トリアリールアミン誘導体
【課題】耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体の提供。
【解決手段】トリアリールアミン誘導体（ジイモニウム化合物）であって、例えば、ビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミンとヘキサフルオロアンチモン酸銀とを反応させて得られる化合物。
【解決手段】トリアリールアミン誘導体（ジイモニウム化合物）であって、例えば、ビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミンとヘキサフルオロアンチモン酸銀とを反応させて得られる化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外領域に吸収を有するトリアリールアミン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、トリアリールアミン誘導体の１種であるジインモニウム化合物は近赤外線吸収性化合物として広く知られおり（例えば、特許文献１〜３、非特許文献１〜２参照）、光重合開始剤、電子写真感光体等に広く用いられてきた。しかし、一般に近赤外線吸収性化合物としてのジインモニウム化合物は耐湿熱性や溶解性に課題を残している。これに対して、対イオンである陰イオンを変更したり、ジインモニウムイオンのアミノフェニル基に結合しているアルキル基を変更したりすることで耐湿熱性や溶解性が改善できることが知られている（例えば、特許文献４〜６参照）。
【０００３】
また、ジインモニウム化合物の対イオンとして六フッ化アンチモンイオンを用いることで耐熱性が向上することは知られている。しかしながら、アンチモンを含有する化合物は劇物に該当するため、環境への負荷を考慮すると産業分野においては、アンチモンを含まない高耐熱性のジインモニウム化合物が望まれている。この問題を解決するための手段として、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンなどを対イオンとするジインモニウム化合物が知られている。
【特許文献１】特開平４−１４６９０５号公報
【特許文献２】特開平５−１４２８１１号公報
【特許文献３】特開２００２−８２２１９号公報
【特許文献４】特開２００５−３２５２９２号公報
【特許文献５】特開２００５−３３６１５０号公報
【特許文献６】特開２００６−１４３６７４号公報
【非特許文献１】デア・ドイチェン・ケミシュン・ゲゼルシャフト、９２巻、２４５−２５１ページ（１９５９年）
【非特許文献２】スペクトロケミカ・アクタ、２３巻、６５５−６７５ページ（１９６７年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のジインモニウム化合物では、対イオンとして過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンなどを用いても、耐湿熱性、溶解性の点で満足できるものとは言い難かった。また、ジインモニウム化合物の極大吸収波長を、所望の極大吸収波長に変化させることは困難であった。
本発明は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞ 下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体。
【０００６】
【化１】
【０００７】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但し、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である。また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｘｍ−はｍ価の陰イオンを表し、ｍ及びｎは１又は２を表し、ｍとｎの積は２である。
【０００８】
＜２＞ 一般式（Ｉ）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする前記＜１＞に記載のトリアリールアミン誘導体。
＜３＞ 一般式（Ｉ）において、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする前記＜１＞又は＜２＞に記載のトリアリールアミン誘導体。
【０００９】
＜４＞ 一般式（Ｉ）において、Ｘｍ−は、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることを特徴とする前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
【００１０】
【化２】
【００１１】
式中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に脂肪族基、芳香族基又はヘテロ環基を表す。
【００１２】
＜５＞ 一般式（Ｉ）におけるＸｍ−は、一般式（II）〜（IV）のいずれかで表される陰イオンであって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３が、ハロゲン原子を有する脂肪族基、ハロゲン原子を有する芳香族基又はハロゲン原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする前記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
＜６＞ 一般式（II）〜一般式（IV）におけるＲ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、フッ素原子を有する脂肪族基、フッ素原子を有する芳香族基又はフッ素原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする前記＜５＞に記載のトリアリールアミン誘導体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のトリアリールアミン誘導体は下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする。下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体又はその互変異性体は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のジインモニウム化合物である。
【００１５】
【化３】
【００１６】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但し、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である。また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｘｍ−はｍ価の陰イオンを表し、ｍ及びｎは１又は２を表し、ｍとｎの積は２である。
【００１７】
本発明において脂肪族基は、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基又は置換アラルキル基を意味する。アルキル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルキル基の炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１８であることが更に好ましい。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル基等を挙げることができる。
【００１８】
アルケニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルケニル基の炭素数は２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることが更に好ましい。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル基等を挙げることができる挙げることができる。
【００１９】
アルキニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることが更に好ましい。置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基等を挙げることができる。
【００２０】
アラルキル基及び置換アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基及び置換アラルキル基のアリール部分は下記アリール基と同様である。アラルキル基の具体例としては、ベンジル基、フェニルエチル基等を挙げることができる。
【００２１】
置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換又は無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２−エチルヘキシル基等）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基等）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル基等）、更に環構造が多いトリシクロ構造のアルキル基を包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）も同様の概念のアルキル基を表す。］、
【００２２】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換又は無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基等）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基等）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を１個持つビシクロアルケンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル基等）を包含するものである。］、
【００２３】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基等）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基等）、
【００２４】
ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から１個の水素原子を取り除いた１価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基等）、
【００２５】
シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基等）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基等）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基等）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基等）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基等）、
【００２６】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基等）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基等）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基等）、
【００２７】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基等）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ基等）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基等）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基等）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基等）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基等）、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基等）、
【００２８】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基等）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基等）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基等）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基等）、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基等）、アルキル又はアリールスルホニル基（好ましくは炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基等）、
【００２９】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換又は無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、２−フリルカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基等）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基等）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基等）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基等）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基等）、
【００３０】
ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基等）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基等）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基等）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基等）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基等）を挙げることができる。
【００３１】
上記置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記置換基で置換されていても良い。そのような置換基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基等が挙げられる。具体的には、例えば、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００３２】
また、脂肪族基における置換アラルキル基のアリール部分の置換基の例としては、下記置換アリール基の置換基の例と同様である。
【００３３】
本発明において芳香族基は、アリール基及び置換アリール基を意味する。またこれらの芳香族基は脂肪族環、他の芳香族環又はヘテロ環が縮合していてもよい。アリール基の炭素原子数は６〜４０が好ましく、６〜３０が更に好ましく、６〜２０が更に好ましい。またその中でもアリール基としては、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基が特に好ましい。
【００３４】
置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。また、置換アリール基の置換基の例としては、先に置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様である。
【００３５】
本発明において、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２として好ましくは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、又は、置換若しくは無置換のアリール基であり、更に好ましくは水素原子、総炭素数１〜２０の置換若しくは無置換のアルキル基、総炭素数２〜２０の置換若しくは無置換のアルケニル基、総炭素数２〜２０の置換若しくは無置換のアルキニル基、又は、総炭素数６〜２０の置換若しくは無置換のアリール基であり、更に好ましくは総炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、総炭素数２〜１０の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、総炭素数６〜１０の置換若しくは無置換のアリール基であり、更に好ましくは総炭素数１〜８の置換若しくは無置換のアルキル基、又は、総炭素数６〜８の置換若しくは無置換のアリール基であり、最も好ましくは総炭素数２〜６の置換若しくは無置換のアルキル基である。
【００３６】
また、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、イミド基、シリル基であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アミノ基であり、最も好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００３７】
本発明においては、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である必要がある。これにより耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好なトリアリールアミン誘導体となる。
また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。環を形成することにより、耐光性、耐湿熱性及び溶解性をより向上させることができる。
【００３８】
また、本発明においては、耐光性、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ１１１、Ｒ１２１、Ｒ１１２及びＲ１２２のうち、少なくとも１つの基は、他の基と異なる基であることが好ましい。これにより、本発明のトリアリールアミン誘導体の極大吸収波長を、所望の極大吸収波長へ容易に変更することができる。
更に、耐光性、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることが好ましい。これにより、本発明のトリアリールアミン誘導体の極大吸収波長を、所望の極大吸収波長へ容易に変更することができる。
【００３９】
一般式（Ｉ）においてＸｍ−は１価又は２価の陰イオンを表す。Ｘｍ−の具体例としては、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン（ＴｓＯ−）、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、及び下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオン等を挙げることができる。
本発明においては、耐湿熱性及び溶解性の点から、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることが好ましく、下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることがより好ましい。
【００４０】
【化４】
【００４１】
式中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に脂肪族基、芳香族基又はヘテロ環基を表す。脂肪族基、芳香族基については既述の通りである。また、ヘテロ環基としては、置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル基部分の置換基の例として挙げたヘテロ環基を挙げることができる。これにより、より良好な耐湿熱性を有する赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体とすることができる。
【００４２】
本発明においては、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、ハロゲン原子を有する脂肪族基、ハロゲン原子を有する芳香族基又はハロゲン原子を有するヘテロ環基であることが好ましい。更に前記ハロゲン原子は、フッ素原子であることがより好ましい。これにより耐湿熱性及び溶解性がより向上する。
【００４３】
Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロ環基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基及び炭素数６〜２０のアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基及び炭素数６〜１０のアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜８のアリール基であり、最も好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。中でも、ＣｎＦ２ｎ＋１で表されるパーフルオロアルキル基であることが望ましい。ここでｎは１〜６の整数を表す。
【００４４】
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であって、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２から選ばれる１つ又は２つの基が、残りの他の基とは異なる基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は置換基であって、Ｘｍ−が、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることが好ましく、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は置換基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３から選ばれる１つの基が、残りの他の基とは異なる基であって、Ｘｍ−が過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることもまた好ましい。
【００４５】
更に、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、アルキル基であって、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２から選ばれる１つ又は２つの基が、残りの他の基とは異なる基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、水素原子であって、Ｘｍ−が上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることがより好ましく、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、アルキル基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、シアノ基又はアシル基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３から選ばれる１つの基が残りの他の基とは異なる基であって、Ｘｍ−が上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることもまたより好ましい。
【００４６】
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体（ジイモニウム化合物）の具体例として、化合物１〜２４９を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｘｍ−が無機酸の金属塩であるジイモニウム化合物の具体例（化合物１〜化合物５０、化合物２０６〜化合物２１３）を下記表１、表２及び下記化学式に、一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｘｍ−が一般式（ＩＩ）で表されるジインモニウム化合物の具体例（化合物５１〜化合物１００、化合物２１４〜化合物２２５）を下記表３、表４及び下記化学式に、Ｘｍ−が一般式（III）で表されるジインモニウム化合物の具体例（化合物１０１〜化合物１５０、化合物２２６〜化合物２３７）を下記表５、表６及び下記化学式に、Ｘｍ−が一般式（ＩＶ）で表されるジインモニウム化合物の具体例（化合物１５１〜化合物２０５、化合物２３８〜化合物２４９）を下記表７、表８及び下記化学式に、それぞれ例示する。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】
【表５】
【００５２】
【表６】
【００５３】
【表７】
【００５４】
【表８】
【００５５】
【化５】
【００５６】
【化６】
【００５７】
【化７】
【００５８】
【化８】
【００５９】
【化９】
【００６０】
【化１０】
【００６１】
【化１１】
【００６２】
本発明において、一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、下記一般式（Ｖ）で表される化合物を、無機酸の金属塩（好ましくは銀塩）又は上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）のいずれかで表される陰イオンの金属塩（好ましくは銀塩）で処理することにより合成することができる。
【００６３】
【化１２】
【００６４】
一般式（Ｖ）中、Ｒ１１１〜Ｒ１１６及びＲ１２１〜Ｒ１２６は、上記一般式（Ｉ）におけるＲ１１１〜Ｒ１１６及びＲ１２１〜Ｒ１２６と同義である。
【００６５】
一般式（Ｖ）で表される化合物は、例えば、デア・ドイチェン・ケミシュン・ゲゼルシャフト、９２巻、２４５〜２５１ページ（１９５９年）に記載の方法に基づいて合成することができる。また、無機酸の金属塩は常法により調製することができ、一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表される化合物の銀塩は、例えば、特開２００６−１４３６７４号公報に記載の方法に基づいて合成することができる。
【００６６】
一般式（Ｉ）で表される化合物の合成において、合成反応に用いる原料の比率としては、１モルの一般式（Ｖ）で表される化合物に対して、無機酸の銀塩又は一般式（ＩＩ）〜一般式（ＩＶ）のいずれかで表される化合物の銀塩を、好ましくは０．１〜１０モル、より好ましくは１〜６モル、更に好ましくは１．５〜５モル、特に好ましくは２〜４モル用いることで、一般式（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。
【００６７】
また、合成反応に用いる溶媒としては、例えば、水、アミド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等）、スルホン系溶媒（例えば、スルホラン等）スルホキシド系溶媒（例えば、ジメチルスルホキシド等）、ウレイド系溶媒（例えば、テトラメチルウレア等）、エーテル系溶媒（例えば、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、シクロヘキサノン等）、炭化水素系溶媒（例えば、トルエン、キシレン、ｎ−デカン等）、ハロゲン系溶媒（例えば、テトラクロロエタン、クロロベンゼン等）、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、シクロヘキサノール、フェノール等）、ピリジン系溶媒（例えば、ピリジン、γ−ピコリン、２，６−ルチジン等）、エステル系溶媒（例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル等）、カルボン酸系溶媒（例えば、酢酸、プロピオン酸等）及びニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル等）を挙げることができる。これらの溶媒は単独又は２種以上を併用して用いることができる。
【００６８】
これらの溶媒のうち好ましくは、水、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキシド系溶媒、ウレイド系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、ピリジン系溶媒、エステル系溶媒、カルボン酸系溶媒又はニトリル系溶媒であり、更に好ましくは水、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、ウレイド系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エステル系溶媒又はニトリル系溶媒であり、更に好ましくは水、スルホン系溶媒、アルコール系溶媒、エステル系溶媒又はニトリル系溶媒である。また、水と他の溶媒とを併用して用いることも好ましい。
【００６９】
反応温度としては、−３０〜２５０℃で行うことができるが、好ましくは−１０〜１５０℃、更に好ましくは−５〜１００℃、更に好ましくは０〜７０℃、更に好ましくは１０〜５０℃であり、反応の開始時を−５〜２０℃で行い、途中から２５〜１００℃に昇温して行うことも好ましい。
【００７０】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のジイモニウム化合物であることから、光重合開始剤、電子写真感光体等に広く用いることができる。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。
【００７２】
（実施例１）
化合物６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物６を８．３ｇ（９１％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７３】
（実施例２）
化合物７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物７を８．１ｇ（８９％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７４】
（実施例３）
化合物２８の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物２８を７．６ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７５】
（実施例４）
化合物３２の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物３２を７．２ｇ（８５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７６】
（実施例５）
化合物３４の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物３４を７．０ｇ（８２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７７】
（実施例６）
化合物４４の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこに過塩素酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４４を６．２ｇ（９５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７８】
（実施例７）
化合物４５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロリン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４５を６．７ｇ（９３％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７９】
（実施例８）
化合物４６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこに硝酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４６を５．３ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８０】
（実施例９）
化合物４７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにパラトルエンスルホン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４７を５．５ｇ（８７％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８１】
（実施例１０）
化合物４８の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリフルオロメタンスルホン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４８を６．６ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８２】
（実施例１１）
化合物５６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物５６を６．８ｇ（８５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８３】
（実施例１２）
化合物５７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物５７を７．０ｇ（８７％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８４】
（実施例１３）
化合物７９の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物７９を６．９ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８５】
（実施例１４）
化合物８３の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物８３を７．０ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８６】
（実施例１５）
化合物８５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物８５を７．０ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８７】
（実施例１６）
化合物１０６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１０６を６．６ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８８】
（実施例１７）
化合物１０７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１０７を６．３ｇ（８６％）を得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８９】
（実施例１８）
化合物１２９の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド酸銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１２９を６．４ｇ（９１％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９０】
（実施例１９）
化合物１３３の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１３３を６．５ｇ（９３％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９１】
（実施例２０）
化合物１３５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ―トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１３５を５．９ｇ（８４％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９２】
（実施例２１）
化合物１５６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−（４−ジエチルアミノフェニル）アミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１５６を８．１ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９３】
（実施例２２）
化合物１５７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１５７を８．２ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９４】
（実施例２３）
化合物１７９の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１７９を８．１ｇ（９５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９５】
（実施例２４）
化合物１８３の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１８３を７．５ｇ（８８％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９６】
（実施例２５）
化合物１８５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１８５を７．７ｇ（９１％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９７】
【表９】
【００９８】
＜評価＞
上記で得られた本発明のトリアリールアミン誘導体、及び、下記表１０に示す比較例トリアリールアミン誘導体について、下記の評価を行った。
（評価用サンプル）
ＰＭＭＡ２．５ｇと、トリアリールアミン誘導体０．１２５ｇとをジクロロメタン２５ｍｌに溶解し、これを１００μｍのＰＥＴフィルム上に塗布した。８０℃、減圧下で２時間乾燥し、膜厚２〜３μｍの評価用サンプルを作製した。尚、評価用サンプルにはＰＭＭＡに対して５質量％のトリアリールアミン誘導体が含まれている。
【００９９】
（耐熱性）
上記で得られた評価用サンプルについて、８０℃で４００時間の熱処理を行った。トリアリールアミン誘導体（色素）の極大吸収波長における評価サンプルの吸光度を測定し、熱処理前の吸光度に対する熱処理後の吸光度の比率として色素残存率（％）を求めた。結果を表１０に示した。
【０１００】
（耐湿熱性）
上記で得られた評価用サンプルについて、６０℃、相対湿度９０％で２００時間の湿熱処理を行った。トリアリールアミン誘導体（色素）の極大吸収波長における評価サンプルの吸光度を測定し、湿熱処理前の吸光度に対する湿熱処理後の吸光度の比率として色素残存率（％）を求めた。結果を表１０に示した。
【０１０１】
（耐光性）
上記で得られた評価用サンプルについて、キセノンランプ（１７万ルクス、ＵＶカットフィルター使用）にて、１７０時間の照光処理を行った。トリアリールアミン誘導体（色素）の極大吸収波長における評価サンプルの吸光度を測定し、照光処理前の吸光度に対する照光処理後の吸光度の比率として色素残存率（％）を求めた。結果を表１０に示した。
【０１０２】
（溶解性）
トリアリールアミン誘導体の、２−ブタノン（ＭＥＫ）に対する溶解度（ｗ／ｖ％）を測定した。結果を表１０に示した。
【０１０３】
【表１０】
【０１０４】
表１０から、本発明のトリアリールアミン誘導体は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性に優れた近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体であることが分かる。
また、Ｒ１１３〜Ｒ１１６、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のうち１つの基を、他の基と異なる基とすることで極大吸収波長を変化させることができることがわかる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外領域に吸収を有するトリアリールアミン誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、トリアリールアミン誘導体の１種であるジインモニウム化合物は近赤外線吸収性化合物として広く知られおり（例えば、特許文献１〜３、非特許文献１〜２参照）、光重合開始剤、電子写真感光体等に広く用いられてきた。しかし、一般に近赤外線吸収性化合物としてのジインモニウム化合物は耐湿熱性や溶解性に課題を残している。これに対して、対イオンである陰イオンを変更したり、ジインモニウムイオンのアミノフェニル基に結合しているアルキル基を変更したりすることで耐湿熱性や溶解性が改善できることが知られている（例えば、特許文献４〜６参照）。
【０００３】
また、ジインモニウム化合物の対イオンとして六フッ化アンチモンイオンを用いることで耐熱性が向上することは知られている。しかしながら、アンチモンを含有する化合物は劇物に該当するため、環境への負荷を考慮すると産業分野においては、アンチモンを含まない高耐熱性のジインモニウム化合物が望まれている。この問題を解決するための手段として、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンなどを対イオンとするジインモニウム化合物が知られている。
【特許文献１】特開平４−１４６９０５号公報
【特許文献２】特開平５−１４２８１１号公報
【特許文献３】特開２００２−８２２１９号公報
【特許文献４】特開２００５−３２５２９２号公報
【特許文献５】特開２００５−３３６１５０号公報
【特許文献６】特開２００６−１４３６７４号公報
【非特許文献１】デア・ドイチェン・ケミシュン・ゲゼルシャフト、９２巻、２４５−２５１ページ（１９５９年）
【非特許文献２】スペクトロケミカ・アクタ、２３巻、６５５−６７５ページ（１９６７年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のジインモニウム化合物では、対イオンとして過塩素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンなどを用いても、耐湿熱性、溶解性の点で満足できるものとは言い難かった。また、ジインモニウム化合物の極大吸収波長を、所望の極大吸収波長に変化させることは困難であった。
本発明は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞ 下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体。
【０００６】
【化１】
【０００７】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但し、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である。また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｘｍ−はｍ価の陰イオンを表し、ｍ及びｎは１又は２を表し、ｍとｎの積は２である。
【０００８】
＜２＞ 一般式（Ｉ）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする前記＜１＞に記載のトリアリールアミン誘導体。
＜３＞ 一般式（Ｉ）において、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする前記＜１＞又は＜２＞に記載のトリアリールアミン誘導体。
【０００９】
＜４＞ 一般式（Ｉ）において、Ｘｍ−は、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることを特徴とする前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
【００１０】
【化２】
【００１１】
式中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に脂肪族基、芳香族基又はヘテロ環基を表す。
【００１２】
＜５＞ 一般式（Ｉ）におけるＸｍ−は、一般式（II）〜（IV）のいずれかで表される陰イオンであって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３が、ハロゲン原子を有する脂肪族基、ハロゲン原子を有する芳香族基又はハロゲン原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする前記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
＜６＞ 一般式（II）〜一般式（IV）におけるＲ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、フッ素原子を有する脂肪族基、フッ素原子を有する芳香族基又はフッ素原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする前記＜５＞に記載のトリアリールアミン誘導体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のトリアリールアミン誘導体は下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする。下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体又はその互変異性体は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のジインモニウム化合物である。
【００１５】
【化３】
【００１６】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但し、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である。また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｘｍ−はｍ価の陰イオンを表し、ｍ及びｎは１又は２を表し、ｍとｎの積は２である。
【００１７】
本発明において脂肪族基は、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アラルキル基又は置換アラルキル基を意味する。アルキル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルキル基の炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１８であることが更に好ましい。置換アルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル基等を挙げることができる。
【００１８】
アルケニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルケニル基の炭素数は２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることが更に好ましい。置換アルケニル基のアルケニル部分は、上記アルケニル基と同様である。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル基等を挙げることができる挙げることができる。
【００１９】
アルキニル基は分岐を有していてもよく、また環を形成していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は２〜２０であることが好ましく、２〜１８であることが更に好ましい。置換アルキニル基のアルキニル部分は、上記アルキニル基と同様である。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基等を挙げることができる。
【００２０】
アラルキル基及び置換アラルキル基のアルキル部分は、上記アルキル基と同様である。アラルキル基及び置換アラルキル基のアリール部分は下記アリール基と同様である。アラルキル基の具体例としては、ベンジル基、フェニルエチル基等を挙げることができる。
【００２１】
置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換又は無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２−エチルヘキシル基等）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基等）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル基等）、更に環構造が多いトリシクロ構造のアルキル基を包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）も同様の概念のアルキル基を表す。］、
【００２２】
アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換又は無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基等）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基等）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を１個持つビシクロアルケンから水素原子を１個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル基等）を包含するものである。］、
【００２３】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基等）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基等）、
【００２４】
ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から１個の水素原子を取り除いた１価の基であり、更に好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基等）、
【００２５】
シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基等）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基等）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基等）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基等）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基等）、
【００２６】
カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基等）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基等）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基等）、
【００２７】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基等）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ基等）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基等）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基等）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基等）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基等）、アルキル又はアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基等）、
【００２８】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基等）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基等）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基等）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基等）、スルホ基、アルキル又はアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基等）、アルキル又はアリールスルホニル基（好ましくは炭素数１から３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基等）、
【００２９】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換又は無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、２−フリルカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基等）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基等）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換又は無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基等）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基等）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基等）、
【００３０】
ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基等）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基等）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基等）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基等）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基等）を挙げることができる。
【００３１】
上記置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記置換基で置換されていても良い。そのような置換基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基等が挙げられる。具体的には、例えば、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【００３２】
また、脂肪族基における置換アラルキル基のアリール部分の置換基の例としては、下記置換アリール基の置換基の例と同様である。
【００３３】
本発明において芳香族基は、アリール基及び置換アリール基を意味する。またこれらの芳香族基は脂肪族環、他の芳香族環又はヘテロ環が縮合していてもよい。アリール基の炭素原子数は６〜４０が好ましく、６〜３０が更に好ましく、６〜２０が更に好ましい。またその中でもアリール基としては、フェニル基又はナフチル基であることが好ましく、フェニル基が特に好ましい。
【００３４】
置換アリール基のアリール部分は、上記アリール基と同様である。また、置換アリール基の置換基の例としては、先に置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル部分の置換基の例として挙げたものと同様である。
【００３５】
本発明において、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２として好ましくは、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のアルキニル基、又は、置換若しくは無置換のアリール基であり、更に好ましくは水素原子、総炭素数１〜２０の置換若しくは無置換のアルキル基、総炭素数２〜２０の置換若しくは無置換のアルケニル基、総炭素数２〜２０の置換若しくは無置換のアルキニル基、又は、総炭素数６〜２０の置換若しくは無置換のアリール基であり、更に好ましくは総炭素数１〜１０の置換若しくは無置換のアルキル基、総炭素数２〜１０の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、総炭素数６〜１０の置換若しくは無置換のアリール基であり、更に好ましくは総炭素数１〜８の置換若しくは無置換のアルキル基、又は、総炭素数６〜８の置換若しくは無置換のアリール基であり、最も好ましくは総炭素数２〜６の置換若しくは無置換のアルキル基である。
【００３６】
また、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、イミド基、シリル基であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、アミノ基であり、最も好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００３７】
本発明においては、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である必要がある。これにより耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好なトリアリールアミン誘導体となる。
また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。環を形成することにより、耐光性、耐湿熱性及び溶解性をより向上させることができる。
【００３８】
また、本発明においては、耐光性、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ１１１、Ｒ１２１、Ｒ１１２及びＲ１２２のうち、少なくとも１つの基は、他の基と異なる基であることが好ましい。これにより、本発明のトリアリールアミン誘導体の極大吸収波長を、所望の極大吸収波長へ容易に変更することができる。
更に、耐光性、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることが好ましい。これにより、本発明のトリアリールアミン誘導体の極大吸収波長を、所望の極大吸収波長へ容易に変更することができる。
【００３９】
一般式（Ｉ）においてＸｍ−は１価又は２価の陰イオンを表す。Ｘｍ−の具体例としては、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン（ＴｓＯ−）、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、及び下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオン等を挙げることができる。
本発明においては、耐湿熱性及び溶解性の点から、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることが好ましく、下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることがより好ましい。
【００４０】
【化４】
【００４１】
式中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に脂肪族基、芳香族基又はヘテロ環基を表す。脂肪族基、芳香族基については既述の通りである。また、ヘテロ環基としては、置換アルキル基、置換アルケニル基、置換アルキニル基及び置換アラルキル基のアルキル基部分の置換基の例として挙げたヘテロ環基を挙げることができる。これにより、より良好な耐湿熱性を有する赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体とすることができる。
【００４２】
本発明においては、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、ハロゲン原子を有する脂肪族基、ハロゲン原子を有する芳香族基又はハロゲン原子を有するヘテロ環基であることが好ましい。更に前記ハロゲン原子は、フッ素原子であることがより好ましい。これにより耐湿熱性及び溶解性がより向上する。
【００４３】
Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロ環基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基及び炭素数６〜２０のアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基及び炭素数６〜１０のアリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜８のアリール基であり、最も好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。中でも、ＣｎＦ２ｎ＋１で表されるパーフルオロアルキル基であることが望ましい。ここでｎは１〜６の整数を表す。
【００４４】
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性の点から、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であって、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２から選ばれる１つ又は２つの基が、残りの他の基とは異なる基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は置換基であって、Ｘｍ−が、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることが好ましく、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はアリール基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又は置換基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３から選ばれる１つの基が、残りの他の基とは異なる基であって、Ｘｍ−が過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることもまた好ましい。
【００４５】
更に、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、アルキル基であって、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２から選ばれる１つ又は２つの基が、残りの他の基とは異なる基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、水素原子であって、Ｘｍ−が上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることがより好ましく、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に、アルキル基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、シアノ基又はアシル基であって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３から選ばれる１つの基が残りの他の基とは異なる基であって、Ｘｍ−が上記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることもまたより好ましい。
【００４６】
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体（ジイモニウム化合物）の具体例として、化合物１〜２４９を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｘｍ−が無機酸の金属塩であるジイモニウム化合物の具体例（化合物１〜化合物５０、化合物２０６〜化合物２１３）を下記表１、表２及び下記化学式に、一般式（Ｉ）で表される化合物において、Ｘｍ−が一般式（ＩＩ）で表されるジインモニウム化合物の具体例（化合物５１〜化合物１００、化合物２１４〜化合物２２５）を下記表３、表４及び下記化学式に、Ｘｍ−が一般式（III）で表されるジインモニウム化合物の具体例（化合物１０１〜化合物１５０、化合物２２６〜化合物２３７）を下記表５、表６及び下記化学式に、Ｘｍ−が一般式（ＩＶ）で表されるジインモニウム化合物の具体例（化合物１５１〜化合物２０５、化合物２３８〜化合物２４９）を下記表７、表８及び下記化学式に、それぞれ例示する。
【００４７】
【表１】
【００４８】
【表２】
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】
【表５】
【００５２】
【表６】
【００５３】
【表７】
【００５４】
【表８】
【００５５】
【化５】
【００５６】
【化６】
【００５７】
【化７】
【００５８】
【化８】
【００５９】
【化９】
【００６０】
【化１０】
【００６１】
【化１１】
【００６２】
本発明において、一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、下記一般式（Ｖ）で表される化合物を、無機酸の金属塩（好ましくは銀塩）又は上記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）のいずれかで表される陰イオンの金属塩（好ましくは銀塩）で処理することにより合成することができる。
【００６３】
【化１２】
【００６４】
一般式（Ｖ）中、Ｒ１１１〜Ｒ１１６及びＲ１２１〜Ｒ１２６は、上記一般式（Ｉ）におけるＲ１１１〜Ｒ１１６及びＲ１２１〜Ｒ１２６と同義である。
【００６５】
一般式（Ｖ）で表される化合物は、例えば、デア・ドイチェン・ケミシュン・ゲゼルシャフト、９２巻、２４５〜２５１ページ（１９５９年）に記載の方法に基づいて合成することができる。また、無機酸の金属塩は常法により調製することができ、一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表される化合物の銀塩は、例えば、特開２００６−１４３６７４号公報に記載の方法に基づいて合成することができる。
【００６６】
一般式（Ｉ）で表される化合物の合成において、合成反応に用いる原料の比率としては、１モルの一般式（Ｖ）で表される化合物に対して、無機酸の銀塩又は一般式（ＩＩ）〜一般式（ＩＶ）のいずれかで表される化合物の銀塩を、好ましくは０．１〜１０モル、より好ましくは１〜６モル、更に好ましくは１．５〜５モル、特に好ましくは２〜４モル用いることで、一般式（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。
【００６７】
また、合成反応に用いる溶媒としては、例えば、水、アミド系溶媒（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン等）、スルホン系溶媒（例えば、スルホラン等）スルホキシド系溶媒（例えば、ジメチルスルホキシド等）、ウレイド系溶媒（例えば、テトラメチルウレア等）、エーテル系溶媒（例えば、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、シクロヘキサノン等）、炭化水素系溶媒（例えば、トルエン、キシレン、ｎ−デカン等）、ハロゲン系溶媒（例えば、テトラクロロエタン、クロロベンゼン等）、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、シクロヘキサノール、フェノール等）、ピリジン系溶媒（例えば、ピリジン、γ−ピコリン、２，６−ルチジン等）、エステル系溶媒（例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル等）、カルボン酸系溶媒（例えば、酢酸、プロピオン酸等）及びニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル等）を挙げることができる。これらの溶媒は単独又は２種以上を併用して用いることができる。
【００６８】
これらの溶媒のうち好ましくは、水、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキシド系溶媒、ウレイド系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、ピリジン系溶媒、エステル系溶媒、カルボン酸系溶媒又はニトリル系溶媒であり、更に好ましくは水、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、ウレイド系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エステル系溶媒又はニトリル系溶媒であり、更に好ましくは水、スルホン系溶媒、アルコール系溶媒、エステル系溶媒又はニトリル系溶媒である。また、水と他の溶媒とを併用して用いることも好ましい。
【００６９】
反応温度としては、−３０〜２５０℃で行うことができるが、好ましくは−１０〜１５０℃、更に好ましくは−５〜１００℃、更に好ましくは０〜７０℃、更に好ましくは１０〜５０℃であり、反応の開始時を−５〜２０℃で行い、途中から２５〜１００℃に昇温して行うことも好ましい。
【００７０】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性が良好な近赤外線吸収性のジイモニウム化合物であることから、光重合開始剤、電子写真感光体等に広く用いることができる。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。
【００７２】
（実施例１）
化合物６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物６を８．３ｇ（９１％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７３】
（実施例２）
化合物７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物７を８．１ｇ（８９％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７４】
（実施例３）
化合物２８の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物２８を７．６ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７５】
（実施例４）
化合物３２の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物３２を７．２ｇ（８５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７６】
（実施例５）
化合物３４の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロアンチモン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物３４を７．０ｇ（８２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７７】
（実施例６）
化合物４４の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこに過塩素酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４４を６．２ｇ（９５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７８】
（実施例７）
化合物４５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにヘキサフルオロリン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４５を６．７ｇ（９３％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００７９】
（実施例８）
化合物４６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこに硝酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４６を５．３ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８０】
（実施例９）
化合物４７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにパラトルエンスルホン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４７を５．５ｇ（８７％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８１】
（実施例１０）
化合物４８の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）−２−メチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリフルオロメタンスルホン酸銀１５ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物４８を６．６ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８２】
（実施例１１）
化合物５６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物５６を６．８ｇ（８５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８３】
（実施例１２）
化合物５７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物５７を７．０ｇ（８７％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８４】
（実施例１３）
化合物７９の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物７９を６．９ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８５】
（実施例１４）
化合物８３の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物８３を７．０ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８６】
（実施例１５）
化合物８５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物８５を７．０ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８７】
（実施例１６）
化合物１０６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１０６を６．６ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８８】
（実施例１７）
化合物１０７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１０７を６．３ｇ（８６％）を得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００８９】
（実施例１８）
化合物１２９の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド酸銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１２９を６．４ｇ（９１％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９０】
（実施例１９）
化合物１３３の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ−トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１３３を６．５ｇ（９３％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９１】
（実施例２０）
化合物１３５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにＮ―トリフルオロアセチル−Ｎ―トリフルオロメタンスルホニルイミド銀塩１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１３５を５．９ｇ（８４％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９２】
（実施例２１）
化合物１５６の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−（４−ジエチルアミノフェニル）アミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１５６を８．１ｇ（９０％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９３】
（実施例２２）
化合物１５７の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｉｓｏ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジエチルアミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１５７を８．２ｇ（９２％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝５７１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１７ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９４】
（実施例２３）
化合物１７９の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メチルフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１７９を８．１ｇ（９５％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６４１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１６ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９５】
（実施例２４）
化合物１８３の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノ−２−メトキシフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１８３を７．５ｇ（８８％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６５７であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９２４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９６】
（実施例２５）
化合物１８５の合成
ＤＭＦ４０ｍｌ中にビス（４−ジ（ｎ―ブチル）アミノフェニル）−２−クロロ−４−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニルアミン５ｇを完溶させ、６０℃にて加熱攪拌した。そこにトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチル銀１２ｇを加え、６０℃にて３時間加熱攪拌した。反応液をろ過して不溶解成分を除去した後、反応液に水２００ｍｌを加えて析出した結晶をろ過した。得られた結晶を水洗、乾燥し目的の化合物１８５を７．７ｇ（９１％）得た。
マススペクトルを測定したところＭ＋＝６６１であった。また、吸収スペクトルを測定したところ、極大吸収波長はλmax=９１４ｎｍ（ジクロロメタン）であった。
元素分析の結果を表９に示した。
【００９７】
【表９】
【００９８】
＜評価＞
上記で得られた本発明のトリアリールアミン誘導体、及び、下記表１０に示す比較例トリアリールアミン誘導体について、下記の評価を行った。
（評価用サンプル）
ＰＭＭＡ２．５ｇと、トリアリールアミン誘導体０．１２５ｇとをジクロロメタン２５ｍｌに溶解し、これを１００μｍのＰＥＴフィルム上に塗布した。８０℃、減圧下で２時間乾燥し、膜厚２〜３μｍの評価用サンプルを作製した。尚、評価用サンプルにはＰＭＭＡに対して５質量％のトリアリールアミン誘導体が含まれている。
【００９９】
（耐熱性）
上記で得られた評価用サンプルについて、８０℃で４００時間の熱処理を行った。トリアリールアミン誘導体（色素）の極大吸収波長における評価サンプルの吸光度を測定し、熱処理前の吸光度に対する熱処理後の吸光度の比率として色素残存率（％）を求めた。結果を表１０に示した。
【０１００】
（耐湿熱性）
上記で得られた評価用サンプルについて、６０℃、相対湿度９０％で２００時間の湿熱処理を行った。トリアリールアミン誘導体（色素）の極大吸収波長における評価サンプルの吸光度を測定し、湿熱処理前の吸光度に対する湿熱処理後の吸光度の比率として色素残存率（％）を求めた。結果を表１０に示した。
【０１０１】
（耐光性）
上記で得られた評価用サンプルについて、キセノンランプ（１７万ルクス、ＵＶカットフィルター使用）にて、１７０時間の照光処理を行った。トリアリールアミン誘導体（色素）の極大吸収波長における評価サンプルの吸光度を測定し、照光処理前の吸光度に対する照光処理後の吸光度の比率として色素残存率（％）を求めた。結果を表１０に示した。
【０１０２】
（溶解性）
トリアリールアミン誘導体の、２−ブタノン（ＭＥＫ）に対する溶解度（ｗ／ｖ％）を測定した。結果を表１０に示した。
【０１０３】
【表１０】
【０１０４】
表１０から、本発明のトリアリールアミン誘導体は、耐光性、耐湿熱性及び溶解性に優れた近赤外線吸収性のトリアリールアミン誘導体であることが分かる。
また、Ｒ１１３〜Ｒ１１６、Ｒ１２３〜Ｒ１２６のうち１つの基を、他の基と異なる基とすることで極大吸収波長を変化させることができることがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体。
【化１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但し、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である。また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｘｍ−はｍ価の陰イオンを表し、ｍ及びｎは１又は２を表し、ｍとｎの積は２である。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする請求項１に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項４】
一般式（Ｉ）において、Ｘｍ−は、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
【化２】
式中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に脂肪族基、芳香族基又はヘテロ環基を表す。
【請求項５】
一般式（Ｉ）におけるＸｍ−は、一般式（II）〜（IV）のいずれかで表される陰イオンであって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３が、ハロゲン原子を有する脂肪族基、ハロゲン原子を有する芳香族基又はハロゲン原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項６】
一般式（II）〜一般式（IV）におけるＲ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、フッ素原子を有する脂肪族基、フッ素原子を有する芳香族基又はフッ素原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする請求項５に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるトリアリールアミン誘導体。
【化１】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表し、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。但し、Ｒ１１１とＲ１２１、Ｒ１１２とＲ１２２、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１１４とＲ１２４、Ｒ１１５とＲ１２５、及びＲ１１６とＲ１２６の各組のうち、少なくとも１組は互いに異なる基である。また、Ｒ１１１とＲ１１２、Ｒ１１１とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１１４、Ｒ１１３とＲ１２３、Ｒ１２３とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２４、Ｒ１２１とＲ１２２、及びそれぞれが異なるフェニル基に結合している２つのＲ１１６は、互いに連結して環を形成していてもよい。Ｘｍ−はｍ価の陰イオンを表し、ｍ及びｎは１又は２を表し、ｍとｎの積は２である。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２、Ｒ１２１及びＲ１２２のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする請求項１に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｉ）において、Ｒ１１３、Ｒ１１４、Ｒ１１５、Ｒ１１６、Ｒ１２３、Ｒ１２４、Ｒ１２５及びＲ１２６のうち少なくとも１つの基は、他の基と異なることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項４】
一般式（Ｉ）において、Ｘｍ−は、過塩素酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又は下記一般式（II）〜一般式（IV）のいずれかで表される陰イオンであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
【化２】
式中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３はそれぞれ独立に脂肪族基、芳香族基又はヘテロ環基を表す。
【請求項５】
一般式（Ｉ）におけるＸｍ−は、一般式（II）〜（IV）のいずれかで表される陰イオンであって、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３が、ハロゲン原子を有する脂肪族基、ハロゲン原子を有する芳香族基又はハロゲン原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のトリアリールアミン誘導体。
【請求項６】
一般式（II）〜一般式（IV）におけるＲ２１１、Ｒ２１２、Ｒ３１１、Ｒ３１２、Ｒ４１１、Ｒ４１２及びＲ４１３は、フッ素原子を有する脂肪族基、フッ素原子を有する芳香族基又はフッ素原子を有するヘテロ環基であることを特徴とする請求項５に記載のトリアリールアミン誘導体。
【公開番号】特開２００８−２６０７３８（Ｐ２００８−２６０７３８Ａ）
【公開日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１０６３７２（Ｐ２００７−１０６３７２）
【出願日】平成１９年４月１３日（２００７．４．１３）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月３０日（２００８．１０．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年４月１３日（２００７．４．１３）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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