ハイブリッドＩＣのリード形成方法

【目的】一連の製造工程の中でリードを形成することができ、しかも大幅な工数削減を可能としたハイブリッドＩＣのリード形成方法を提供する。
【構成】基材１０を長孔１１にて区画し、その基材１０内に個片基板１２を形成する工程と、基材１０の表面に銅箔１４を積層する工程と、銅箔１４の所定部分にレジストを塗布する工程と、レジストが塗布された部分を除いて銅箔１４を除去し、基材１０に設けた長孔１１を跨ぐ状態で銅箔１４を残す工程と、基材１０から個片基板１２を切り離すと同時に、残された銅箔１４を切断、曲げ加工して個片基板１２の周囲にリードを形成する工程とからなるハイブリッドＩＣのリード形成方法。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドＩＣのリード形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のハイブリッドＩＣの製造工程では以下のようにしてリード形成が行われていた。まず、図９R>９に示すような集合基板５０の状態で、長孔５１によって区画形成された各個片基板５２上に半導体素子やその他の個別部品を搭載する。部品搭載が終了したら基板の吊り部分５３を金型によって打ち落とし、一枚の集合基板５０を複数枚の個片基板５２に分割する。
【０００３】こうして分割された個片基板５２に対し、別工程で製造されたリードフレーム（Ｆ型リード）５４を図１０に示すように個片基板５２の両側から対向させて配置する。続いて、図１１に示すように個片基板５２の両側からリードフレーム５４を組み込んで、さらに個片基板５２とリードフレーム５４とをハンダ付けによって接続させる。その後、図中破線で示すように所定の長さを残してリードフレーム５４を切断し、あとは必要に応じて所定形状にフォーミングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来のリード形成方法においては、個片基板５２とリードフレーム５４とがそれぞれ別々の工程で製造され、さらにこの両者を後工程で組み合わせるようになっているため、製造工程が非常に煩雑になるといった問題があった。また、個片基板５２とリードフレーム５４とをハンダ付けにより接続し、これによって両者の電気的接続が得られるようになっているため、作業に人手がかかるうえに多大な工数を必要し、大幅な製品コストの増加を招いていた。
【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、一連の製造工程の中でリードを形成することができ、しかも大幅な工数削減を可能としたハイブリッドＩＣのリード形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するためになされたもので、基材を長孔にて区画し、その基材内に個片基板を形成する工程と、基材の表面に銅箔を積層する工程と、銅箔の所定部分にレジストを塗布する工程と、レジストが塗布された部分を除いて銅箔を除去し、基材に設けた長孔を跨ぐ状態で銅箔を残す工程と、基材から個片基板を切り離すと同時に、残された銅箔を切断、曲げ加工して個片基板の周囲にリードを形成する工程とからなるハイブリッドＩＣのリード形成方法である。
【０００７】また、基材を長孔にて区画し、その基材内に個片基板を形成する工程と、基材に設けた長孔を跨ぐ状態で銅板を実装する工程と、基材から個片基板を切り離すと同時に、銅板を切断、曲げ加工して個片基板の周囲にリードを形成する工程とからなるハイブリッドＩＣのリード形成方法である。
【０００８】さらに、基材を長孔にて区画し、その基材内に個片基板を形成する工程と、基材に設けた長孔を跨ぐ状態で、所定形状にフォーミングされた銅板を実装する工程と、基材から個片基板を切り離すと同時に、銅板を切断して個片基板の周囲にリードを形成する工程とからなるハイブリッドＩＣのリード形成方法である。
【０００９】
【作用】本発明のハイブリッドＩＣのリード形成方法においては、基材を長孔にて区画してからこの基材を幾枚かの個片基板に分割するまでの一連の工程の中で、リードとなる銅箔又は銅板が上記基材に設けた長孔を跨ぐ状態で形成され、さらにそれらの銅箔又は銅板が基板分割と同時に切断、曲げ加工されて、個片基板の周囲にリードとして形成される。ここで、銅板が予め所定形状にフォーミングされている場合は、基板分割時における銅板の曲げ加工が不要となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。はじめに、本発明に係わるハイブリッドＩＣのリード形成方法の第１実施例について図１〜図５を基に説明する。まず、図２に示すように集合基板となる基材１０の所定箇所に長孔１１を設けて区画し、その基材１０内に例えば図例のように４枚の個片基板１２を形成する。各個片基板１２は長孔１１の端部近傍に形成される吊り部分１３によって基材１０と一体に保持される。次に、上述のように外形加工された基材１０の表面に銅箔１４を積層する（図３参照）。これにより、基材１０に設けられた長孔１１や個片基板１２が銅箔１４によって完全に覆われる。
【００１１】続いて、基材１０の表面に積層された銅箔１４の所定部分にレジストを塗布する。ここでは、基材１０表面に銅箔１４として残したい部分にのみレジストを塗布する。例えば、個片基板１２上に形成される配線パターンや、この配線パターンに接続して形成されるリード（後述）がその部分に該当する。
【００１２】次いで、レジストが塗布された部分を除いて銅箔１４をエッチングによって除去し、図示せぬ個片基板１２の配線パターンとともに、図１に示す如く基材１０の長孔１１を跨ぐ状態で銅箔１４を残す。
【００１３】最後は、図示せぬ金型を用いて、基材１０から個片基板１２を切り離すと同時に、基材１０上に残された銅箔１４を図４の破線の位置（銅箔１４の中央）で切断し、さらに図５に示すように銅箔１４を曲げ加工して個片基板１２の周囲にリード（１４）を形成する。因みに、基材１０からの個片基板１２の切り離しは、吊り部分１３を金型で打ち落とすことによって行われる。
【００１４】このように上述した第１実施例のリード形成方法においては、ハイブリッドＩＣのリードとなる部分が基材１０上のパターンニングと同時に形成されるようになるため、従来のようなリード付けのための別工程を設ける必要がなく、一連の基板製造工程の中でリード形成を行うことが可能となる。また、個片基板１２上に配線パターンを形成する作業と同時進行で、リードとなる銅箔１４部分を形成することにより、基板製造にかかる工数をほとんど増やすことなくリード形成を行うことが可能となる。これにより、従来方法におけるリードフレーム製造のための工数やこれを個片基板に組み込むための工数が一切不要となり、もって大幅な作業工数の削減が可能となる。
【００１５】次に、本発明に係わるハイブリッドＩＣのリード形成方法の第２実施例について図６〜図８に基に説明する。まず、上記第１実施例の場合と同様に基材２０の所定箇所に長孔２１を設けて区画し、その基材２０内に幾枚かの個片基板２２を形成する。ここで、各個片基板２２は長孔２１の端部に形成される吊り部分２３によって基材２０と一体に保持される。
【００１６】続いて、図６に示すように基材２０に設けた長孔２１を跨ぐ状態で薄板状の銅板２４を実装する。この銅板２４は、図７にも示すように予め所定の形状にフォーミングされており、しかも夫々の銅板２４は細長い樹脂材２５によって連結されている。さらに詳述すると、銅板２４の連結部はくさび状に切り欠かれており、その切り欠き部分に溶かした樹脂材２５を流し込んで硬化させることにより各銅板２４が連結されている。
【００１７】樹脂材２５によって連結された銅板２４は、個片基板２２に搭載される半導体素子やその他の個別部品と同様に、図示せぬ搭載機によって基材２０上に搭載される。ここで、長孔２１によって区画された個片基板２２の周縁には図示せぬランドが形成されており、このランドに銅板２４の両端が丁度位置するように、基材２０に対して銅板２４の搭載がなされる。さらに、個片基板２２のランドには他の部品実装用のランドと同様に予め所定量のハンダが供給され、これによりマウントされた銅板２４が基材２０上に仮付けされる。こうした状態から基材２０を例えばリフロー炉に通して所定温度まで加熱することにより、個片基板２２のランドと銅板２４の両端とがハンダによって接合される。
【００１８】最後は、図示せぬ金型を用いて、基材２０から個片基板２２を切り離すと同時に、基材２０上に実装された銅板２４を樹脂材２５の連結部分で切り離し、図８に示すように個片基板２２の周囲にリード（２４）を形成する。因みに、基材２０からの個片基板２２の切り離しは、先の実施例と同様に吊り部分２３を金型で打ち落とすことによって行われる。また、銅板２４相互の切り離しは、樹脂材２５との連結部分を金型で切断することにより行われる。
【００１９】このように上述した第２実施例のリード形成方法においては、ハイブリッドＩＣのリードとなる銅板２４が、他の部品と同じように基材２０上に表面実装されるとともに、基板分割時に切断、曲げ加工されて個片基板２２の周囲にリードとして形成されるため、上記第１実施例と同様にリード付けのための別工程を設ける必要がなく、一連の基板製造工程の中でハイブリッドＩＣのリード形成を行うことが可能となる。また、リードとなる銅板２４と個片基板２２のランドとをリフロー方式で接合させることでリード形成に伴う作業を全て自動機で行わせることが可能となるため、人手がかからないうえに大幅な作業工数の削減が可能となる。
【００２０】なお、上記第２実施例においては、予め銅板２４を所定形状にフォーミングしてから基材２０上に実装するようにしたが、本発明はこれに限らず、フォーミングしていない、所謂平板状の銅板を基材上に実装し、これを基板分割と同時に切断、曲げ加工してリードとして形成するようにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、一連の基板製造工程の中でリード形成を行うことができるため、従来のように別工程でリードフレームを製造し、これを個片基板に組み込むといった工程の煩雑さが解消される。また、上述した一連の基板製造工程の中で個片基板とリードとの電気的接続を得ることができるため、従来方法のように別々の工程で製造された個片基板とリードフレームとをハンダ付けにより接続させるといった面倒な作業を行う必要がなくなり、これをもって大幅な作業工数の削減が可能になると同時に、製品コストの低減が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例のリード形成方法を説明する図（その１）である。
【図２】本発明の第１実施例のリード形成方法を説明する図（その２）である。
【図３】本発明の第１実施例のリード形成方法を説明する図（その３）である。
【図４】本発明の第１実施例のリード形成方法を説明する図（その４）である。
【図５】本発明の第１実施例のリード形成方法を説明する図（その５）である。
【図６】本発明の第２実施例のリード形成方法を説明する図（その１）である。
【図７】第２実施例における銅板の説明図である。
【図８】本発明の第２実施例のリード形成方法を説明する図（その２）である。
【図９】従来のリード形成方法を説明する図（その１）である。
【図１０】従来のリード形成方法を説明する図（その２）である。
【図１１】従来のリード形成方法を説明する図（その３）である。
【符号の説明】
１０、２０基材
１１、２１長孔
１２、２２個片基板
１４銅箔
２４銅板

【特許請求の範囲】
【請求項１】基材を長孔にて区画し、その基材内に個片基板を形成する工程と、前記基材の表面に銅箔を積層する工程と、前記銅箔の所定部分にレジストを塗布する工程と、前記レジストが塗布された部分を除いて前記銅箔を除去し、前記基材に設けた長孔を跨ぐ状態で前記銅箔を残す工程と、前記基材から前記個片基板を切り離すと同時に、前記残された銅箔を切断、曲げ加工して前記個片基板の周囲にリードを形成する工程とからなることを特徴とするハイブリッドＩＣのリード形成方法。
【請求項２】基材を長孔にて区画し、その基材内に個片基板を形成する工程と、前記基材に設けた長孔を跨ぐ状態で銅板を実装する工程と、前記基材から前記個片基板を切り離すと同時に、前記銅板を切断、曲げ加工して前記個片基板の周囲にリードを形成する工程とからなることを特徴とするハイブリッドＩＣのリード形成方法。
【請求項３】基材を長孔にて区画し、その基材内に個片基板を形成する工程と、前記基材に設けた長孔を跨ぐ状態で、所定形状にフォーミングされた銅板を実装する工程と、前記基材から前記個片基板を切り離すと同時に、前記銅板を切断して前記個片基板の周囲にリードを形成する工程とからなることを特徴とするハイブリッドＩＣのリード形成方法。

【図１】