チョークされた誘電体装荷先端ダイポールマイクロ波アンテナ
【課題】マイクロ波アンテナアセンブリを提供すること。
【解決手段】マイクロ波アンテナアセンブリであって、内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状の誘電体装荷とを含む、放射セクションとを備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
【解決手段】マイクロ波アンテナアセンブリであって、内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状の誘電体装荷とを含む、放射セクションとを備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
(背景)
(1.技術分野)
本開示は、概して、組織切除手順において用いられるマイクロ波アプリケータに関する。より詳細には、本開示は、液体または固体のいずれかで装荷された先端ダイポールアンテナを有するマイクロ波アプリケータに関する。
【背景技術】
【0002】
(2.関連技術の背景)
特定の疾病の治療は、悪性組織成長(腫瘍)の破壊を必要とする。腫瘍の細胞は、上昇した温度(周囲の健康な細胞に有害な温度よりもわずかに低い温度)で変性することが公知である。それゆえ、公知の治療方法(例えば、温熱療法)は、腫瘍の細胞を、41℃を超える温度に加熱し、一方で周囲の健康な細胞を低い温度に維持して、回復不能な細胞の損傷を回避する。このような方法は、組織を加熱するために電磁放射を印加することを含み、組織の切除および凝結を含む。特に、マイクロ波エネルギーは、癌性細胞を変性させるか、または殺すために、組織を凝結させ、かつ/または切除するために使用される。
【0003】
マイクロ波エネルギーは、腫瘍に達するように組織に貫入するマイクロ波切除アンテナを介して印加される。いくつかのタイプのマイクロ波アンテナ(例えば、モノポールおよびダイポール)がある。モノポールおよびダイポールアンテナにおいて、マイクロ波エネルギーは導体の軸から垂直方向に放射される。モノポールアンテナは、単一の細長いマイクロ波導体を含む。ダイポールアンテナは、誘電部分によって分離された内側導体と外側導体とを含む同軸構造を有し得る。さらに詳細に、ダイポールマイクロ波アンテナは、長く薄い内側導体を有し得、該内側導体はアンテナの長手方向軸に沿って延び、外側導体によって囲まれる。特定の変形において、外側導体の一部または複数の部分は、より効果的な外側へのエネルギーの放射を提供するように選択的に除去され得る。このタイプのマイクロ波アンテナ構造は、典型的に、「漏洩導波管」または「漏洩同軸」アンテナと呼ばれる。
【0004】
従来のマイクロ波アンテナは狭い動作帯域幅(すなわち、最適な動作効率が達成される波長範囲)を有し、結果として、マイクロ波送達システム(例えば、生成器、ケーブルなど)と、マイクロ波アンテナを囲む組織との間の所定のインピーダンス整合を維持することが不可能である。より詳細には、マイクロ波エネルギーが組織に印加されるので、組織が悪くなる(cooked)につれ、マイクロ波アンテナのすぐ近くを囲む組織の比誘電率が減少する。この低下は、組織に印加されるマイクロ波エネルギーの波長をアンテナの帯域幅を超えて増加させる。結果として、従来のマイクロ波アンテナの帯域幅と印加されるマイクロ波エネルギーとの間には不整合が存在する。したがって、狭い帯域のマイクロ波アンテナが効果的なエネルギー送達および散逸を妨げるように同調が外され得る(detune)。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
(概要)
本開示の一局面によると、マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。アンテナアセンブリは、内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電装荷とを含む、放射セクションとを含む。
【0006】
本開示の別の局面によると、マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。アンテナアセンブリは、内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、該供給線に結合された放射セクションとを含む。放射セクションは、ダイポールアンテナと誘電媒体とを含み、該誘電媒体は、可変の誘電率値の複数の構成成分の誘電体材料を含み、この誘電率値は放射セクションから放射方向に増加する。
【0007】
例えば、本発明は、以下の項目を提供する。
(項目1)
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷とを含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目2)
上記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、上記項目に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目3)
上記管状誘電体装荷の材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、上記放射セクション上に堆積される、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目4)
上記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と該遠位部分との間の供給点とをさらに含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目5)
上記供給点は、誘電体材料を含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目6)
上記管状誘電体装荷の誘電率は上記供給点の上記誘電体材料の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目7)
上記外側導体上に配置された外側絶縁体と、
上記供給線の少なくとも一部に配置されたチョークであって、該外側絶縁体は該チョークの遠位部分を通過して延びる、チョークと
をさらに備えている、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目8)
上記供給点の上記誘電体材料の上記誘電率は、上記外側絶縁体の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目9)
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは上記供給線および上記放射セクションを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目10)
上記供給点の上記誘電体材料の上記誘電率は、上記外側絶縁体の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目11)
上記誘電性冷却流体の誘電率は、上記供給点の上記誘電体材料の上記誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目12)
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションは、ダイポールアンテナと誘電性媒体とを含み、該誘電性媒体は、可変の誘電率値の複数の構成成分の誘電体材料を含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目13)
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは上記供給線と上記放射セクションとを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目14)
上記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と遠位部分との間の供給点とをさらに含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目15)
上記誘電性媒体は、
上記外側導体の周りに配置された外側絶縁体と、
上記供給点に配置された誘電スペーサと、
上記ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷であって、該管状誘電体装荷は該外側絶縁体から延び、かつ該誘電スペーサを囲む、管状誘電体装荷と、
上記チャンバを通って循環する誘電冷却材と
を含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目16)
上記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目17)
上記管状誘電体装荷の上記材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、上記放射セクション上に堆積される、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目18)
上記管状誘電体装荷および上記誘電冷却流体のそれぞれの誘電率は、上記供給点の上記誘電体材料の誘電率より高く、該誘電体材料の該誘電率は上記外側絶縁体の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示の上述およびその他の局面、特徴および利点は、添付図面を参酌したときに、以下の詳細な説明からより明らかになる。
【図1】図1は、本開示の一実施形態にしたがう、マイクロ波切除システムの概略図である。
【図2】図2は、本開示にしたがう、マイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図3】図3は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図4】図4は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図5】図5は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの供給線の遠位部分の側面図である。
【図6】図6は、本開示の一実施形態にしたがう、バランス化されたダイポールアンテナの概略図である。
【図7】図7は、本開示の一実施形態にしたがう、バランス化されていないダイポールアンテナの概略図である。
【図8】図8は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリのバランス化されていないダイポールアンテナの側面図である。
【図9】図9は、図2のマイクロ波アンテナセンブリの遠位端の拡大断面図である。
【図10】図10は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの放射セクションの側面図である。
【図11】図11は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの先端およびシースの側面図である。
【図12】図12は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの供給線の近位端の側面図である。
【図13】図13は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの接続ハブおよび近位端の断面図である。
【図14】図14は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリのインフローチューブの断面図である。
【図15】図15は、本開示の一実施形態にしたがう、マイクロ波アンテナアセンブリの側面図である。
【図16】図16は、図15のマイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図17】図17は、図15のマイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図18】図18は、図15のマイクロ波アンテナアセンブリの断面の拡大斜視図である。
【図19】図19は、本開示の一実施形態にしたがう、マイクロ波切除システムの概略図である。
【図20】図20は、本開示にしたがう、マイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図21】図21は、図20のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図22】図22は、図20のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図23】図23は、図20のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(詳細な説明)
添付の図面を参照しながら以下の本明細書中に本開示の特定の実施形態が記載される。以下の記載においては、本開示を不必要に詳細化して不鮮明にすることを防ぐために、周知の機能または構成は詳細には記載されない。
【0010】
図1は、マイクロ波切除システム10を示しており、該マイクロ波切除システム10は、可撓性の同軸ケーブル16を介してマイクロ波生成器14に結合されるマイクロ波アンテナアセンブリ12を含む。生成器14は、約500MHZ〜約10,000MHzの動作周波数におけるマイクロ波を提供するように構成されている。
【0011】
アンテナアセンブリ12は、概して、供給線20(またはシャフト)によってケーブル16に接続される放射セクション18から構成される。より詳細には、アンテナアセンブリ12は、接続ハブ22を介してケーブル16に結合される。接続ハブ22は、アウトレット流体ポート30とインレット流体ポート32とを含み、これらは、シース38に流体連通される。シース38は、冷却流体がポート30および32から供給され、アンテナアセンブリ12の周りで循環されることを可能にするために、放射セクション18と供給線20を包囲している。ポート30および32はまた、供給ポンプ34に結合され、ひいては、供給タンク36に結合される。供給タンク36は、冷却流体を格納し、その流体を所定の温度に維持する。一実施形態において、供給タンク36は、冷却ユニットを含み、該冷却ユニットは、アンテナアセンブリ12から戻ってくる液体を冷却する。別の実施形態において、冷却流体は、ガスおよび/または流体とガスとの混合物であり得る。
【0012】
アセンブリ12はまた、先端48を含み、該先端48は、先細の端部24を有し、該先細の端部24は、一実施形態においては、放射セクション18の遠位端において最小の抵抗を伴って組織内への挿入を可能にするために、点端部26において終端する。放射セクション18が予め存在する開口部内に挿入される場合、先端48は丸みがついたものだったり、または、平坦なものだったりしてもよい。
【0013】
図2は、バランス化されていないダイポールアンテナ40を有するアンテナアセンブリ12の放射セクション18を示している。ダイポールアンテナ40は、供給線20に結合され、該供給線内側絶縁体52によって包囲された内側導体50(例えば、ワイヤ)を含み、そしてこれは、外側導体56(例えば、円筒形の導電性シース)によって包囲されている。内側導体および外側導体は、銅、金、ステンレス鋼または同様の導電率を有するその他の導電性の金属から構成されたものであり得る。金属は、それらの特性を向上させる(例えば、導電性を向上させる、または、エネルギー損失を低減させる等)ために、その他の材料(例えば、その他の導電性の材料)によってメッキされ得る。一実施形態において、供給線20は、定格50オームの外径0.047”ワイヤを有する同軸の半剛性(semi−rigid)または可撓性のケーブルから形成され得る。
【0014】
ダイポールアンテナ40は、供給点46において誘電体スペーサによって相互接続された近位部分42と遠位部分44とを含む。遠位部分44と近位部分42とは、異なった不均一な長さであり、その結果、ダイポールアンテナ40はバランス化されない。一実施形態において、図7に示されているように、遠位部分44は、近位部分42よりも長くあり得る。図4に最も良く示されているように、近位部分42は、内側導体50と内側絶縁体52とから形成され、内側導体50と内側絶縁体52とは、外側導体56の外側に延在する。図5に示されているように、供給線20が同軸ケーブルから形成される一実施形態において、外側導体56と内側導体52とは、内側導体50を露出させるために内側導体50に対してリリーブ(relieve)され得る。
【0015】
遠位部分44は、導電性部材45を含み、該導電性部材45は、任意のタイプの導電性の材料、例えば金属(例えば、銅、ステンレス鋼、スズおよびそれらの様々な合金)から形成され得る。遠位部分44は、中実構造を有し得、中実ワイヤ(例えば、10AWG)から形成され得る。別の実施形態において、遠位部分44は、同軸ケーブルの外側導体の中空スリーブまたは別の円筒形導体から形成され得る。そして円筒形導体は、円筒を中実の軸にするために半田で満たされる。より詳細には、半田は、円筒形導体内の半田を液化するのに十分な温度(例えば、500°F)まで加熱され得、それにより、中実のシャフトを形成し得る。
【0016】
別の実施形態において、遠位部分44はまた、中実ワイヤから形成されるか、または、円筒形導体が半田で満たされ得る。図4に示されているように、遠位部分44は、その後、内側導体50に結合される。これは、遠位部分44を内側導体50の遠位端に半田付けすることによって、例えば、遠位部分44の半田を溶解し、かつ、その中に内側導体50を挿入することによって遂行され得る。
【0017】
一部の実施形態において、バランス化されていないダイポールアンテナ40は、切除中に比較的良好なインピーダンスを提供する。切除中の組織の特性における変動は、マイクロ波切除アンテナの実部分のインピーダンス整合を複雑化する。結果として生じる動的な電流と電圧との関係が原因で、切除の途中でダイポール上の所与の位置は実インピーダンスにおいて変動する。図6は、等しい長さの2つの部分を有する半波ダイポールアンテナを用いた実部分のインピーダンス整合における困難性を示しており、ダイポールの中心においては、電圧が最小化され、電流が最大化される。しかしながら、実部分のインピーダンスは、近位部分42において最小化され、遠位部分44において最大化される。対照的に、本開示のバランス化されていないダイポールアンテナ40は、供給点の実部分のインピーダンスとケーブル16のインピーダンスとの間の差の切除時間にわたる統合性を最小化する。図7に示されているように、バランス化されていない半波ダイポールは、近位部分42と遠位部分44との間のギャップをダイポールアンテナ40の中心から離して配置することにより、実部分のインピーダンスに対する初期のインピーダンスの比較的良好な整合を提供する。一実施形態において、遠位部分40の長さは、アセンブリ12のリターン損失を最小化するために約20mmである。
【0018】
図8は、近位部分42に対して取り付けられる遠位部分44を示している。遠位部分44は、近位部分42の内側導体50に対して半田付けされることにより、それらの間に電気機械的な接触を確立し得る。一実施形態において、遠位部分44が半田材料によって満たされた中空の円筒形導体から形成される場合、遠位部分44は、遠位部分44の半田を液化し、かつ、内側導体50の遠位端をその中に挿入することにより、近位部分42に取り付けられ得る。内側導体50の遠位端部分は、ダイポールの供給ギャップ「G」が供給点46において近位点42と遠位点44との間に存在し続けるように、遠位端部分44に挿入される。ギャップ「G」は、約1mm〜約3mmであり得る。アンテナのダイポールの供給ギャップ「G」は、第1の構造であり、自由空間への転送の際に同軸フィールドモードに入る。したがって、ギャップはリターン損失において、または、システムとアンテナとのインピーダンス整合において重要な役目を演じる。一実施形態において、ギャップ「G」は、その後、誘電体材料によって満たされ、供給点46において、誘電体スペーサを形成する。別の実施形態において、内側導体52は、供給点46内へと延在する。誘電体材料は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、例えばTeflon(登録商標)(販売元DuPont、Willmington、DE)等、であり得る。別の実施形態において、図4に示されているように、ギャップ「G」は、以下により詳細に議論されるように、誘電体シールコーティングによってコーティングされ得る。
【0019】
図2および9に示されているように、遠位部分44は先端48に結合され、これは、組織を貫通するのに適切な様々な耐熱性の材料、例えば金属(例:ステンレス鋼)および様々な熱可塑性の材料(例:ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、その例はUltem(登録商標)、販売元General Electric Co.、Fairfield、CT等)から形成され得る。先端48は、所望の形状を獲得するために、様々なストックロッドから機械加工され得る。先端48は、様々な接着剤、例えばエポキシシール49を用いることにより、遠位部分44に取り付けられ得る。先端48が金属の場合、先端48は遠位部分44に半田付けされ得る。
【0020】
図11は、先端48の様々な形状および形式を示しており、すなわち、ステンレス鋼の先端48aと誘電体の先端48bとを示している。両方の先端48aおよび48bは、挿入基部51を含んでおり、該挿入基部51は、シース38の中への挿入を容易にすることを可能にするために、先端48aおよび49の直径よりも小さな外径を有している。この構成はまた、以下により詳細に議論されるように、先端48とシース38との間に比較的良好なシールを提供する。
【0021】
図2および3を参照すると、アンテナアセンブリ12はまた、チョーク60を含んでいる。チョーク60は、供給線20の周りに配置され、内側誘電体層62と外側導体層64とを含んでいる。一実施形態において、チョーク60は、近位に配置される1/4波長の短絡されたチョークである。チョーク60は、誘電体層によって離間された供給線20の外側導体56の周りで外側導体層64を用いることによって短絡された1/4波長のチョークとしてインプリメントされる。チョーク60は、半田付けまたはその他の手段によってチョーク60の近位端において供給線20の外側導体56に短絡される。一実施形態において、誘電体層32は、フルオロポリマー、例えば、テトラフルオロエチレン、臭化フルオロプロピレン等から形成され、約0.005インチの厚さを有する。外側導体層34は、例えば高導電性材料(例:銅)等の、いわゆる「完全導体(perfect conductor)」材料から形成され得る。
【0022】
実施形態において、チョーク60は、1/4波長の短絡されたチョーク、半波長の開チョーク、反転された1/4波長の短絡されたチョーク、または、ギャップキャンセルチョークであり得る。チョーク60は、生成器14からのマイクロ波エネルギーをアセンブリ12の放射セクション20に閉じ込め、それにより、供給線20の沿ったマイクロ波エネルギー堆積ゾーンの長さを制限する。チョーク28は、供給線20の外に導かれるマイクロ波エネルギーに対して高インピーダンスを提供し、それにより、アンテナの端部へのエネルギーの堆積を制限する。
【0023】
短絡された1/4波長のチョークは、アンテナアセンブリ12上の近位部分42の高インピーダンス部分に配置され、アンテナ電流をアセンブリ12の放射セクション18に閉じ込め、略球体状の電力散逸ゾーンに起因し、長さを低減し、切除の断面直径を最大化する。
【0024】
誘電体層62の誘電体は、図10に示されているように、チョーク導体層64を越えてアセンブリ12の遠位端に向けて延在する。一実施形態において、誘電体層62は、約6mmだけチョーク導体層64を越えて延在し得る。この延在する誘電体は、ダイポールの近位部分42とチョーク導体層64の外面との間に容量を配置し、それにより、電流がチョーク導体層64にジャンプすることをブロックすることによって、チョーク60の性能を向上させる。誘電体によって形成される容量は、その入口付近で近位部分42からチョーク60の外面へとジャンプし得、チョーク構造を完全に無効化し得るマイクロ波電流に対するインピーダンスバリアである。代わりに、これらの電流は、延在された誘電体によって1/4波長のチョーク60に向けられ、その有効性を向上させる。
【0025】
以上に議論されたように、組織の乾燥に起因する波長の増加は、近位部分42上の高インピーダンス点をアセンブリ12に沿って近位に移動させる。有効なチョークは、この可変点において高インピーダンスを呈する。延在する誘電体は、可変位置のチョークとして有効に機能し、この点がシフトする範囲をカバーし、近位部分42の高インピーダンス点が延在する誘電体の境界内にとどまるようにできるだけ長く、チョークの有効性を維持する。誘電体層62は、チョーク導体層64と供給点46との間の任意の長さに延在し得る。
【0026】
一実施形態において、誘電体層62は、誘電体収縮材料(例えば、5/64”の薄いPTFEの収縮ラップ)を外側導体56に適用することによって形成される。収縮ラップ材料が外側導体56の周りに配置されると、この材料を溶解して外側導体56の周りにセットするために、この材料は加熱される。この加熱は、約750°Fの熱風流を提供し得る熱風ブロアーによって遂行され得る。PTFE収縮ラップの複数の層が適用され得、連続して所望の厚さの誘電体層62を形成するために加熱され得る。一実施形態においては、3つ以上のPTFE収縮ラップの層が適用される。収縮材料はまた、チョーク導体層64を包囲するために、チョーク導体層64の上に適用され得る。
【0027】
図3および10に示されているように、導体層64は、1つ以上の導電性の金属ホイル(例えば銅)を誘電体層62上に適用することにより形成され得る。ホイルは、図12に示されているように、誘電体層62の近位端を越えて延在し得る。ホイルは、様々なタイプの接着剤(例えば、紫外線活性のり、エポキシ等)を用いることにより、誘電体層62に取り付けられ得る。一実施形態において、誘電体層62を越えて延在するホイルの近位部分は、図12に示されているように、いわゆる「ワイヤラップ(wire−wrap)」技術を用いることにより、供給線20に取り付けられ得、ホイルおよび供給線20に対する良好な電気的接続を提供し得る。ワイヤは、ホイルが誘電体層62を越えてテーパを開始する点において銅のホイルの周りに巻き付けられる。ワイヤが巻き付けられた後に、ワイヤを固定し、ワイヤの巻き付けがほどけることを防ぐために、ワイヤはラップの長さに沿って自身に半田付けされる。別の実施形態において、ホイルを供給線20に固定するために、その他の方法が用いられ得、例えば、中空の円筒が誘電体層62を越えて余分なホイルのネック部分の周りに配置され得る。さらなる実施形態においては、ホイルは、ホイルの近位端を供給線20に固定する必要性を排除するために、誘電体層62と実質的に同じ長さであり得る。
【0028】
アセンブリ12はまた、図13により詳細に示されているように、接続ハブ22を含む。接続ハブ22は、ケーブルコネクタ79と流体ポート30および32を含む。接続ハブ22は、3枝ルアータイプのコネクタ72を含み得、該3枝ルアータイプのコネクタ72では、中央のフィンガ74が、ケーブルコネクタ70を収容するために用いられ、左のフィンガ76と右のフィンガ78とはそれぞれ、アウトレット流体ポート30とインレット流体ポート32とを収容するためのものである。接続ハブ22はまた、中央のフィンガ74の遠位端に配置された基部81を含む。
【0029】
アセンブリ12はまた、図1、13および14に示されるようなアクティブ冷却システムを含んでいる。より詳細には、アセンブリ12は、供給線20と、先端48から基部81までの放射セクション18とを包囲するシース38を含んでいる。冷却液は、ポンプ34によって供給され、放射セクション18と、供給線20と、シース38との間に空間で循環される。放射セクション18と供給線20とは冷却流体と直接的に接触するので、アセンブリ12のこれらのコンポーネントは、流体の進入または退出を防ぐようにシールされる。これは、従来の射出成形およびスクリュー押し出し技術を用いて、任意のタイプの溶解処理可能(melt−processible)ポリマーを適用することによって、遂行され得る。図1に示されているように、一実施形態において、フッ化エチレンポリピレン(FEP)収縮ラップのスリーブ63が、アセンブリ12の全体、すなわち、供給線20と放射セクション18とに適用され得る。そして、スリーブ63は、チョーク60と、供給線20と、放射セクション18とをシールするために加熱される。結果としてできるFEPシールは、冷却流体がアセンブリ12に進入することを防ぐ。スリーブは、外側導体層64に適用した後に適用され得る。加えて、FEPはまた、内側導体50と内側絶縁体52とが外側導体56を越えて延在する点に適用され得、それにより、図4に示されているように、空隙53を形成し得る。
【0030】
シース38は、例えばポリイミドおよびその他のタイプのポリマーから製造されたカテーテル等の、任意のタイプの剛性のチューブであり得る。シース38は、最初に先端48をシース38の遠位端に固定し、その後、シースと先端アセンブリとの組み合わせをアセンブリ12に挿入することにより組み立てられ得る。シース38はまた、接続ハブ22の基部81と先端48とに固定され、それにより、シース38は、接続ハブ22と流体連通し、基部81と先端48との間にチャンバ89を画定する。
【0031】
インフローチューブ86は、1つ以上のチューブ86aおよび86bを含み得る。インフローチューブ86aおよび86bは、供給線20とシース38との間でチャンバ89(図4および9)の内部に適合するのに十分な外径を有する任意のタイプの可撓性のチューブであり得る。インフローチューブ86aおよび86bは、アウトレット流体ポート30を介して挿入される。より詳細には、図14に示されているように、インフローチューブ86aは、遠位部分44の遠位端付近まで挿入され、インフローチューブ86bは、供給点46付近まで挿入される。その後、インフローチューブ86bは、(例えば、エポキシ、のり等を用いて)放射セクション18に固定される。インフローチューブ86aおよび86bは、この構成においては、シース38を介する最適な冷却液の流れを提供するように配置される。インフローチューブ86aからの流体の流れは、先端48へと排出され、近位方向に反映される。インフローチューブ86bからの流体の流れは、放射セクション18に沿った冷却液を提供する。動作中、ポンプ34は、インフローチューブ86aおよび86bを介してアセンブリ12に流体を提供し、それにより、接続ハブ22を含むアセンブリ12の全体を介する冷却液の循環を提供する。流体はその後、アウトレット流体ポート32を介して、中央フィンガ74と左フィンガ76とから取り出される。
【0032】
上述の冷却システムは、アンテナアセンブリ12の全長を介する誘電体(例えば、食塩水、脱イオン化された水、等)の冷却流体の循環を提供する。誘電体の冷却流体は、アセンブリ12によって生成された熱を除去する。加えて、誘電体の冷却流体は、アセンブリ12に対するバッファとして機能し、組織の誘電体特性に起因して、アセンブリ12の近接誘電場(near field dielectric)特性が変化することを防ぐ。マイクロ波エネルギーが切除中に適用されるので、放射セクション18の周りの組織の乾燥は、予想外のファクター(例えば、約10)による組織の複素誘電率におけるドロップにつながる。比誘電率(er’)のドロップは、組織内のマイクロ波エネルギーの波長を増加させ、これは、バランス化されていないマイクロ波アンテナアセンブリのインピーダンスに対して劇的な影響を与え、それにより、システムのインピーダンス(例えば、ケーブル16と生成器14とのインピーダンス)からのアンテナアセンブリの不整合をもたらす。波長における増加はまた、断面の直径よりもアセンブリ12に沿った長さにおいて遥かに長い電力散逸ゾーンをもたらす。組織の導電率(er”)もまた、アセンブリ12のインピーダンスの実部分に影響を与える。本開示にしたがう流体の誘電体のバッファはまた、送達されるエネルギーの波長における増加と、近接誘電場の導電性におけるドロップとを緩和させ、それにより、アセンブリ12のインピーダンスにおける変化を低減し、より一貫したアンテナとシステムとの間のインピーダンス整合と球体の電力散逸ゾーンの散逸組織挙動とを可能にする。
【0033】
波長の変動のバッファリングはまた、より効果的なチョークネットワークを可能にする。チョークは、近位部分42上で、低電流点に配置されるか、または、高インピーダンス点に配置される。チョークされた湿潤した先端における波長バッファリングにより、ダイポール放射セクション上の半波電流パターンが維持され、高インピーダンス点の位置の変動を低下させ、それにより、より効率的なチョークネットワークを可能にする。また、ケーブルのコーティングおよび誘電体のバッファリングは、ターゲットが決められた、効率的な組織へのエネルギーの送達を可能にし、近球体切除ゾーンと高速切除時間を可能にする。食塩水または脱イオン化水が、アセンブリ12と共に用いられ得る。
【0034】
図15〜18は、マイクロ波アンテナアセンブリ112の別の実施形態を示しており、放射セクション118と供給線120とを有し、これは、アセンブリ112をケーブル16に結合している。より詳細には、アンテナアセンブリ112は、アウトレット流体ポート130とインレット流体ポート132とを有する接続ハブ122を介してケーブル16に結合される。
【0035】
図16および17は、アンテナアセンブリ112の放射セクション118を示しており、該アンテナアセンブリ112は、シース38が金属の導管(例えば、冷却液ジャケット200)と固体の誘電体ローディング190とによって置き換えられた、バランス化されていないダイポールアンテナ140を有している。ダイポールアンテナ140は、供給線120に結合され、これは、アンテナアセンブリ112を生成器114に電気的に接続する。図18に示されているように、供給線20と同様に、供給線120は、内側絶縁体152によって包囲された内側導体150(例えばワイヤ)を含んでおり、内側絶縁体152は、外側導体156(例えば、円筒形の導電体シース)によって包囲されている。
【0036】
ダイポールアンテナ140は、近位部分142と遠位部分144とを含んでおり、これらは、誘電体スペーサによって、供給点146において相互接続されている。遠位部分144は、導体部材145を含んでいる。遠位部分144と近位部分142とは、異なった不均一の長さであり、その結果、ダイポールアンテナ40はバランス化されていない。近位部分142は、内側導体150と内側絶縁体152とから形成され、これらは、外側導体156の外側に延在している。一実施形態において、図18に示されているように、供給線120は同軸ケーブルから形成され、外側導体156と内側絶縁体152とは、内側導体150を明らかにするためにスライスオフされている。
【0037】
遠位部分144は、任意のタイプの導電性材料、例えば、金属(例:銅、ステンレス鋼、スズおよびそれらの様々な合金)から形成され得る。部分144は、中実構造を有し得、固体ワイヤ(例えば、10AWG)から形成され得るか、または、円筒形の導体は、アセンブリ12の部分44と同様に半田によって満たされる。近位部分144は、その後、内側導体150に結合される。
【0038】
図16−18を参照して、アンテナアセンブリ112は、また、チョーク160を含む。チョーク160は、供給線120の周囲に配置され、内側誘電層162および外側伝導層164を含む。一実施形態において、チョーク160は、近位に配置された1/4波短縮されたチョークであり、半田付けまたは他の手段によって、チョーク160の近位端において、供給線120の外側導体156まで短縮される。誘電体層162の誘電体は、チョーク導体層164を越えてアセンブリ112の遠位端に向けて延びる。
【0039】
アセンブリ112は、また、図15に示されるように接続ハブ122を含む。接続ハブ122は、ケーブルコネクタ179と、流体ポート130および132とを含む。接続ハブ122は、3枝ルアータイプコネクタ172を有し得、真ん中のフィンガ174は、ケーブルコネクタ179を収容するために使用され、左右のフィンガ176および178は、それぞれアウトレット流体ポートおよびインレット流体ポート130および132を収容するために使用される。ケーブルコネクタ179は、内側導体152および外側導体156に結合され、これらは供給線120の近位端において外側導体156の外側に延びる。接続ハブ122は、また、真ん中のフィンガ174の遠位端に配置された基部181を含む。一実施形態において、アセンブリ112は、右のフィンガ178を通して送られる1つ以上の管186を含む。
【0040】
アセンブリ112は、アセンブリ112の液体誘電体材料の代わりに、ダイポールアンテナ140上に配置された固体誘電体材料装荷190を含む。固体誘電体材料190は、チョーク導体層164の終端の点から延びる。より詳細には、アセンブリ112は、チョーク導体層164の遠位端上に流体シール192を含む。一実施形態において、装荷190は、グルーおよび他の手段を介してシール192に取り付けられ得る。
【0041】
装荷190は、アンテナ140上への挿入に適した中央空洞198を有する円筒形状であり得る。装荷190は、また、ポイント付き先端196を有する先細端194を有し得、それにより、先端48の必要性を避ける。装荷190は、また、空洞198内でアンテナ140の遠位端(例えば、アンテナ140の遠位部分)に取り付けられ得る。空洞198は、その断面形状に依存して、アンテナ140上に適合するように適した実質的に円筒形の形状を有し得る。加えて、空洞198は、近位部分197と遠位部分199とを含み、近位部分197はチョーク誘電層162に適応させるように遠位部分199よりも大きな内径を有する。チョーク層162は、チョーク伝導層164と供給点146との間の任意の長さまで拡張され得る。拡張したチョーク層162を適応させるために、近位部分197の奥行きは、適宜変わる。
【0042】
装荷190は、供給線120の厚さに実質的に等しい外径と、ダイポールアンテナ140の直径に実質的に等しい内径とを有する。装荷190が、ダイポールアンテナ140上に配置され、冷却流体がこの例においては装荷と接触するように構成されないので、アンテナ140は、アンテナの構成要素をシールする誘電性収縮包装ではコーティングされない。
【0043】
一実施形態において、装荷190の誘電体材料は、約2.5〜150の比誘電率を有し得、セラミック材料(例えば、アルミナセラミック)またはプラスチック材料(例えば、ポリアミドプラスチック(例えば、Wilmington,DelawareのDuPontから入手可能なVESPEL(登録商標)))から作製され得る。装荷190は、放射セクション118と組織との間の誘電性バッファとして作用し、その結果、切除中に組織の電気特性が変化する場合に、アンテナアセンブリ112は、切除の間中、半波長共鳴し、エネルギー送達システム(例えば、生成器14、ケーブル16など)とインピーダンス整合したままである。
【0044】
アンテナアセンブリ112は、また、基部181とシール192との間に配置された冷却ジャケット200を含む。冷却ジャケット200は、ステンレス鋼または他の適切な医療用グレードの金属から形成され得る。冷却ジャケット200は、チョーク導体層164と冷却ジャケット200との間に近位チャンバ201を画定し、該近位チャンバ201内に、誘電冷却流体が接続ハブ122を通って供給される。より詳細には、インフローチューブ86aおよび86bに類似する1つ以上のインフローチューブ186は、チャンバ201内に拡張し得、冷却ジャケット200を介して誘電冷却流体を循環させる。シール192は、冷却ジャケット200と、冷却ジャケット200の遠位端のチョーク導体層164との間に配置される。シール192は、チャンバ201を装荷190からシールするために適した、任意のタイプの誘電体材料(例えば、エラストマー)および/または導電性材料から形成され得る。
【0045】
図19−23は、500MHz〜10GHzで動作するように適合されたマイクロ波アンテナアセンブリ212の実施形態を示す。マイクロ波アンテナアセンブリ212は、ハイブリッド設計、すなわち、チョーク付き液体冷却システムを固体の誘電体装荷と組み合わせた設計を有する。マイクロ波アンテナアセンブリ212は、誘電体で満たされた供給ギャップを有するバランス化されたダイポール放射セクションまたはバランス化されていないダイポール放射セクション218を有する。マイクロ波アンテナアセンブリ212は、また、インピーダンス整合および増加した軸強度を提供するダイポールアンテナ240を囲む誘電体装荷を含み得る。マイクロ波アンテナアセンブリ212全体は、また、導電性部分と非導電性部分とを含むハイブリッドハウジング270に囲まれる。ハウジングは、アンテナアセンブリ212の周りにチャンバ275を提供し、冷却流体がチャンバを通って流れることを可能にする。流体は、また、良好なインピーダンス整合を可能にする誘電体バッファとして作用し得る。
【0046】
マイクロ波アンテナアセンブリ212は、放射セクション218と供給線220とを含み、供給線220は、アセンブリ212をケーブル16に結合する。より詳細には、アンテナアセンブリ212は、接続ハブ222を介してケーブル16に結合され、接続ハブ222は、アウトレット流体ポート230と、インレット流体ポート232と、ケーブルコネクタ279とを含む。接続ハブ222は、3枝ルアータイプコネクタ272を含み、真ん中のブランチ274は、ケーブルコネクタ279を収容するために使用され、左右のフィンガ276および278は、それぞれ、アウトレットフィンガ部およびインレットフィンガ部230および232を収容するために使用される。ケーブルコネクタ279は、供給線220に結合される。一実施形態において、アセンブリ212は、右のフィンガ278を通って供給される1つ以上のインフローチューブ286と、左のフィンガ276を通って供給されるアウトフローチューブ288とを含む。
【0047】
図20−23は、ダイポールアンテナ240を有するアンテナアセンブリ212の放射セクション218を示す。ダイポールアンテナ240は供給線220に結合され、供給線220は、アンテナアセンブリ212を生成器14に電気的に接続する。図22に示されるように、供給線220は、内側絶縁体252によって囲まれた内側導体250(例えば、ワイヤ)を含む。供給線220は、また、同軸構成で、内側絶縁体252の周囲に配置された外側導体256(例えば、円筒形の導体シース)を含む。外側導体256は、また、外側絶縁体258内に囲まれる。
【0048】
特に図22および23を参照すると、ダイポールアンテナ240は、近位部分242と遠位部分244とを含む。より詳細には、さらされた外側導体256は、近位部分242の第2の極として作用し、内側導体250のさらされた部分は、遠位部分244の第2の極として作用する。遠位部分244は、また、導電性部材245を含み、導電性部材245は、内側導体250に取り付けられた中実の導電性シャフトであり得る。別の実施形態において、導電性部材245は、円筒形の導体であり得、この導体は円筒を中実のシャフトに変えるように半田で充填され、それにより導電性部材245を内側導体250に取り付ける。
【0049】
アンテナアセンブリ212は、導電性部材245の遠位端に結合された先端248を含む。先端248は、先細の端部を含み、該先細の端部は、一実施形態において、点端部(図21)において終端し、放射セクション218の遠位端において最小抵抗で組織への挿入を可能にする。放射セクション218が既存の開口部に挿入されるような場合には、先端248は、丸められるかまたは平坦であり得る(図20)。先端248は、組織に貫入するのに適した種々の熱抵抗材料(例えば、金属(例えば、ステンレス鋼))および様々な熱可塑性材料(例えば、ポリエーテルイミド(poletherimide)、ポリアミド熱可塑性樹脂(例として、Fairfield、CTのGeneral Electric Co.から入手可能なUltem(登録商標))から形成され得る。先端248は、所望の形状を得るために、様々なストックロッドから機械加工され得る。先端248は、様々な接着剤(例えば、エポキシ)を用いて導電性部材245に取り付けられ得る。先端248が金属である場合、先端248は導電性部材245に半田付けされ得る。
【0050】
ダイポールアンテナ240は、バランス化された構成またはバランス化されていない構成のいずれかを有し得る。バランス化された構成において、近位部分および遠位部分242および244(例えば、第1および第2の極)は等しい放射長である。バランス化されていない構成において、近位部分およびダイポール部分242および244は異なる等しくない長さである。近位部分および遠位部分242および244は、供給点246において相互接続され、供給点246は誘電体スペーサ247または空気(例えば、充填されないまま)で充填され得る。誘電体スペーサ247は、約1〜約100の誘電率値を有する様々な誘電体材料から作製され得、インピーダンス整合を補助する。誘電体スペーサ247は、近位部分および遠位部分242および244のフランジ内に重なる(nest)ように設計され得る。別の実施形態において、誘電体スペーサ247は、供給点246を包み込むオーバーモールドされた設計であり得、それにより冷却バリアとして作用し、アンテナアセンブリ212に付加的な構造上の強度を提供する。
【0051】
図20、21および23を参照すると、アンテナアセンブリ212は、また、チョーク260を含む。チョーク260は、導電性材料から形成された管状構造を有し、供給線220の周囲に配置される。一実施形態において、チョーク260は、接続265において半田結合またはほかの方法によって、チョーク260の近位端において供給線220の外側導体256に短絡された近位配置された1/4波チョークである(図20)。
【0052】
チョーク260は、外側絶縁体258の上に配置され、外側絶縁体258はチョーク260を越えて、アセンブリ212の遠位端に向けて延びる。図21において示されるように、外側絶縁体258は、外側絶縁体の遠位端を部分的に覆い、その結果、チョーク260の遠位端を越えて延びる外側導体258の一部は、外側絶縁体258によって覆われる一方で残りの部分はさらされる。拡張した外側絶縁体258は、近位部分242を通過する電流のブロッキングキャパシタンスを提供し、その結果、電流はチョーク260を越えてジャンプしない。実際には、拡張した外側絶縁体258は、チョーク260が、アンテナアセンブリ212上でチョーク260の位置を実際に物理的に変えることをしない可変位置チョークとして作用することを可能にする。
【0053】
チョーク260は、また、ダイポールアンテナ240の近位部分242の高インピーダンス点に位置するエントランス(例えば、チョーク260の開放性の遠位端)を含む。この構成は、マイクロ波電流を放射セクション218に制限して、ほぼ球形の切除ボリュームの生成を可能にする。
【0054】
図21−23に示されるように、アンテナアセンブリ212は、また、ダイポールアンテナ240の少なくとも一部の周囲に、すなわち、外側導体256および導電性部材245のさらされた部分の周囲に配置された管状の誘電体装荷290を含む。特に、誘電体装荷290は、供給点246を覆い、先端248まで延びる。誘電体装荷290は、管状構造を有し得、種々の誘電体材料(例えば、セラミック(例えば、酸化チタン、アルミナなど)またはプラスチック材料(例えば、ポリアミドプラスチック、Wilmington,DelawareのDuPontから入手可能なVESPEL(登録商標)))から形成され得る。誘電体装荷290は、アンテナ240の周囲に適合するように適した円筒形を形成するように機械加工され得るか、または種々の方法(例えば、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積など)を介して管状のコーティングを形成するようにアンテナ240の所望の部分に直接適用され得る。
【0055】
図20を参照すると、アンテナアセンブリ212は、ダイポールアンテナ240および供給線220を囲む管状ハウジング270を含む。管状ハウジング270は、非導電性−導電性ハイブリッド設計を有し得、遠位ハウジング部272および近位ハウジング部274を含み得る。近位ハウジング部272は、導電性材料または非導電性材料のいずれかから形成され得、アンテナアセンブリ212に構造上の支持を提供する。非導電性−導電性ハイブリッド設計は、導電性材料から形成された近位ハウジング部272と、非導電性材料から形成された遠位ハウジング部274とを含む。近位ハウジング部272の導電性材料は、ステンレス鋼またはほかの適切な医療用グレード金属であり得る。一実施形態において、近位ハウジング部272は、ステンレス鋼のハイポチューブから形成され得、アンテナアセンブリ212の近位部分に構造上の支持を提供する。近位ハウジング部272は、また、(例えば、ダイポールアンテナ240によって放射された)任意のマイクロ波エネルギーがアンテナアセンブリ212から移動することを妨げる。
【0056】
遠位ハウジング部274は、誘電体材料(例えば、ポリイミド)から形成され得、組織を照射するためにマイクロ波エネルギーの伝送を容易にする。一実施形態において、遠位ハウジング部274は、近位ハウジング部272と同様の半径の剛性の非導電性円筒形(例えば、硬化プラスチックチューブ)であり得る。別の実施形態において、遠位ハウジング部274は、より大きな直径を有し得、その結果、近位ハウジング部272は遠位ハウジング部274内に適合する。より詳細には、近位ハウジング部272および遠位ハウジング部274は、放射状にまたは同心状に重ねられ得、その結果、遠位ハウジング部274は、アンテナアセンブリ212の全長に延び(run)、近位ハウジング部272を囲む。
【0057】
別の実施形態において、近位ハウジング部272および遠位ハウジング部274は、図20に示されるように、近位ハウジング部272の切頭において結合され得る。このことは、圧縮フィッティング、ねじ切り嵌合、エポキシ接着、溶接およびほかの適切な方法によって達成され得る。先端248は、また、圧縮フィッティング、ねじ切り嵌合、エポキシ接着、溶接およびほかの適切な方法によって遠位ハウジング部274に結合され得る。アンテナアセンブリ212の構成要素を圧縮フィッティングおよび/または溶接することは、温度処理能力の増加を可能にし、アンテナアセンブリ212の製造能力を容易にする。
【0058】
ハウジング270は、供給線220および放射セクション218の周囲にチャンバ275を画定する。チャンバ275は、アンテナアセンブリ212の全長に沿って、チャンバ275を通して冷却流体を循環させるように適合されている。冷却流体は、ハブ222を通って供給される水または食塩水などの誘電体であり得る。一実施形態において、冷却流体は、アンテナアセンブリ212が使用される組織と同様に、相対的に高い比誘電率を有し、その結果、流体の低導電性は、冷却流体が放射セクション220の周囲の誘電体バッファとして作用することを可能にする。このバッファリングは、組織が切除されるにつれ組織の誘電特性が変化する場合でさえ、アンテナアセンブリ212と組織との間のインピーダンス整合を可能にする。加えて、冷却流体は、供給線220を含むアンテナアセンブリ212を冷却して、より大きなエネルギー送達を可能にする。
【0059】
一実施形態において、図20に示されるように、1つ以上のインフローチューブ286(チューブ86aおよび86bに類似)は、チャンバ275内に延び得、供給線220、放射セクション218およびチョーク260に沿って冷却流体を循環させる。チャンバ275内の残りの空間は、流体の戻り経路として作用し得、流体はアウトフローチューブ288を通って抜き取られる。
【0060】
別の実施形態において、流体はチョーク260を通過し得る。図21-23を参照すると、チョーク260は、内側円筒形ケーシング261と外側円筒形ケーシング263を有する管状構造を含み、内側円筒形ケーシング261と外側円筒形ケーシング263との間に空洞265を画定する。流体は、空洞265を通ってチャンバ275に供給される。
【0061】
図21に示されるように、アンテナアセンブリ212は、外側絶縁体258、誘電体スペーサ247、誘電体装荷290およびチャンバ275を通って供給された冷却流体によって提供される誘電体バッファリング媒体230を含む。媒体300は、放射セクション218と組織との間の誘電体バッファとして作用し、その結果、切除中に組織の電気特性が変化する場合に、アンテナアセンブリ212が切除の間中、共振し、エネルギー送達システム(例えば、生成器14、ケーブル16など)にインピーダンス整合したままにする。一実施形態において、媒体300の構成要素の誘電率値は以下のようになる:外側絶縁体258は、約1〜約30の範囲であり得、誘電体スペーサ247は、約2〜約100の範囲であり得、誘電体装荷290は約2〜約150の範囲であり得、冷却流体は約30〜約100の範囲であり得る。
【0062】
別の実施形態において、媒体300の成分材料の誘電率値は、供給点246からの放射距離が増加するにつれ、誘電率値における漸進的な増加を提供するように選択される。一実施形態において、外側絶縁体258は、誘電体スペーサ247よりも低い誘電率を有し、誘電体スペーサ247は、同様に、誘電体装荷290よりも低い誘電率を有する。冷却流体は、最も高い誘電率を有する。より詳細には、誘電体スペーサ247または空気によって充填され得る、供給点246に装荷される誘電体材料は、外側絶縁体258の誘電率値よりも高いが、誘電体装荷290の誘電率値よりも低い誘電率値を有する。媒体300の比誘電率における漸進的な増加は、可変の誘電特性の材料を提供することによって達成される。この構成は、切除中により良い組織に対するアンテナアセンブリ212のインピーダンス整合を可能にする。
【0063】
本開示の記載された実施形態は、限定的ではなく、例示的であることを意図されており、本開示の全ての実施形態を表すことを意図していない。さまざまな変更および変形が、添付の特許請求の範囲において、文字通りに、そして法的に認識される均等物として述べられた本開示の精神または範囲から逸脱することなしになされ得る。
【0064】
(要旨)
マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。アンテナアセンブリは、内側導体と外側導体と内側導体と外側導体との間に配置される内側絶縁体とを含む供給線と、供給線に結合された放射セクションとを含み、該放射セクションはダイポールアンテナとダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷とを含む。
【符号の説明】
【0065】
10 マイクロ波切除システム
12 マイクロ波アンテナアセンブリ
14 マイクロ波生成器
16 可撓性の同軸ケーブル
18 放射セクション
20 供給線
22 接続ハブ
30 アウトレット流体ポート
32 インレット流体ポート
34 供給ポンプ
36 供給タンク
38 シース
【技術分野】
【0001】
(背景)
(1.技術分野)
本開示は、概して、組織切除手順において用いられるマイクロ波アプリケータに関する。より詳細には、本開示は、液体または固体のいずれかで装荷された先端ダイポールアンテナを有するマイクロ波アプリケータに関する。
【背景技術】
【0002】
(2.関連技術の背景)
特定の疾病の治療は、悪性組織成長(腫瘍)の破壊を必要とする。腫瘍の細胞は、上昇した温度(周囲の健康な細胞に有害な温度よりもわずかに低い温度)で変性することが公知である。それゆえ、公知の治療方法(例えば、温熱療法)は、腫瘍の細胞を、41℃を超える温度に加熱し、一方で周囲の健康な細胞を低い温度に維持して、回復不能な細胞の損傷を回避する。このような方法は、組織を加熱するために電磁放射を印加することを含み、組織の切除および凝結を含む。特に、マイクロ波エネルギーは、癌性細胞を変性させるか、または殺すために、組織を凝結させ、かつ/または切除するために使用される。
【0003】
マイクロ波エネルギーは、腫瘍に達するように組織に貫入するマイクロ波切除アンテナを介して印加される。いくつかのタイプのマイクロ波アンテナ(例えば、モノポールおよびダイポール)がある。モノポールおよびダイポールアンテナにおいて、マイクロ波エネルギーは導体の軸から垂直方向に放射される。モノポールアンテナは、単一の細長いマイクロ波導体を含む。ダイポールアンテナは、誘電部分によって分離された内側導体と外側導体とを含む同軸構造を有し得る。さらに詳細に、ダイポールマイクロ波アンテナは、長く薄い内側導体を有し得、該内側導体はアンテナの長手方向軸に沿って延び、外側導体によって囲まれる。特定の変形において、外側導体の一部または複数の部分は、より効果的な外側へのエネルギーの放射を提供するように選択的に除去され得る。このタイプのマイクロ波アンテナ構造は、典型的に、「漏洩導波管」または「漏洩同軸」アンテナと呼ばれる。
【0004】
従来のマイクロ波アンテナは狭い動作帯域幅(すなわち、最適な動作効率が達成される波長範囲)を有し、結果として、マイクロ波送達システム(例えば、生成器、ケーブルなど)と、マイクロ波アンテナを囲む組織との間の所定のインピーダンス整合を維持することが不可能である。より詳細には、マイクロ波エネルギーが組織に印加されるので、組織が悪くなる(cooked)につれ、マイクロ波アンテナのすぐ近くを囲む組織の比誘電率が減少する。この低下は、組織に印加されるマイクロ波エネルギーの波長をアンテナの帯域幅を超えて増加させる。結果として、従来のマイクロ波アンテナの帯域幅と印加されるマイクロ波エネルギーとの間には不整合が存在する。したがって、狭い帯域のマイクロ波アンテナが効果的なエネルギー送達および散逸を妨げるように同調が外され得る(detune)。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
(概要)
本開示の一局面によると、マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。アンテナアセンブリは、内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電装荷とを含む、放射セクションとを含む。
【0006】
本開示の別の局面によると、マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。アンテナアセンブリは、内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、該供給線に結合された放射セクションとを含む。放射セクションは、ダイポールアンテナと誘電媒体とを含み、該誘電媒体は、可変の誘電率値の複数の構成成分の誘電体材料を含み、この誘電率値は放射セクションから放射方向に増加する。
【0007】
例えば、本発明は、以下の項目を提供する。
(項目1)
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷とを含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目2)
上記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、上記項目に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目3)
上記管状誘電体装荷の材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、上記放射セクション上に堆積される、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目4)
上記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と該遠位部分との間の供給点とをさらに含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目5)
上記供給点は、誘電体材料を含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目6)
上記管状誘電体装荷の誘電率は上記供給点の上記誘電体材料の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目7)
上記外側導体上に配置された外側絶縁体と、
上記供給線の少なくとも一部に配置されたチョークであって、該外側絶縁体は該チョークの遠位部分を通過して延びる、チョークと
をさらに備えている、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目8)
上記供給点の上記誘電体材料の上記誘電率は、上記外側絶縁体の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目9)
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは上記供給線および上記放射セクションを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目10)
上記供給点の上記誘電体材料の上記誘電率は、上記外側絶縁体の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目11)
上記誘電性冷却流体の誘電率は、上記供給点の上記誘電体材料の上記誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目12)
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションは、ダイポールアンテナと誘電性媒体とを含み、該誘電性媒体は、可変の誘電率値の複数の構成成分の誘電体材料を含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目13)
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは上記供給線と上記放射セクションとを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目14)
上記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と遠位部分との間の供給点とをさらに含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目15)
上記誘電性媒体は、
上記外側導体の周りに配置された外側絶縁体と、
上記供給点に配置された誘電スペーサと、
上記ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷であって、該管状誘電体装荷は該外側絶縁体から延び、かつ該誘電スペーサを囲む、管状誘電体装荷と、
上記チャンバを通って循環する誘電冷却材と
を含む、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目16)
上記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目17)
上記管状誘電体装荷の上記材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、上記放射セクション上に堆積される、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
(項目18)
上記管状誘電体装荷および上記誘電冷却流体のそれぞれの誘電率は、上記供給点の上記誘電体材料の誘電率より高く、該誘電体材料の該誘電率は上記外側絶縁体の誘電率よりも高い、上記項目のいずれかに記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示の上述およびその他の局面、特徴および利点は、添付図面を参酌したときに、以下の詳細な説明からより明らかになる。
【図1】図1は、本開示の一実施形態にしたがう、マイクロ波切除システムの概略図である。
【図2】図2は、本開示にしたがう、マイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図3】図3は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図4】図4は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図5】図5は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの供給線の遠位部分の側面図である。
【図6】図6は、本開示の一実施形態にしたがう、バランス化されたダイポールアンテナの概略図である。
【図7】図7は、本開示の一実施形態にしたがう、バランス化されていないダイポールアンテナの概略図である。
【図8】図8は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリのバランス化されていないダイポールアンテナの側面図である。
【図9】図9は、図2のマイクロ波アンテナセンブリの遠位端の拡大断面図である。
【図10】図10は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの放射セクションの側面図である。
【図11】図11は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの先端およびシースの側面図である。
【図12】図12は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの供給線の近位端の側面図である。
【図13】図13は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリの接続ハブおよび近位端の断面図である。
【図14】図14は、図2のマイクロ波アンテナアセンブリのインフローチューブの断面図である。
【図15】図15は、本開示の一実施形態にしたがう、マイクロ波アンテナアセンブリの側面図である。
【図16】図16は、図15のマイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図17】図17は、図15のマイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図18】図18は、図15のマイクロ波アンテナアセンブリの断面の拡大斜視図である。
【図19】図19は、本開示の一実施形態にしたがう、マイクロ波切除システムの概略図である。
【図20】図20は、本開示にしたがう、マイクロ波アンテナアセンブリの斜視断面図である。
【図21】図21は、図20のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図22】図22は、図20のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【図23】図23は、図20のマイクロ波アンテナアセンブリの一部分の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(詳細な説明)
添付の図面を参照しながら以下の本明細書中に本開示の特定の実施形態が記載される。以下の記載においては、本開示を不必要に詳細化して不鮮明にすることを防ぐために、周知の機能または構成は詳細には記載されない。
【0010】
図1は、マイクロ波切除システム10を示しており、該マイクロ波切除システム10は、可撓性の同軸ケーブル16を介してマイクロ波生成器14に結合されるマイクロ波アンテナアセンブリ12を含む。生成器14は、約500MHZ〜約10,000MHzの動作周波数におけるマイクロ波を提供するように構成されている。
【0011】
アンテナアセンブリ12は、概して、供給線20(またはシャフト)によってケーブル16に接続される放射セクション18から構成される。より詳細には、アンテナアセンブリ12は、接続ハブ22を介してケーブル16に結合される。接続ハブ22は、アウトレット流体ポート30とインレット流体ポート32とを含み、これらは、シース38に流体連通される。シース38は、冷却流体がポート30および32から供給され、アンテナアセンブリ12の周りで循環されることを可能にするために、放射セクション18と供給線20を包囲している。ポート30および32はまた、供給ポンプ34に結合され、ひいては、供給タンク36に結合される。供給タンク36は、冷却流体を格納し、その流体を所定の温度に維持する。一実施形態において、供給タンク36は、冷却ユニットを含み、該冷却ユニットは、アンテナアセンブリ12から戻ってくる液体を冷却する。別の実施形態において、冷却流体は、ガスおよび/または流体とガスとの混合物であり得る。
【0012】
アセンブリ12はまた、先端48を含み、該先端48は、先細の端部24を有し、該先細の端部24は、一実施形態においては、放射セクション18の遠位端において最小の抵抗を伴って組織内への挿入を可能にするために、点端部26において終端する。放射セクション18が予め存在する開口部内に挿入される場合、先端48は丸みがついたものだったり、または、平坦なものだったりしてもよい。
【0013】
図2は、バランス化されていないダイポールアンテナ40を有するアンテナアセンブリ12の放射セクション18を示している。ダイポールアンテナ40は、供給線20に結合され、該供給線内側絶縁体52によって包囲された内側導体50(例えば、ワイヤ)を含み、そしてこれは、外側導体56(例えば、円筒形の導電性シース)によって包囲されている。内側導体および外側導体は、銅、金、ステンレス鋼または同様の導電率を有するその他の導電性の金属から構成されたものであり得る。金属は、それらの特性を向上させる(例えば、導電性を向上させる、または、エネルギー損失を低減させる等)ために、その他の材料(例えば、その他の導電性の材料)によってメッキされ得る。一実施形態において、供給線20は、定格50オームの外径0.047”ワイヤを有する同軸の半剛性(semi−rigid)または可撓性のケーブルから形成され得る。
【0014】
ダイポールアンテナ40は、供給点46において誘電体スペーサによって相互接続された近位部分42と遠位部分44とを含む。遠位部分44と近位部分42とは、異なった不均一な長さであり、その結果、ダイポールアンテナ40はバランス化されない。一実施形態において、図7に示されているように、遠位部分44は、近位部分42よりも長くあり得る。図4に最も良く示されているように、近位部分42は、内側導体50と内側絶縁体52とから形成され、内側導体50と内側絶縁体52とは、外側導体56の外側に延在する。図5に示されているように、供給線20が同軸ケーブルから形成される一実施形態において、外側導体56と内側導体52とは、内側導体50を露出させるために内側導体50に対してリリーブ(relieve)され得る。
【0015】
遠位部分44は、導電性部材45を含み、該導電性部材45は、任意のタイプの導電性の材料、例えば金属(例えば、銅、ステンレス鋼、スズおよびそれらの様々な合金)から形成され得る。遠位部分44は、中実構造を有し得、中実ワイヤ(例えば、10AWG)から形成され得る。別の実施形態において、遠位部分44は、同軸ケーブルの外側導体の中空スリーブまたは別の円筒形導体から形成され得る。そして円筒形導体は、円筒を中実の軸にするために半田で満たされる。より詳細には、半田は、円筒形導体内の半田を液化するのに十分な温度(例えば、500°F)まで加熱され得、それにより、中実のシャフトを形成し得る。
【0016】
別の実施形態において、遠位部分44はまた、中実ワイヤから形成されるか、または、円筒形導体が半田で満たされ得る。図4に示されているように、遠位部分44は、その後、内側導体50に結合される。これは、遠位部分44を内側導体50の遠位端に半田付けすることによって、例えば、遠位部分44の半田を溶解し、かつ、その中に内側導体50を挿入することによって遂行され得る。
【0017】
一部の実施形態において、バランス化されていないダイポールアンテナ40は、切除中に比較的良好なインピーダンスを提供する。切除中の組織の特性における変動は、マイクロ波切除アンテナの実部分のインピーダンス整合を複雑化する。結果として生じる動的な電流と電圧との関係が原因で、切除の途中でダイポール上の所与の位置は実インピーダンスにおいて変動する。図6は、等しい長さの2つの部分を有する半波ダイポールアンテナを用いた実部分のインピーダンス整合における困難性を示しており、ダイポールの中心においては、電圧が最小化され、電流が最大化される。しかしながら、実部分のインピーダンスは、近位部分42において最小化され、遠位部分44において最大化される。対照的に、本開示のバランス化されていないダイポールアンテナ40は、供給点の実部分のインピーダンスとケーブル16のインピーダンスとの間の差の切除時間にわたる統合性を最小化する。図7に示されているように、バランス化されていない半波ダイポールは、近位部分42と遠位部分44との間のギャップをダイポールアンテナ40の中心から離して配置することにより、実部分のインピーダンスに対する初期のインピーダンスの比較的良好な整合を提供する。一実施形態において、遠位部分40の長さは、アセンブリ12のリターン損失を最小化するために約20mmである。
【0018】
図8は、近位部分42に対して取り付けられる遠位部分44を示している。遠位部分44は、近位部分42の内側導体50に対して半田付けされることにより、それらの間に電気機械的な接触を確立し得る。一実施形態において、遠位部分44が半田材料によって満たされた中空の円筒形導体から形成される場合、遠位部分44は、遠位部分44の半田を液化し、かつ、内側導体50の遠位端をその中に挿入することにより、近位部分42に取り付けられ得る。内側導体50の遠位端部分は、ダイポールの供給ギャップ「G」が供給点46において近位点42と遠位点44との間に存在し続けるように、遠位端部分44に挿入される。ギャップ「G」は、約1mm〜約3mmであり得る。アンテナのダイポールの供給ギャップ「G」は、第1の構造であり、自由空間への転送の際に同軸フィールドモードに入る。したがって、ギャップはリターン損失において、または、システムとアンテナとのインピーダンス整合において重要な役目を演じる。一実施形態において、ギャップ「G」は、その後、誘電体材料によって満たされ、供給点46において、誘電体スペーサを形成する。別の実施形態において、内側導体52は、供給点46内へと延在する。誘電体材料は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、例えばTeflon(登録商標)(販売元DuPont、Willmington、DE)等、であり得る。別の実施形態において、図4に示されているように、ギャップ「G」は、以下により詳細に議論されるように、誘電体シールコーティングによってコーティングされ得る。
【0019】
図2および9に示されているように、遠位部分44は先端48に結合され、これは、組織を貫通するのに適切な様々な耐熱性の材料、例えば金属(例:ステンレス鋼)および様々な熱可塑性の材料(例:ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、その例はUltem(登録商標)、販売元General Electric Co.、Fairfield、CT等)から形成され得る。先端48は、所望の形状を獲得するために、様々なストックロッドから機械加工され得る。先端48は、様々な接着剤、例えばエポキシシール49を用いることにより、遠位部分44に取り付けられ得る。先端48が金属の場合、先端48は遠位部分44に半田付けされ得る。
【0020】
図11は、先端48の様々な形状および形式を示しており、すなわち、ステンレス鋼の先端48aと誘電体の先端48bとを示している。両方の先端48aおよび48bは、挿入基部51を含んでおり、該挿入基部51は、シース38の中への挿入を容易にすることを可能にするために、先端48aおよび49の直径よりも小さな外径を有している。この構成はまた、以下により詳細に議論されるように、先端48とシース38との間に比較的良好なシールを提供する。
【0021】
図2および3を参照すると、アンテナアセンブリ12はまた、チョーク60を含んでいる。チョーク60は、供給線20の周りに配置され、内側誘電体層62と外側導体層64とを含んでいる。一実施形態において、チョーク60は、近位に配置される1/4波長の短絡されたチョークである。チョーク60は、誘電体層によって離間された供給線20の外側導体56の周りで外側導体層64を用いることによって短絡された1/4波長のチョークとしてインプリメントされる。チョーク60は、半田付けまたはその他の手段によってチョーク60の近位端において供給線20の外側導体56に短絡される。一実施形態において、誘電体層32は、フルオロポリマー、例えば、テトラフルオロエチレン、臭化フルオロプロピレン等から形成され、約0.005インチの厚さを有する。外側導体層34は、例えば高導電性材料(例:銅)等の、いわゆる「完全導体(perfect conductor)」材料から形成され得る。
【0022】
実施形態において、チョーク60は、1/4波長の短絡されたチョーク、半波長の開チョーク、反転された1/4波長の短絡されたチョーク、または、ギャップキャンセルチョークであり得る。チョーク60は、生成器14からのマイクロ波エネルギーをアセンブリ12の放射セクション20に閉じ込め、それにより、供給線20の沿ったマイクロ波エネルギー堆積ゾーンの長さを制限する。チョーク28は、供給線20の外に導かれるマイクロ波エネルギーに対して高インピーダンスを提供し、それにより、アンテナの端部へのエネルギーの堆積を制限する。
【0023】
短絡された1/4波長のチョークは、アンテナアセンブリ12上の近位部分42の高インピーダンス部分に配置され、アンテナ電流をアセンブリ12の放射セクション18に閉じ込め、略球体状の電力散逸ゾーンに起因し、長さを低減し、切除の断面直径を最大化する。
【0024】
誘電体層62の誘電体は、図10に示されているように、チョーク導体層64を越えてアセンブリ12の遠位端に向けて延在する。一実施形態において、誘電体層62は、約6mmだけチョーク導体層64を越えて延在し得る。この延在する誘電体は、ダイポールの近位部分42とチョーク導体層64の外面との間に容量を配置し、それにより、電流がチョーク導体層64にジャンプすることをブロックすることによって、チョーク60の性能を向上させる。誘電体によって形成される容量は、その入口付近で近位部分42からチョーク60の外面へとジャンプし得、チョーク構造を完全に無効化し得るマイクロ波電流に対するインピーダンスバリアである。代わりに、これらの電流は、延在された誘電体によって1/4波長のチョーク60に向けられ、その有効性を向上させる。
【0025】
以上に議論されたように、組織の乾燥に起因する波長の増加は、近位部分42上の高インピーダンス点をアセンブリ12に沿って近位に移動させる。有効なチョークは、この可変点において高インピーダンスを呈する。延在する誘電体は、可変位置のチョークとして有効に機能し、この点がシフトする範囲をカバーし、近位部分42の高インピーダンス点が延在する誘電体の境界内にとどまるようにできるだけ長く、チョークの有効性を維持する。誘電体層62は、チョーク導体層64と供給点46との間の任意の長さに延在し得る。
【0026】
一実施形態において、誘電体層62は、誘電体収縮材料(例えば、5/64”の薄いPTFEの収縮ラップ)を外側導体56に適用することによって形成される。収縮ラップ材料が外側導体56の周りに配置されると、この材料を溶解して外側導体56の周りにセットするために、この材料は加熱される。この加熱は、約750°Fの熱風流を提供し得る熱風ブロアーによって遂行され得る。PTFE収縮ラップの複数の層が適用され得、連続して所望の厚さの誘電体層62を形成するために加熱され得る。一実施形態においては、3つ以上のPTFE収縮ラップの層が適用される。収縮材料はまた、チョーク導体層64を包囲するために、チョーク導体層64の上に適用され得る。
【0027】
図3および10に示されているように、導体層64は、1つ以上の導電性の金属ホイル(例えば銅)を誘電体層62上に適用することにより形成され得る。ホイルは、図12に示されているように、誘電体層62の近位端を越えて延在し得る。ホイルは、様々なタイプの接着剤(例えば、紫外線活性のり、エポキシ等)を用いることにより、誘電体層62に取り付けられ得る。一実施形態において、誘電体層62を越えて延在するホイルの近位部分は、図12に示されているように、いわゆる「ワイヤラップ(wire−wrap)」技術を用いることにより、供給線20に取り付けられ得、ホイルおよび供給線20に対する良好な電気的接続を提供し得る。ワイヤは、ホイルが誘電体層62を越えてテーパを開始する点において銅のホイルの周りに巻き付けられる。ワイヤが巻き付けられた後に、ワイヤを固定し、ワイヤの巻き付けがほどけることを防ぐために、ワイヤはラップの長さに沿って自身に半田付けされる。別の実施形態において、ホイルを供給線20に固定するために、その他の方法が用いられ得、例えば、中空の円筒が誘電体層62を越えて余分なホイルのネック部分の周りに配置され得る。さらなる実施形態においては、ホイルは、ホイルの近位端を供給線20に固定する必要性を排除するために、誘電体層62と実質的に同じ長さであり得る。
【0028】
アセンブリ12はまた、図13により詳細に示されているように、接続ハブ22を含む。接続ハブ22は、ケーブルコネクタ79と流体ポート30および32を含む。接続ハブ22は、3枝ルアータイプのコネクタ72を含み得、該3枝ルアータイプのコネクタ72では、中央のフィンガ74が、ケーブルコネクタ70を収容するために用いられ、左のフィンガ76と右のフィンガ78とはそれぞれ、アウトレット流体ポート30とインレット流体ポート32とを収容するためのものである。接続ハブ22はまた、中央のフィンガ74の遠位端に配置された基部81を含む。
【0029】
アセンブリ12はまた、図1、13および14に示されるようなアクティブ冷却システムを含んでいる。より詳細には、アセンブリ12は、供給線20と、先端48から基部81までの放射セクション18とを包囲するシース38を含んでいる。冷却液は、ポンプ34によって供給され、放射セクション18と、供給線20と、シース38との間に空間で循環される。放射セクション18と供給線20とは冷却流体と直接的に接触するので、アセンブリ12のこれらのコンポーネントは、流体の進入または退出を防ぐようにシールされる。これは、従来の射出成形およびスクリュー押し出し技術を用いて、任意のタイプの溶解処理可能(melt−processible)ポリマーを適用することによって、遂行され得る。図1に示されているように、一実施形態において、フッ化エチレンポリピレン(FEP)収縮ラップのスリーブ63が、アセンブリ12の全体、すなわち、供給線20と放射セクション18とに適用され得る。そして、スリーブ63は、チョーク60と、供給線20と、放射セクション18とをシールするために加熱される。結果としてできるFEPシールは、冷却流体がアセンブリ12に進入することを防ぐ。スリーブは、外側導体層64に適用した後に適用され得る。加えて、FEPはまた、内側導体50と内側絶縁体52とが外側導体56を越えて延在する点に適用され得、それにより、図4に示されているように、空隙53を形成し得る。
【0030】
シース38は、例えばポリイミドおよびその他のタイプのポリマーから製造されたカテーテル等の、任意のタイプの剛性のチューブであり得る。シース38は、最初に先端48をシース38の遠位端に固定し、その後、シースと先端アセンブリとの組み合わせをアセンブリ12に挿入することにより組み立てられ得る。シース38はまた、接続ハブ22の基部81と先端48とに固定され、それにより、シース38は、接続ハブ22と流体連通し、基部81と先端48との間にチャンバ89を画定する。
【0031】
インフローチューブ86は、1つ以上のチューブ86aおよび86bを含み得る。インフローチューブ86aおよび86bは、供給線20とシース38との間でチャンバ89(図4および9)の内部に適合するのに十分な外径を有する任意のタイプの可撓性のチューブであり得る。インフローチューブ86aおよび86bは、アウトレット流体ポート30を介して挿入される。より詳細には、図14に示されているように、インフローチューブ86aは、遠位部分44の遠位端付近まで挿入され、インフローチューブ86bは、供給点46付近まで挿入される。その後、インフローチューブ86bは、(例えば、エポキシ、のり等を用いて)放射セクション18に固定される。インフローチューブ86aおよび86bは、この構成においては、シース38を介する最適な冷却液の流れを提供するように配置される。インフローチューブ86aからの流体の流れは、先端48へと排出され、近位方向に反映される。インフローチューブ86bからの流体の流れは、放射セクション18に沿った冷却液を提供する。動作中、ポンプ34は、インフローチューブ86aおよび86bを介してアセンブリ12に流体を提供し、それにより、接続ハブ22を含むアセンブリ12の全体を介する冷却液の循環を提供する。流体はその後、アウトレット流体ポート32を介して、中央フィンガ74と左フィンガ76とから取り出される。
【0032】
上述の冷却システムは、アンテナアセンブリ12の全長を介する誘電体(例えば、食塩水、脱イオン化された水、等)の冷却流体の循環を提供する。誘電体の冷却流体は、アセンブリ12によって生成された熱を除去する。加えて、誘電体の冷却流体は、アセンブリ12に対するバッファとして機能し、組織の誘電体特性に起因して、アセンブリ12の近接誘電場(near field dielectric)特性が変化することを防ぐ。マイクロ波エネルギーが切除中に適用されるので、放射セクション18の周りの組織の乾燥は、予想外のファクター(例えば、約10)による組織の複素誘電率におけるドロップにつながる。比誘電率(er’)のドロップは、組織内のマイクロ波エネルギーの波長を増加させ、これは、バランス化されていないマイクロ波アンテナアセンブリのインピーダンスに対して劇的な影響を与え、それにより、システムのインピーダンス(例えば、ケーブル16と生成器14とのインピーダンス)からのアンテナアセンブリの不整合をもたらす。波長における増加はまた、断面の直径よりもアセンブリ12に沿った長さにおいて遥かに長い電力散逸ゾーンをもたらす。組織の導電率(er”)もまた、アセンブリ12のインピーダンスの実部分に影響を与える。本開示にしたがう流体の誘電体のバッファはまた、送達されるエネルギーの波長における増加と、近接誘電場の導電性におけるドロップとを緩和させ、それにより、アセンブリ12のインピーダンスにおける変化を低減し、より一貫したアンテナとシステムとの間のインピーダンス整合と球体の電力散逸ゾーンの散逸組織挙動とを可能にする。
【0033】
波長の変動のバッファリングはまた、より効果的なチョークネットワークを可能にする。チョークは、近位部分42上で、低電流点に配置されるか、または、高インピーダンス点に配置される。チョークされた湿潤した先端における波長バッファリングにより、ダイポール放射セクション上の半波電流パターンが維持され、高インピーダンス点の位置の変動を低下させ、それにより、より効率的なチョークネットワークを可能にする。また、ケーブルのコーティングおよび誘電体のバッファリングは、ターゲットが決められた、効率的な組織へのエネルギーの送達を可能にし、近球体切除ゾーンと高速切除時間を可能にする。食塩水または脱イオン化水が、アセンブリ12と共に用いられ得る。
【0034】
図15〜18は、マイクロ波アンテナアセンブリ112の別の実施形態を示しており、放射セクション118と供給線120とを有し、これは、アセンブリ112をケーブル16に結合している。より詳細には、アンテナアセンブリ112は、アウトレット流体ポート130とインレット流体ポート132とを有する接続ハブ122を介してケーブル16に結合される。
【0035】
図16および17は、アンテナアセンブリ112の放射セクション118を示しており、該アンテナアセンブリ112は、シース38が金属の導管(例えば、冷却液ジャケット200)と固体の誘電体ローディング190とによって置き換えられた、バランス化されていないダイポールアンテナ140を有している。ダイポールアンテナ140は、供給線120に結合され、これは、アンテナアセンブリ112を生成器114に電気的に接続する。図18に示されているように、供給線20と同様に、供給線120は、内側絶縁体152によって包囲された内側導体150(例えばワイヤ)を含んでおり、内側絶縁体152は、外側導体156(例えば、円筒形の導電体シース)によって包囲されている。
【0036】
ダイポールアンテナ140は、近位部分142と遠位部分144とを含んでおり、これらは、誘電体スペーサによって、供給点146において相互接続されている。遠位部分144は、導体部材145を含んでいる。遠位部分144と近位部分142とは、異なった不均一の長さであり、その結果、ダイポールアンテナ40はバランス化されていない。近位部分142は、内側導体150と内側絶縁体152とから形成され、これらは、外側導体156の外側に延在している。一実施形態において、図18に示されているように、供給線120は同軸ケーブルから形成され、外側導体156と内側絶縁体152とは、内側導体150を明らかにするためにスライスオフされている。
【0037】
遠位部分144は、任意のタイプの導電性材料、例えば、金属(例:銅、ステンレス鋼、スズおよびそれらの様々な合金)から形成され得る。部分144は、中実構造を有し得、固体ワイヤ(例えば、10AWG)から形成され得るか、または、円筒形の導体は、アセンブリ12の部分44と同様に半田によって満たされる。近位部分144は、その後、内側導体150に結合される。
【0038】
図16−18を参照して、アンテナアセンブリ112は、また、チョーク160を含む。チョーク160は、供給線120の周囲に配置され、内側誘電層162および外側伝導層164を含む。一実施形態において、チョーク160は、近位に配置された1/4波短縮されたチョークであり、半田付けまたは他の手段によって、チョーク160の近位端において、供給線120の外側導体156まで短縮される。誘電体層162の誘電体は、チョーク導体層164を越えてアセンブリ112の遠位端に向けて延びる。
【0039】
アセンブリ112は、また、図15に示されるように接続ハブ122を含む。接続ハブ122は、ケーブルコネクタ179と、流体ポート130および132とを含む。接続ハブ122は、3枝ルアータイプコネクタ172を有し得、真ん中のフィンガ174は、ケーブルコネクタ179を収容するために使用され、左右のフィンガ176および178は、それぞれアウトレット流体ポートおよびインレット流体ポート130および132を収容するために使用される。ケーブルコネクタ179は、内側導体152および外側導体156に結合され、これらは供給線120の近位端において外側導体156の外側に延びる。接続ハブ122は、また、真ん中のフィンガ174の遠位端に配置された基部181を含む。一実施形態において、アセンブリ112は、右のフィンガ178を通して送られる1つ以上の管186を含む。
【0040】
アセンブリ112は、アセンブリ112の液体誘電体材料の代わりに、ダイポールアンテナ140上に配置された固体誘電体材料装荷190を含む。固体誘電体材料190は、チョーク導体層164の終端の点から延びる。より詳細には、アセンブリ112は、チョーク導体層164の遠位端上に流体シール192を含む。一実施形態において、装荷190は、グルーおよび他の手段を介してシール192に取り付けられ得る。
【0041】
装荷190は、アンテナ140上への挿入に適した中央空洞198を有する円筒形状であり得る。装荷190は、また、ポイント付き先端196を有する先細端194を有し得、それにより、先端48の必要性を避ける。装荷190は、また、空洞198内でアンテナ140の遠位端(例えば、アンテナ140の遠位部分)に取り付けられ得る。空洞198は、その断面形状に依存して、アンテナ140上に適合するように適した実質的に円筒形の形状を有し得る。加えて、空洞198は、近位部分197と遠位部分199とを含み、近位部分197はチョーク誘電層162に適応させるように遠位部分199よりも大きな内径を有する。チョーク層162は、チョーク伝導層164と供給点146との間の任意の長さまで拡張され得る。拡張したチョーク層162を適応させるために、近位部分197の奥行きは、適宜変わる。
【0042】
装荷190は、供給線120の厚さに実質的に等しい外径と、ダイポールアンテナ140の直径に実質的に等しい内径とを有する。装荷190が、ダイポールアンテナ140上に配置され、冷却流体がこの例においては装荷と接触するように構成されないので、アンテナ140は、アンテナの構成要素をシールする誘電性収縮包装ではコーティングされない。
【0043】
一実施形態において、装荷190の誘電体材料は、約2.5〜150の比誘電率を有し得、セラミック材料(例えば、アルミナセラミック)またはプラスチック材料(例えば、ポリアミドプラスチック(例えば、Wilmington,DelawareのDuPontから入手可能なVESPEL(登録商標)))から作製され得る。装荷190は、放射セクション118と組織との間の誘電性バッファとして作用し、その結果、切除中に組織の電気特性が変化する場合に、アンテナアセンブリ112は、切除の間中、半波長共鳴し、エネルギー送達システム(例えば、生成器14、ケーブル16など)とインピーダンス整合したままである。
【0044】
アンテナアセンブリ112は、また、基部181とシール192との間に配置された冷却ジャケット200を含む。冷却ジャケット200は、ステンレス鋼または他の適切な医療用グレードの金属から形成され得る。冷却ジャケット200は、チョーク導体層164と冷却ジャケット200との間に近位チャンバ201を画定し、該近位チャンバ201内に、誘電冷却流体が接続ハブ122を通って供給される。より詳細には、インフローチューブ86aおよび86bに類似する1つ以上のインフローチューブ186は、チャンバ201内に拡張し得、冷却ジャケット200を介して誘電冷却流体を循環させる。シール192は、冷却ジャケット200と、冷却ジャケット200の遠位端のチョーク導体層164との間に配置される。シール192は、チャンバ201を装荷190からシールするために適した、任意のタイプの誘電体材料(例えば、エラストマー)および/または導電性材料から形成され得る。
【0045】
図19−23は、500MHz〜10GHzで動作するように適合されたマイクロ波アンテナアセンブリ212の実施形態を示す。マイクロ波アンテナアセンブリ212は、ハイブリッド設計、すなわち、チョーク付き液体冷却システムを固体の誘電体装荷と組み合わせた設計を有する。マイクロ波アンテナアセンブリ212は、誘電体で満たされた供給ギャップを有するバランス化されたダイポール放射セクションまたはバランス化されていないダイポール放射セクション218を有する。マイクロ波アンテナアセンブリ212は、また、インピーダンス整合および増加した軸強度を提供するダイポールアンテナ240を囲む誘電体装荷を含み得る。マイクロ波アンテナアセンブリ212全体は、また、導電性部分と非導電性部分とを含むハイブリッドハウジング270に囲まれる。ハウジングは、アンテナアセンブリ212の周りにチャンバ275を提供し、冷却流体がチャンバを通って流れることを可能にする。流体は、また、良好なインピーダンス整合を可能にする誘電体バッファとして作用し得る。
【0046】
マイクロ波アンテナアセンブリ212は、放射セクション218と供給線220とを含み、供給線220は、アセンブリ212をケーブル16に結合する。より詳細には、アンテナアセンブリ212は、接続ハブ222を介してケーブル16に結合され、接続ハブ222は、アウトレット流体ポート230と、インレット流体ポート232と、ケーブルコネクタ279とを含む。接続ハブ222は、3枝ルアータイプコネクタ272を含み、真ん中のブランチ274は、ケーブルコネクタ279を収容するために使用され、左右のフィンガ276および278は、それぞれ、アウトレットフィンガ部およびインレットフィンガ部230および232を収容するために使用される。ケーブルコネクタ279は、供給線220に結合される。一実施形態において、アセンブリ212は、右のフィンガ278を通って供給される1つ以上のインフローチューブ286と、左のフィンガ276を通って供給されるアウトフローチューブ288とを含む。
【0047】
図20−23は、ダイポールアンテナ240を有するアンテナアセンブリ212の放射セクション218を示す。ダイポールアンテナ240は供給線220に結合され、供給線220は、アンテナアセンブリ212を生成器14に電気的に接続する。図22に示されるように、供給線220は、内側絶縁体252によって囲まれた内側導体250(例えば、ワイヤ)を含む。供給線220は、また、同軸構成で、内側絶縁体252の周囲に配置された外側導体256(例えば、円筒形の導体シース)を含む。外側導体256は、また、外側絶縁体258内に囲まれる。
【0048】
特に図22および23を参照すると、ダイポールアンテナ240は、近位部分242と遠位部分244とを含む。より詳細には、さらされた外側導体256は、近位部分242の第2の極として作用し、内側導体250のさらされた部分は、遠位部分244の第2の極として作用する。遠位部分244は、また、導電性部材245を含み、導電性部材245は、内側導体250に取り付けられた中実の導電性シャフトであり得る。別の実施形態において、導電性部材245は、円筒形の導体であり得、この導体は円筒を中実のシャフトに変えるように半田で充填され、それにより導電性部材245を内側導体250に取り付ける。
【0049】
アンテナアセンブリ212は、導電性部材245の遠位端に結合された先端248を含む。先端248は、先細の端部を含み、該先細の端部は、一実施形態において、点端部(図21)において終端し、放射セクション218の遠位端において最小抵抗で組織への挿入を可能にする。放射セクション218が既存の開口部に挿入されるような場合には、先端248は、丸められるかまたは平坦であり得る(図20)。先端248は、組織に貫入するのに適した種々の熱抵抗材料(例えば、金属(例えば、ステンレス鋼))および様々な熱可塑性材料(例えば、ポリエーテルイミド(poletherimide)、ポリアミド熱可塑性樹脂(例として、Fairfield、CTのGeneral Electric Co.から入手可能なUltem(登録商標))から形成され得る。先端248は、所望の形状を得るために、様々なストックロッドから機械加工され得る。先端248は、様々な接着剤(例えば、エポキシ)を用いて導電性部材245に取り付けられ得る。先端248が金属である場合、先端248は導電性部材245に半田付けされ得る。
【0050】
ダイポールアンテナ240は、バランス化された構成またはバランス化されていない構成のいずれかを有し得る。バランス化された構成において、近位部分および遠位部分242および244(例えば、第1および第2の極)は等しい放射長である。バランス化されていない構成において、近位部分およびダイポール部分242および244は異なる等しくない長さである。近位部分および遠位部分242および244は、供給点246において相互接続され、供給点246は誘電体スペーサ247または空気(例えば、充填されないまま)で充填され得る。誘電体スペーサ247は、約1〜約100の誘電率値を有する様々な誘電体材料から作製され得、インピーダンス整合を補助する。誘電体スペーサ247は、近位部分および遠位部分242および244のフランジ内に重なる(nest)ように設計され得る。別の実施形態において、誘電体スペーサ247は、供給点246を包み込むオーバーモールドされた設計であり得、それにより冷却バリアとして作用し、アンテナアセンブリ212に付加的な構造上の強度を提供する。
【0051】
図20、21および23を参照すると、アンテナアセンブリ212は、また、チョーク260を含む。チョーク260は、導電性材料から形成された管状構造を有し、供給線220の周囲に配置される。一実施形態において、チョーク260は、接続265において半田結合またはほかの方法によって、チョーク260の近位端において供給線220の外側導体256に短絡された近位配置された1/4波チョークである(図20)。
【0052】
チョーク260は、外側絶縁体258の上に配置され、外側絶縁体258はチョーク260を越えて、アセンブリ212の遠位端に向けて延びる。図21において示されるように、外側絶縁体258は、外側絶縁体の遠位端を部分的に覆い、その結果、チョーク260の遠位端を越えて延びる外側導体258の一部は、外側絶縁体258によって覆われる一方で残りの部分はさらされる。拡張した外側絶縁体258は、近位部分242を通過する電流のブロッキングキャパシタンスを提供し、その結果、電流はチョーク260を越えてジャンプしない。実際には、拡張した外側絶縁体258は、チョーク260が、アンテナアセンブリ212上でチョーク260の位置を実際に物理的に変えることをしない可変位置チョークとして作用することを可能にする。
【0053】
チョーク260は、また、ダイポールアンテナ240の近位部分242の高インピーダンス点に位置するエントランス(例えば、チョーク260の開放性の遠位端)を含む。この構成は、マイクロ波電流を放射セクション218に制限して、ほぼ球形の切除ボリュームの生成を可能にする。
【0054】
図21−23に示されるように、アンテナアセンブリ212は、また、ダイポールアンテナ240の少なくとも一部の周囲に、すなわち、外側導体256および導電性部材245のさらされた部分の周囲に配置された管状の誘電体装荷290を含む。特に、誘電体装荷290は、供給点246を覆い、先端248まで延びる。誘電体装荷290は、管状構造を有し得、種々の誘電体材料(例えば、セラミック(例えば、酸化チタン、アルミナなど)またはプラスチック材料(例えば、ポリアミドプラスチック、Wilmington,DelawareのDuPontから入手可能なVESPEL(登録商標)))から形成され得る。誘電体装荷290は、アンテナ240の周囲に適合するように適した円筒形を形成するように機械加工され得るか、または種々の方法(例えば、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積など)を介して管状のコーティングを形成するようにアンテナ240の所望の部分に直接適用され得る。
【0055】
図20を参照すると、アンテナアセンブリ212は、ダイポールアンテナ240および供給線220を囲む管状ハウジング270を含む。管状ハウジング270は、非導電性−導電性ハイブリッド設計を有し得、遠位ハウジング部272および近位ハウジング部274を含み得る。近位ハウジング部272は、導電性材料または非導電性材料のいずれかから形成され得、アンテナアセンブリ212に構造上の支持を提供する。非導電性−導電性ハイブリッド設計は、導電性材料から形成された近位ハウジング部272と、非導電性材料から形成された遠位ハウジング部274とを含む。近位ハウジング部272の導電性材料は、ステンレス鋼またはほかの適切な医療用グレード金属であり得る。一実施形態において、近位ハウジング部272は、ステンレス鋼のハイポチューブから形成され得、アンテナアセンブリ212の近位部分に構造上の支持を提供する。近位ハウジング部272は、また、(例えば、ダイポールアンテナ240によって放射された)任意のマイクロ波エネルギーがアンテナアセンブリ212から移動することを妨げる。
【0056】
遠位ハウジング部274は、誘電体材料(例えば、ポリイミド)から形成され得、組織を照射するためにマイクロ波エネルギーの伝送を容易にする。一実施形態において、遠位ハウジング部274は、近位ハウジング部272と同様の半径の剛性の非導電性円筒形(例えば、硬化プラスチックチューブ)であり得る。別の実施形態において、遠位ハウジング部274は、より大きな直径を有し得、その結果、近位ハウジング部272は遠位ハウジング部274内に適合する。より詳細には、近位ハウジング部272および遠位ハウジング部274は、放射状にまたは同心状に重ねられ得、その結果、遠位ハウジング部274は、アンテナアセンブリ212の全長に延び(run)、近位ハウジング部272を囲む。
【0057】
別の実施形態において、近位ハウジング部272および遠位ハウジング部274は、図20に示されるように、近位ハウジング部272の切頭において結合され得る。このことは、圧縮フィッティング、ねじ切り嵌合、エポキシ接着、溶接およびほかの適切な方法によって達成され得る。先端248は、また、圧縮フィッティング、ねじ切り嵌合、エポキシ接着、溶接およびほかの適切な方法によって遠位ハウジング部274に結合され得る。アンテナアセンブリ212の構成要素を圧縮フィッティングおよび/または溶接することは、温度処理能力の増加を可能にし、アンテナアセンブリ212の製造能力を容易にする。
【0058】
ハウジング270は、供給線220および放射セクション218の周囲にチャンバ275を画定する。チャンバ275は、アンテナアセンブリ212の全長に沿って、チャンバ275を通して冷却流体を循環させるように適合されている。冷却流体は、ハブ222を通って供給される水または食塩水などの誘電体であり得る。一実施形態において、冷却流体は、アンテナアセンブリ212が使用される組織と同様に、相対的に高い比誘電率を有し、その結果、流体の低導電性は、冷却流体が放射セクション220の周囲の誘電体バッファとして作用することを可能にする。このバッファリングは、組織が切除されるにつれ組織の誘電特性が変化する場合でさえ、アンテナアセンブリ212と組織との間のインピーダンス整合を可能にする。加えて、冷却流体は、供給線220を含むアンテナアセンブリ212を冷却して、より大きなエネルギー送達を可能にする。
【0059】
一実施形態において、図20に示されるように、1つ以上のインフローチューブ286(チューブ86aおよび86bに類似)は、チャンバ275内に延び得、供給線220、放射セクション218およびチョーク260に沿って冷却流体を循環させる。チャンバ275内の残りの空間は、流体の戻り経路として作用し得、流体はアウトフローチューブ288を通って抜き取られる。
【0060】
別の実施形態において、流体はチョーク260を通過し得る。図21-23を参照すると、チョーク260は、内側円筒形ケーシング261と外側円筒形ケーシング263を有する管状構造を含み、内側円筒形ケーシング261と外側円筒形ケーシング263との間に空洞265を画定する。流体は、空洞265を通ってチャンバ275に供給される。
【0061】
図21に示されるように、アンテナアセンブリ212は、外側絶縁体258、誘電体スペーサ247、誘電体装荷290およびチャンバ275を通って供給された冷却流体によって提供される誘電体バッファリング媒体230を含む。媒体300は、放射セクション218と組織との間の誘電体バッファとして作用し、その結果、切除中に組織の電気特性が変化する場合に、アンテナアセンブリ212が切除の間中、共振し、エネルギー送達システム(例えば、生成器14、ケーブル16など)にインピーダンス整合したままにする。一実施形態において、媒体300の構成要素の誘電率値は以下のようになる:外側絶縁体258は、約1〜約30の範囲であり得、誘電体スペーサ247は、約2〜約100の範囲であり得、誘電体装荷290は約2〜約150の範囲であり得、冷却流体は約30〜約100の範囲であり得る。
【0062】
別の実施形態において、媒体300の成分材料の誘電率値は、供給点246からの放射距離が増加するにつれ、誘電率値における漸進的な増加を提供するように選択される。一実施形態において、外側絶縁体258は、誘電体スペーサ247よりも低い誘電率を有し、誘電体スペーサ247は、同様に、誘電体装荷290よりも低い誘電率を有する。冷却流体は、最も高い誘電率を有する。より詳細には、誘電体スペーサ247または空気によって充填され得る、供給点246に装荷される誘電体材料は、外側絶縁体258の誘電率値よりも高いが、誘電体装荷290の誘電率値よりも低い誘電率値を有する。媒体300の比誘電率における漸進的な増加は、可変の誘電特性の材料を提供することによって達成される。この構成は、切除中により良い組織に対するアンテナアセンブリ212のインピーダンス整合を可能にする。
【0063】
本開示の記載された実施形態は、限定的ではなく、例示的であることを意図されており、本開示の全ての実施形態を表すことを意図していない。さまざまな変更および変形が、添付の特許請求の範囲において、文字通りに、そして法的に認識される均等物として述べられた本開示の精神または範囲から逸脱することなしになされ得る。
【0064】
(要旨)
マイクロ波アンテナアセンブリが開示される。アンテナアセンブリは、内側導体と外側導体と内側導体と外側導体との間に配置される内側絶縁体とを含む供給線と、供給線に結合された放射セクションとを含み、該放射セクションはダイポールアンテナとダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷とを含む。
【符号の説明】
【0065】
10 マイクロ波切除システム
12 マイクロ波アンテナアセンブリ
14 マイクロ波生成器
16 可撓性の同軸ケーブル
18 放射セクション
20 供給線
22 接続ハブ
30 アウトレット流体ポート
32 インレット流体ポート
34 供給ポンプ
36 供給タンク
38 シース
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷とを含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項2】
前記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、請求項1に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項3】
前記管状誘電体装荷の材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、前記放射セクション上に堆積される、請求項2に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項4】
前記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と該遠位部分との間の供給点とをさらに含む、請求項1に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項5】
前記供給点は、誘電体材料を含む、請求項4に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項6】
前記管状誘電体装荷の誘電率は前記供給点の前記誘電体材料の誘電率よりも高い、請求項5に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項7】
前記外側導体上に配置された外側絶縁体と、
前記供給線の少なくとも一部に配置されたチョークであって、該外側絶縁体は該チョークの遠位部分を通過して延びる、チョークと
をさらに備えている、請求項6に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項8】
前記供給点の前記誘電体材料の前記誘電率は、前記外側絶縁体の誘電率よりも高い、請求項7に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項9】
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは前記供給線および前記放射セクションを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、請求項8に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項10】
前記供給点の前記誘電体材料の前記誘電率は、前記外側絶縁体の誘電率よりも高い、請求項9に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項11】
前記誘電性冷却流体の誘電率は、前記供給点の前記誘電体材料の前記誘電率よりも高い、請求項10に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項12】
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションは、ダイポールアンテナと誘電性媒体とを含み、該誘電性媒体は、可変の誘電率値の複数の構成成分の誘電体材料を含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項13】
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは前記供給線と前記放射セクションとを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、請求項12に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項14】
前記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と遠位部分との間の供給点とをさらに含む、請求項13に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項15】
前記誘電性媒体は、
前記外側導体の周りに配置された外側絶縁体と、
前記供給点に配置された誘電スペーサと、
前記ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷であって、該管状誘電体装荷は該外側絶縁体から延び、かつ該誘電スペーサを囲む、管状誘電体装荷と、
前記チャンバを通って循環する誘電冷却材と
を含む、請求項14に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項16】
前記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、請求項15に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項17】
前記管状誘電体装荷の前記材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、前記放射セクション上に堆積される、請求項16に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項18】
前記管状誘電体装荷および前記誘電冷却流体のそれぞれの誘電率は、前記供給点の前記誘電体材料の誘電率より高く、該誘電体材料の該誘電率は前記外側絶縁体の誘電率よりも高い、請求項15に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項1】
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションはダイポールアンテナと該ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷とを含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項2】
前記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、請求項1に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項3】
前記管状誘電体装荷の材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、前記放射セクション上に堆積される、請求項2に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項4】
前記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と該遠位部分との間の供給点とをさらに含む、請求項1に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項5】
前記供給点は、誘電体材料を含む、請求項4に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項6】
前記管状誘電体装荷の誘電率は前記供給点の前記誘電体材料の誘電率よりも高い、請求項5に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項7】
前記外側導体上に配置された外側絶縁体と、
前記供給線の少なくとも一部に配置されたチョークであって、該外側絶縁体は該チョークの遠位部分を通過して延びる、チョークと
をさらに備えている、請求項6に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項8】
前記供給点の前記誘電体材料の前記誘電率は、前記外側絶縁体の誘電率よりも高い、請求項7に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項9】
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは前記供給線および前記放射セクションを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、請求項8に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項10】
前記供給点の前記誘電体材料の前記誘電率は、前記外側絶縁体の誘電率よりも高い、請求項9に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項11】
前記誘電性冷却流体の誘電率は、前記供給点の前記誘電体材料の前記誘電率よりも高い、請求項10に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項12】
マイクロ波アンテナアセンブリであって、
内側導体と、外側導体と、該内側導体と該外側導体との間に配置された内側絶縁体とを含む供給線と、
該供給線に結合された放射セクションであって、該放射セクションは、ダイポールアンテナと誘電性媒体とを含み、該誘電性媒体は、可変の誘電率値の複数の構成成分の誘電体材料を含む、放射セクションと
を備えている、マイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項13】
チャンバを画定するハウジングであって、該チャンバは前記供給線と前記放射セクションとを収容するように寸法が合わされ、該チャンバを通して誘電性冷却流体を循環させるように構成されている、ハウジングをさらに備えている、請求項12に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項14】
前記放射セクションは、近位部分と、遠位部分と、該近位部分と遠位部分との間の供給点とをさらに含む、請求項13に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項15】
前記誘電性媒体は、
前記外側導体の周りに配置された外側絶縁体と、
前記供給点に配置された誘電スペーサと、
前記ダイポールアンテナの周りに配置された管状誘電体装荷であって、該管状誘電体装荷は該外側絶縁体から延び、かつ該誘電スペーサを囲む、管状誘電体装荷と、
前記チャンバを通って循環する誘電冷却材と
を含む、請求項14に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項16】
前記管状誘電体装荷は、酸化チタンおよびアルミナからなる群から選択される材料から形成される、請求項15に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項17】
前記管状誘電体装荷の前記材料は、スプレーコーティング、原子層堆積および蒸気層堆積からなる群から選択される方法によって、前記放射セクション上に堆積される、請求項16に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【請求項18】
前記管状誘電体装荷および前記誘電冷却流体のそれぞれの誘電率は、前記供給点の前記誘電体材料の誘電率より高く、該誘電体材料の該誘電率は前記外側絶縁体の誘電率よりも高い、請求項15に記載のマイクロ波アンテナアセンブリ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【公開番号】特開2010−94518(P2010−94518A)
【公開日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−239894(P2009−239894)
【出願日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【出願人】(507325275)ビバント メディカル, インコーポレイテッド (34)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【出願人】(507325275)ビバント メディカル, インコーポレイテッド (34)
【Fターム(参考)】
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