ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法
【目的】 ストリップ線路及び該ストリップ線路を用いたマイクロ波回路の小型化を可能にする。
【構成】 電力分配器１は誘電体基板２の両端面に第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３とを形成し、かつ、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間をそれぞれ波状に屈曲させた波長ストリップ電極７，８で結合して構成されている。ストリップ電極７，８の線路上にそれぞれ凹溝２１〜２３，２１′〜２３′を設け、該ストリップ電極７，８を誘電体基板２の高さ方向にも屈曲させることにより第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間の直線距離Ｌ１を短縮し、電力分配器１の小形化を可能にした。
【構成】 電力分配器１は誘電体基板２の両端面に第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３とを形成し、かつ、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間をそれぞれ波状に屈曲させた波長ストリップ電極７，８で結合して構成されている。ストリップ電極７，８の線路上にそれぞれ凹溝２１〜２３，２１′〜２３′を設け、該ストリップ電極７，８を誘電体基板２の高さ方向にも屈曲させることにより第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間の直線距離Ｌ１を短縮し、電力分配器１の小形化を可能にした。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板の表裏面に接地電極とストリップ電極とを形成してなるストリップ線路に係り、特にストリップ電極の構造、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のストリップ線路を備えたＹ型電力分配器の構造を示す斜視図である。
【０００３】同図に示す電力分配器は、ウィルキンソン（Wilkinson）の２分配形電力分配器である。誘電体基板１００の一方側面１０１に第１ポートＰ１が設けられ、他方側面１０２に長手方向に伸びる中心線Ｍに対する対称位置に第２ポートＰ２と第３ポートＰ３とが設けられ、該第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間はそれぞれ波状に屈曲されたλｇ／４（λｇ：管内波長）のマイクロストリップ線路１０３，１０４により結合されている。そして、上記電力分配器は、例えばマイクロストリップ線路１０３，１０４の電極の長さを変化させて動作周波数の微調整が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の電力分配器は、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間をそれぞれ１／４波長のマイクロストリップ線路１０３，１０４で結合しているので、周波数が低くなると、波長が長くなり、動作周波数の低下に応じて大型化するため、上記マイクロストリップ線路１０３，１０４を波状に屈曲させて直線距離Ｌを短縮するとともに、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくして管内波長λｇを短くし、小型化が図られている。
【０００５】しかし、ストリップ線路１０３，１０４の特性インピーダンスＺｏはｗ（線幅）／√（ε）に比例するので、誘電体基板１００の比誘電率εに関係なく所定の特性インピーダンスＺｏ（例えば５０Ω）を有するマイクロストリップ線路１０３，１０４を形成しようとすると、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくするのに応じて線幅ｗが狭くなり、マイクロストリップ線路１０３，１０４の形成が困難になる。従って、誘電体は基板１００の比誘電率εを大きくするには、一定の限界がある。
【０００６】一方、マイクロストリップ線路１０３，１０４を波状に屈曲させる場合、折り返された電極を一定寸法以上に近接させると、互いに干渉して特性が劣化するため、直線距離Ｌの短縮率は屈曲数に反比例するから、直線距離Ｌの短縮率を大きくすべく屈曲数を少なくすると、各折返線路の長さＳが長くなり、直線距離Ｌが短くなる反面、基板幅Ｗが増大するという不都合が生じる。
【０００７】また、上記電力分配器は、マイクロストリップ線路１０３，１０４の長さを変化させるために、電極を形成するパターンマスクから再度、作成し直すことで周波数の調整が行われているので、マスク作成の時間がかかり、マスク作成の費用も必要でコストが高くつく欠点がある。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、より小型化が可能で、しかも特性の微調整が容易なストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、１又は２以上の凹溝が穿設された誘電体基板の表面に該凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿って屈曲された所定長のストリップ電極が形成されてなるものである。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、上記ストリップ線路からなる結合線路又はハイブリッド線路を備えたマイクロ波回路である。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、上記凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することにより動作周波数の調整を行なうようにしたものである。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ストリップ電極は、各凹溝において基板の高さ方向に屈曲されるので、この分ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の線路長が短縮される。
【００１３】請求項２記載の発明によれば、ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の路長が短縮されるので、マイクロ波回路の全体的な寸法が小さくなる。
【００１４】請求項３記載の発明によれば、凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することにより該凹溝内における相対向するストリップ電極の屈曲部の結合量が変化する。これによりストリップ線路の電気長が変化してマイクロ波回路の動作周波数が変化する。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に係るストリップ線路が適用された電力分配器の斜視図、また、図２は、同電力分配器の断面図、図３は同電力分配器の等価回路である。
【００１６】電力分配器１は、図３に示すウィルキンソンの２分配形電力分配器で、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間の伝送線路をそれぞれλｇ（管内波長）／４のマイクロストリップ線路で構成したものである。なお、第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間に設けられる抵抗Ｒは、電力分配器１に設けていないが、必要に応じて設けることもできる。
【００１７】電力分配器１は、セラミックス等からなる方形盤状の高誘電体基板４に所要の電極を形成して構成されている。誘電体基板２の表面には長手方向に伸びる中心線Ｍに対する対称位置に該中心線Ｍに平行に３対の凹溝２１，２１′、２２，２２′、２３，２３′が穿設されている。上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′は、例えば円盤状のダイヤモンド・ブレードを備えたダイシングソー（Dicing Saw）によりハーフカット技術を用いて形成することができ、回転中の円盤状のダイヤモンド・ブレードの下端を誘電体基板４の表面より所望の深さ寸法だけ下降させ、該誘電体基板２を該ダイヤモンド・ブレードに対して相対移動させることにより穿設される。
【００１８】なお、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′の断面形状は矩形であるが、半円形状乃至Ｕ字状であってもよい。
【００１９】誘電体基板２の裏面は全面、接地電極３で被覆され、一方端面の中央に第１ポートＰ１の電極４が、他方端面の上記中心線Ｍに対する対称位置に第２ポートＰ２の電極５と第３ポートＰ３の電極６とが形成されている。また、誘電体基板２の表面の上記第１ポートＰ１と第２ポートＰ２間にストリップ電極７が上記凹溝２１〜２３と交叉するように波状に屈曲させて形成され、上記第１ポートＰ１と第３ポートＰ３間にストリップ電極８が上記凹溝２１′〜２３′と交叉するように波状に屈曲させて形成されている。なお、このストリップ電極７，８は、上記中心線Ｍに対して互いに鏡像関係となっている。
【００２０】上記接地電極３、第１〜第３ポートの電極４，５，６及びストリップ電極７，８は、厚膜技術又は薄膜技術を用いて形成される。薄膜法では、例えば銀、銅、金等の金属導体の薄膜を鍍金、真空蒸着若しくはスパッタリング等により誘電体基板２の全面に形成した後、フォトエッチングにより不必要な電極を除去して上記各電極４〜８が形成される。また、厚膜法では、上記誘電体基板２の各電極４〜８の形成位置に、例えば銀、銅、金等の金属導体ペーストをスクリーン印刷により塗布した後、誘電体基板２を所定の焼成温度で加熱することにより上記各電極４〜８が形成される。
【００２１】上記のように、ストリップ電極７，８は、水平面内（基板表面と平行な面内）において波状に屈曲させるとともに、ストリップ線路上に凹溝４１〜４３，４１′〜４３′を設け、垂直面内（基板表面に対して垂直の面内）においても屈曲させているので、ストリップ電極７，８の直線距離（第１ポートＰ１と第２，第３ポート間の距離）Ｌ１は、従来の水平面内のみで屈曲させたものより短くすることができる。これにより電力分配器１の小形化が可能となる。
【００２２】また、上記構成の電力分配器１は、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′に、例えばセラミックス粉と樹脂との混合材料、樹脂単体、若しくは前述の混合、単体材料を発泡させた材料等の粉状誘電体部材９を充填することにより動作周波数の微調整が可能になっている。図２に示すように、例えばストリップ電極７の凹溝２１において、比誘電率が１を超える誘電体部材９が充填されることから、ストリップ線路周辺の誘電率が誘電体部材９を充填する前に比べて大きくなる。この比をα（＞１）とすると、ストリップ線路の電気長は１／√（α）だけ短くなることになる。すなわち、これによりストリップ線路７の全体的な電気長が短縮され、電力分配器１の動作周波数は上昇方向に微調整される。
【００２３】従って、電力分配器１の動作周波数を予め目標値よりも低く設定しておき、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′に誘電体部材９を充填することにより高精度に周波数調整を行なうことができる。
【００２４】なお、上記実施例では、電力分配器について説明したが、本発明はこれに限定されるものはなく、図４に示す１／４波長結合形方向性結合回路、図５（ａ）に示すブランチライン、同図（ｂ）に示す１／４波長分布結合、同図（ｃ）に示すラットレース及び同図（ｄ）に示す位相反転形ハイブリッドリングを構成する各ストリップ線路１０，１１，１２，１３，１４に適用することができ、各ストリップ線路１０〜１４の凹溝における屈曲部に粉状誘電体部材９を充填することにより動作周波数の微調整を行なうことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、誘電体基板の表面に穿設された凹溝に交叉させ、かつて凹溝の内側面に沿って屈曲させてストリップ線路を形成したので、この分ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の線路長が短くなる。
【００２６】また、上記ストリップ線路からなる結合線路を用いてマイクロ波回路を構成したので、ストリップ線路の見かけ上の線路長が短縮される分、マイクロ波回路の小型化が可能になる。
【００２７】また、凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することによりストリップ線路の電気長を変化させてマイクロ波回路の動作周波数を調整するようにしたので、周波数の微調整を簡単に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るストリップ線路が適用された電力分配器の斜視図である。
【図２】本発明に係るストリップ線路が適用された電力分配器の断面図である。
【図３】電力分配器の等価回路である。
【図４】本発明に係るストリップ線路が適用される１／４波長結合形方向性結合回路の回路構成図である。
【図５】本発明に係るストリップ線路が適用されるハイブリッド回路を示すもので、（ａ）はブランチラインの回路構成図、（ｂ）は１／４波長分布結合の回路構成図、（ｃ）はラットレースの回路構成図、（ｃ）は位相反転形ハイブリッドリングの回路構成図である。
【図６】従来のストリップ線路を備えたＹ型電力分配器の構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 電力分配器
２ 誘電体基板
２１〜２３，２１′〜２３′ 凹溝
３ 接地電極
４，５，６ ポート電極
７，８ ストリップ電極
９ 誘電体部材
１０，１１，１２，１３，１４ ストリップ線路
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板の表裏面に接地電極とストリップ電極とを形成してなるストリップ線路に係り、特にストリップ電極の構造、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のストリップ線路を備えたＹ型電力分配器の構造を示す斜視図である。
【０００３】同図に示す電力分配器は、ウィルキンソン（Wilkinson）の２分配形電力分配器である。誘電体基板１００の一方側面１０１に第１ポートＰ１が設けられ、他方側面１０２に長手方向に伸びる中心線Ｍに対する対称位置に第２ポートＰ２と第３ポートＰ３とが設けられ、該第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間はそれぞれ波状に屈曲されたλｇ／４（λｇ：管内波長）のマイクロストリップ線路１０３，１０４により結合されている。そして、上記電力分配器は、例えばマイクロストリップ線路１０３，１０４の電極の長さを変化させて動作周波数の微調整が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の電力分配器は、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間をそれぞれ１／４波長のマイクロストリップ線路１０３，１０４で結合しているので、周波数が低くなると、波長が長くなり、動作周波数の低下に応じて大型化するため、上記マイクロストリップ線路１０３，１０４を波状に屈曲させて直線距離Ｌを短縮するとともに、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくして管内波長λｇを短くし、小型化が図られている。
【０００５】しかし、ストリップ線路１０３，１０４の特性インピーダンスＺｏはｗ（線幅）／√（ε）に比例するので、誘電体基板１００の比誘電率εに関係なく所定の特性インピーダンスＺｏ（例えば５０Ω）を有するマイクロストリップ線路１０３，１０４を形成しようとすると、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくするのに応じて線幅ｗが狭くなり、マイクロストリップ線路１０３，１０４の形成が困難になる。従って、誘電体は基板１００の比誘電率εを大きくするには、一定の限界がある。
【０００６】一方、マイクロストリップ線路１０３，１０４を波状に屈曲させる場合、折り返された電極を一定寸法以上に近接させると、互いに干渉して特性が劣化するため、直線距離Ｌの短縮率は屈曲数に反比例するから、直線距離Ｌの短縮率を大きくすべく屈曲数を少なくすると、各折返線路の長さＳが長くなり、直線距離Ｌが短くなる反面、基板幅Ｗが増大するという不都合が生じる。
【０００７】また、上記電力分配器は、マイクロストリップ線路１０３，１０４の長さを変化させるために、電極を形成するパターンマスクから再度、作成し直すことで周波数の調整が行われているので、マスク作成の時間がかかり、マスク作成の費用も必要でコストが高くつく欠点がある。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、より小型化が可能で、しかも特性の微調整が容易なストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、１又は２以上の凹溝が穿設された誘電体基板の表面に該凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿って屈曲された所定長のストリップ電極が形成されてなるものである。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、上記ストリップ線路からなる結合線路又はハイブリッド線路を備えたマイクロ波回路である。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、上記凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することにより動作周波数の調整を行なうようにしたものである。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ストリップ電極は、各凹溝において基板の高さ方向に屈曲されるので、この分ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の線路長が短縮される。
【００１３】請求項２記載の発明によれば、ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の路長が短縮されるので、マイクロ波回路の全体的な寸法が小さくなる。
【００１４】請求項３記載の発明によれば、凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することにより該凹溝内における相対向するストリップ電極の屈曲部の結合量が変化する。これによりストリップ線路の電気長が変化してマイクロ波回路の動作周波数が変化する。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に係るストリップ線路が適用された電力分配器の斜視図、また、図２は、同電力分配器の断面図、図３は同電力分配器の等価回路である。
【００１６】電力分配器１は、図３に示すウィルキンソンの２分配形電力分配器で、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間の伝送線路をそれぞれλｇ（管内波長）／４のマイクロストリップ線路で構成したものである。なお、第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間に設けられる抵抗Ｒは、電力分配器１に設けていないが、必要に応じて設けることもできる。
【００１７】電力分配器１は、セラミックス等からなる方形盤状の高誘電体基板４に所要の電極を形成して構成されている。誘電体基板２の表面には長手方向に伸びる中心線Ｍに対する対称位置に該中心線Ｍに平行に３対の凹溝２１，２１′、２２，２２′、２３，２３′が穿設されている。上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′は、例えば円盤状のダイヤモンド・ブレードを備えたダイシングソー（Dicing Saw）によりハーフカット技術を用いて形成することができ、回転中の円盤状のダイヤモンド・ブレードの下端を誘電体基板４の表面より所望の深さ寸法だけ下降させ、該誘電体基板２を該ダイヤモンド・ブレードに対して相対移動させることにより穿設される。
【００１８】なお、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′の断面形状は矩形であるが、半円形状乃至Ｕ字状であってもよい。
【００１９】誘電体基板２の裏面は全面、接地電極３で被覆され、一方端面の中央に第１ポートＰ１の電極４が、他方端面の上記中心線Ｍに対する対称位置に第２ポートＰ２の電極５と第３ポートＰ３の電極６とが形成されている。また、誘電体基板２の表面の上記第１ポートＰ１と第２ポートＰ２間にストリップ電極７が上記凹溝２１〜２３と交叉するように波状に屈曲させて形成され、上記第１ポートＰ１と第３ポートＰ３間にストリップ電極８が上記凹溝２１′〜２３′と交叉するように波状に屈曲させて形成されている。なお、このストリップ電極７，８は、上記中心線Ｍに対して互いに鏡像関係となっている。
【００２０】上記接地電極３、第１〜第３ポートの電極４，５，６及びストリップ電極７，８は、厚膜技術又は薄膜技術を用いて形成される。薄膜法では、例えば銀、銅、金等の金属導体の薄膜を鍍金、真空蒸着若しくはスパッタリング等により誘電体基板２の全面に形成した後、フォトエッチングにより不必要な電極を除去して上記各電極４〜８が形成される。また、厚膜法では、上記誘電体基板２の各電極４〜８の形成位置に、例えば銀、銅、金等の金属導体ペーストをスクリーン印刷により塗布した後、誘電体基板２を所定の焼成温度で加熱することにより上記各電極４〜８が形成される。
【００２１】上記のように、ストリップ電極７，８は、水平面内（基板表面と平行な面内）において波状に屈曲させるとともに、ストリップ線路上に凹溝４１〜４３，４１′〜４３′を設け、垂直面内（基板表面に対して垂直の面内）においても屈曲させているので、ストリップ電極７，８の直線距離（第１ポートＰ１と第２，第３ポート間の距離）Ｌ１は、従来の水平面内のみで屈曲させたものより短くすることができる。これにより電力分配器１の小形化が可能となる。
【００２２】また、上記構成の電力分配器１は、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′に、例えばセラミックス粉と樹脂との混合材料、樹脂単体、若しくは前述の混合、単体材料を発泡させた材料等の粉状誘電体部材９を充填することにより動作周波数の微調整が可能になっている。図２に示すように、例えばストリップ電極７の凹溝２１において、比誘電率が１を超える誘電体部材９が充填されることから、ストリップ線路周辺の誘電率が誘電体部材９を充填する前に比べて大きくなる。この比をα（＞１）とすると、ストリップ線路の電気長は１／√（α）だけ短くなることになる。すなわち、これによりストリップ線路７の全体的な電気長が短縮され、電力分配器１の動作周波数は上昇方向に微調整される。
【００２３】従って、電力分配器１の動作周波数を予め目標値よりも低く設定しておき、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′に誘電体部材９を充填することにより高精度に周波数調整を行なうことができる。
【００２４】なお、上記実施例では、電力分配器について説明したが、本発明はこれに限定されるものはなく、図４に示す１／４波長結合形方向性結合回路、図５（ａ）に示すブランチライン、同図（ｂ）に示す１／４波長分布結合、同図（ｃ）に示すラットレース及び同図（ｄ）に示す位相反転形ハイブリッドリングを構成する各ストリップ線路１０，１１，１２，１３，１４に適用することができ、各ストリップ線路１０〜１４の凹溝における屈曲部に粉状誘電体部材９を充填することにより動作周波数の微調整を行なうことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、誘電体基板の表面に穿設された凹溝に交叉させ、かつて凹溝の内側面に沿って屈曲させてストリップ線路を形成したので、この分ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の線路長が短くなる。
【００２６】また、上記ストリップ線路からなる結合線路を用いてマイクロ波回路を構成したので、ストリップ線路の見かけ上の線路長が短縮される分、マイクロ波回路の小型化が可能になる。
【００２７】また、凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することによりストリップ線路の電気長を変化させてマイクロ波回路の動作周波数を調整するようにしたので、周波数の微調整を簡単に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るストリップ線路が適用された電力分配器の斜視図である。
【図２】本発明に係るストリップ線路が適用された電力分配器の断面図である。
【図３】電力分配器の等価回路である。
【図４】本発明に係るストリップ線路が適用される１／４波長結合形方向性結合回路の回路構成図である。
【図５】本発明に係るストリップ線路が適用されるハイブリッド回路を示すもので、（ａ）はブランチラインの回路構成図、（ｂ）は１／４波長分布結合の回路構成図、（ｃ）はラットレースの回路構成図、（ｃ）は位相反転形ハイブリッドリングの回路構成図である。
【図６】従来のストリップ線路を備えたＹ型電力分配器の構造を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 電力分配器
２ 誘電体基板
２１〜２３，２１′〜２３′ 凹溝
３ 接地電極
４，５，６ ポート電極
７，８ ストリップ電極
９ 誘電体部材
１０，１１，１２，１３，１４ ストリップ線路
【特許請求の範囲】
【請求項１】 １又は２以上の凹溝が穿設された誘電体基板の表面に該凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿って屈曲された所定長のストリップ電極が形成されてなることを特徴とするストリップ線路。
【請求項２】 請求項１記載のストリップ線路からなる結合線路又はハイブリッド線路を備えたことを特徴とするマイクロ波回路。
【請求項３】 上記凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することにより動作周波数の調整を行なうことを特徴とする請求項２記載のマイクロ波回路の周波数調整方法。
【請求項１】 １又は２以上の凹溝が穿設された誘電体基板の表面に該凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿って屈曲された所定長のストリップ電極が形成されてなることを特徴とするストリップ線路。
【請求項２】 請求項１記載のストリップ線路からなる結合線路又はハイブリッド線路を備えたことを特徴とするマイクロ波回路。
【請求項３】 上記凹溝のストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することにより動作周波数の調整を行なうことを特徴とする請求項２記載のマイクロ波回路の周波数調整方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開平７−８６８１１
【公開日】平成７年（１９９５）３月３１日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平５−２２４７０９
【出願日】平成５年（１９９３）９月９日
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【公開日】平成７年（１９９５）３月３１日
【国際特許分類】
【出願日】平成５年（１９９３）９月９日
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
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