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチルおよびオクチルである。さらに好ましい例は、エチル、プロピル、ブチル、ペンチルおよびヘプチルである。
【００６２】
アルケニルの好ましい例は、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニルおよび５−ヘキセニルである。さらに好ましい例は、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニルおよび３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。
【００６３】
アルコキシの好ましい例は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシおよびヘプチルオキシである。さらに好ましい例はメトキシおよびエトキシである。
【００６４】
任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの好ましい例は、炭素数が１〜１０であり、そして直鎖のフッ素化アルキルである。より好ましい例は−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＣＦ２ＣＨＦ２および−ＣＨＦＣＦ３であり、特に好ましい例は−ＣＦ３である。
【００６５】
任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの好ましい例は、炭素数が２〜１０であり、そして直鎖のフッ素化アルケニルである。より好ましい例は、２，２−ジフルオロ−ビニル、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、および５，５−ジフルオロ−４−ペンテニルである。さらに好ましい例は、２，２−ジフルオロ−ビニルおよび４，４−ジフルオロ−３−ブテニルである。
【００６６】
任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシの好ましい例は、炭素数が１〜１０であり、そして直鎖のフッ素化アルコキシである。より好ましい例は、−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２、−ＯＣＦ２ＣＨＦ２および−ＯＣＨＦＣＦ３である。さらに好ましい例は、−ＯＣＦ３および−ＯＣＨＦ２であり、特に好ましい例は−ＯＣＦ３である。
【００６７】
アルコキシメチルの好ましい例は、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチルおよびペンチルオキシメチルである。特に好ましい例はメトキシメチルである。
【００６８】
Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。Ａ１、Ａ２、Ａ３またはＡ４の好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンおよび任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。
【００６９】
環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。好ましい環Ｄは、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。
【００７０】
環Ｅおよび環Ｆは独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。
【００７１】
環Ｇは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。環Ｇの好ましい例は、１，４−フェニレン、および任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。特に好ましい例は１，４−フェニレンである。
【００７２】
本発明において、任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンの好ましい例は、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンおよび２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。
【００７３】
記号中または構造式中の１，４−シクロヘキシレンまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンのフルオロ基は化合物の誘電率異方性を大きくするように位置している（例えば、化合物（１−４３））。２−フルオロ−１，４−フェニレンのフルオロ基は、環の右側に位置してもよいし、または左側に位置してもよい。好ましい位置は、化合物（１−４２）などのように右側である。
【００７４】
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり、単結合が好ましい。
【００７５】
Ｚ５およびＺ６は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ２）２−である。Ｚ５またはＺ６の好ましい例は、単結合および−ＣＯＯ−であり、より好ましい例は単結合である。
【００７６】
Ｚ７およびＺ８は独立して、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−である。Ｚ７の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ２）２−および−ＣＯＯ−である。Ｚ８の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−および−ＣＦ２Ｏ−である。
【００７７】
Ｚ９は、単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−である。Ｚ９の好ましい例は単結合および−ＣＯＯ−であり、より好ましい例は単結合である。
【００７８】
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して、水素、フッ素またはメチルである。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３またはＹ４の好ましい例は水素およびフッ素である。
【００７９】
Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素である。組成物の粘度を下げるためには、Ｌ１とＬ２が同時に水素であることが好ましい。組成物のしきい値電圧を下げるためには、Ｌ１とＬ２が同時にフッ素であることが好ましい。
【００８０】
ｂおよびｄは独立して０または１であり、好ましくは０である。
【００８１】
次に、成分化合物の具体的な例を示し、それらが組成物に与える効果について説明する。化合物（１−１）〜化合物（１−１０）の好ましい例は、化合物（１−１１）〜化合物（１−２０）である。
【００８２】
化合物（１−１１）、化合物（１−１２）、化合物（１−１５）および化合物（１−１６）は、組成物の上限温度を下げ、そして下限温度を下げる。化合物（１−１３）、化合物（１−１４）および化合物（１−１７）〜化合物（１−２０）は、組成物の上限温度を上げる。化合物（１−１）〜（１−１０）のさらに好ましい例は、化合物（１−４１）〜化合物（１−４４）、化合物（１−５１）〜化合物（１−７８）、および後記の化合物（１−１０１）〜化合物（１−２８２）である。
【００８３】
【００８４】
これらの中で、組成物の粘度を下げるためには、化合物（１−４１）〜化合物（１−４４）が好ましい。組成物のしきい値電圧を下げるためには、化合物（１−５１）〜化合物（１−７８）が好ましい。組成物の下限温度をより下げるためには、化合物（１−５１）〜化合物（１−５８）が好ましい。組成物の上限温度をより上げるためには、化合物（１−５９）〜化合物（１−７８）が好ましい。組成物の光学異方性をより小さくするために、化合物（１−５１）、化合物（１−５５）、化合物（１−５９）および化合物（１−６３）が好ましい。組成物の光学異方性を大きくするためには、化合物（１−５２）〜化合物（１−５４）、化合物（１−５６）〜化合物（１−５８）、化合物（１−６０）〜化合物（１−６２）、および化合物（１−６４）〜化合物（１−７８）が好ましい。組成物のしきい値電圧をより下げるために、化合物（１−５１）〜化合物（１−５４）、および化合物（１−６７）〜化合物（１−６９）が好ましい。組成物のしきい値電圧をより下げ、そして下限温度を下げるためには、化合物（１−５５）〜化合物（１−５８）、化合物（１−６３）〜化合物（１−６６）、および化合物（１−７０）〜化合物（１−７２）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、しきい値電圧をより下げ、そして光学異方性を大きくするために、化合物（１−７３）〜化合物（１−７８）が好ましい。
【００８５】
化合物（２）〜化合物（４）の好ましい例は、下記の化合物（２−１）〜化合物（４−３）である。
【００８６】
これらの中で、組成物の粘度をより下げるために、化合物（２−１）が好ましい。組成物の下限温度をより下げるために、化合物（２−２）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、そして粘度を下げるために、化合物（３−１）が好ましい。化合物の光学異方性を上げ、そして粘度を下げるために、化合物（３−２）および化合物（３−３）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、光学異方性を大きくするために、化合物（４−１）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、粘度を下げるために、化合物（４−２）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、光学異方性を小さくするために、化合物（４−３）が好ましい。
【００８７】
化合物（５）〜化合物（７）の好ましい例は、下記の化合物（５−１）〜化合物（７−２）である。
【００８８】
これらの中で、組成物の粘度を下げ、下限温度を下げるために、化合物（５−１）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、下限温度を下げるために、化合物（６−２）〜化合物（６−４）が好ましい。組成物のしきい値電圧を下げ、粘度を下げるために、化合物（６−９）、化合物（６−１）、化合物（６−１２）、化合物（６−１４）が好ましい。組成物のしきい値電圧をより下げるために、化合物（６−１９）、化合物（６−２０）が好ましい。組成物の上限温度を上げ、しきい値電圧を下げるために、化合物（７−１）が好ましい。
【００８９】
次に、化合物（１−１）〜（１−１０）のさらに好ましい具体例として、化合物（１−１０１）〜化合物（１−２８２）を示す。これらの式における記号の意味は前述の通りである。
【００９０】
【００９１】
【００９２】
【００９３】
【００９４】
【００９５】
【００９６】
【００９７】
【００９８】
次に、化合物（１−１）〜化合物（１−１０）の合成方法を説明する。これらの化合物は、有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成できる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、Organic Syntheses（John Wiley & Sons, Inc）、Organic Reactions（John Wiley & Sons, Inc)、Comprehensive Organic Synthesis（Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などに記載されている。
【００９９】
結合基Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３またはＺ４を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）〜項（ＸＩ）でスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ１またはＭＳＧ２は少なくとも１つの環を有する１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ１（またはＭＳＧ２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｋ）は化合物（１）に相当する。
【０１００】
（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。
【０１０１】
（II）−ＣＦ２Ｏ−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（２４）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）でフッ素化し、−ＣＦ２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する（M. Kuroboshi et al., Chemlett., 1992，827.を参照）。化合物（１Ｃ）は化合物（２４）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される（W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照）。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。
【０１０２】
（III）−（ＣＨ２）２−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（２５）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２７）をカリウム塩（２６）をカリウムｔ−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２８）に反応させて化合物（２７）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。化合物（２７）をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｄ）を合成する。
【０１０３】
（IV）−ＣＨ２Ｏ−の生成
化合物（２８）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（２９）を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（３０）を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（３０）を化合物（３１）と反応させて化合物（１Ｅ）を合成する。
【０１０４】
次に、環Ａ１、Ａ２、Ａ３または環Ａ４に関して説明する。１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンなどの環は出発物が市販されているか、または合成法がよく知られており、容易に準備できる。
【０１０５】
次にクロマン環を生成する方法について説明する。最初に、クロマン環を有する化合物を合成するために、下記に示す化合物（ｑ１ａ）を合成し、化合物（ｑ１ａ）を出発原料として化合物（１−１）〜（１−１０）を合成する方法を説明する。
【０１０６】
出発原料となる化合物（５２）は、例えば下記のスキームに示すような公知の方法により、容易に合成することができる。
（Ａ−１）Ａ２がシクロヘキシレンなどであり、かつＺ２が単結合である場合の化合物（５２）、およびＺ２がアルキレンである場合の化合物（５２）の合成法
（これらの式において、Ｐは保護基を示し、ＴＩＰＳはトリイソプロピルシリル、ＴＢＤＭＳはｔ−ブチルジメチルシリル、Ｂｎはベンジルを表す。）
最初に有機合成化学の方法に従ってシクロヘキサノン誘導体（５０ａ）またはカルボニル誘導体（５０ｂ）を準備し、適切なグリニァール試薬（５１）を用いたグリニァール反応、酸による脱水反応、およびＰｄ触媒を用いた水素還元を順次行い、その後は必要により塩化アルミニウムを用いた異性化反応を行うことにより、容易に化合物（５２）に誘導することができる。
【０１０７】
（Ａ−２）Ａ２がフェニレンなどであり、かつＺ２が単結合である場合の化合物（５２）、Ｚ２が−ＣＨ２Ｏ−である場合の化合物（５２）、およびＺ２が−ＣＦ２Ｏ−である場合の化合物（５２）の合成法
（これらの式において、Ｘ４は臭素、ヨウ素またはトリフラート（ＯＴｆ）を表し、下記の表記は任意の水素がフッ素で置き換えられていても良いフェニレンを表す。
最初に有機合成化学の方法に従って化合物（５３ａ）、化合物（５３ｂ）または化合物（５３ｃ）を準備する。化合物（５３ａ）から、例えばボロン酸誘導体（５４）などとカップリッグ反応を行う方法、または化合物（５３ｂ）から、フェノール誘導体（５５）などとエーテル化を行う方法、または化合物（５３ｃ）から、フェノール誘導体（５５）などとエステル化を行い、その後に上記に示した合成スキーム（II）を用いることによって、容易に化合物（５２）に誘導することができる。
【０１０８】
次に、化合物（５２）から化合物（ｑ１ａ）を合成する方法について説明する。まず、化合物（５２）から化合物（５８）に誘導するスキームを下記に示す。
化合物（５２）を臭素化し、次いでブチルリチウムで処理した後に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などを作用させてアルデヒド体（５７）を得る。その後、ジエチルホスホノ酢酸エチルを水素化ナトリウムのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、化合物（５７）と反応させて、化合物（５８）を得る。
【０１０９】
（Ｂ−１） 化合物（６１）の合成
化合物（６１）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（５８）をパラジウム触媒下で水素還元を行い、ついでProtective Groups in Organic Synthesis（Greene, John Wiley & Sons, Inc）などに記載されている一般的な脱保護の条件により、フェノールの保護基を取り除く。得られた化合物（６０）をｐ−トルエンスルホン酸などを用いて脱水環化反応を行うことにより、化合物（６１）を得ることができる。
【０１１０】
（Ｂ−２） 化合物（６５）の合成
化合物（６５）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（５８）をｍ−クロロ過安息香酸と作用させてエポキシ（６２）に誘導し、さらに酢酸ナトリウムを加えることで化合物（６３）を得る。次いで、この化合物（６３）をジエチルアミノサルファートリフルオライド（DAST）などのフッ素化剤を用いてフッ素化し、その後は（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いて、脱保護、脱水環化反応を行うことにより、化合物（６５）を得ることができる。
【０１１１】
（Ｂ−３） 化合物（６７）の合成
化合物（６７）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（６３）から、Ｗｉｔｔｉｇ反応、次いで水素還元を行って化合物（６５）に誘導し、その後に（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（６７）を得ることができる。
【０１１２】
（Ｂ−４）化合物（７０）の合成
化合物（７０）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（６４）から、塩素との光反応を行って塩素化物（６８）とし、さらにフッ化アンチモンを作用させてフッ素化を行うことにより化合物（６９）に誘導する。その後は、（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７０）を得ることができる。
【０１１３】
（Ｂ−５）化合物（７４）の合成
化合物（７４）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（５２）とシアノ酢酸クロライドの混合物に塩化アルミニウムを作用させて化合物（７１）とし、ついでエタノールと塩基により化合物（７２）に誘導する。そして、ＤＡＳＴを用いてフッ素化し、その後は（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７４）を得ることができる。
【０１１４】
（Ｂ−６）化合物（７６）の合成
化合物（７６）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（７２）から、Ｗｉｔｔｉｇ反応、次いで水素還元を行って化合物（７５）に誘導し、その後に（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７６）を得ることができる。
【０１１５】
（Ｂ−７）化合物（７８）の合成
化合物（７８）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
化合物（６２）にフッ化水素ピリジンを作用させ、ついでＤＡＳＴを用いてフッ素化を行うことにより化合物（７７）が得られる。その後は（Ｂ−１）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（７８）を得ることができる。
【０１１６】
次に、化合物（ｑ１ａ）から化合物（１−１）〜（１−１０）に誘導する方法について説明する。
（Ｃ−１） 化合物（８１）および化合物（８２）の生成
化合物（８１）および化合物（８２）の合成スキームの一例を下記に示す。
化合物（ｑ１ａ）に、例えばトリフルオロメチルトリメチルシランとテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）を作用させると化合物（７９）が得られる。この化合物（７９）に塩化チオニルを作用させて化合物（８０）に誘導し、さらに水素還元を行うと、化合物（８１）が得られる。また、化合物（８０）にフッ化水素ピリジンをさせると、化合物（８２）を得ることができる。
【０１１７】
（Ｃ−２） 化合物（８５）の生成
化合物（８５）は、例えば下記のような方法で合成することができる。
例えば、ヨードパーフルオロエタンに金属リチウム作用させたものを、化合物（ｑ１ａ）と反応させて化合物（８３）とする。その後は、（II−１）に記した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（１２６）を得ることができる。
【０１１８】
（Ｃ−３） 化合物（８７）、化合物（８８）および化合物（８９）の生成
化合物（１２８）、化合物（１２９）および化合物（１３０）の合成スキームの一例を下記に示す。
化合物（ｑ１ａ）を、ＤＩＢＡＬを用いて還元すると、化合物（８６）が得られる。この化合物にフッ化水素ピリジンを作用させると、化合物（８７）が得られる。また、化合物（８６）に塩化チオニルを作用させると化合物（８８）、また化合物（８６）にヨードトリフルオロメタンを作用させてエーテル化を行うと化合物（８９）が得られる。
【０１１９】
（Ｃ−４） 化合物（９０）の生成
化合物（９０）の合成スキームの一例を下記に示す。
化合物（ｑ１ａ）を、ローソン試薬を使用してチオエステル化合物に誘導した後、フッ化水素ピリジンを作用させることにより、化合物（９０）を得ることができる。
【０１２０】
（Ｃ−５） 化合物（９２）および化合物（９３）の生成
化合物（９２）および化合物（９３）の合成スキームの一例を下記に示す。
Ｑ２のハロゲン化物に金属リチウムを作用させたものを、化合物（ｑ１ａ）と反応させて化合物（９１）とし、次いで塩化チオニルを用いた塩素化、さらには水素還元を行うと化合物（９２）が得られる。また、化合物（９１）にフッ化水素ピリジンを作用させると、化合物（９３）を得ることができる。
【０１２１】
（Ｃ−６） 化合物（９６）および化合物（９７）の生成
化合物（９６）および化合物（９７）の合成スキームの一例を下記に示す。
シクロヘキセン誘導体のハロゲン化物（９４）に金属リチウムを作用させたものを、化合物（ｑ１ａ）と反応させると、化合物（９５）が得られる。この化合物（９５）を（II−３）と同様の方法で塩素化し、ついで水素還元を行うと化合物（９６）が得られる。また、フッ化水素ピリジンを作用させた後に水素還元を行うと、化合物（９７）を得ることができる。
【０１２２】
化合物（１−１）〜（１−１０）を生成するための別法の一例として、下記のようなスキームを挙げる。
まず、上記の（Ｃ−１）〜（Ｃ−６）に記した方法と同様の方法を用いることにより、化合物（９８）から化合物（９９）を合成することができる。この化合物（９９）を、ホウ酸トリメチルなどを用いることによりボロン酸誘導体（１０１）に変換する。その後、この化合物（１０１）とＱ１のハロゲン化物（１０２）などを、パラジウム触媒などを用いてカップリング反応を行うことにより、化合物（１−１）〜（１−１０）を得ることができる。
【０１２３】
官能基や環の化学的性質、または合成の簡便さなどの様々な要因を考慮した上で、化合物（１−１）〜（１−１０）の化合物の適切な合成方法を選択する。
【０１２４】
化合物（２）〜化合物（７）は既知の方法によって合成できる。例えば、化合物（２−１）は、特開昭５９−７０６２４号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−３）は、特開昭６０−５１１３５号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法で合成する。化合物（５−１）は、特開昭５８−１２６８２３号公報に記載された方法で合成する。化合物（６−９）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（７−１）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。
【０１２５】
化合物（２）〜化合物（７）において合成法を記載しなかった化合物、および化合物（８）、化合物（９）、化合物（Ｏｐ−１）〜化合物（Ｏｐ−１２）は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。
【０１２６】
組成物および化合物の用途を説明する。本発明の組成物はＡＭ素子に適する。ＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子への使用は好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【０１２７】
本発明の化合物（１−１）〜化合物（１−１０）は、ＡＭ素子用の組成物に適する。この化合物は、ＰＭ素子用の組成物への使用も可能である。この化合物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子用の組成物への使用も可能である。この化合物は、ＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子用の組成物への使用は好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子用の組成物への使用も可能である。この化合物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子用の組成物や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子用の組成物、例えばＰＮ（polymer network）素子用の組成物にも使用できる。
【０１２８】
本発明は、次の項も含む。１）ネマチック相の上限温度が７０℃以上であり、そしてネマチック相の下限温度が−２０℃以下である上記の組成物、２）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、３）上記の組成物を含有するＡＭ素子、４）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、５）上記の組成物を含有する透過型の素子、６）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、７）上記の組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。８）上記化合物をネマチック相を有する組成物成分としての使用。９）上記化合物をＡＭ素子用の組成物成分としての使用。
【実施例】
【０１２９】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。化合物の実施例において、相転移温度である結晶、ネマチック相および等方相は、それぞれＣ、ＮおよびＩで表す場合がある。相転移温度において、かっこ内の値は、その化合物がモノトロピックであることを示す。この相転移温度の単位は℃である。得られた化合物は核磁気共鳴スペクトル、質量スペクトルなどで同定した。核磁気共鳴スペクトルにおいて、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットである。
【０１３０】
組成物の比較例、および組成物の実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。表３において、１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。組成物の実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。組成物の比較例、および実施例における液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。組成物の比較例および実施例においては、最後に組成物の特性値をまとめた。
【０１３１】
【０１３２】
組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよい。
【０１３３】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のときは、１５重量％の化合物および８０重量％の母液晶Ａを混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶Ａの測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶Ａの割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【０１３４】
母液晶Ａの組成およびこの母液晶Ａの特性は下記のとおりである。
ＮＩ＝７１．７℃、Δｎ＝０．１３７、Δε＝１１．０、η＝２７．０ｍＰａ・ｓ．
【０１３５】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【０１３６】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【０１３７】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【０１３８】
化合物の低温相溶性（ＴＬ；％）：２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、１重量％の化合物を母液晶Ｂに混合し、試料を調製する。この試料をガラス瓶に入れ、−２０℃のフリーザーへ３０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、２０重量％の濃度で結晶またはスメクチック相であり、１５重量％の濃度でネマチック相であれば、その化合物のＴＬを１５重量％とした（ＴＬ＝１５重量％）。
【０１３９】
母液晶Ｂの組成は、次のとおりである。
【０１４０】
＜粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）＞
測定にはＥ型粘度計を用いた。
【０１４１】
＜光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）＞
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【０１４２】
＜誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）＞
２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【０１４３】
＜しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）＞
測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【０１４４】
＜電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）＞
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。２５℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−１で表した。１００℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−２で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。ＶＨＲ−３は、加熱後の素子を２５℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−４は、加熱後の素子を１００℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−１およびＶＨＲ−２は、初期段階における評価に相当する。ＶＨＲ−３およびＶＨＲ−４は、素子を長時間使用した後の評価に相当する。
【０１４５】
＜らせんピッチ＞
測定は、グランジャンーカノーくさび法と呼ばれる方法によって、２５℃にて行った。
【０１４６】
＜ガスクロマト分析＞
測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【０１４７】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。
【０１４８】
［比較例１］
特開平６−２５６３３９号公報に開示されている化合物の中から、実施例２の化合物を合成した。この化合物は、２−ブチル−６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）カルボニルオキシクロマンである。この化合物の誘電率異方性は、２．８であった。この化合物の誘電率異方性は小さい。
【０１４９】
［実施例１］
＜２−トリフルオロメチル−６−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ１）：Ｒ７がプロピルである式（１−４１）の化合物）の合成＞
【０１５０】
（工程１）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０１）(30.0g)のジクロロメタン(200ml)溶液を０℃に冷却して、臭素(17.3g)を滴下し、そのまま３０分間攪拌した。反応液を水にあけてジクロロメタン(100ml)を追加し、常法により、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄して濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｍ１−０２）(18.9g)を得た。次に、窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０２）(18.9g)のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）(200ml)溶液を−６５℃まで冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウム／シクロヘキサン溶液(69ml)を滴下した。そのままの温度で１時間攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）(5.04g)のＴＨＦ溶液(10ml)を滴下し、さらに１時間攪拌した。反応液を１Ｎ−ＨＣｌ水溶液にあけてトルエン(500ml)で２回抽出し、常法にて水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０３）(9.11g)を得た。
【０１５１】
（工程２）
窒素雰囲気下で、ジエチルホスホノ酢酸エチル(6.81g)のＴＨＦ(60ml)溶液を−４０℃に冷却し、ｔ−ブトキシカリウム(3.41g)をゆっくりと加えた。そのまま１時間攪拌した後に、化合物（Ｍ１−０３）(9.11g)のＴＨＦ(30ml)溶液を滴下し、さらに１時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン(200ml)で抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０４）(9.47g)を得た。この化合物（Ｍ１−０４）(9.47g)のトルエン(30ml)／イソプロピルアルコール(30ml)混合溶液に触媒としてパラジウムカーボン粉末（Ｐｄ／Ｃ）(0.50g)を加え、反応器内に１．０ｋＰａの水素圧をかけて常温にて１日間攪拌した。反応液をろ過した後、常法にて濃縮し、化合物（Ｍ１−０５）(9.22g)を得た。
この化合物（Ｍ１−０５）(9.22g)のジクロロメタン(70ml)溶液を０℃まで冷却し、三臭化ホウ素(6.95g)を滴下して室温に戻した後、５時間攪拌した。反応液を氷水にあけてトルエン(200ml)で２回抽出し、常法にて、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した。その後、この濃縮物のトルエン(80ml)溶液にｐ−トルエンスルホン酸水和物(0.50g)を加え、ディーンスターク装置を用いて、生成したエタノールをトルエンとともに留去しながら１時間加熱還流した。この後、さらにトルエン(20ml)を追加し、さらに1時間加熱還流した。反応物を水にあけてトルエン(100ml)を追加し、常法にて、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０６）(6.29g)を得た。
【０１５２】
（工程３）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０６）(1.57g)のＴＨＦ(10ml)溶液を０℃に冷却し、（トリフルオロメチル）トリメチルシラン(0.78g)のＴＨＦ(4ml)溶液を滴下し、その後にテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）／ＴＨＦ溶液(1.0mol/L)を少量加えた。室温にて１時間攪拌した後、さらにＴＢＡＦ／ＴＨＦ溶液(5.5ml)を滴下し、そのまま３時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン（30ml）で２回抽出し、常法にて水で洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０７）(1.66g)を得た。
【０１５３】
（工程４）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０７）(1.66g)のトルエン(10ml)溶液に少量のピリジンを加え、４５℃で塩化チオニル(0.49g)を滴下し、そのまま１時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法にて水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ１−０８）(1.68g)を得た。この化合物（Ｍ１−０８）(1.68g)のトルエン(5ml)／イソプロピルアルコール(5ml)の混合液にトリエチルアミンを少量加え、さらに触媒としてＰｄ／Ｃ(0.20g)を加えて、反応器内に３ｋＰａの水素圧をかけて、室温にて２日間攪拌する。反応液をろ過した後、トルエン(50ml)を加えて、常法にて１N−ＨＣｌ水溶液、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して標題化合物（Ｍ１）(1.06g)を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.859(t, 3H), 0.874-1.33(m, 15H), 1.71-1.87(m, 8H), 2.03-2.10(m, 1H), 2.20-2.24(m, 1H), 2.21-2.25(m, 1H), 2.31-2.35(m, 1H), 2.85(m, 2H), 4.37-4.46(m, 1H), 6.66(s, 1H), 6.78-6.81(dd, 1H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-79.0(d, 3F), -137.1(d, 1F).
MS： 426(M+)
【０１５４】
［実施例２］
＜２−トリフルオロメチル−６−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルフェニル）フェニル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ２）：Ｒ７がペンチルである（１−４２）の化合物）の合成＞
【０１５５】
実施例１の（工程１）〜（工程４）に記載した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（Ｍ２−０１）（15.0g）から標題化合物（Ｍ２）（1.20g）を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.910(t, 3H), 1.34-1.37(m, 4H), 1.63-1.69(m, 2H), 2.09-2.17(m, 1H), 2.28-2.34(m, 1H), 2.66(t, 2H), 2.96-2.99(m, 2H), 4.47-4.51(m, 1H), 7.11(s, 1H), 7.22(d, 1H), 7.28(d, 2H), 7.37(d, 1H), 7.42-7.45(m, 2H), 7.53(d, 2H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-78.9(d, 3F), -118.5(m, 1F), 136.4(d, 1F).
MS： 460(M+)
【０１５６】
［実施例３］
＜２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−６−（４−プロピルフェニル）−８−フルオロクロマン （化合物（Ｍ３）：Ｒ７がプロピルである（１−４４）の化合物）の合成＞
【０１５７】
（工程１）
実施例１の（工程１）に記載した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（Ｍ３−０１）（22.3g）から化合物（Ｍ３−０２）（12.2g）を合成した。
次に、窒素雰囲気下で、（１，３−ジオキソラン−２−イルメチル）トリフェニルホスホニウムブロマイド（11.4g）とＴＨＦ（50mL）の混合溶液を−３０℃まで冷却し、ｔ−ブトキシカリウム（2.97g）をゆっくりと加えた。そのままの温度で１時間攪拌した後に、化合物（Ｍ３−０２）（6.00g）のＴＨＦ（20mL）溶液を滴下した。徐々に室温に戻して１時間攪拌した後、反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目的物を単離した。その単離した化合物（6.10g）のトルエン（15mL）／イソプロパノール（15mL）の混合液に、触媒としてＰｄ／Ｃ（0.50g）を加え、反応器内に１ｋＰａの水素圧をかけて常温にて１日間撹拌した。反応液をろ過した後、そのまま濃縮して化合物（Ｍ３−０３）（6.00g）を得た。
【０１５８】
（工程２）
化合物（Ｍ３−０３）（6.00g）、ぎ酸（18mL）、およびトルエン（30mL）の混合溶液を、８０℃で２時間加熱還流した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）を追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行い、化合物（Ｍ３−０４）（4.30g）を得た。次に、窒素雰囲気下で、マグネシウム（0.383g）とＴＨＦ（10mL）の混合液を４０℃まで加熱し、その後、氷水浴などを用いて４０℃程度に保ちながら１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼン（3.33g）のＴＨＦ（10mL）溶液をゆっくりと滴下してGrignard試薬を調整した。そのままの温度で１時間攪拌した後、さらに化合物（Ｍ３−０４）（4.30g）のＴＨＦ（20ｍL）溶液を滴下し、さらに１時間攪拌した。反応液を１Ｎ−ＨＣｌ水溶液にあけてトルエン（50mL）にて２回抽出し、常法により水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮を行うことにより化合物（Ｍ３−０５）（6.00g）を得た。
【０１５９】
（工程３）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ３−０５）（5.80g）のジクロロメタン（30mL）溶液を−２０℃まで冷却し、三臭化ホウ素（4.04g）を滴下して、その後除々に室温に戻して１時間攪拌した。反応液を水にあけてジクロロメタン（100mL）を追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行うことにより目的物を得た。次に、得られた化合物（5.10g）、水酸化カリウム（2.84g）、およびジオキサン（50mL）の混合液にトシルクロリド（2.91g）を加え、３時間加熱還流した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法により水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して標題化合物（Ｍ３）（2.20g）を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.969(t, 3H), 1.64-1.71(m, 2H), 2.03-2.10(m, 2H), 2.25-2.29(m, 2H), 2.62(t, 2H), 2.84-2.90(m, 1H), 3.01-3.08(m, 1H), 5.07-5.10(m, 1H), 7.08(m, 3H), 7.18-7.21(m, 1H), 7.23(d, 2H), 7.43-7.44(m, 2H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-134.1(m, 2F), -137.0(d, 1F), -161.7(d, 1F).
MS： 400（M＋）
【０１６０】
［実施例４］
＜２，２−ジフルオロ−６−（２−フルオロ−４−（４−ペンチルフェニル）フェニル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ４）：Ｒ７がペンチルである（１−７１）の化合物）の合成＞
【０１６１】
（工程１）
実施例１の（工程１）に記載した方法と同様の方法を用いることによって、化合物（Ｍ４−０１）（10.0g）から化合物（Ｍ４−０２）（5.92g）を合成した。
次に、窒素雰囲気下で、メトキシメチルホスホニムクロライド（4.23g）のＴＨＦ（20mL）溶液を−３０℃まで冷却し、ｔ−ブトキシカリウム（1.39g）をゆっくりと加えた。そのままの温度で１時間攪拌した後に、化合物（Ｍ４−０２）（4.05g）のＴＨＦ（20mL）溶液を滴下した。徐々に室温に戻して１時間攪拌した後、反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目的物を単離した。その後、この単離した化合物(4.00g)、３Ｎ−ＨＣｌ水溶液（10mL）、およびアセトン（30mL）の混合溶液を、６０℃で２時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて抽出し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行い、化合物（Ｍ４−０３）（2.39g）を得た。
【０１６２】
（工程２）
窒素雰囲気下で、ジブロモジフルオロメタン（2.69g）のＴＨＦ（6mL）溶液を０℃まで冷却し、トリス（ジエチルアミノ）ホスフィン（6.56g）のＴＨＦ（15mL）溶液をゆっくりと滴下した。常温にて１時間攪拌した後、さらに化合物（Ｍ４−０３）（2.39g）のＴＨＦ（10mL）溶液をゆっくりと滴下し、４０℃で４時間攪拌した。反応液を水にあけてトルエン（100mL）にて２回抽出し、常法にて水、３Ｎ−ＨＣｌ水溶液、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ４−０４）（2.30g）を得た。次に、窒素雰囲気下で、この化合物（Ｍ４−０４）（2.30g）のジクロロメタン（20mL）溶液を−１０℃まで冷却し、臭素（0.88g）を滴下した。そのままの温度で３０分間攪拌した後、反応液を水にあけてジクロロメタン（50mL）を追加し、常法にて水、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水にて順次洗浄、次いで濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｍ４−０５）（1.24g）を得た。
【０１６３】
（工程３）
化合物（Ｍ４−０５）（1.24g）のトルエン（10mL）／イソプロピルアルコール（10mL）／トリエチルアミン（0.50mL）の混合液に、触媒としてＰｄ／Ｃ（0.15g）を加え、反応器内に３ｋＰａの水素圧をかけて常温にて２日間攪拌した。反応液をろ過した後、トルエン（80mL）を加えて、常法にて１N−ＨＣｌ水溶液、水、重曹水、水で順次洗浄し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して標題化合物（Ｍ４）（0.710g）を得た。
1H-NMR (CDCl3, ppm)： δ0.910(t, 3H), 1.30-1.40(m, 4H), 1.62-1.66(m, 2H), 2.37-2.44(m, 2H), 2.65(t, 2H), 3.08(t, 1H), 7.11(s, 1H), 7.21(d, 1H), 7.26(d, 2H), 7.37(d, 1H), 7.42-7.44(m, 2H), 7.51(m, 2H).
19F-NMR (CDCl3, ppm)： δ-69.9(t, 2F), -118.3(m, 1F), -134.6(d, 1F).
MS： 428（M＋）
【０１６４】
［実施例５］
＜２−トリフルオロメチル−３，３−ジフルオロ−６−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ５）：Ｒ７がプロピルである（１−５９）の化合物）の合成＞
【０１６５】
（工程１）
実施例１で合成した化合物（Ｍ１−０４）を出発原料とする。窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ１−０４）のジクロロメタン溶液を０℃に冷却して、ｍ−クロロ過安息香酸を滴下し、室温で２０時間攪拌する。反応液を水にあけてジクロロメタンを追加し、常法により、チオ硫酸ナトリウム水溶液、水で順次洗浄、次いで濃縮して、化合物（Ｍ５−０１）を単離する。窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ５−０１）、酢酸ナトリウムおよびトルエンの混合溶液を、２時間加熱還流する。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー、さらに再結晶ろ過にて精製して化合物（Ｍ５−０２）を単離する。
【０１６６】
（工程２）
窒素雰囲気下で、化合物（Ｍ５−０２）のジクロロメタン溶液を０℃まで冷却し、ＤＡＳＴ（ジエチルアミノサルファートリフルオリド）をゆっくりと滴下し、室温にて２０時間攪拌する。反応液を水にあけてジクロロメタンを追加し、常法により水で洗浄、次いで濃縮を行った後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ５−０３）を単離する。この化合物（Ｍ５−０３）のジクロロメタン溶液を０℃まで冷却し、三臭化ホウ素を滴下して室温に戻した後、５時間攪拌する。反応液を氷水にあけてトルエンで２回抽出し、常法にて、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮する。その後、この濃縮物のトルエン溶液にｐ−トルエンスルホン酸水和物を加え、ディーンスターク装置を用いて、生成したエタノールをトルエンとともに留去しながら１時間加熱還流する。この後、さらにトルエンを追加し、さらに1時間加熱還流する。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法にて、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ５−０４）を得る。
【０１６７】
（工程３）
化合物（Ｍ５−０４）から、実施例１の（工程３）および（工程４）と同様の方法にて、標題化合物（Ｍ５）を得る。
【０１６８】
［実施例６］
＜２−トリフルオロメチル−３−メチル−６−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ６）：Ｒ７がプロピルである（１−１４６）の化合物）の合成＞
【０１６９】
（工程１）
実施例５で合成した化合物（Ｍ５−０２）を出発原料とする。窒素雰囲気下で、メチルトリフェニルホスホニウムブロミドのＴＨＦ溶液を−３０℃まで冷却し、ｔ−ブトキシカリウムをゆっくりと加え、そのままの温度で１時間攪拌する。この後、化合物（Ｍ５−０２）のＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、室温にもどしてさらに１時間攪拌する。反応液を水にあけてトルエンにて２回抽出し、常法にて水で洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目的物を単離する。単離した化合物をのトルエン／イソプロピルアルコールの混合液に、触媒としてＰｄ／Ｃを加え、反応器内に３ｋＰａの水素圧をかけて常温にて２日間攪拌する。反応液をろ過した後、トルエンを加えて、常法にて１N−ＨＣｌ水溶液、水、重曹水、水で順次洗浄し、次いで濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｍ６−０１）を単離する。この化合物（Ｍ６−０１）のジクロロメタン溶液を０℃まで冷却し、三臭化ホウ素を滴下して室温に戻した後、５時間攪拌する。反応液を氷水にあけてトルエンで２回抽出し、常法にて、水、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮する。この濃縮物のトルエン溶液にｐ−トルエンスルホン酸水和物を加え、ディーンスターク装置を用いて、生成したエタノールをトルエンとともに留去しながら１時間加熱還流する。この後、さらにトルエンを追加し、さらに1時間加熱還流する。反応液を水にあけてトルエンを追加し、常法にて、重曹水、水で順次洗浄、次いで濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ６−０２）を得る。
【０１７０】
（工程２）
化合物（Ｍ６−０２）から、実施例１の（工程３）および（工程４）と同様の方法にて、標題化合物（Ｍ６）を得る。
【０１７１】
［実施例７］
＜２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３，３−ジフルオロ−６−（４−プロピルフェニル）−８−フルオロクロマン（化合物（Ｍ７）：Ｒ７がプロピルである（１−７８）の化合物）の合成＞
【０１７２】
（工程１）
化合物（Ｍ７−０１）から、実施例５の（工程１）および（工程２）と同様の方法にて化合物（Ｍ７−０２）を得る。
【０１７３】
（工程２）
窒素雰囲気下で、細かく切ったリチウムおよびジエチルエーテルの混合液に、室温で化合物（Ｍ７−０３）のジエチルエーテル溶液をゆっくりと滴下し、その後に１時間加熱還流する。反応液を１Ｎ−ＨＣｌ水にあけてトルエンで３回抽出し、常法にて、水、重曹水、水にて順次洗浄、次いで濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（Ｍ７−０４）を得る。
【０１７４】
（工程３）
化合物（Ｍ７−０４）から、実施例１の（工程４）と同様の方法にて、標題化合物（Ｍ７）を得る。
【０１７５】
実施例１〜７および前記の合成法をもとに、前記の化合物（１−４１）〜化合物（１−４４）、化合物（１−５１）〜化合物（１−７８）および化合物（１−１０１）〜化合物（１−２８２）を合成することができる。
【０１７６】
［実施例８］
母液晶Ａ９０重量％と、実施例１で得られた化合物（Ｍ１）１０重量％とからなる組成物Ｃを調整した。組成物Ｃの物性値を外挿して化合物（Ｍ１）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．０９５
誘電率異方性（Δε）＝１０．２
【０１７７】
［実施例９］
母液晶Ａ８５重量％と、実施例２で得られた化合物（Ｍ２）１５重量％とからなる組成物Ｄを調整した。組成物Ｄの物性値を外挿して化合物（Ｍ２）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１９０
誘電率異方性（Δε）＝１６．９
【０１７８】
［実施例１０］
母液晶Ａ８５重量％と、実施例３で得られた化合物（Ｍ３）１５重量％とからなる組成物Ｅを調整した。組成物Ｅの物性値を外挿して化合物（Ｍ３）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１２４
誘電率異方性（Δε）＝１７．７
【０１７９】
［実施例１１］
母液晶Ａ９０重量％と、実施例４で得られた化合物（Ｍ４）１０重量％とからなる組成物Ｆを調整した。組成物Ｆの物性値を外挿して化合物（Ｍ４）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１９７
誘電率異方性（Δε）＝２１．９
【０１８０】
［実施例１２］
母液晶Ａ９０重量％と、実施例５で得られた化合物（Ｍ５）１０重量％とからなる組成物Ｇを調整した。組成物Ｇの物性値を外挿して化合物（Ｍ５）の物性値を算出した。
光学異方性（Δｎ）＝０．１９５
誘電率異方性（Δε）＝１７．９
【０１８１】
［比較例２］
特開平６−２５６３３９号公報に開示されている組成物の中から、実施例５の組成物を調製した。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物はＮＩが低く、ＶＨＲ−１およびＶＨＲ−２が小さい。
３−ＨＥＡ−４ ２５％
３−ＨＢ−Ｃ ３０％
５−ＨＢ−Ｃ ２２．５％
７−ＨＢ−Ｃ ２２．５％
ＮＩ＝４９．２℃；Δｎ＝０．１００；Δε＝９．７；Ｖｔｈ＝１．４３Ｖ；ＶＨＲ−１＝９７．５％；ＶＨＲ−２＝５３．５％．
【０１８２】
［実施例１３］
下記の組成物を調製した。
２−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ３％
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ４％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
この組成物のΔεは５．６であった。
【０１８３】
［実施例１４］
下記の組成物を調製する。
２−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１０） １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１７） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１８） １１％
ＮＩ＝９２．４℃；Δｎ＝０．０８９；Δε＝１２．０；Ｖｔｈ＝１．２１Ｖ；η＝３３．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１８４】
［実施例１５］
下記の組成物を調製する。
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （５−２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （５−４） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ２％
ＮＩ＝９９．１℃；Δｎ＝０．１４７；Δε＝８．５；Ｖｔｈ＝１．６０Ｖ；η＝５２．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１８５】
［実施例１６］
下記の組成物を調製する。
２−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
４−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
５−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） １２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １５％
ＮＩ＝９５．７℃；Δｎ＝０．１５９；Δε＝９．８；Ｖｔｈ＝１．５１Ｖ；η＝７１．３ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．８％．
【０１８６】
［実施例１７］
下記の組成物を調製する。
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （２−２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−ＨＢ−ＣＬ （５−１） １０％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １８％
ＮＩ＝７９．０℃；Δｎ＝０．１４２；Δε＝８．３；Ｖｔｈ＝１．５３Ｖ；η＝４０．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９７．９％．
追加データ
【０１８７】
［実施例１８］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） １５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （３−２） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （４−２） ４％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （４−３） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） １７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １９％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
ＮＩ＝８３．６℃；Δｎ＝０．１０９；Δε＝８．９；Ｖｔｈ＝１．４９Ｖ；η＝３０．３ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９７．７％．
【０１８８】
［実施例１９］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） １５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （３−２） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （４−２） ４％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （４−３） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） １７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １９％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
ＮＩ＝８０．１℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝９．４；Ｖｔｈ＝１．４４Ｖ；η＝３３．２ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１８９】
［実施例２０］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １０％
３−ＨＨ−Ｖ （２−１） １５％
Ｖ−ＨＨＢ−１ （３−１） ５％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （３−２） ３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３ （４−２） ４％
３−ＨＨＥＢＨ−３ （４−３） ３％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ５％
１−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ３％
１−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１９） １７％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １９％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
ＮＩ＝７７．２℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝９．０；Ｖｔｈ＝１．４７Ｖ；η＝２８．５ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．５％．
【０１９０】
［実施例２１］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） １２％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） ８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ５％
ＮＩ＝１０８．６℃；Δｎ＝０．１８５；Δε＝１０．６；Ｖｔｈ＝１．４３Ｖ；η＝７８．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１９１】
［侍史例２２］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） １２％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） ８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ５％
ＮＩ＝１０４．４℃；Δｎ＝０．１８３；Δε＝１１．２；Ｖｔｈ＝１．３４Ｖ；η＝８１．７ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．６％．
【０１９２】
［実施例２３］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １２％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） ８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３ （３−３） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ５％
ＮＩ＝１０１．０℃；Δｎ＝０．１７７；Δε＝１０．７；Ｖｔｈ＝１．４０Ｖ；η＝７６．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９３】
［実施例２４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
ＮＩ＝８０．５℃；Δｎ＝０．１０３；Δε＝５．８；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ；η＝２５．９ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９４】
［実施例２５］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
ＮＩ＝７８．１℃；Δｎ＝０．１０２；Δε＝６．２；Ｖｔｈ＝１．７５Ｖ；η＝２８．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０１９５】
［実施例２６］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−４４） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） １７％
３−ＨＨＢ−１ （３−１） ７％
３−ＨＢ−ＣＬ （５−１） ２０％
３−ＨＨＢ−Ｆ （６−１） ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ （６−２） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ４％
ＮＩ＝７６．４℃；Δｎ＝０．０９８；Δε＝５．９；Ｖｔｈ＝１．７９Ｖ；η＝２４．７ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９６】
［実施例２７］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） １５％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１０） １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１７） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１８） １１％
ＮＩ＝８７．３℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝１２．７；Ｖｔｈ＝１．１０Ｖ；η＝４８．８ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９７．３％．
【０１９７】
［実施例２８］
２−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ８％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ７％
３−ＨＨ−４ （２−１） ７％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ （６−４） ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−９） ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１０） １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１４） ３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１６） ５％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１７） ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１８） １１％
ＮＩ＝８２．９℃；Δｎ＝０．０８０；Δε＝１２．０；Ｖｔｈ＝１．１５Ｖ；η＝４２．０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．８％．
【０１９８】
［実施例２９］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （５−２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （５−４） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ２％
ＮＩ＝１０２．２℃；Δｎ＝０．１４８；Δε＝８．０；Ｖｔｈ＝１．６６Ｖ；η＝４８．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９８．１％．
【０１９９】
［実施例３０］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） ９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） ８％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ （５−２） ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （５−４） ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ２５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （７−１） ２％
ＮＩ＝９６．０℃；Δｎ＝０．１４１；Δε＝８．１；Ｖｔｈ＝１．６６Ｖ；η＝４６．９ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０２００】
［実施例３１］
２−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４２） ５％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４２） ５％
１Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４２） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） １２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １５％
ＮＩ＝１０７．５℃；Δｎ＝０．１７２；Δε＝９．６；Ｖｔｈ＝１．５４Ｖ；η＝７４．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９７．７％．
【０２０１】
［実施例３２］
２−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
４−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ５％
５−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３（１−４３） ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （４−１） １２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （４−１） １２％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （６−７） ２％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−１２） ３０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （６−２０） １５％
ＮＩ＝１０１．３℃；Δｎ＝０．１７０；Δε＝１０．６；Ｖｔｈ＝１．４４Ｖ；η＝８０．１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９８．０％．
【０２０２】
［実施例３３］
３−ＨＨＣｒｏ１（２Ｆ２）−ＣＦ３ （１−５９） ５％
３−ＨＨＣｒｏ１（Ｆ２）（８Ｆ） （１−６３） ５％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １６％
３−ＨＢ−Ｏ２ ４％
３−ＨＨ−４ ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ ３％
３−ＨＨＢ−１ ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％
【０２０３】
［実施例３４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２）（８Ｆ） （１−７１） ８％
２−ＨＢ−Ｃ ５％
３−ＨＢ−Ｃ １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ １５％
２−ＢＴＢ−１ ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
３−ＨＨＢ−３ １４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
【０２０４】
［実施例３５］
３−Ｂ（Ｆ）Ｃｒｏ１（２Ｆ２）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−２０４）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２） （１−７２） ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％
３−ＨＢ−Ｃ ８％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３％
３−ＨＨ−２Ｖ １１％
３−ＨＨ−２Ｖ１ ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ５％
【０２０５】
［実施例３６］
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ３％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ １１％
５−ＰｙＢ−Ｃ ６％
４−ＢＢ−３ ８％
３−ＨＨ−２Ｖ １０％
５−ＨＨ−Ｖ １１％
Ｖ−ＨＨＢ−１ ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ １２％
３−ＨＨＢ−１ ９％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ １０％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ５％
【０２０６】
［実施例３７］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２）（８Ｆ） （１−７２） ６％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％
３−ＨＢ−Ｃ １８％
２−ＢＴＢ−１ １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ ２４％
３−ＨＨＢ−１ ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％
【０２０７】
［実施例３８］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ７％
５−ＨＢ−ＣＬ １６％
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨ−５ ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ８％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
ＮＩ＝１０８．７℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝４．６；Ｖｔｈ＝２．２０Ｖ；η＝２６．８ｍＰａ・ｓ．
上記組成物１００部にＯｐ０５を０．２５部添加したときのらせんピッチは６１．２μｍであった
【０２０８】
［実施例３９］
３−ＨＨＣｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４１） ５％
３−ＨＨＣｒｏ１（２Ｆ２）−ＣＦ３ （１−５９） ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４％
【０２０９】
［実施例４０］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） １０％
５−ＨＢ−Ｆ １２％
６−ＨＢ−Ｆ ９％
７−ＨＢ−Ｆ ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢＨ−３ ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３％
ＮＩ＝７８．８℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝４．７；Ｖｔｈ＝１．９５Ｖ；η＝２０．７ｍＰａ・ｓ．
【０２１０】
［実施例４１］
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） １２％
５−ＨＢ−ＣＬ １１％
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
ＮＩ＝７５．８℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝９．５；Ｖｔｈ＝１．４１Ｖ；η＝３３．６ｍＰａ・ｓ．
【０２１１】
［実施例４２］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ４％
３−ＢＣｒｏ１（８Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （１−４４） ４％
３−ＨＢ−ＣＬ ６％
５−ＨＢ−ＣＬ ４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ １４％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ３％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
ＮＩ＝６６．２℃；Δｎ＝０．０９９；Δε＝９．３；Ｖｔｈ＝１．４３Ｖ；η＝３５．４ｍＰａ・ｓ．
【０２１２】
［実施例４３］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（Ｆ２） （１−７２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） ４％
５−ＨＢ−ＣＬ １７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ−４ １０％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
ＮＩ＝７０．２℃；Δｎ＝０．０８４；Δε＝４．４；Ｖｔｈ＝１．７５Ｖ；η＝２７．０ｍＰａ・ｓ．
【０２１３】
［実施例４４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（２Ｆ２）−ＣＦ３ （１−６８） ８％
５−ＨＢ−ＣＬ ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨ−４ ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
【０２１４】
［実施例４５］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｃｒｏ１（８Ｆ）−ＣＦ３ （１−４３） １０％
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ７％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
ＮＩ＝８８．９℃；Δｎ＝０．１２３；Δε＝１１．２；Ｖｔｈ＝１．５８Ｖ；η＝３９．６ｍＰａ・ｓ．
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一成分として式（１−１）〜式（１−１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項２】
第一成分が式（１−１１）〜式（１−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項３】
式（２）〜式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、請求項１または２に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ４およびＲ５は独立してアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ５およびＺ６は独立して単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ２）２−である。
【請求項４】
式（５）〜式（７）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、請求項３に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ６はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルであり；Ｘ２はフッ素、塩素、任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシであり；環Ｅおよび環Ｆは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ７およびＺ８は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−であり；そして、Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素である。
【請求項５】
第一成分として式（１−４１）〜式（１−４４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項６】
第一成分として式（１−５１）〜式（１−７８）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項７】
下記の式（２−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、請求項５または６に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８およびＲ９は独立してアルキルであり；Ｒ１０はアルキル、アルケニル、アルコキシ、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；Ｒ１１はアルキルまたはアルコキシであり；そしてＲ１２はアルキル、アルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【請求項８】
第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項９】
第二成分が式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
第二成分が式（４−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１２】
第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（４−１）〜式（４−３）でのそれぞれ表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１３】
下記の式（５−１）〜式（７−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８はアルキルである。
【請求項１４】
第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１５】
第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１６】
第三成分が式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１７】
第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１８】
第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１９】
第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【請求項２１】
式（１−１）〜式（１−１０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項２２】
式（１−１１）〜式（１−２０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項２３】
式（１−４２）〜式（１−４４）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項２４】
式（１−５１）〜式（１−７８）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項１】
第一成分として式（１−１）〜式（１−１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項２】
第一成分が式（１−１１）〜式（１−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項３】
式（２）〜式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、請求項１または２に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ４およびＲ５は独立してアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシメチルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；環Ｂ、環Ｃおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ５およびＺ６は独立して単結合、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ２）２−である。
【請求項４】
式（５）〜式（７）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、請求項３に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ６はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチルであり；Ｘ２はフッ素、塩素、任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルコキシであり；環Ｅおよび環Ｆは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ７およびＺ８は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−または−ＯＣＦ２−であり；そして、Ｌ１およびＬ２は独立して水素またはフッ素である。
【請求項５】
第一成分として式（１−４１）〜式（１−４４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項６】
第一成分として式（１−５１）〜式（１−７８）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、そして正の誘電率異方性を有する液晶組成物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項７】
下記の式（２−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第二成分として含有する、請求項５または６に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８およびＲ９は独立してアルキルであり；Ｒ１０はアルキル、アルケニル、アルコキシ、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルであり；Ｒ１１はアルキルまたはアルコキシであり；そしてＲ１２はアルキル、アルケニル、または任意の水素がフッ素で置き換えられたアルケニルである。
【請求項８】
第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項９】
第二成分が式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
第二成分が式（４−１）〜式（４−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１２】
第二成分が式（２−１）および式（２−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（３−１）〜式（３−３）のそれぞれで表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物と、式（４−１）〜式（４−３）でのそれぞれ表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項１３】
下記の式（５−１）〜式（７−２）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を第三成分として含有する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物：
ここに、Ｒ８はアルキルである。
【請求項１４】
第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１５】
第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１６】
第三成分が式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１７】
第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１８】
第三成分が式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項１９】
第三成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（６−２）〜式（６−４）、式（６−９）、式（６−１０）、式（６−１２）、式（６−１４）、式（６−１９）および式（６−２０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物と、式（７−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物との混合物である、請求項１３に記載の液晶組成物。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【請求項２１】
式（１−１）〜式（１−１０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ２はハロゲン、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルキル、任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルケニル、または任意の水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項２２】
式（１−１１）〜式（１−２０）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ１は水素、アルキルまたはアルケニルであり；Ｒ３は任意の水素がフッ素で置き換えられたアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３およびＡ４は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−ジオキサン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｘ１はフッ素、塩素、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＦ２Ｈであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３およびＺ４は独立して単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３およびＹ４は独立して水素、フッ素またはメチルである。
【請求項２３】
式（１−４２）〜式（１−４４）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【請求項２４】
式（１−５１）〜式（１−７８）のいずれか１つで表される化合物：
ここに、Ｒ７はアルキルまたはアルケニルである。
【公開番号】特開２００６−１９９９４１（Ｐ２００６−１９９９４１Ａ）
【公開日】平成１８年８月３日（２００６．８．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３６２８２９（Ｐ２００５−３６２８２９）
【出願日】平成１７年１２月１６日（２００５．１２．１６）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【出願人】（５９６０３２１００）チッソ石油化学株式会社 (309)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月３日（２００６．８．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月１６日（２００５．１２．１６）
【出願人】（０００００２０７１）チッソ株式会社 (658)
【出願人】（５９６０３２１００）チッソ石油化学株式会社 (309)
【Ｆターム（参考）】
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