チモサポニンＢＩＩの合成
本発明によって、サルササポゲニンからチモサポニンＢＩＩおよび関連化合物への合成経路が提供される。また、目的のグリコン最終産物における複合化糖部分の in situ アセンブリに有利に用いることができるジケトン中間体が提供される。このジケトン化合物は、次いで、ホウ化水素還元剤を用いて選択的に還元され、目的の最終産物が形成される。最終産物および中間体のうちのある部分はそれ自体、新規化合物である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉ：
【化１】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；
Ｒ2は水素を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物を調製する方法であって、
一般式ＩＩ：
【化２】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記残基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
のジケトン化合物を、適当な溶媒中でホウ化水素還元剤を用いて選択的に還元することを含む前記方法。
【請求項２】
一般式ＩＩの化合物が、一般式ＩＩａ：
【化３】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記残基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
一般式ＩＩの化合物が、一般式ＩＩｂ：
【化４】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記残基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
チモサポニンＢＩＩまたはそのプロドラッグ体を調製するための、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記還元剤が立体障害のないホウ化水素還元剤である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記還元剤が水素化ホウ素ナトリウムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
一般式ＩＩのジケトンの選択的還元に用いられる溶媒が、極性有機溶媒と、該極性溶媒と混和可能な非極性有機溶媒との混合物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記溶媒が、容積比が約２：１〜約２０：１である２−プロパノールとジクロロメタンとの混合物である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記還元の前に、一般式ＩＩの化合物を、Ｒ1およびＲ3の一方または両方の残基に対して任意に保護されていてもよいエステル、エーテルおよび／または糖部分を付加するための１または２以上のカップリング反応に供する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
一般式ＩＩの化合物を、Ｒ1およびＲ3の一方または両方の残基における１または２以上の糖部分に対して任意に保護されていてもよい１または２以上の糖部分を付加するための１または２以上のカップリング反応に供する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
糖カップリング反応において、カップリングのための活性化糖分子としてトリハロアセトイミダート糖を用いる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
糖カップリング反応において、カップリングのための活性化糖分子としてチオグリコシドを用いる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１３】
一般式ＩＩの化合物に対して、Ｒ1およびＲ3の一方または両方の残基の位置に、環状糖が連続的にカップリングして in situ で多糖がアセンブリされる、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
一般式Ｉ：
【化５】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は、Ｈ、ＣＯＣＨ3、ＣＯ(ＣＨ2)nＣＨ3（ｎ＝１−６）、ＣmＨ2m+1（ｍ＝１−６）、Ｇａｌ、Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[β−ＤＧｌｃ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃを表し；
Ｒ2は、ＨまたはＣmＨ2m+1（ｍ＝１−６）を表し；そして
Ｒ3は、Ｈ、α−Ｌ−Ｆｕｃ、β−Ｄ−Ｘｙｌ、β−Ｄ−Ａｒａ、α−Ｌ−Ｒｈａ、β−Ｄ−Ｇａｌまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃを表す；
但し、WO-A-99/16786、WO-A-2005/105108 および WO-A-2005/105824 ならびに 明細書中で参照された刊行物に開示された化合物を除く。］
の化合物。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法を用いて調製された、請求項１４記載の化合物。
【請求項１６】
一般式ＩＩ：
【化６】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物。
【請求項１７】
一般式ＩＩａ：
【化７】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１６記載の化合物。
【請求項１８】
一般式ＩＩｂ：
【化８】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１６記載の化合物。
【請求項１９】
互いに独立して、
Ｒ1は、Ｈ、ＣＯＣＨ3、ＣＯ(ＣＨ2)nＣＨ3（ｎ＝１−６）、ＣmＨ2m+1（ｍ＝１−６）、Ｇａｌ、Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[β−ＤＧｌｃ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃを表し；そして
Ｒ3は、Ｈ、α−Ｌ−Ｆｕｃ、β−Ｄ−Ｘｙｌ、β−Ｄ−Ａｒａ、α−Ｌ−Ｒｈａ、β−Ｄ−Ｇａｌまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃを表す、請求項１８記載の化合物。
【請求項１】
一般式Ｉ：
【化１】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；
Ｒ2は水素を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物を調製する方法であって、
一般式ＩＩ：
【化２】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記残基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
のジケトン化合物を、適当な溶媒中でホウ化水素還元剤を用いて選択的に還元することを含む前記方法。
【請求項２】
一般式ＩＩの化合物が、一般式ＩＩａ：
【化３】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記残基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
一般式ＩＩの化合物が、一般式ＩＩｂ：
【化４】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、前記残基の望ましくない反応を防ぐために、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
チモサポニンＢＩＩまたはそのプロドラッグ体を調製するための、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記還元剤が立体障害のないホウ化水素還元剤である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記還元剤が水素化ホウ素ナトリウムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
一般式ＩＩのジケトンの選択的還元に用いられる溶媒が、極性有機溶媒と、該極性溶媒と混和可能な非極性有機溶媒との混合物である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記溶媒が、容積比が約２：１〜約２０：１である２−プロパノールとジクロロメタンとの混合物である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記還元の前に、一般式ＩＩの化合物を、Ｒ1およびＲ3の一方または両方の残基に対して任意に保護されていてもよいエステル、エーテルおよび／または糖部分を付加するための１または２以上のカップリング反応に供する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
一般式ＩＩの化合物を、Ｒ1およびＲ3の一方または両方の残基における１または２以上の糖部分に対して任意に保護されていてもよい１または２以上の糖部分を付加するための１または２以上のカップリング反応に供する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
糖カップリング反応において、カップリングのための活性化糖分子としてトリハロアセトイミダート糖を用いる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
糖カップリング反応において、カップリングのための活性化糖分子としてチオグリコシドを用いる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１３】
一般式ＩＩの化合物に対して、Ｒ1およびＲ3の一方または両方の残基の位置に、環状糖が連続的にカップリングして in situ で多糖がアセンブリされる、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
一般式Ｉ：
【化５】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は、Ｈ、ＣＯＣＨ3、ＣＯ(ＣＨ2)nＣＨ3（ｎ＝１−６）、ＣmＨ2m+1（ｍ＝１−６）、Ｇａｌ、Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[β−ＤＧｌｃ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃを表し；
Ｒ2は、ＨまたはＣmＨ2m+1（ｍ＝１−６）を表し；そして
Ｒ3は、Ｈ、α−Ｌ−Ｆｕｃ、β−Ｄ−Ｘｙｌ、β−Ｄ−Ａｒａ、α−Ｌ−Ｒｈａ、β−Ｄ−Ｇａｌまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃを表す；
但し、WO-A-99/16786、WO-A-2005/105108 および WO-A-2005/105824 ならびに 明細書中で参照された刊行物に開示された化合物を除く。］
の化合物。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法を用いて調製された、請求項１４記載の化合物。
【請求項１６】
一般式ＩＩ：
【化６】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物。
【請求項１７】
一般式ＩＩａ：
【化７】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１６記載の化合物。
【請求項１８】
一般式ＩＩｂ：
【化８】
［式中、互いに独立して、
Ｒ1は水素またはエステル残基、エーテル残基もしくは糖残基を表し；そして
Ｒ3は水素または糖残基を表し；あるいは
Ｒ1およびＲ3のうちのいずれか一方または両方の基は、互いに独立して、除去可能な保護基によって保護された前記基の保護化形態を表す。］
の化合物である、請求項１６記載の化合物。
【請求項１９】
互いに独立して、
Ｒ1は、Ｈ、ＣＯＣＨ3、ＣＯ(ＣＨ2)nＣＨ3（ｎ＝１−６）、ＣmＨ2m+1（ｍ＝１−６）、Ｇａｌ、Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→６)−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−[α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇａｌ、α−Ｌ−Ｒｈａ−(１→４)−[β−ＤＧｌｃ−(１→２)]−β−Ｄ−Ｇｌｃ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇａｌ、β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→４)−β−Ｄ−Ｇｌｃ−(１→２)−β−Ｄ−Ｇｌｃを表し；そして
Ｒ3は、Ｈ、α−Ｌ−Ｆｕｃ、β−Ｄ−Ｘｙｌ、β−Ｄ−Ａｒａ、α−Ｌ−Ｒｈａ、β−Ｄ−Ｇａｌまたはβ−Ｄ−Ｇｌｃを表す、請求項１８記載の化合物。
【公表番号】特表２０１１−５１８８４６（Ｐ２０１１−５１８８４６Ａ）
【公表日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５０６５４９（Ｐ２０１１−５０６５４９）
【出願日】平成２０年４月３０日（２００８．４．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＮ２００８／０００８８９
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１３２４７８
【国際公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【出願人】（５０９１６８８０７）インスティテュート オブ ラジエーション メディシン，アカデミー オブ ミリタリー メディカル サイエンシズ，ピーエルエー (4)
【氏名又は名称原語表記】Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｍｅｄｉｃｉｎｅ，Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｍｉｌｉｔａｒｙ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，ＰＬＡ
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．２７，Ｔａｉｐｉｎｇ Ｒｏａｄ，Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月３０日（２００８．４．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＣＮ２００８／０００８８９
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１３２４７８
【国際公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【出願人】（５０９１６８８０７）インスティテュート オブ ラジエーション メディシン，アカデミー オブ ミリタリー メディカル サイエンシズ，ピーエルエー (4)
【氏名又は名称原語表記】Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｍｅｄｉｃｉｎｅ，Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｍｉｌｉｔａｒｙ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，ＰＬＡ
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．２７，Ｔａｉｐｉｎｇ Ｒｏａｄ，Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ
【Ｆターム（参考）】
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