【課題】単一の誘電体基板で簡素に構成されるとともに、キャビティ共振の抑圧による安定した回路性能の維持および気密封止を両立可能な電力分配合成回路を得る。
【解決手段】くり貫き部１１０を有し、Ｍ個の結合線路型カプラ１０１〜１０４がくり貫き部１１０を囲むように環状に配置された誘電体基板１０を内部に封入する空洞２００を有する金属ケース５０は、誘電体基板１０の裏面側に配置される底面２１９、誘電体基板１０の表面側に配置される金属板５１、くり貫き部１１０の内周側面側に配置され、くり貫き部１１０を貫通するとともに、底面２１９および金属板５１と電気的に接続される金属壁２１０、並びに誘電体基板１０の外周側面側に配置され、底面２１９および金属板５１と電気的に接続される金属壁２１１〜２１８により構成され、Ｍ個の結合線路型カプラ１０１〜１０４は、多段結合線路またはテーパ結合線路により構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路の大規模化を抑制しつつ、品質の良いデータ伝送を行う。
【解決手段】半導体チップである、例えば、ミリ波伝送チップには、シングルエンド信号がやりとりされるパッドを有するシングルエンドI/Fが設けられている。一方、例えば、インターポーザやプリント基板等の半導体チップが実装される実装部には、差動信号を伝送する、例えば、コプレーナストリップ線路等の差動伝送路と、差動伝送路に接続されているスタブとが形成されている。ミリ波伝送チップは、差動伝送路を構成する導体に、シングルエンドI/Fのパッドが、電気的に直接接続されるように、実装部に実装されている。本技術は、例えば、IC等の電子回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】線路を伝播する不要な高周波信号を抑制するとともに、スルーホールから不要な高周波信号が輻射されるのを低減するように構成された高周波モジュールを提供する。
【解決手段】バイアス線路１２３、１２４のそれぞれから分岐部１３１、１４１で分岐させ合流部１３２、１４２で合流させた分岐線路１３０、１４０を設けている。分岐線路１４０の電気長Ｌ２と分岐部１４１から合流部１４２までのバイアス線路１２４の電気長Ｌ１との差（Ｌ２−Ｌ１）が、不要な高周波信号の実効的な波長λｇの１／２またはその奇数倍に略等しくなるように電気長Ｌ１、Ｌ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】異なる層の高周波伝送線路を接続する接続線路と高周波伝送線路とのインピーダンス不整合を効率的に改善し信号の反射損失を減らす。
【解決手段】多層配線基板１は積層した第１の誘電体基板２０ａの一方の面で延伸する信号線路１０と他方の面上の接地導体４０とで構成されるマイクロストリップ線路を備える。第１貫通導体３０は、基板面に垂直に基板を貫通し信号線路１０の先端と他の信号線路とを接続し、第２貫通導体ビア５０は、基板面に垂直に複数個、基板を貫通して第１貫通導体３０を円筒状に囲むように形成され、接地導体４０を他の接地導体に接続する。接地導体４０と第１貫通導体３０とは第１の誘電体基板２０ａで構成される誘電体領域６０で隔絶され、その信号線路１０側の領域は、基板面上で第１貫通導体３０の中心から所定の距離離れた領域確定線９０に基づき決定され、信号線路１０のない側の領域よりも面積が小さい。 （もっと読む）

【課題】 コアアイソレータ素子の挿入損失の増加を抑制した、送信モジュールを提供する。
【解決手段】 回路基板２は、グランドパターン３Ａ〜３Ｄを備えた多層基板である。回路基板２には、電力増幅器１０およびコアアイソレータ素子１４が実装される。電力増幅器１０およびコアアイソレータ素子１４は、樹脂層１２によって覆われる。樹脂層１２の表面にはシールド層１３が設けられる。コアアイソレータ素子１４の天面１４Ａと、天面１４Ａと対向するシールド層１３の天面シールド層１３Ａとの間隔、コアアイソレータ素子１４の側面と、この側面と対向するシールド層１３の側面シールド層との間隔を、所定の距離だけ離間して、コアアイソレータ素子１４による挿入損失の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】給電ラインを容易に接続することが可能な板状逆Ｆアンテナを提供する。
【解決手段】励起導電板として機能する主導電板の開放端側から入力インピーダンスがＺ（＝５０Ω）となる箇所まで２本のスリットを設ける。このスリット間を、マイクロストリップライン（ＭＳＬ）として使用し、伝送線路の特性インピーダンスがＺとなるように幅ｗを決定する。そして、ＭＳＬの長さ方向に沿って、ＭＳＬの両側又は一方の側で折り曲げることで断面コ字状又は断面Ｌ字状の板状逆Ｆアンテナを形成する。すなわち、断面コ字状又はＬ字上に曲げられた接地導電板の外側に、所定距離だけ離れて励起導電板とＭＳＬが配設された板状逆Ｆアンテナが形成される。板状逆Ｆアンテナを、ＭＳＬの長さ方向に沿って折り曲げることで、給電ピンの接続位置と放射端の位置関係を変更することができる。 （もっと読む）

【課題】組立性が良く、３０ＧＨｚを超えるミリ波帯の高周波信号を低損失で伝播することのできるミリ波伝送モジュールを提供すること。
【解決手段】ケース２に、マイクロストリップ基板１０を収容する第１凹部３ａと、該第１凹部３ａの開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも第１凹部３ａにおける幅方向の寸法よりも大きく開口した第２凹部３ｂと、を有する段付き凹部３を形成し、第１蓋部材４を第１凹部３ａと第２凹部３ｂとの連続部分である段差部３ｃに設けて第１凹部内３ａを覆閉することで、マイクロストリップ基板１０から発生する電磁場を閉じ込める閉じ込め領域を構成する。 （もっと読む）

【課題】壁面共振による伝送特性のディップ状（Ｓ２１）損失を除去することが可能であり、しかも、さらなる小型化が可能で、また製造コストを低く抑えることが可能な高周波電気信号用伝送路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波電気信号用伝送路１は、誘電体基板２の表面２ａに形成された高周波の電気信号を伝送するための信号ライン３と、信号ライン３の外側かつ表面２ａの端部近傍に形成されたＧＮＤ電極４と、誘電体基板２の裏面２ｂ全体に形成されビア５を介してＧＮＤ電極４と電気的に接続されるＧＮＤ電極６と、ＧＮＤ電極４の外側かつ表面２ａの端部に形成されＧＮＤ電極４と電気的に接続される帯状の抵抗体７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】一枚の誘電体基板内で高いインピーダンスと低インピーダンスの線路を狭い線路幅で実現する。
【解決手段】狭い幅で高さを有する断面構造の導体棒を誘電体基板内に埋めその埋める深さを調整する事により広範囲なインピーダンスを同一基板上で実現した。この棒の断面が従来のマイクロストリツプ線路より遙かに大である事により許用電力も増す事が出来る。低域通過フィルタの構造では、高いインピーダンスの主線路は基板上に配置されこれに並列に接合される低いインピーダンスの分岐線路は基板内に一部埋め込まれて、この分岐点の一部基板上にある部分が主線路と機械的に接合されている。 （もっと読む）